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士兵中若无志于成为将军之志者，难称为优秀之士。同理，致力于碳化硅（SiC）融资活动的公司，其目标多半是朝着股票市场进发。碳化硅之所以受到投资青睐，归功于其独特的半导体属性，能够在极端的高温、高压、高功率、和高频环境中发挥出色，预示着其在多种应用场景中的巨大潜力。
然而，碳化硅的生产工艺不仅复杂、技术门槛高昂，而且生产成本也相对较高。这就意味着，从事该材料生产的企业普遍需要较大的资金投入。通过筹集资金和上市，这些企业不仅能够获得必要的资金支持以扩张生产规模、提升技术水平、增强其在市场中的竞争力，还能提高自身的品牌影响力和知名度，吸引更多的人才和合作伙伴，从而为其长期发展打下坚实的基础。
尽管如此，走向上市并非企业发展的终极目标，也并非所有企业都能顺利登陆股票市场。企业若想在上市之路上取得成功，必须具备强大的技术力量、稳定的市场需求、健全的财务体系等基础条件。此外，企业还需要关注自身的核心竞争力和持续发展能力，不断提升产品和服务的质量，以满足顾客及投资者的期待。
让我们探讨一下目前尚未在国内上市的碳化硅企业的表现情况。
烁科晶体
烁科晶体，隶属于中国电科集团，成立于2018年，已经成为国内领先的第三代半导体材料——碳化硅的研发与生产企业。2019年4月1日，中国电科（山西）碳化硅材料产业基地的第一期项目动工，到了2020年3月，该基地的首批生产设备投入使用。该期项目设计容量可达600台碳化硅单晶生长炉，预计完工后的生产能力将达到每年10万片4至6英寸n型碳化硅单晶晶片和5万片4至6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶晶片，标志着其成为国内规模最大的碳化硅材料生产基地。
4英寸高纯半绝缘碳化硅衬底已成功进入产业化阶段，月产量达到8000片，占据了国内市场超过50%的份额。在2022年，烁科晶体在保证高纯半绝缘衬底稳定生产的同时，显著增加了6英寸n型衬底的生产能力，原先的月产能为6000片。该年，公司还实现了8英寸n型碳化硅抛光片的小批量生产，为国产8英寸n型碳化硅抛光片批量化生产迈出了重要一步。
烁科晶体的二期扩展项目于2023年9月启动建设，10月份进入了关键的主体钢结构施工阶段，随后在11月份主体建筑成功封顶，并满足了设备入场的条件。到了2024年2月，该二期项目已开始投入生产。预计到2025年，当项目全面投产之后，其年产碳化硅衬底的能力将达到30万片，大幅提升了烁科晶体在碳化硅材料领域的生产规模和市场竞争力。
天科合达
天科合达自2006年成立以来，已经成为国内率先专注于第三代半导体碳化硅晶片研发、生产与销售的国家高新技术企业。该公司业务覆盖从碳化硅单晶炉的制造到碳化硅单晶生长原料的准备、碳化硅单晶衬底及碳化硅外延层的制备，其碳化硅衬底在全球市场的占有率位列第二。
到了2022年11月，天科合达推出了8英寸导电碳化硅衬底晶片，该产品在多个关键性能指标上达到了行业领先水平，并已具备量产能力，自2023年起开始进行小批量生产。
在2023年2月，天科合达完成了Pre-IPO轮的融资，并于8月开启了碳化硅晶片的二期扩产计划，预计新增16万片的年产能。该扩产项目计划在2024年6月完成建设，并于8月正式投产，届时公司的总年产能预计将达到23万片。
同年5月，天科合达与全球半导体巨头英飞凌签订了长期供货协议，承诺提供6英寸碳化硅晶圆和晶锭，并计划供应占英飞凌长期需求的两位数比例；同时，天科合达还将提供8英寸碳化硅材料，支持英飞凌向更大尺寸晶圆的过渡。
在2023年9月，受到宏观经济和股市变动的影响，上市政策突遭紧缩，导致天科合达的上市之路再次遭遇阻碍。尽管面临这样的挑战，该公司在2023年下半年的业绩却呈现亮眼的表现，实现了营业收入的历史性突破，首次超过10亿元人民币，相比去年实现了翻倍的增长。此外，天科合达已经向国内外超过500家客户提供了服务，累计销售的导电型碳化硅衬底材料数量超过了60万片，展现了其在半导体材料领域的强大实力和广泛的市场影响力。
同光半导体
同光半导体，自2012年成立以来，专注于碳化硅单晶衬底的研发、生产和销售，成为国内领先的碳化硅单晶衬底量产企业之一。此外，它也属于全球为数不多的企业之一，能够同时掌握高纯半绝缘衬底和导电型衬底的制备技术。
经过超过两年的研发努力，同光半导体成功研制出8英寸导电型碳化硅晶体样品，并正在致力于将其加工成碳化硅单晶衬底。该公司预计将在不久的将来开始小批量生产，期待通过客户反馈来验证产品的芯片制作成功率。
到了2022年，同光半导体位于河北的碳化硅衬底年产能达到了大约10万片，并计划大规模扩产。公司正在规划建设一座拥有2000台碳化硅晶体生长炉的生长基地，以及一个年产60万片碳化硅单晶衬底的加工基地。预计到2025年末，这些扩建项目将全面达到产能，显著提升同光半导体在碳化硅半导体材料市场的地位和影响力。
世纪金芯
世纪金芯，自2019年成立以来，专注于第三代半导体碳化硅功能材料的研发与生产。该公司代表着行业内技术创新的前沿力量。
到了2022年9月，世纪金芯在合肥启动的年产3万片6英寸碳化硅单晶衬底项目正式投产。该项目的晶体良率超过92%，而综合良率达到了65%。对于衬底外延后的下游芯片流片，SBD产品的综合良率超过了95%，而MOSFET产品的综合良率则达到了88%，产品已经开始批量生产和交付。同时，8英寸单晶研发也取得了显著进展，已经进入到送样验证阶段，且所有关键性能指标均达到了行业领先水平。
到了2024年1月，世纪金芯的全资子公司宇海电子的年产70万片6至8英寸碳化硅单晶衬底项目在包头市发改委完成了备案审批。该项目计划总投资高达35亿元人民币，占地面积达到270亩，预计年产能达到70万片6至8英寸碳化硅单晶衬底。项目的总建筑面积约为12万平方米，包括碳化硅长晶炉、切磨抛加工以及测试等相关设施。总的建设周期为三年，计划从2024年4月开始至2027年4月结束。
据悉，世纪金芯的产品线已经涵盖了6英寸、8英寸碳化硅衬底以及其他第三代半导体材料的研究。其6英寸碳化硅衬底已经与国内多家领先的外延和晶圆厂商建立了合作关系，并成功与HT、ZDK进行了多批次的样品验证。此外，该公司还在与台湾的HY、JJ、韩国的GJ实验室、SX进行产品验证，并与日本的FG等进行了8英寸衬底产品的验证。
中电化合物
中电化合物自2019年起步，得到华大投资支持，成立了一家专注于碳化硅晶体、衬底、外延以及氮化镓（GaN）外延制造的企业，其中华大对中电化合物的持股比例高达48.93%。
在2022年10月，中电化合物宣布了一项总投资额达10.5亿元人民币的宽禁带半导体材料项目，并打算在2021至2025年间投入8亿元人民币。项目计划分为两个阶段进行：首期投资2.2亿元人民币，租用一万平方米的工厂空间；第二期则计划征用70亩土地，旨在形成年产8万片4至6英寸碳化硅衬底及外延产品和碳化硅基氮化镓N外延产品的能力。
到了2023年6月，中电化合物与韩国的Power Master达成了一项长期供应协议，包括提供8英寸的碳化硅材料。紧接着在7月，中电化合物成功获得瑞能半导的投资，金额达5000万元人民币，这进一步加强了其在半导体材料制造领域的资金和技术实力。
南砂晶圆
南砂晶圆，创办于2018年，标志着一家专注于碳化硅单晶材料研究、制造及销售的综合型国家级高新技术企业的诞生。该企业依托山东大学近期在碳化硅单晶生长及衬底处理技术方面的研究成果，建立了深度的产学研合作体系。
2022年年末，南砂晶圆成功完成了B+轮的融资活动，此轮融资由浑璞投资牵头。更早之前，在2021年9月，该公司启动的总部基地建设项目达到了封顶里程碑，该项目总投资达到9亿元人民币，占地约36.8亩，预计建成面积达到91,372.47平方米，旨在年产各类碳化硅衬底达到150,000片的规模。
通过与山东大学晶体材料国家重点实验室的紧密合作，南砂晶圆在过去几年中在理论与技术研发方面取得了显著成果，成功研发出了高品质的8英寸导电型4H-SiC单晶及其衬底材料。
超芯星
超芯星，自2019年设立以来，已成为国内首批致力于大尺寸碳化硅衬底产业化的企业之一，目前已成功实现6英寸碳化硅衬底的量产和出货。该公司的创始团队拥有国际领先的HTCVD技术背景，来自于全球知名的Norstel公司，并在1、2、3、4、6英寸碳化硅衬底的研发及产业化过程中发挥了关键作用。
超芯星不仅在国内市场取得了显著成就，还是国内为数不多能在国际竞争中占据一席之地的碳化硅衬底供应商之一。特别值得一提的是，其6英寸碳化硅衬底产品已成功打入美国顶尖器件制造商，标志着中国碳化硅衬底企业在国际市场的重要突破。为了迎合全球市场的高需求，超芯星正按计划进行产品交付并积极扩大产能，预计在不久的将来6至8英寸碳化硅衬底的年产能将达到150万片。
到了2023年12月，超芯星已成功完成了数亿元人民币的C轮融资，进一步加强了其在碳化硅衬底产业化方面的领先地位。
科友半导体
科友半导体，自2018年成立以来，已经成长为一家集第三代半导体装备研发、衬底制造、器件设计及科研成果转化为一体的国家高新技术企业。该公司的研发活动涵盖了半导体装备制造、晶体生长工艺、衬底加工等多个重要领域。
2022年5月，科友半导体的产学研基地一期工程顺利完工，该项目自2020年启动。依托公司自主研发的技术，一条年产10万片第三代半导体衬底材料的生产线预备投入生产。
科友半导体已经成功开发了6至8英寸碳化硅晶体生长的关键技术和2至4英寸氮化铝晶体生长的关键技术，其中6英寸碳化硅晶体的厚度已经突破到了40mm。至2022年年底，该公司利用自主设计和制造的电阻长晶炉成功生产出直径超过8英寸、表面光滑无缺陷的碳化硅单晶，其最大直径超过了204mm，标志着科友半导体在6英寸碳化硅晶体厚度突破后又一次实现了重大技术进步。
目前，科友半导体拥有一条长晶炉生产线，年产能达200台长晶炉，以及一套高纯石墨加工设备和一套高纯度碳化硅原料制备设备。此外，公司还运营着一条6至8寸碳化硅晶体生产线，年产6至8寸碳化硅衬底达10万片。
科友半导体在8英寸碳化硅衬底量产的关键技术上取得了显著成果，尤其在晶体尺寸、厚度、缺陷控制、生长速度、制备成本及装备稳定性等方面。到了2023年4月，公司的8英寸碳化硅中试线正式运行并开始生产，平均长晶良率已经突破50%，晶体厚度达到了15mm以上，这一成就突破了国际的限制和封锁，进一步证明了科友半导体在第三代半导体领域的技术实力和创新能力。
乾晶半导体
乾晶半导体，创立于2020年，致力于第三代半导体材料的研究与开发，成为一家融合半导体碳化硅单晶生长、晶片加工及设备开发于一体的创新型高新技术企业。
2023年2月，乾晶半导体成功完成了1亿元人民币的Pre-A轮融资。紧接着在4月，公司启动了“6/8英寸碳化硅抛光衬底研发及中试项目”，该项目总占地22亩，总建筑面积大约19,000平方米，总投资达到约3亿元人民币，旨在建立一个集碳化硅6/8英寸单晶生长与衬底加工于一体的中试生产基地。
到了5月，浙江大学杭州科技创新中心的先进半导体研究院与杭州乾晶半导体联合实验室成功开发出8英寸导电型碳化硅产品，其中包括8英寸碳化硅晶锭及8英寸碳化硅抛光衬底。采用多段式电阻加热的物理气相传输（PVT）技术，实现了27mm厚的8英寸n型碳化硅单晶锭的生长，并进一步加工成8英寸碳化硅衬底，使乾晶半导体加入了8英寸碳化硅领域的先进行列。
在长晶技术上，乾晶半导体生长的6英寸碳化硅晶体厚度超过20mm，最厚处可达50mm，成品率高达70%，晶体生长周期仅需5天，位于国内先进水平。在切割技术上，公司解决了使用金刚石线进行高速切割时的挑战，包括剧烈的加工过程和晶片的翘曲问题，将单次切割时长缩短至20小时，显著提升了加工效率。乾晶半导体还在积极开发激光剥离技术，以期进一步降低晶片切割的损耗和损伤层的厚度，展现了其在半导体材料加工技术领域的创新能力和技术优势。
天达晶阳
天达晶阳，自2020年成立伊始，便以中国科学院物理研究所和天科合达的先进技术为基础，迅速在碳化硅单晶衬底行业中崭露头角。其采用的高端技术综合实力在国内居首位，全球排名第四，标志着该公司已达到国内领先及国际先进的水平。
2021年4月，天达晶阳启动了其碳化硅单晶体项目的关键阶段——无尘车间的改造工作。该项目的第一阶段涉及54台碳化硅单晶生长炉，所有设备已经到位，其中30台设备已经完成安装并处于调试阶段。
到了2022年4月，公司进一步加大投资力度，注资7.31亿元人民币，计划建设一条配备400套完整设备的碳化硅晶体生产线。预计该生产线达产后，4至8英寸的碳化硅晶片年产能将能够达到12万片，显著提升公司在碳化硅单晶衬底市场的竞争力和影响力。
晶越半导体
晶越半导体，自2020年成立以来，专注于6至8英寸导电型碳化硅衬底材料的研发、生产和销售，成为该领域的重要参与者。
2020年6月，晶越半导体在上海与当地市经开区、溢起投资合伙企业及高冰博士团队签订了“晶越碳化硅晶圆项目”的三方投资协议书。该项目规划分为三个阶段进行，总投资额达到惊人的100亿元人民币，预计第一阶段投产后，月产能将达到1500片碳化硅晶圆。
到了2021年7月，浙江绍兴市的生态环境局接受了晶越碳化硅项目的环评文件。项目第一期的计划投资约为1.35亿元人民币，预期年产能为1.2万片6英寸碳化硅晶片，显示了晶越半导体在产业发展和环保责任方面的重视。
2022年6月，晶越成功完成了B轮融资，本轮融资由红杉资本等领投，融资后的估值达到了1.35亿元人民币。这一重要的财务里程碑不仅为晶越半导体的未来发展注入了新的动力，也反映了资本市场对于晶越在碳化硅衬底材料研发和生产领域潜力的高度认可。
粤海金半导体
粤海金半导体，成立于2022年，隶属于高金富恒集团，专注于碳化硅半导体材料的研发与生产。公司拥有山东东营的产业化基地和北京的研发中心，这两大核心板块构成了其强大的产业与研发网络。
依托于中科钢研和国宏中宇第三代半导体材料制备关键共性技术的北京市工程实验室，粤海金已经建立了一套具有自主知识产权的核心技术体系。这些技术的应用不仅提升了公司的研发实力，也为碳化硅半导体材料的产业化奠定了坚实的基础。
国宏中能的年产11万片碳化硅衬底项目，总投资达6.5亿元，总建筑面积为3万平方米。项目通过不断的科研投入，在材料制备技术体系和核心装备研制方面取得了显著进展，已经具备了投产的条件。
到了2023年5月，粤海金成功完成了超过亿元的Pre-A轮融资。从2022年9月起，高金富恒集团已经累计投入超过6亿元人民币，对北京研发中心和山东生产基地进行了技术升级与扩能改造。目前，粤海金的碳化硅衬底产品即将开始量产交付。
在2023年11月，粤海金半导体在碳化硅半导体领域取得了又一重大成就，成功研制出8英寸导电型碳化硅单晶与衬底片，标志着公司在高端碳化硅半导体材料研发和生产方面迈出了重要一步。
国碳半导体
国碳半导体，自2020年成立以来，依托自1991年起始的碳化硅长晶技术研发，已成为专注于碳化硅衬底晶体生长、加工及关键设备技术开发、生产和销售的创新型企业。该公司集合了拥有丰富衬底材料研发背景和成熟企业运营管理经验的创始团队，其6-8英寸碳化硅衬底研发项目已在深圳市中清欣达膜技术研究院落户，并计划以10亿元的投资在深圳建设一条年产24万片6寸碳化硅衬底的生产线。
到了2022年10月，国碳半导体的6英寸车规级碳化硅衬底项目在深圳正式启动生产。截至2023年11月，公司已成功获得全球顶级客户的Vendor Code，确保了年产50万片碳化硅衬底的意向性产能需求。
此外，国碳半导体在2023年11月宣布，已经聘请华兴泛亚投资顾问（北京）有限公司负责其融资活动，本轮融资将主要用于中山生产基地的建设，展示了国碳半导体在碳化硅半导体材料领域的持续发展和扩张计划。
晶格领域
晶格领域，自2020年创立以来，已成为一家融合碳化硅衬底研发、生产及销售为一体的创新型高新技术企业。作为国内首个采用液相法核心技术生长碳化硅晶体的企业，晶格领域拥有自主知识产权的液相法生长技术。该技术相较于现有的物理气相传输法（PVT法），不仅能显著提升晶体质量，降低生产成本，还能解决碳化硅衬底p型掺杂在产业化过程中难以实现的问题，对于宽禁带半导体产业的发展具有深远的意义。
晶格领域的液相法生长碳化硅半导体衬底项目是中国科学院物理所的科技成果转化项目，项目分三期实施，预计总投资达7.5亿元人民币。在项目的第一阶段，公司投资5000万元，在中关村顺义园租赁了1050平方米的厂房，用于建设4至6英寸液相法碳化硅晶体的中试生产线。2021年4月，项目的首批设备已经到位并启动了试生产。
目前，晶格领域已经成功生长出4至6英寸的p型碳化硅晶体，无论是晶体尺寸、质量还是厚度，均达到了国际先进水平，展示了公司在碳化硅衬底技术研发和生产领域的强大实力和创新能力。
审核编辑：黄飞
工商网监
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