掌握MOS管规格书，参数缩写全解析

　　描述：MOSFET的最大允许电压。参数：额定电压 - VR （Voltage Rating）

　　描述：MOSFET在正常工作条件下能够承受的最大电流。参数：额定电流 - IR （Current Rating）

　　描述：MOSFET在导通状态下，源极和漏极之间的电阻值。导通电阻的大小直接影响MOSFET的功耗和发热。参数：导通电阻 - RON （On-Resistance）

　　描述：MOSFET的开关转换时间，包括开启时间和关闭时间。开关速度对于高频应用至关重要。参数：开关速度 - TON， TOFF （Switching Time）

　　描述：MOSFET开始导通的最低电压。阈值电压越低，器件的开关速度越快。参数：阈值电压 - VTH （Threshold Voltage）

　　描述：MOSFET在雪崩效应发生时能够承受的电流和电压能力。雪崩耐量越高，器件的可靠性越好。参数：雪崩耐量 - SURG （Surge Tolerance）

　　描述：MOSFET内部芯片的最高工作温度。结温过高可能导致器件性能下降或损坏。参数：结温 - TJ （Junction Temperature）

　　描述：MOSFET栅极与源极之间的电容。输入电容的大小影响开关速度和驱动能力。参数：输入电容 - Ciss， Cgs （Input Capacitance）

　　描述：MOSFET漏极与源极之间的电容。输出电容的大小影响开关速度和驱动能力。参数：输出电容 - Coss， Cds （Output Capacitance）

　　描述：MOSFET栅极与漏极之间的电容。反向传输电容的大小影响开关速度和信号质量。参数：反向传输电容 - Crss， Cgd （Reverse Transfer Capacitance）

　　漏源电压（VDS）：MOSFET的漏极和源极之间的电压。漏源电压是MOSFET能够承受的最大电压，超过此电压可能导致器件损坏。

　　漏源电流（IDS）：流过MOSFET漏极和源极之间的电流。漏源电流的大小直接影响MOSFET的功耗和发热。

　　栅源电压（VGS）：加在MOSFET栅极和源极之间的电压。栅源电压控制MOSFET的开关状态，从而影响漏源电流的通断。

　　驱动电压（VDRV）：驱动电路提供的电压，用于控制MOSFET的栅源电压。驱动电压的大小和稳定性影响MOSFET的开关性能和可靠性。

　　动态电阻（Ron）：在导通状态下，MOSFET的漏源电阻随漏源电流的变化而变化。动态电阻越小，表示MOSFET的导电性能越好。

　　反向传输电容（Cgd）：MOSFET的栅极和漏极之间的电容。反向传输电容的大小影响开关速度和信号质量。

　　导通电阻（Ron）：是指当MOSFET处于导通状态时，从源极到漏极的导通电阻。导通电阻越小，表示MOSFET在导通状态下有更好的导电能力，能够传输更大的电流，也能提供更低的功耗。

　　泄漏电流（Igss）：是指MOSFET在关闭状态下的漏电流。泄漏电流应尽可能小，以确保在关闭状态下无功率损失。

　　阈值电压（Vth）：是指MOSFET开始导通的电压。

　　最大漏源电流（ID）：是指MOSFET正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过ID。此参数会随结温度的上升而有所减额。

　　最大脉冲漏源电流（IDM）：此参数会随结温度的上升而有所减额。

　　最大栅源电压（VGS）：是指MOSFET正常工作时，加在栅极和源极之间的最大电压。

　　漏源击穿电压（V（BR）DSS）：是指栅源电压VGS为0时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于V（BR）DSS。它具有正温度特性。故应以此参数在低温条件下的值作为安全考虑。

　　开启电压（VGS（th））：当外加栅极控制电压VGS超过VGS（th）时，漏区和源区的表面反型层形成了连接的沟道。应用中，常将漏极短接条件下ID等于1毫安时的栅极电压称为开启电压。此参数一般会随结温度的上升而有所降低。

　　耗散功率（PD）：是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。此参数一般会随结温度的上升而有所减额。

　　最大工作结温（Tj）：通常为150℃或175℃，器件设计的工作条件下须确应避免超过这个温度，并留有一定裕量。

　　审核编辑：黄飞