根据2019年Yole发布的SiC市场报告,2018年SiC的市场规模约为4.2亿美元,该机构预计SiC市场的年复合增长率为29%,也就是说到2024年,SiC的市场规模将达19.3亿美元。
2020-04-03 18:26:1314945 赛事、场馆参观活动,也开始应用RFID作为门票防伪、安保、资产管理与溯源的保证。 2015年市场规模将达373亿元 虽然中国RFID行业在过去的几年间经历过了一段高速的成长期,但在2008年全球
2014-04-16 09:27:36
2016上海世界移动大会期间,中国移动物联网公司副总经理乔辉向第一财经等媒体表示,预计到2020年,中国移动将实现1000亿元收入规模,实现50亿互联网连接数。 据中国移动预测,到2020年
2016-06-30 14:54:26
据有关数据显示,2014-2017年,我国MEMS压力传感器市场规模呈稳步上升的趋势,其年复合增长率为11.46%。2017年我国MEMS压力传感器市场规模为32.4亿元,同比去年增长12.5
2018-12-17 11:30:50
销售量为6.63亿台,预计到2023年这一数字将增加到19.4亿台。
报告称:“2018年,智能家居相关硬件,服务以及安装等费用总支出将达到近960亿美元,预计到2023年,达1550亿美元,年
2018-06-12 09:25:21
;Associates(全球连接器市场调研机构)预测,2025年,全球汽车连接器市场规模可达194.52亿美元,其中,中国的汽车连接器市场就独占其中的23%,规模约为44.68亿美元。中国汽车
2023-05-22 15:31:10
2018年全球光通信器件市场规模达108.4亿美元,同比2017年增长9.0%,预计2022年将达到141.47亿美元,全球光通信市场正处于高速发展期。移动互联网、物联网、云计算和三网融合等新型
2020-03-24 15:44:18
SIC73-560 - Low Profile (2.5mm max, height) SMD type - List of Unclassifed Manufacturers
2022-11-04 17:22:44
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
SIC438BEVB-B
2023-04-06 23:31:02
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化(如充电器
2019-07-31 06:16:52
员已经在Si IGBT上使用SiC MOSFET观察到系统级价格的显着优势,并且我们预计随着150 mm晶圆的规模经济,SiC MOSFET的价格将继续下降。 图7:在Digi-Key上看到的市售
2023-02-27 13:48:12
SiC SBD 晶圆级测试 求助:需要测试的参数和测试方法谢谢
2020-08-24 13:03:34
的快速充电器等的功率因数校正电路(PFC电路)和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同,小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定,通常如果将势垒高度
2019-03-14 06:20:14
的快速充电器等的功率因数校正电路(PFC电路)和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同,小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定,通常如果将势垒高度
2019-04-22 06:20:22
从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34:24
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展,性能有望进一步提升。从下一篇开始,将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点,但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。< 相关产品信息 >MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-04-09 04:58:00
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外,除了
2018-11-27 16:38:39
vs IF)、以及正向电压与抗浪涌电流特性(VF vs IFSM)比较图。第2代SiC-SBD通过改善制造工艺,保持了与以往产品同等的漏电流和trr性能,同时将VF降低了约0.15V。因而改善了VF带来
2018-11-30 11:51:17
继SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管下面从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么?SiC46x有哪些优异的设计?SiC46x的主要应用领域有哪些?
2021-07-09 07:11:50
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23
电导率调制,向漂移层内注入作为少数载流子的空穴,因此导通电阻比MOSFET还要小,但是同时由于少数载流子的积聚,在Turn-off时会产生尾电流,从而造成极大的开关损耗。SiC器件漂移层的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
从本文开始将探讨如何充分发挥全SiC功率模块的优异性能。此次作为栅极驱动的“其1”介绍栅极驱动的评估事项,在下次“其2”中介绍处理方法。栅极驱动的评估事项:栅极误导通首先需要了解的是:接下来要介绍
2018-11-30 11:31:17
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
与硅相比,SiC有哪些优势?SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能?碳化硅器件的缺点有哪些?
2021-07-12 08:07:35
实现“充电5分钟,续航超200公里。”极氪智能旗下威睿电动汽车技术有限公司正式发布了600kW超充技术,并已实现量产,据称可实现充电5分钟续航里程增加300公里。哪吒汽车发布浩智800V SiC高性能
2022-12-27 15:05:47
输出电流:50mA输出功率耗散:150mW操作温度:-55~100℃储存温度:-55~125℃焊接温度:260℃想了解更多亿光光耦,可登陆超毅电子官网查看:www .chaoyi1688 .com`
2015-04-20 14:59:41
的份额。数据显示,如果AMD和赛灵思达成协议,今年迄今规模最大的交易中,将有三笔来自半导体行业。另外两笔分别是ADI斥资200多亿美元收购Maxim,9月份英伟达斥资400亿美元收购软银集团旗下的英国芯片
2020-10-10 15:41:19
和GaN的特性比较 氧化镓(GaO)是另一种带隙较宽的半导体材料,GaO的导热性较差,但其带隙(约4.8 eV)超过SiC,GaN和Si,但是,GaO在成为主要动力之前将需要更多的研发工作。系统参与者
2022-08-12 09:42:07
据国外媒体报道,调查机构In-Stat预测称,移动计算设备,包括平板电脑、上网本和笔记本电脑的出货量将保持19.1%的年复合增长率,到2014年总出货量将超过4亿部。 “尽管面临着来自低端互联网
2011-03-03 16:33:50
出货量成长将趋缓。 IC Insights指出,MCU市场销售额在2015年几乎没有成长,幅度不到0.5%,但金额规模却达到了略高于159亿美元的新高纪录,主要是因为MCU出货量成长了15%,在去年
2017-05-24 09:20:40
5.405亿美元,年复合增长率(CAGR)超过18%。此外,IHS Markit的研究表明,预计SiC MOSFET器件到2025年将产生超过3亿美元营收,几乎达到肖特基二极管的水平,成为第二大畅销SiC分立
2018-10-23 16:22:24
技术领域都拥有强大的优势,双方保持着技术交流并建立了合作关系。今后,通过将ROHM的SiC功率元器件和控制技术与Apex Microtechnology的模块技术完美结合,双方将能够提供满足市场需求的出色的功率系统解决方案,从而持续为工业设备的效率提升做出贡献。
2023-03-29 15:06:13
SuperData数据显示,在2016年VR软件4.07亿美元销售额中,72%来自游戏。到2020年,这个百分比将降至41%,届时企业、媒体以及其他VR软件将会崛起。再加上硬件收入,预计2020年VR
2016-12-15 14:32:33
国际市场研究机构ReportsnReports日前发布智能电网研究报告称,2017年,全球智能电网市场规模预计将达到208.3亿美元。随着***政策扶持,立法授权,以及对智能电表部署的激励将进一步
2018-01-24 14:32:00
半导体行业发展概览WSTS 预测,2023年全球半导体市场规模将同比减少4.1%,降至 5,566亿美元,但这一波下行周期有望在2023年下半年出现拐点,受益于国际行情,中国半导体市场占全球半导体
2023-03-17 11:08:33
%,精品网络初步建成。据统计,截至2011年底,TD-SCDMA规模产业化已带动近万亿规模投入,直接和间接拉动GDP计5000亿元人民币,创造就业岗位43万多个。预计2013年,TD-SCDMA将步入完全依靠
2013-03-16 14:19:56
半导体行业发展概览WSTS 预测,2023年全球半导体市场规模将同比减少4.1%,降至 5,566亿美元,但这一波下行周期有望在2023年下半年出现拐点,受益于国际行情,中国半导体市场占全球半导体
2023-03-17 11:13:35
要充分认识 SiC MOSFET 的功能,一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍,具有更高的电流密度,能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的结构是如何构成的?
2021-06-18 08:32:43
关于SiC-SBD,前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容,并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiーSBD、Si-PND的特征SiC-SBD为形成
2018-11-29 14:33:47
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇,想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍,开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。全SiC功率模块的开关损耗全SiC功率模块与现有
2018-11-27 16:37:30
电网产业发展情况。据悉,今年南京智能电网产值突破500亿元,2015年产业规模达1000亿元,跻身于国内第一方阵。 位于江宁的中电光伏是一家生产太阳能电池的企业,电池片产能跻身于国内同类企业前列
2012-06-05 15:52:28
我在 SPC560 MCU 中使用了 PWM,此外 ws2811 可寻址 LED 还需要 DMA。如何将 PWM 与 DMA 结合使用。
2023-01-04 08:02:13
到千亿规模。可能有些朋友不太了解大规模特征是怎么来的,举个简单的例子,假设你有百万的商品,然后你有几百个用户侧的profile,二者做个交叉特征,很容易规模就过10亿。特征规模大了之后,需要PS才能训练
2018-11-19 09:35:28
,预计2021-Q1逐步上量,二期150亿只/月产能将在2021年底建成,届时公司产能规模将达到250亿只/月。核心技术团队实力配合,整合配套能力强 作为以自主研发设计、生产制造、销售及技术服务为主
2021-12-31 11:56:10
12月14日工信部通信发展司司长张峰在2012广东互联网大会上表示,截至今年三季度,我国网民规模达到5.50亿人,互联网普及率达41.1%。电子商务交易额突破5万亿元,同比增长13.7
2012-12-24 15:37:44
导读:根据IDC本周三发布的最新一期报告,受智能手表和智能服饰的推动,2021年全球可穿戴市场规模将翻番,智能手表出货量将达到1.61亿块。
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IDC在报告中称,随着
2017-06-27 09:32:12
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
` 本帖最后由 zhihuizhou 于 2011-10-28 14:38 编辑
在“2011NFC技术与移动支付论坛”上,支付宝无线事业部总经理诸寅嘉表示,目前支付宝交易账户已超6亿,去年
2011-10-27 20:09:22
看到的高科技工具,离普通老百姓的生活越来越近。据专家预测,到2018年,全球无人机市场规模将会攀升到10亿美元以上。 而在无人机和机器人的控制中,传感器起了至关重要的作用。近年来,全球传感器市场一直
2016-06-03 10:30:10
` 本帖最后由 boeone 于 2016-12-8 15:54 编辑
未来5年无线充电设备市场规模将达135亿,你看好吗? 无线充电是近几年的热点技术,但却一直因为标准的“三足鼎立”而放缓
2016-12-08 15:42:33
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET,以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中,ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入,但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
的快速充电器等的功率因数校正电路(PFC电路)和整流桥电路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的开启电压与Si-FRD相同,小于1V。开启电压由肖特基势垒的势垒高度决定,通常如果将势垒高度
2019-05-07 06:21:51
深爱全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列:TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
可谓是鱼龙混杂。所以,广州超毅电子在此提示led灯具厂商在选购led灯珠光源时要注意对其公司的详情做一个了解,而避免上当受骗。亿光2835贴片LED品牌:亿光电子(Everlight)产品尺寸
2015-12-24 14:04:17
以上。预计到2025年,全球物联网总连接数规模将达到246亿。通常情况下,每增加一个物联网连接数,将增加1-2个无线模组。 物联网连接数量的增加带动物联网行业对无线模组的需求。据统计数据,2019年
2021-02-02 17:08:03
和更广泛的封装选择将出现,以适应更高电压和功率等级的应用范围。 例如,最新的共源共栅超快速(常关型SiC-FET)与IGBT或Si-MOSFET一样易于驱动和使用,但在速度及较低静态和动态损耗方面
2023-02-27 14:28:47
方面的所有课题。而且,与传统产品相比,单位面积的导通电阻降低了约30%,实现了芯片尺寸的小型化。另外,通过独创的安装技术,还成功将传统上需要外置的SiC-SBD一体化封装,使SiC-MOSFET的体
2019-03-18 23:16:12
个月的研发合作。本文将讨论本专案中与车用电子的相关内容,并聚焦在有关SiC技术和封装的创新。WInSiC4AP联盟由来自4个欧盟国家(意大利、法国、德国和捷克共和国)的20个合作伙伴组成,包括大型企业
2019-06-27 04:20:26
CECT S560驱动下载.rar
2010-01-21 16:50:383 RTU560远方终端单元数据手册总线接口模块560BCU01
2010-08-17 16:34:5621 RTU560数据手册通信单元模块560CMU02
2010-08-18 18:47:089 RTU560数据手册通信单元模块560CMU04
2010-08-18 18:48:108 RTU560远方终端单元数据手册电源模块560PSU40
2010-08-18 19:10:3923 SiC,SiC是什么意思
SiC是一种Ⅳ-Ⅳ族化合物半导体材料,具有多种同素异构类型。其典型结构可分为两类:一类是闪锌矿结构的立方SiC晶型,称为3C
2010-03-04 13:25:266541 MDE-14D560K
2017-03-04 17:52:581 宝骏560由于个性的外观、不俗的空间以及较高的性价比成为了不少年轻人的购车首选。在一部分人的印象里,宝骏560就是裹着漂亮外衣的面包车。而在今年年初,宝骏560在16款的基础上推出了改款律动版,着重升级了独立后悬挂,这也是宝骏有史以来第一次独立后悬的尝试。这次我们特意将它升起,看看它的底盘表现如何。
2018-07-18 14:49:004517 近日,英飞凌与GT Advanced Technologies(GTAT)已经签署碳化硅(SiC)晶棒供货协议,合同预期五年。英飞凌此举无疑是看到了SiC广阔的市场规模,据Yole预测,SiC
2020-12-29 16:12:162786 HMC560A Gerber Files
2021-01-28 14:58:280 DC560A-设计文件
2021-04-11 13:05:170 HMC560数据表
2021-04-25 19:20:110 能将达50万辆,上海厂计划年底产能50万辆,使其总产能规模近100万辆,相当于Tesla一年平均约要50万片6英寸SiC。而目前全球SiC硅晶圆总年产能约在40—60万片,如此就消耗掉全球当下SiC
2021-04-29 10:13:141205 ABB RTU560通信单元模块560CMU02资料。
2021-05-18 09:58:373 DC560A-模式
2021-05-22 21:07:257 DC560A-演示手册
2021-05-23 17:49:060 ABB-RTU560实时时钟模块560RTC01资料免费下载。
2021-05-24 10:16:417 HMC560 S参数
2021-06-04 19:02:300 DC560A-设计文件
2021-06-11 19:26:001 贴片工字电感SP73-560K ,电感值560μH
2022-05-28 09:49:120
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