IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和
2022-07-08 16:50:21
4084 绝缘栅双极晶体管(IGBT)结合了GTR和MOSFET的优点，具有良好的特性。IGBT也是三端器件，具有栅极G、集电极C和发射极E。
2022-10-28 16:12:429922 
IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，带有续流二极管。
2023-03-15 09:23:39888 本文就MOSFET的开关过程进行相关介绍与分析，帮助理解学习工作过程中的相关内容。首先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性，理解MOSFET的开通和关断的过程，然后从漏极导通特性、也就是放大特性曲线，来理解其开通关断的过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。
2023-12-04 16:00:48549 
IGBT在二极管钳位感性负载条件下的电路如图1所示，该电路为IGBT常用电路，可作为IGBT开关特性的测试电路，评估IGBT的开通及关断行为。
2024-03-15 10:25:51194 
对IGBT的开通特性、负载短路能力和dVcE/dt电流有较大影响，而门极负偏压则对关断特性的影响比较大。在门极电路的设计中，还要注意开通特性、负载短路能力和由dVcE/dt 电流引起的误触发等
2012-07-25 09:49:08
，暂时不用考虑，重点考虑动态特性（开关特性）。 动态特性的简易过程可从下面的表格和图形中获取： IGBT的开通过程 IGBT 在开通过程中，分为几段时间 1.与MOSFET类似的开通过程，也是
2011-08-17 09:26:02
降小，耐压 1000V 的 IGBT 通态压降为 2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。 动态特性 IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为 MOSFET 来运行的，只是在漏源
2012-07-09 14:14:57
）；2、通过观察IGBT的栅极波形，评估IGBT驱动板是否能为IGBT开启提供足够的驱动电流；3、获取IGBT在开通、关断过程的主要参数，以评估Rgon与Rgoff的选择是否合适；4、观察开通、关断过程
2019-09-11 09:49:33
IGBT封装过程中有哪些关键点？
2019-08-26 16:20:53
减小由于开关过程的差异造成的电流不均衡，通过均流电感的合理设计可以确保并联IGBT的动态均流效果满足设计要求。5)降额使用：即使IGBT模块的选择、共用驱动电路和优化布局已达到最优，但其静态和动态性能
2015-03-11 13:18:21
作为Rg，1/3部分作为Re。辅助Re 能够降低由于功率换流回路杂散电感不对称引起的动态电流不平衡。图7为由辅助Re形成的一个负反馈机制开通过程，其中一个IGBT开关速度快，另一个则相对较慢，近而在杂散电感
2018-12-03 13:50:08
关损耗的影响如下 可见，开通损耗受栅极电阻的影响要更大。 同理，反向恢复损耗受开通电阻的影响也可以在规格书中查到。 寄生电容： IGBT的寄生电容影响动态性能，它是芯片内部结构的固有特性，把
2021-02-23 16:33:11
二阶微分方程： IGBT开通过程的理想波形如图3所示，开通瞬态门极电压尖峰主要发生在开通延迟阶段（图中未画出门极电压尖峰）。 图3.IGBT开通理想波形这个时候IGBT还没有开通，由于开通瞬态IGBT
2021-04-26 21:33:10
的可再生能源，而IGBT是光伏系统中主要的功率半导体器件，因此其可靠性对光伏系统有重要影响。IGBT模块的热特性是模块的重要特性之一，模块在退化过程中，热性能变化对于半导体模块的整体性
2020-12-10 15:06:03
常见的逆变电路的元件主要分为分立器件的IGBT和集成的IGBT模块，这些又分为不同电压等级和电流大小，那么IGBT的开通时间和关断时间是否相同，如果不相同，哪个时间更长一些？并且，在设计IGBT
2024-02-25 11:06:01
IGBT应用于变频器逆变电路中，存在这么一种情况，IGBT先短路再开通，请问这是一种什么样的过程？按照字面理解意思就是先把IGBT的C和E短接起来，然后启动变频器，此时这种过程就可以称之为先短路再
2024-02-29 23:08:07
1000V 的IGBT 通态压降为2～3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。2 ．动态特性IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds下降过程后期
2018-10-18 10:53:03
形。 3、逆变桥动态过程分析 1）开通时刻电流由上管IGBT→电感或者负载→N线→上母线电容； 2）关断时刻电感进行续流→负载→N线→下母线电容→下二极管。 4、IGBT模块损耗组成部分 IGBT
2023-02-24 16:47:34
IGBT模块或者单管应用于变频器的制造，在做变频器的短路实验时，在IGBT开通时刻做出短路动作，IGBT的CE电压会从零逐渐升高到最大之然后回到母线电压的一半后达到稳定。
但是在具体波形时，IGBT
2024-02-21 20:12:42
(潮光光耦网整理编辑)2012-04-03 变频器的HCPL-316J特性 HCPL-316J是由Agilent公司生产的一种IGBT门极驱动光耦合器，其内部集成集电极发射极电压欠饱和检测电路
2012-07-06 16:28:56
电路的要求，设计一种可靠，稳定的IGBT驱动电路。 IGBT驱动电路特性及可靠性分析 门极驱动条件 IGBT的门极驱动条件密切地关系到他的静态和动态特性。门极电路的正偏压uGS、负偏压
2012-09-09 12:22:07
的门极驱动条件密切地关系到他的静态和动态特性。门极电路的正偏压uGS、负偏压-uGS和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态电压、开关、开关损耗、承受短路能力及du/dt电流等参数有不同程度的影响。其中
2009-09-04 11:37:02
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
。 3.2 电压测量 IGBT 开通和关断过程中电压的完整观测可以直接使用示波器探头, 但对于开通时IGBT 电压拖尾过程和通态饱和压降的测量, 则需要使用箝位电路( 见图5) 。原因在于此时示波器的Y
2018-10-12 17:07:13
晶体管组成的复合晶体管，它的转移特性与MOSFET十分类似。为了便于理解，这里我们可通过分析MOSFET来理解IGBT的转移特性。图2.MOSFET截面示意图当MOSFET的栅极-源极电压VGS=0V
2019-10-17 10:08:57
如图所示，Pspice仿真mosfet开通过程，通过仿真得到的波形如图所示（蓝色是Vds，红色是Vgs，绿色是Id），与课本上给的开通过程有区别。想请教一下仿真图中的几个问题：为什么电流Id上升
2019-06-04 20:39:14
生产线投入使用；（4）2015年10月，中车永电/上海先进联合开发的国内首个具有完全知识产权的6500V高铁机车用IGBT芯片通过高铁系统上车试验；（5）2016年5月，华润上华/华虹宏力基于6英寸
2021-03-22 19:45:34
画出了IGBT一个桥臂的典型结构。在正常运行时，两个IGBT将依次开通和关断。如果两个器件同时导通，则电流急剧上升，此时的电流将仅由直流环路的杂散电感决定。图1 电压源逆变器的典型结构当然， 没有谁故意使两个
2019-04-23 08:00:00
动态特性是指传感器对于随时间变化的输入量的响应特性。只要输入量是时间的函数，则其输出量必将是时间的函数。研究动态特性的标准输入形式有三种，即正弦、阶跃和线性，而经常使用的是前两种。
2020-04-29 06:28:27
传感器在测量过程中，要能够准备感知被测量，使之不失真地转换为相应的电学信号。衡量传感器这一指标主要在其静态特性和动态特性，下面介绍一下何谓传感器的静态特性和动态特性。静态特性 传感器的静态特性是指
2016-04-26 15:33:26
本帖最后由 一只耳朵怪 于 2018-6-11 14:30 编辑
在使用28335调试的过程中，当暂停程序时，出现IGBT开通，使IGBT烧坏，换用IPM，仍然出现此问题，所以应该不是驱动
2018-06-11 08:01:47
中的开关损耗。开关损耗内容将分成二次分别讲述开通过程和开通损耗，以及关断过程和和关断损耗。功率MOSFET及驱动的等效电路图如图1所示，RG1为功率MOSFET外部串联的栅极电阻，RG2为功率
2017-02-24 15:05:54
，通态电阻等）-- 截止时有漏电流；-- 最大的通态电流有限制；-- 最大的阻断电压有限制；-- 控制信号有功率要求，等等。（3）：电子开关的动态开关特性有限制：-- 开通有一个过程，其长短与控制信号
2018-10-25 16:11:27
IGBT的门极驱动条件密切地关系到他的静态和动态特性。门极电路的正偏压uGS、负偏压-uGS和门极电阻RG的大小，对IGBT的通态电压、开关、开关损耗、承受短路能力及du/dt电流等参数有不同程度
2012-06-11 17:24:30
整个混合开关的频率响应。实验样品该实验基于沟槽场停止IGBT芯片的样品，该芯片的额定阻断电压高达1200 V，标称电流高达200 A，厚度为125μm。通过质子辐照改善了IGBT的频率特性，相关技术在
2023-02-22 16:53:33
EMI。 在分析MOS管的开通过程，还需要结合MOS管的转移特性和输出特性以及实际的电路进行分析。 以12V的驱动电压，Vth为4.5V，开通Vds电压为24V的MOS管为例。 在t0~t1阶段
2023-03-22 14:52:34
起主导作用，二极管损耗随着电感的增加而从24.6mJ提高至29.7mJ，增幅为20%。实验结果的总动态损耗尽管在开通过程中，dI/dt和寄生电感可降低IGBT的电压，但在关断过程中，它也增大IGBT
2018-12-10 10:07:35
栅极电阻RG对IGBT开关特性有什么影响？
2021-06-08 06:56:22
时，为获得最小导通压降，应选取Ugc≥(1.5～3)Uge(th)，当Uge增加时，导通时集射电压Uce将减小，开通损耗随之减小，但在负载短路过程中Uge增加，集电极电流Ic也将随之增加，使得IGBT
2016-11-28 23:45:03
信号、脉冲信号、斜坡信号、随机噪声信号及正弦信号。这是因为一些复杂的信号可分解为阶跃信号序列、脉冲信号序列，或用傅里叶变换展开，分解为若干个正弦信号之和。测量系统的动态特性可以由时域过渡过程曲线或
2018-01-24 13:32:47
的过程，然后从漏极导通特性、也就是放大特性曲线，来理解其开通关断的过程，以及MOSFET在开关过程中所处的状态。1、MOSFET栅极电荷特性与开关过程基于栅极电荷的MOSFET的开通过程如图1所示，此图
2016-11-29 14:36:06
？我们再来看下IGBT关断电阻与关断损耗的关系，通过图2可以看出IGBT的关断电阻对关断损耗的影响甚微。图2. IGBT关断损耗与门极电阻关系从以上两张图片可知，通过门极电阻影响IGBT关断特性似乎并不
2023-02-13 16:11:34
MOS管的门极开通电压典型值为多少伏？那么IGBT的门极开通电压典型值又为多少伏呢？
2019-08-20 04:35:46
提高了50V，达到650V。图1图1 全新650V IGBT4的截面图。相对于600V IGBT3的改进：芯片厚度增加 （y）、沟道宽度降低（z）、背部P射极能效提高。650V IGBT4动态特性
2018-12-07 10:16:11
安装过程我们看到，它在安装过程中发挥的作用。产品性能，我们应用IGBT过程中，开通过程对IGBT是比较缓和的，关断过程中是比较苛刻。大部分损坏是关断造成超过额定值。我们看到红色区线条件下，关断的时候
2012-09-17 19:22:20
利用试验模态分析法获得了某机枪结构的模态参数，分析了机枪的动态特性，并通过基于模态试验的灵敏度分析方法，获得了影响该机枪动态特性的敏感部位，为改善机枪动态
2009-10-10 14:29:07
13 本文在分析IGBT的动态开关特性和过流状态下的电气特性的基础上，通过对常规的IGBT推挽驱动电路进行改进，得到了具有良好过流保护特性的IGBT驱动电路。该电路简单，可靠，易用
2009-10-15 11:12:3977 实验七：一阶动态电路的动态过程
一、实验目的5. 观察一阶动态电路的动态过程。6. 确定电路的时间常数 。二、实
2008-09-25 15:32:249013 
传感器的动态特性
动态特性是指传感器对于随时间变化的输入量的响应特性。只要输入量是时间的函数，则其输出量必将是时间的函
2009-05-19 08:38:172886 
控制系统动态特性的时域测试
控制系统的动态特性是指系统在动态过程(过渡过程)中输出量对于输入量的时间函数关系。由于大多数控制
2009-07-25 10:53:423319 
IGBT开关等效电路和开通波形电路
2010-02-17 17:22:572966 
IGBT的原理和基本特性
IGBT的原理
绝缘栅双极晶体
2010-03-05 15:53:4510640 IGBT的静态特性包括伏安特性、转移特性和静态开关特性。IGBT的伏安特性如图1-33所示，与GTR的伏安特性基本相似，
2010-11-09 17:04:582159 
在核动力蒸汽发生器(SG)运行过程中，其逆动力学效应使其动态特性难以辨识。为提高蒸汽发生器动态特性辨识的效果，提出了基于小波神经网络的蒸汽发生器动态过程辨识的新方法。辨
2011-09-28 14:01:4412 串联晶闸管在大脉冲电流下的开通过程研究_王晨
2017-01-07 17:16:231 并联IGBT模块静动态均流方法研究_肖雅伟
2017-01-08 10:11:415 会减低；MOS就是MOSFET的简称了；IGBT和MOS是全控器件，是电压型驱动，即通过控制栅极电压来开通或关断器件；可控硅是半控器件，电流型驱动，即给栅极通一定的电流，可以是可控硅开通，但是一旦开通
2017-05-14 10:09:4253166 
在正常情况下IGBT的开通速度越快，损耗越小。但在开通过程中如有续流二极管的反向恢复电流和吸收电容的放电电流，则开通的越快，IGBT承受的峰值电流越大，越容易导致IGBT损坏。因此应该降低栅极驱动
2017-05-17 14:18:332996 
特性，严重制约了其推广应用。从压接式IGBT的封装结构和电气特性出发，基于双脉冲测试原理，设计并搭建压接式IGBT模块的动态开关特性测试平台。采用Ansoft Q3D软件对测试平台的杂散参数进行仿真，分析杂散参数的分布特征、影响与提取方法，
2017-12-26 14:16:013 对于压接式IGBT器件，封装结构引起的寄生参数不一致将导致开通瞬态过程中并联IGBT芯片的电流分布不一致，使部分芯片在开关瞬态过程中的电流过冲太大，从而降低了开通性能。采用寄生参数提取、电路建模
2018-01-07 11:04:087 IGBT作为具有开关速度快，导通损耗低的电压控制型开关器件被广泛应用于高压大容量变频器和直流输电等领域。现在IGBT的使用比较关注的是较低的导通压降以及低的开关损耗。作为开关器件，研究它的开通和关断过程当然是必不可少的，今天我们就来说说IGBT的开通过程。
2019-01-01 15:04:0048899 
IGBT的驱动条件与IGBT的特性密切相关。在设计栅极驱动电路时,当栅极驱动电压大于阈值电压时IGBT即可开通,一般情况下阈值电压Uge(th)=5～6V。这样即可以使IGBT在开通时完全饱和
2019-07-26 09:46:2516179 
动态工作指电力电子器件的开通和关断过程。IGBT的开关频率越高，动态均流问题对整个系统的影响就越大。
2020-05-02 17:21:0010468 
IGBT器件T1通过双脉冲信号两次开通和关断。换流的变化率di/dt导通过电阻RGon来调节的，VCC是直流母线电压。
2020-05-02 17:51:003613 
IGBT工作中的特性： IGBT 的静态特性， 静态数据特性关键有光电流特性、迁移特性和电源开关特性。 （1）光电流特性： IGBT 的光电流特性就是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极
2020-12-15 16:10:315907 ，后级输出为阻感性负载，带有续流二极管。 由于寄生参数以及负载特性的影响，IGBT的实际开通与关断过程比较复杂，如图1为IGBT的开通关断过程示意图，图中栅极驱动波形较为理想化，集电极电流以及集电极-发射极电压的波形大致上是实际波形，只有细节被理想化。
2021-02-19 09:31:1215196 
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2021-04-04 08:55:5057 在IGBT开关过程中通常用开通延迟td（on）、关断延迟td（off）、上升时间tr和下降时间tf来进行描述。
2021-05-06 10:06:016718 
这个时候IGBT还没有开通，由于开通瞬态IGBT输入电容相当于短路，因此门极电流Ig快速上升至峰值电流，随后门极电容会逐渐被充电至开启阈值电压Vge,th，米勒平台Vgep，最后到Vcc，门极电流也逐渐减小至0。
2022-04-26 15:14:326085 如图，MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。
2022-08-25 09:47:265204 IGBT的开关过程主要是由栅极电压VGE控制的，由于栅极和发射极之间存在着寄生电容艮，因此IGBT的开通与关断就相当于对CGE进行充电与放电。假设IGBT初始状态为关断状态，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，带有续流二极管。
2023-01-10 09:05:471975 在现在使用的MOS和IGBT等开关电源应用中，所需要面对一个常见的问题 — 米勒效应，本文将主要介绍MOS管在开通过程中米勒效应的成因、表现、危害及应对方法。
2023-02-10 14:05:506736 
上一篇，我们写了基于感性负载下，IGBT的开通过程，今天，我们就IGBT的关断过程进行一个叙述。对于IGBT关断的可以基于很对方面进行分析，而今
天我们从电压电流对IGBT的关断过程进行分析。
2023-02-22 15:21:339 （一）IGBT双脉冲测试的意义 对比不同IGBT的参数及性能； 获取IGBT开通和关断过程的参数； 评估驱动电阻是否合适； 开通和关断过程是否有不合适的震荡； 评估二极管的反向恢复行为和安全
2023-02-22 15:07:1511 ，即VGE为负压VGC-，后级输出为阻感性负载，带有续流二极管。 由于寄生参数以及负载特性的影响，IGBT的实际开通与关断过程比较复杂，如图1为IGBT的开通关断过程示意图，图中栅极驱动波形较为理想化，集
2023-02-22 15:08:431 2.1 短路类型 2.2 桥臂直通短路在进行IGBT短路实验的过程中，我们通常使用“退饱和电路”进行器件的短路保护。那么退饱和电路的实现机理是什么样的？另外，短路负载对短路特性有什么样的影响呢？本文主
2023-02-22 15:14:446 与母线电压相减使IGBT模块电压下降，因此不需要为开通过程增加吸收电容），而合理地增加吸收电容可以解决该问题。
2023-02-23 09:11:1216 ▌ 01动态特性 近期，关于用于全国大学生智能车节能信标组的100W无线充电系统正在测试。使用MOS半桥作为发送线圈的功率驱动电路。由于半桥电路中MOS管的功率消耗主要发生在开关管的动态切换过程
2023-02-24 10:22:111 一开始我们简单介绍过IGBT的基本结构和工作原理，不同的行业对使用IGBT时，对于其深入的程度可能不一样，但是作为一个开关器件，开通和关断的过程
2023-05-25 17:16:251262 
8.2.12.1开通过程，0
2022-03-08 09:22:21234 
IGBT的开关特性是通过对门极电容进行充放电来控制的，实际应用中经常使用＋15V的正电压对IGBT进行开通，再由-5V…-8V…-15V的负电压进行关断。
2023-07-04 14:54:051699 
采用TCAD器件仿真和工艺仿真软件对芯片进行结构仿真、特性仿真、电场分布仿真和工艺仿真。
2023-07-13 10:31:54869 
重要意义。为了全面获得电-热-力综合影响下压接型 IGBT 芯片的动态特性，该文结合双脉冲测试
电路原理，研制出具备电-热-力灵活调节的压接型 IGBT 芯片动态特性实验平台。通过对动态特性
实验平台关键问题进行有限元仿真计算，实现平台回路寄生电感、IGBT 芯片表面压力分布
2023-08-08 09:58:280 IGBT是如今被广泛应用的一款新型复合电子器件，而IGBT测试也变的尤为重要，其中动态测试参数是IGBT模块测试一项重要内容，IGBT动态测试参数是评估IGBT模块开关性能的重要依据。其动态测试参数主要有：主要参数有开关参数、栅极电阻、栅极电荷、寄生电容等。
2023-10-09 15:14:35644 
对比不同IGBT的参数及性能；
获取IGBT开通和关断过程的参数；
评估驱动电阻是否合适；
开通和关断过程是否有不合适的震荡；
2023-11-10 09:12:32786 
和性能，动态测试是必不可少的。下面将详细介绍IGBT动态测试的参数。 1. 开通特性测试（Turn-on Characteristics Test）： 开通特性测试是通过控制IGBT的输入信号，来检测
2023-11-10 15:33:51885 MOS管开通过程的米勒效应及应对措施
2023-11-27 17:52:431378 
IGBT元件的损耗总和分为：通态损耗与开关损耗。开关损耗分别为开通损耗(EON)和关断损耗(EOFF)之和。
2024-01-12 09:07:171028 
IGBT开通过程发生的过流、短路故障 IGBT是一种三端功率半导体器件，常用于电力电子领域。它具有开关速度快、工作温度范围广、损耗小等优点，因此在各种电源、驱动、变换和控制系统中得到广泛应用。 然而
2024-02-18 11:14:33309 ，以及普通功率MOSFET的低导通电阻和高频开关能力。IGBT因其独特的特性在电力电子、变频器、UPS（不间断电源）等领域得到了广泛的应用。 然而，由于IGBT技术本身的复杂性和高频、高温环境等外部因素的影响，IGBT导通过程中容易出现过流和短路故障，给
2024-02-18 11:14:37247 的重要指标，直接影响着设备的工作效率和可靠性。 开通时间 开通时间是指从驱动信号施加到IGBT导通的时间。在开通过程中，当控制极（门极）施加一个适当的正电压时，控制电流通过绝缘栅而在MOS层形成电子-空穴对。电子从N型区向P型区注入，并
2024-02-20 11:19:16280
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