功率MOSFET管
自1976年开发出功率MOSFET以来,由于半导体工艺技术的发展,它的性能不断提高:如高压功率MOSFET其工作电
2009-11-07 09:23:121870 本应用笔记介绍了采用表面贴装封装设计LITTLEFOOT®功率MOSFET的过程。它描述了功率MOSFET的驱动电感性负载,公共栅极驱动器以及磁盘驱动器应用以及公共栅极级的驱动电容性负载
2021-05-25 11:30:075231 MOSFET的漏伏安特性(输出特性):截止区(对应GTR的截止区);饱和区(对应于GTR的放大区);非饱和区(对应于GTR的饱和区)。功率MOSFET在开关状态下工作,即截止区域和不饱和区之间的转换
2023-07-04 16:46:37978 雪崩强度是MOSFET的一种特性。在MOSFET的漏极和源极之间施加超过VDSS的电压,但是MOSFET的性能没有被破坏。此时施加在其上的能量称为雪崩能量[Avalanche energy],流过的电流称为雪崩电流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保证雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24502 众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐述了高压N型沟道功率
2023-10-18 09:11:42622 UIS:英文全称Unclamped Inductive Switching,中文译为非嵌位感性负载开关过程。
2023-11-24 15:33:142432 关于MOSFET的寄生容量和温度特性关于MOSFET的开关及其温度特性关于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和温度特性关于MOSFET的寄生容量和温度特性MOSFET的静电
2019-04-10 06:20:15
2所示,公式1极适用于平面型MOSFET组件,但像超接面等更复杂结构的表征效果极差,在任何计算中都会导致较大误差。为了适应各种新组件架构的电容特性需求,可以使用更有效率的电容测量方法,而非建立
2014-10-08 12:00:39
为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。看懂MOSFET数据表,第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来,无钳位电感开关 (UIS
2018-09-05 15:37:26
MOSFET是指的什么?MOSFET的特性是什么?MOSFET有哪些应用?
2021-07-09 07:45:34
前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性在功率转换中,MOSFET基本上被用作开关。MOSFET的开关特性一般提供导通延迟时间:Td(on)、上升时间:tr
2018-11-28 14:29:57
的技术规格中规定了条件。这个表是从N-ch 600V 4A的功率MOSFET:R6004KNX的技术规格中摘录的。蓝线框起来的是VGS(th),条件栏中VDS=10V、ID=1mA,该条件下保证VGS
2019-05-02 09:41:04
引起器件失效。UIS能力是衡量功率器件可靠性的重要指标,通常用EAS(单脉冲雪崩击穿能量)及EAR(重复雪崩能量)来衡量MOS耐受UIS的能力。好了,到这里我知道你们又要问EAS和EAR是啥了,看下
2019-08-29 10:02:12
功率MOSFET怎样关断?能否用PWM实现?怎样实现?
2023-05-08 16:16:27
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析,可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数,进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示,在研发功率
2019-07-04 06:22:42
功率MOSFET数据表包含器件特性、额定值和性能详细信息,这对应用中MOSFET的选用至关重要。虽然每一应用都是独一无二的,MOSFET数据表可提供有用的信息用于初始功率损失的计算,并提供器件性能
2018-10-18 09:13:03
SiN)及半导体三种材料制成的器件。所谓功率MOSFET(Power MOSFET)是指它能输出较大的工作电流(几安到几十安),用于功率输出级的器件。
2021-04-23 07:04:52
`从MOSFET 物理结构分析器件特性,想深入了解MOSFET有帮助。`
2011-03-07 23:02:53
前面的文章讲述过基于功率MOSFET的漏极特性理解其开关过程,也讨论过开关电源的PWM及控制芯片内部的图腾驱动器的特性和栅极电荷的特性,基于上面的这些理论知识,就可以估算功率MOSFET在开关
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的数据表的开关特性中,列出了栅极电荷的参数,包括以下几个参数,如下图所示。Qg(10V):VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V)):VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd:栅极
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的概念是什么 MOSFET的耗散功率如何计算 同步整流器的功耗如何计算
2021-03-11 07:32:50
二极管,多数情况下,因其特性很差,要避免使用。功率MOSFET的反向导通等效电路(2)(1):等效电路(门极加控制)(2):说明功率 MOSFET 在门级控制下的反向导通,也可用一电阻等效,该电阻与温度
2021-09-05 07:00:00
二极管,多数情况下,因其特性很差,要避免使用。三、功率MOSFET的反向导通等效电路(2)1)等效电路(门极加控制):2)说明:功率 MOSFET 在门级控制下的反向导通,也可用一电阻等效,该电阻与温度
2021-08-29 18:34:54
,功率MOSFET很少接到纯的阻性负载,大多数负载都为感性负载,如电源和电机控制;还有一部分的负载为容性负载,如负载开关。既然功率MOSFET所接的负载大多数为感性负载,那么上面基于阻性负载的开关特性
2016-12-16 16:53:16
1 横向双扩散型场效应晶体管的结构功率MOSFET即金属氧化物半导体场效应晶体管(Metal Oxide Semiconductor FieldEffect Transistor)有三个管脚,分别为
2016-10-10 10:58:30
的条件:1、雪崩电流值:电感值一定,由MOSFET导通的时间决定;2、重复脉冲间隔的时间,也就是脉冲周期Ts或频率fs。重复UIS脉冲加到功率MOSFET,它的结温将会有一个平均值的增加, 此平均值
2017-09-22 11:44:39
二极管,多数情况下,因其特性很差,要避免使用。功率MOSFET的反向导通等效电路(2)(1):等效电路(门极加控制)(2):说明功率 MOSFET 在门级控制下的反向导通,也可用一电阻等效,该电阻与温度
2018-10-25 16:11:27
解析深度学习:卷积神经网络原理与视觉实践
2020-06-14 22:21:12
AUTOSAR架构深度解析本文转载于:AUTOSAR架构深度解析AUTOSAR的分层式设计,用于支持完整的软件和硬件模块的独立性(Independence),中间RTE(Runtime Environment)作为虚拟功能...
2021-07-28 07:02:13
AUTOSAR架构深度解析本文转载于:AUTOSAR架构深度解析目录AUTOSAR架构深度解析AUTOSAR分层结构及应用软件层功能应用软件层虚拟功能总线VFB及运行环境RTE基础软件层(BSW)层
2021-07-28 07:40:15
C语言深度解析,本资料来源于网络,对C语言的学习有很大的帮助,有着较为深刻的解析,可能会对读者有一定的帮助。
2023-09-28 07:00:01
I2C通信设计深度解析
2012-08-12 21:31:58
功率MOSFET有二种类型:N沟通和P沟道,在系统设计的过程中,选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征,然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期,RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代后期,的出现改变了这一
2019-07-08 08:28:02
Architect工具可对变压器、功率MOSFET、功率二极管、传输电缆等进行定制建模,而且建模信息主要利用器件手册和器件实验数据;因而定制设计的器件模型较为精确,较为真实反映器件的真实性能。 该课程主要
2017-04-12 20:43:49
的雪崩耐用性评估方法不是进行典型的UIS测试(这是一种破坏性测试),而是基于对SiC功率MOSFET的全面表征,以更好地了解其稳健性。因此,在1200V160mΩSiCMOSFET上进行重复UIS
2019-07-30 15:15:17
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展,性能有望进一步提升。从下一篇开始,将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点,但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。< 相关产品信息 >MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET
2018-11-27 16:40:24
作用导致反向工作时的压降降低呢?AO4459的一些特性如下:图2:AO4459的二极管特性图3:AO4459的传输特性VTH是功率MOSFET的固有特性,表示功率MOSFET在开通过程中沟道形成的临界
2017-04-06 14:57:20
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:06 编辑
Zstack中串口操作的深度解析(一)欢迎研究ZigBee的朋友和我交流。。。
2012-08-12 21:11:29
免费视频教程:java经典面试题深度解析对于很多初学者来说,学好java在后期面试的阶段都没什么经验,为了让大家更好的了解面试相关知识,今天在这里给大家分享了一个java经典面试题深度解析的免费视频
2017-06-20 15:16:08
MOSFET开时米勒平台的形成过程的详细解析!纯手工画图解析,这资料还是可以的回帖直接下载原文档 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
在理解功率MOSFET的VTH的特性之前,先看一个在实际客户产品应用中遇到的问题,了解这个不起眼的、却有些独特的VTH对系统设计的影响。例:国内某通讯公司,做了一批基站系统,出口到俄罗斯,7、8份
2019-08-08 21:40:31
关于汽车电子功率MOSFET技术,总结的太棒了
2021-05-14 06:13:01
AUTOSAR架构深度解析本文转载于:AUTOSAR架构深度解析AUTOSAR的分层式设计,用于支持完整的软件和硬件模块的独立性(Independence),中间RTE(Runtime
2021-07-23 08:34:18
混合SET/MOSFET 结构与特性是什么?如何利用SET/MOSFET 混合结构的传输特性去设计数值比较器?
2021-04-13 07:12:01
功率MOSFET的电流感知有哪几种方法?SenseFET方法检测电流的工作原理是什么?影响电流检测准确性的原因有哪些?
2021-04-21 07:16:38
功率MOSFET是便携式设备中大功率开关电源的主要组成部分。此外,对于散热量极低的笔记本电脑来说,这些MOSFET是最难确定的元件。本文给出了计算MOSFET功耗以及确定其工作温度的步骤,并通过
2021-01-11 16:14:25
使用功率 MOSFET 也有两年多时间了,这方面的技术文章看了不少,但实际应用选型方面的文章不是很多。在此,根据学到的理论知识和实际经验,和广大同行一起分享、探讨交流下功率 MOSFET 的选型
2019-11-17 08:00:00
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
记得作者2002年做研发的时候,在热插拨的应用中就开始关注到这个问题,那时候很难找到相关的资料,最后在功率MOSFET的数据表中根据相关的图表找到导通电阻RDS(ON)的这个违背常理的特性,然后
2016-09-26 15:28:01
也是基于电容的特性,下面将从结构上介绍这些寄生电容,然后理解这些参数在功率MOSFET数据表中的定义,以及它们的定义条件。1、功率MOSFET数据表的寄生电容沟槽型功率MOSFET的寄生电容的结构如图
2016-12-23 14:34:52
尽管MOSFET在开关电源、电机控制等一些电子系统中得到广泛的应用,但是许多电子工程师对于MOSFET开关过程仍然有一些疑惑,本文先简单介绍常规的基于栅极电荷的特性,理解MOSFET的开通和关断
2016-11-29 14:36:06
。2 漏极电流IDSMIDSM是基于硅片最大允许结温和RqJA计算值。 3 脉冲漏极电流脉冲漏极电流在功率MOSFET的数据表中标示为IDM,对于这个电流值,要结合放大特性来理解它的定义。功率
2016-08-15 14:31:59
`本书介绍了功率器件MOSFET。功率MOSFET是一类导电沟道槽结构特殊的场效应管,它是继MOSFET之后新展开起来的高效、功率开关器件。本书深入解读了MOSFET的关键特性和指标,通过图表让读者
2019-03-06 16:20:14
看懂MOSFET数据表,第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来,无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在
2022-11-18 06:39:27
为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。看懂MOSFET数据表,第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来,无钳位电感开关 (UIS
2015-11-19 15:46:13
MOSFET的栅极电荷特性与开关过程MOSFET的漏极导通特性与开关过程
2021-04-14 06:52:09
范围。因为接下来的几篇将谈超级结MOSFET相关的话题,因此希望在理解Si-MOSFET的定位的基础上,根据其特征和特性对使用区分有个初步印象。下图表示处理各功率晶体管的功率与频率范围。可以看出
2018-11-28 14:28:53
请问:驱动功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素?
2019-07-31 10:13:38
功率场效应晶体管MOSFET摘要:文中阐述了MOSFET的结构、工作原理、静态、动态特性,并对动态特性的改进进行了论述,简介了MOSFET的驱动电路及其发展动态。关键词:MOSFET 结
2008-08-12 08:42:03224 功率MOSFET
2009-09-23 19:35:0636 众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有“理想开关”的特性。其主要缺点是开态电阻(RDS(on))和正温度系数较高。本教程阐
2009-11-19 14:53:2434 功率MOSFET的工作原理,规格和特性均与变极式功率电晶体有所不同。
2009-11-20 11:02:2950 本文主要研究高频功率MOSFET的驱动电路和在动态开关模式下的并联均流特性。首先简要介绍功率MOSFET的基本工作原理及静态及动态特性,然后根据功率MOSFET对驱动电路的要求,
2010-11-11 15:34:22201 功率MOSFET并联均流问题研究
对频率为MHz级情况下功率MOSFET并联均流问题进行了研究,详细分析了影响功率MOSFET并联均流诸因素。通过Q轨迹把器件参
2009-06-30 13:38:073401 理解功率MOSFET的RDS(ON)温度系数特性
通常,许多资料和教材都认为,MOSFET的导通电阻具有正的温度系数,因此可以并联工作。当其中一个并联的MOSFET的温度上升时,具有
2009-11-10 10:53:134381 MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩
2010-04-26 18:19:135531 高频特性得到改善的功率MOSFET放大器
电路的功能
2010-04-29 16:56:391676 本内容提供了功率MOSFET与高压集成电路的知识概括。众所周知,由于采用了绝缘栅,功率MOSFET器件只需很小的驱动功率,且开关速度优异。可以说具有理想开关的特性。其主要缺点是开
2011-07-22 11:28:47235 在这片文章里,我们给大家介绍最基本的功率器件MOSFET,对其进行初步的解析和各种应用介绍。
2012-12-29 10:54:312988 功率MOS场效应晶体管技术讲座_功率MOSFET特性参数的理解。
2016-03-24 17:59:0847 深度解析IoT领域4大“战役”
2018-01-22 10:25:314556 视频简介:功率MOSFET数据表包含特性、额定值和性能详细信息,这对应用中MOSFET的选-用至关重要。虽然每一应用都是独一无二的,MOSFET数据表可提供有用的信息用于初-始功率损失的计算,并提供器件性能能力的快照。本视频将提供功率MOSFET数据表概览,并阐明具体的数据表参数和定义。
2019-03-12 06:10:003522 功率VDMOSFET器件由于其用栅极电压来控制漏极电流,驱动电路简单,需要的驱动功率小,开关速度快,工作频率高等特性,被广泛应用于DC/DC转换器,UPS及各种开关电路等。在电路设计中,工程师会根据
2020-03-07 08:00:0021 桩、不间断电源系统以及能源储存等应用场景中的需求不断提升。 SiC MOSFET的特性 更好的耐高温与耐高压特性 基于SiC材料的器件拥有比传统Si材料制品更好的耐高温耐高压特性,其能获得更高的功率密度和能源效率。由于碳化硅(SiC)的介电击穿强度大约是硅(Si)的
2021-08-13 18:16:276631 为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。
看懂MOSFET数据表,第1部分—UIS/雪崩额定值
自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来,无钳位电感开关
2021-11-24 11:22:314299 功率MOSFET特性参数的理解
2022-07-13 16:10:3924 。功率MOSFET和IGBT具备隔离的栅极体,因此更容易驱动器。功率MOSFET的缺点是增益小,偶尔栅极驱动的电压甚至是少于实际要控制的电压。 TOREX功率MOSFET是通用型N/P通道MOSFET,具备低导通电阻和高速电源开关特性。适合于各种设备应用,如继电器电路和开关电源电路
2022-08-16 14:30:56791 功率 MOSFET 是最常见的功率半导体,主要原因是因为其栅极驱动需要的功率小、以及快速的切换速度,使其成为电机驱动时最常用的功率半导体。本文将为您简介功率 MOSFET 的技术特性,以及由安森美(onsemi)推出的NTBLS1D5N10MC功率MOSFET的产品特性。
2022-09-27 15:17:561407 看懂MOSFET数据表,第1部分—UIS/雪崩额定值
2022-11-03 08:04:454 重复 UIS/短路条件下的 MOSFET 瞬态结温
2022-11-14 21:08:061 内容主要包括
一、MOSFET的分类
二、MOSFET的内部结构以及技术升级过程介绍
三、MOSFET的工作原理
四、MOSFET的主要特性(转移特性、开关特性、输出特性
2022-11-15 17:10:270 深度解析PiN二极管基本原理及设计应用
2022-12-21 10:12:241051 继前篇的Si晶体管的分类与特征、基本特性之后,本篇就作为功率开关被广为应用的Si-MOSFET的特性作补充说明。MOSFET的寄生电容:MOSFET在结构上存在下图所示的寄生电容。
2023-02-09 10:19:241996 前篇对MOSFET的寄生电容进行了介绍。本篇将介绍开关特性。MOSFET的开关特性:在功率转换中,MOSFET基本上被用作开关。
2023-02-09 10:19:242519 在SiC MOSFET的开发与应用方面,与相同功率等级的Si MOSFET相比,SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,另由于其高温工作特性,大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 16:13:002571 新一代的超结结构的功率MOSFET中有一些在关断的过程中沟道具有提前关断的特性,因此,它们的关断的特性不受栅极驱动电阻的控制,但是,并不是所有的超结结构的功率MOSFET都具有这样的特性,和它们内部结构、单元尺寸以及电压额定等多个因素相关。
2023-02-16 10:39:36581 功率MOSFET在开通的过程中,当VGS的驱动电压从VTH上升到米勒平台VGP时间段t1-t2,漏极电流ID从0增加系统的最大的电流,VGS和ID保持由跨导GFS所限制的传输特性曲线的关系,而VDS
2023-02-16 10:45:04908 功率MOSFET的输出电容Coss会随着外加电压VDS的变化而变化,表现出非线性的特性,超结结构的高压功率MOSFET采用横向电场的电荷平衡技术
2023-02-16 10:52:42280 UIS测试由图1中所示的测试电路执行。在FET关闭时,其上施加了一个电源电压,然后检查器件上是否有泄露。在FET接通时,电感器电流稳定增加。当达到所需的电流时,FET被关闭,FET上的Ldi/dt
2023-04-17 09:45:061409 深度解析如何管控SMT回流焊炉温曲线
2023-06-21 09:48:53744 功率MOSFET的UIS雪崩损坏有三种模式:热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2023-06-29 15:40:541276 功率MOSFET数据表参数
2023-08-24 09:13:06552 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315
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