与功率MOSFET相比，功率MOSFET中的SiC具有一系列优势，例如更高的电导率，更低的开关速度和更低的传导损耗[1] [2]-[6]。
2021-03-12 11:59:02
7219 SiC功率MOSFET由于其出色的物理特性，在充电桩及太阳能逆变器等高频应用中日益得到重视。因为SiC MOSFET开关频率高达几百K赫兹，门极驱动的设计在应用中就变得格外关键。因为在短路
2023-06-01 10:12:07998 
谈谈SiC MOSFET的短路能力
2023-08-25 08:16:131020 
下面将对于SiC MOSFET和SiC SBD两个系列，进行详细介绍
2023-11-01 14:46:19736 
SiC MOSFET模块目前广泛运用于新能源汽车逆变器、车载充电、光伏、风电、智能电网等领域[2-9] ，展示了新技术的优良特性。
2024-02-19 16:29:22206 
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
Si-MOSFET高。与Si-MOSFET进行替换时，还需要探讨栅极驱动器电路。与Si-MOSFET的区别：内部栅极电阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的内部栅极电阻Rg依赖于栅电极材料的薄层电阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性全SiC功率模块所谓全SiC功率模块全SiC功率模块的开关损耗运用要点栅极驱动 其1栅极驱动 其2应用要点缓冲电容器 专用栅极驱动器和缓冲模块的效果Si功率元器件基础篇前言前言Si
2018-11-27 16:40:24
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
面积小（可实现小型封装），而且体二极管的恢复损耗非常小。 主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。 2. 标准化导通电阻 SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-04-09 04:58:00
击穿耐受能力SiC-MOSFET的优点是芯片尺寸可以比Si-MOSFET小，但另一方面，静电击穿（ESD）耐受能力却较低。因此，处理时需要采取充分的防静电措施。静电对策举例・利用离子发生器除去人体
2018-11-30 11:30:41
作的。全桥式逆变器部分使用了3种晶体管（Si IGBT、第二代SiC-MOSFET、上一章介绍的第三代沟槽结构SiC-MOSFET），组成相同尺寸的移相DCDC转换器，就是用来比较各产品效率的演示机
2018-11-27 16:38:39
`请问：图片中的红色白色蓝色模块是什么东西？芯片屏蔽罩吗？为什么加这个东西？抗干扰或散热吗？这是个SiC MOSFET DC-DC电源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
）可能会严重影响全局开关损耗。针对此，在SiC MOSFET中可以加入米勒箝位保护功能，如图3所示，以控制米勒电流。当电源开关关闭时，驱动器将会工作，以防止因栅极电容的存在，而出现感应导通的现象。图3
2019-07-09 04:20:19
一样，商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中，并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
2023-02-27 13:48:12
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16:52
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-05-07 06:21:55
为了使水下航行器装入密封舱后所有模块正常运行，设计了一个模拟平台，涵盖了模拟电路、数字电路、信号处理、无线射频、电源、传感器等方面，特别是小车轨迹使用上层的PID参数的智能化控制，具有远距离数据传输
2019-08-09 07:00:33
求教水下航行器应该如何接地？负极接机壳？浮地？还是其他？请各位大神赐教
2014-12-11 15:55:59
航行器半实物仿真的主要优点有哪些？水下航行器控制系统半实物仿真的特点是什么？水下航行器控制半实物仿真系统的组成部分
2021-04-14 06:01:25
全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基势垒二极管（以下简称“SiC SBD”）已被成功应用于大功率模拟模块制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
项目名称：SiC MOSFET元器件性能研究试用计划：申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验，熟悉MOSET各种性能和应用，掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
SiC Mosfet管组成上下桥臂电路，整个评估板提供了一个半桥电路，可以支持Buck，Boost和半桥开关电路的拓扑。SiC Mosfet的驱动电路主要有BM6101为主的芯片搭建而成，上下桥臂各有一块
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，负载我们设为0.9Ω的阻值，通过下图来看实际的输入和输出情况：图4 输入和输出通过电子负载示数，输出电流达到了17A。下面使用示波器测试SIC-MOSFET管子的相关
2020-06-10 11:04:53
项目名称：基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划：申请理由本人在电力电子领域（数字电源）有五年多的开发经验，熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
`收到了罗姆的sic-mosfet评估板，感谢罗姆，感谢电子发烧友。先上几张开箱图，sic-mos有两种封装形式的，SCT3040KR，主要参数如下：SCT3040KL，主要参数如下：后续准备搭建一个DC-DC BUCK电路，然后给散热器增加散热片。`
2020-05-20 09:04:05
MOSFET整流器和逆变器的工作频率。另外，LC滤波器的截止频率也可以提高，这意味着LC滤波器的容量将会降低，从而降低ACL和ACC滤波电路的损耗和重量。表1APS产品的规格2、基于1.2kV全SiC
2017-05-10 11:32:57
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域，如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
要充分认识 SiC MOSFET 的功能，一种有用的方法就是将它们与同等的硅器件进行比较。SiC 器件可以阻断的电压是硅器件的 10 倍，具有更高的电流密度，能够以 10 倍的更快速度在导通和关断
2017-12-18 13:58:36
Tesla的SiC MOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共24颗，拆开封装每颗有2个SiC裸晶(Die)所以共48颗SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一辆车附2个一般充电器、快充电桩等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速导入。不过，市场估算，循续渐进采用SiC后，平均2辆Te.
2021-09-15 07:42:00
逆变器系统中的隔离式栅极驱动器图1所示的隔离式栅极驱动器集成电路是牵引逆变器电力输送解决方案不可或缺的一部分。栅极驱动器提供从低压到高压（输入到输出）的电隔离，驱动基于SiC或IGBT的三相电机半桥的高
2022-11-03 07:38:51
使用隔离式IGBT和SiC栅极驱动器的HEV/EV牵引逆变器设计指南
2022-11-02 12:07:56
业内先进的 AC/DC转换器IC ，采用 一体化封装 ，已将1700V耐压的SiC MOSFET*和针对其驱动而优化的控制电路内置于 小型表贴封装 （TO263-7L）中。主要适用于需要处理大功率
2022-07-27 11:00:52
减少了19%的体积，并减重2kg。 从第4赛季开始，ROHM将为文图瑞车队提供将SiC-MOSFET和SiC-SBD模块化的全SiC功率模块，与搭载SiC-SBD的第3赛季逆变器相比，实现了30
2018-12-04 10:24:29
SiC-MOSFET和SiC肖特基势垒二极管的相关内容，有许多与Si同等产品比较的文章可以查阅并参考。采用第三代SiC沟槽MOSFET，开关损耗进一步降低ROHM在行业中率先实现了沟槽结构
2018-11-27 16:37:30
介绍了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的100KHz，10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24
在通用PWM发电机中，我可以用任何型号替换SiC MOSFET吗？
2024-03-01 06:34:58
过。另据报道，与基于IGBT的电机驱动器相比，使用具有有限dv/dt的SiC-MOSFET和传统的栅极驱动器可以带来更高的效率［3］。在驱动应用中使用 SiC-MOSFET 的优势可以通过 CSD
2023-02-21 16:36:47
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
描述此参考设计是一种通过汽车认证的隔离式栅极驱动器解决方案，可在半桥配置中驱动碳化硅 (SiC) MOSFET。此设计分别为双通道隔离式栅极驱动器提供两个推挽式偏置电源，其中每个电源提供 +15V
2018-10-16 17:15:55
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
，单极性反向导通电流是条形花纹排列SBD实现电流的两倍。2.7mΩ・cm2条件下，RonA降低约20%。SiC MOSFET用于电机驱动应用逆变器时，这种经过验证的改进效果是至关重要的。目前正在继续进行
2023-04-11 15:29:18
本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗
2019-03-18 23:16:12
本文将从设计角度首先对在设计中使用的电源IC进行介绍。如“前言”中所述，本文中会涉及“准谐振转换器”的设计和功率晶体管使用“SiC-MOSFET”这两个新课题。因此，设计中所使用的电源IC，是可将
2018-11-27 16:54:24
在真实海洋环境下进行，实验时的海况成为了影响和制约实验可行性和结果正确性的关键因素，再加上海洋项目的成本比较高，就需要一个智能平台来实验水下航行器的功能，更加接近的模拟实验的环境，通过各种传感器的综合运用，这样才能在真实的环境中得到更加有效的数据，从而更加合理的开发和利用海洋资源，造福人民，保卫祖国的海疆。
2019-08-16 06:54:00
功率MCU，分立器件和功率器件的领先公司。为了追求卓越和高品质的产品，罗姆已经垂直整合了其碳化硅供应链。SiC MOSFET，SBD，模块和栅极驱动器产品组合已在Bodo的Power杂志（2015年4
2019-10-25 10:01:08
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级，并能够监控和保护各种故障情况。图1：电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
请问：驱动功率MOSFET，IBGT，SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素？
2019-07-31 10:13:38
提出了一种基于CAN总线的分布式水下航行器控制器的设计方法，主要描述了其硬件总体设计方案和实现办法。控制器作为分布式控制系统的一个节点，与其他节点之间以CAN总线连接并形
2013-06-08 17:54:55
31 水下航行器非接触式电能传输技术研究_王司令
2017-01-07 15:17:120 针对潜艇发射水下航行器攻击水面目标这一想定进行视景仿真。利用Multigen Creator进行三维实体建模和地形生成，基于Vega Prime实时视景仿真平台开发水下航行器攻击可视化仿真应用，展现
2017-11-16 10:53:1210 Seabed并不像那些典型的自动水下航行器。很多水下航行器形状像鱼雷，可以像水柱一样有效地穿透海水。
2018-08-05 11:18:063133 据获悉，南方电网首个水下机器人项目于近日完成最终验收，这也是国内首个能在水下隧洞远距离航行检测的机器人。
2018-08-14 10:23:001361 尽管自主水下航行器(AUV)确实能使海洋数据的收集过程变得更加容易，但是发射东西仍然很麻烦。这就是科学家开发一种新系统的原因，该系统使用无人水面艇来部署自主水下航行器。通常，自动水下航行器是从一艘大型船只发射的。
2020-01-11 11:01:052516 美国国防部高级计划研究局（DARPA）刚刚向三家公司授予了开发合同，以支持新一代长距离、远程水下航行器（UUV）的开发。
2020-03-14 14:50:242120 阻和紧凑的芯片，可确保低电容和栅极变化。因此NTBG020N090SC1 SiC MOSFET系统的好处包括最高效率、更快工作频率、增加的功率密度、更低EMI以及更小的系统尺寸。典型应用包括DC-DC转换器、升压逆变器、UPS、太阳能和电源。
2020-06-15 14:19:403728 针对水下传感器网络（UwSN）存在能耗高、传输率低和带宽窄等问题，提岀自主水下航行器（AUV辅助的水下地理杌会路由协议（ GOHRP）。初始阶段， GOHRP基于普通节点的深度设计间距不等的分层网络
2021-04-09 16:19:075 水下航行器通用的数据处理软件设计方案
2021-06-30 15:29:055 基于CAN总线的水下航行器分布式控制系统
2021-07-01 16:53:379 AUV水下工作定位难 自主式水下航行器（AUV）是一种重要的用于水下勘测的机器人，同时也是用于检测的精密仪器。 AUV在进行水下任务时会遇到两个难题： 一是在没有具体的环境信息的条件下，水下
2021-07-16 16:02:23840 自2018年特斯拉Model3率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。
2021-12-08 15:55:511670 
功率 MOSFET 中的SiC（碳化硅）与其对应物相比具有一系列优势，例如更高的导电性、更低的开关速度和更低的传导损。
2022-08-05 08:04:431305 
应用中，SiC MOSFET模块可以满足包括轨道车用逆变器、转换器和光伏逆变器在内的应用需求，实现系统的低损耗和小型化。
2022-11-06 21:14:51956 SiC MOSFET 的优势和用例是什么？
2022-12-28 09:51:201034 
在大电流应用中利用 SiC MOSFET 模块
2023-01-03 14:40:29491 SiC 器件取代服务器、电机、EV 中的 Si MOSFET 和二极管
2023-01-05 09:43:43529 提高任何水下平台能力的关键是推进其供电技术研发。美国国防部高级研究计划局（DARPA）是领导开发无人水下航行器（UUV）新电源硬件的机构之一。
2023-01-09 15:00:121223 （碳化硅）MOSFET等高压功率器件。 栅极驱动IC作为电动汽车逆变器的重要组成部分，在逆变器控制MCU，及向逆变器供电的IGBT和SiC MOSFET间提供接口。它们在低压域接收来自MCU的控制信号，并将这些信号传递至高压域，快速开启和关闭功率器件。为适应电动车辆电池的更高电压，RAJ29300
2023-02-02 11:10:02906 瑞萨电子推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。
2023-02-03 14:59:11314 在探讨“SiC MOSFET：桥式结构中Gate-Source电压的动作”时，本文先对SiC MOSFET的桥式结构和工作进行介绍，这也是这个主题的前提。
2023-02-08 13:43:23340 
本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装SiC MOSFET产品相比，SiC MOSFET栅-源电压的行为不同。
2023-02-09 10:19:20301 
通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・具有驱动器源极引脚的TO-247-4L和TO-263-7L封装SiC MOSFET，与不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装产品相比，SiC MOSFET的栅-源电压的...
2023-02-09 10:19:20335 
在SiC MOSFET的开发与应用方面，与相同功率等级的Si MOSFET相比，SiC MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低，适用于更高的工作频率，另由于其高温工作特性，大大提高了高温稳定性。
2023-02-12 15:29:032102 
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构，主要有二种：平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构，
2023-02-16 09:40:102938 
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
如何为SiC MOSFET选择合适的驱动芯片？（英飞凌官方） 由于SiC产品与传统硅IGBT或者MOSFET参数特性上有所不同，并且其通常工作在高频应用环境中， 为SiC MOSFET选择合适的栅极
2023-02-27 14:42:0479 首先，是一张制造测试完成了的SiC MOSFET的晶圆(wafer)。
2023-08-06 10:49:071106 
SiC设计干货分享（一）：SiC MOSFET驱动电压的分析及探讨
2023-12-05 17:10:21439 
SiC MOSFET的桥式结构
2023-12-07 16:00:26157 常见的搭载平台经历了从水面舰船到载人潜器（HOV）到水下无人航行器（UUV）的历程。HOV和UUV的研究分别起步于1890年和1960年左右。它们具有活动范围大、机动性强和作业效率高等优点。近年来，随着深远海海洋调查的需求，HOV和UUV扮演着越来越重要的角色。
2023-12-20 10:47:20617 
怎么提高SIC MOSFET的动态响应？ 提高SIC MOSFET的动态响应是一个复杂的问题，涉及到多个方面的考虑和优化。在本文中，我们将详细讨论如何提高SIC MOSFET的动态响应，并提供一些
2023-12-21 11:15:52272 SIC MOSFET在电路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅场效应晶体管）是一种新型的功率晶体管，具有较高的开关速度和功率密度，广泛应用于多种电路中。 首先，让我们简要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13687 SiC（碳化硅）逆变器是一种新型的电力电子器件，具有高效率、高频率、高温稳定性等优点，广泛应用于电动汽车、可再生能源、电力系统等领域。设计SiC逆变器需要遵循一定的流程，以确保产品的性能和可靠性
2024-01-10 14:42:56190 iC逆变器是一种新型的电力电子器件，具有高效率、高频率、高温稳定性等优点，广泛应用于电动汽车、可再生能源、电力系统等领域。制造SiC逆变器需要遵循一定的流程，以确保产品的性能和可靠性。以下是制造
2024-01-10 14:55:44137 
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