碳化硅（SiC），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状碳化硅就已大规模生产，用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史，主要用于磨轮和多种其他研磨应用。
2023-09-08 15:24:02
892 
本推文主要介碳化硅器件，想要入门碳化硅器件的同学可以学习了解。
2023-11-27 17:48:06657 
晶片切割是半导体器件制造的关键步骤，切割方式和质量直接影响晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生产成本，同时对器件制造也有重大影响。碳化硅作为第三代半导体材料，在电子领域中具有重要地位。高质量碳化硅晶体
2024-01-23 09:42:20749 
碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。 但硅肖特基二极管也有两个缺点，一是反向耐压VR较低，一般只有100V左右;二是反向漏电流IR较大。 二、碳化硅半导体材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET开关频率到100Hz为什么波形还变差了
2015-06-01 15:38:39
讨论一下SiC器件。 碳化硅，不那么新的材料 第一次记录在案的SiC材料实验是在1849年左右，这种材料已经广泛用于防弹背心或磨料。IGBT的发明者之一早在1993年就讨论了与硅（Si）器件相比
2023-02-24 15:03:59
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路实验(SCT)表现。具体而言，该实验的重点是在不同条件下进行专门的实验室测量，并借助一个稳健的有限元法物理模型来证实和比较测量值，对短路行为的动态变化进行深度评估。
2019-08-02 08:44:07
。 功率半导体就是这样。在首度商业化时，碳化硅的创新性和较新的颠覆性技术必然很昂贵，尽管认识到了与硅基产品（如IGBT和Si-MOSFET）相比的潜在优势，大多数工程师还是把它放在了“可有可无”的清单
2023-02-27 14:28:47
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
至半导体内部导致失效。同样的晶片表面钝化层损坏后，杂质可能迁移到晶片内部导致失效。 HTRB试验可以使这些失效加速呈现，排查出异常器件。基本半导体碳化硅二级管的HTRB实验温度为175℃，高于一般
2023-02-28 16:59:26
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圆盘压敏电阻 |碳化硅棒和管压敏电阻 | MOV / 氧化锌 （ZnO） 压敏电阻 |带引线的碳化硅压敏电阻 | 硅金属陶瓷复合电阻器 |ZnO 块压敏电阻 关于EAK碳化硅压敏电阻我们
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
碳化硅（SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。碳化硅化学和物理稳定性，碳化硅的硬度和耐腐蚀性均较高。是陶瓷材料中高温强度好的材料
2021-01-12 11:48:45
大量采用持续稳定的线路板；在引擎室中，由于高温环境和LED 灯源的散热要求，现有的以树脂、金属为基材的电路板不符合使用要求，需要散热性能更好碳化硅电路板，例如斯利通碳化硅基板；在高频传输与无线雷达侦测
2020-12-16 11:31:13
在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
碳化硅的颜色，纯净者无色透明，含杂质(碳、硅等)时呈蓝、天蓝、深蓝，浅绿等色，少数呈黄、黑等色。加温至700℃时不褪色。金刚光泽。比重,具极高的折射率, 和高的双折射，在紫外光下发黄、橙黄色光，无
2019-07-04 04:20:22
和 DC-AC 变流器等。集成式快速开关 50A IGBT 的关断性能优于纯硅解决方案，可与 MOSFET 媲美。较之常规的碳化硅 MOSFET，这款即插即用型解决方案可缩短产品上市时间，能以更低成本实现 95
2021-03-29 11:00:47
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅作为第三代半导体经典的应用，具有众多自身优势和技术优势，它所制成的功率器件在生活中运用十分广泛，越来越无法离开，因此使用碳化硅产品的稳定性在一定程度上也决定了生活的质量。作为高尖精的产品，芯片
2023-02-20 15:27:19
01 碳化硅材料特点及优势 碳化硅作为宽禁带半导体的代表性材料之一，其材料本征特性与硅材料相比具有诸多优势。以现阶段最适合用于做功率半导体的4H型碳化硅材料为例，其禁带宽度是硅材料的3倍
2023-02-28 16:55:45
导通电压比对，碳化硅肖特基二极管的导通压降为1.5V，硅快速恢复二极管的导通压降为1.7V， 碳化硅材料性能好于硅材料。 3、碳化硅肖特基二极管的恢复特性 硅快速恢复二极管存在反向漏电流较大
2023-02-28 16:34:16
材料的两倍以上。因此，SiC所能承受的温度更高，一般而言，使用碳化硅（SiC）陶瓷线路板的功率器件所能达到的最大工作温度可到600 C。2) 高阻断电压与Si材料相比，SiC的击穿场强是Si的十倍多
2021-03-25 14:09:37
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
通损耗一直是功率半导体行业的不懈追求。 相较于传统的硅MOSFET和硅IGBT 产品，基于宽禁带碳化硅材料设计的碳化硅 MOSFET 具有耐压高、导通电阻低，开关损耗小的特点，可降低器件损耗、减小
2023-02-27 16:14:19
项目名称：基于碳化硅功率器件的永磁同步电机先进驱动技术研究试用计划：申请理由：碳化硅作为最典型的宽禁带半导体材料，近年来被越来越广泛地用于高频高温的工作场合。为了提高永磁同步电机伺服控制系统的性能
2020-04-21 16:04:04
次，与之相反，因此它具有更低的功耗（工作效率）。那么，为何碳化硅比氮化镓更早用于耐高压应用？原因是，在 MOS场效应管的制造中，碳化硅更容易形成SiO2 (SiO2)，「氮化镓晶片面临三大难题」（森
2023-02-23 15:46:22
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
，在这些环境中，传统的硅基电子设备无法工作。碳化硅在高温、高功率和高辐射条件下运行的能力将提高各种系统和应用的性能，包括飞机、车辆、通信设备和航天器。今天，SiC MOSFET是长期可靠的功率器件。未来，预计多芯片电源或混合模块将在SiC领域发挥更重要的作用。
2022-06-13 11:27:24
，获得华大半导体有限公司投资，创能动力致力于开发以硅和碳化硅为基材的功率电子器件、功率模块，并商品化提供解决方案。碳化硅使用在氮化镓电源中，可实现相比硅元器件更高的工作温度，实现双倍的功率密度，更小
2023-02-22 15:27:51
复杂的设计，功率模块的集成能力使其成为首选。但是哪些封装适用于快速开关碳化硅器件？ 当传统硅器件在功率损耗和开关频率方面达到极限时，碳化硅可能是合适的半导体选择。高达 30 至 40kHz，最新一代
2023-02-20 16:29:54
附件：嘉和半導體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
2022-03-23 17:06:51
的硅基IGBT和碳化硅肖特基二极管合封，在部分应用中可以替代传统的IGBT （硅基IGBT与硅基快恢复二极管合封），使得IGBT的开关损耗大幅降低。这款混合碳化硅分立器件的性能介于超结MOSFET
2023-02-28 16:48:24
是在25°C至150°C温度之间，对传输特性的改变非常有限。 图2：在25°C（左）和150°C（右）的传输特性曲线表明，碳化硅MOSFET受到的影响明显低于硅MOSFET。 避免负栅极电压 需要
2023-03-14 14:05:02
，对于传统硅器件来讲，其体二极管反向恢复时间trr一般大于200ns以上，这样会产生较大体二极管反向恢复带来的开关损耗和噪音，这是限制硅MOSFET工作在LLC更宽范围的最主要原因。碳化硅MOSFET
2016-08-05 14:32:43
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
用碳化硅MOSFET设计一个双向降压-升压转换器
2021-02-22 07:32:40
，工作结温可达175℃，与传统硅基模块具有相同的封装尺寸，可在一定程度上替代相同封装的IGBT模块，从而帮助客户有效缩短产品开发周期，提高工作效率。 产品特点 沟槽型、低RDS（on） 碳化硅
2023-02-27 11:55:35
的发展趋势，对 SiC 器件封装技术进行归纳和展望。近20多年来，碳化硅(Silicon Carbide，SiC)作为一种宽禁带功率器件，受到人们越来越多的关注。与硅相比，碳化硅具有很多优点，如：碳化硅
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
硅IGBT与碳化硅MOSFET驱动两者电气参数特性差别较大，碳化硅MOSFET对于驱动的要求也不同于传统硅器件，主要体现在GS开通电压、GS关断电压、短路保护、信号延迟和抗干扰几个方面，具体如下
2023-02-27 16:03:36
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
°C。系统可靠性大大增强，稳定的超快速本体二极管，因此无需外部续流二极管。三、碳化硅半导体厂商SiC电力电子器件的产业化主要以德国英飞凌、美国Cree公司、GE、ST意法半导体体和日本罗姆公司、丰田
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
黑碳化硅基础知识
黑碳化硅是以石英砂,石油焦为主要原料,通过电阻炉高温冶炼而成
黑碳化硅是以石英砂，石油焦为主要原料，通过电阻
2009-11-17 09:37:27758 碳化硅(SiC)基地知识
碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料
2009-11-17 09:41:491241 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不过，自 1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史，主要用于磨轮和众多其他研磨应用
2017-05-06 11:32:45
54 金刚砂又名碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。 碳化硅又称碳硅石。在当
2018-01-03 09:48:4819905 据中央纪委国家监委网报道，目前，中国电科山西碳化硅材料产业基地已经实现4英寸晶片的大批量产，6英寸高纯半绝缘碳化硅单晶衬底也已经开始工程化验证，预计年底达到产业化应用与国际水平相当。 此外
2020-06-09 18:58:422347 我国近日在碳基半导体材料的研制方面有了非常重要突破，近日在碳化硅晶片量产方面也取得重大进展，相同的“碳”字，不同的材料，一个是晶片，一个是芯片。
2020-06-13 10:33:2529209 碳化硅器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义，基本半导体从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因，与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405271 基本半导体是国内比较早涉及第三代半导体碳化硅功率器件研发的企业，率先推出了碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET等器件，为业界熟知，并得到广泛应用。在11月27日举行的2021基本创新日活动
2021-11-29 14:54:087840 
来源：中国电子报 日前，国际碳化硅大厂安森美宣布，其在捷克Roznov扩建的碳化硅工厂落成，未来两年内产能将逐步提升。另一家碳化硅大厂Wolfspeed也表示将在美国北卡罗来纳州建造一座价值数十
2022-10-08 17:02:25876 相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。
2022-10-14 17:52:065317 碳化硅器件总成本的50%，外延、晶圆和封装测试成本分别为25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性对最终器件的性能有着举足轻重的意义，从产业链各环节探究材料特性及缺陷产生的原因，与上下游企业协同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191193 碳化硅原理是什么 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物
2023-02-02 14:50:021991 汽车碳化硅技术原理图 相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。 功率半导体碳化硅
2023-02-02 15:10:00471 碳化硅的电阻率。碳化硅的电阻率随温度的变化而改变，但在一定的温度范围内与金属的电阻温度特性相反。碳化硅的电阻率与温度的关系更为复杂。碳化硅的导电率随温度升高到一定值时出现峰值，继续升高温度，导电率又会下降。
2023-02-03 09:31:234416 碳化硅技术壁垒分析：碳化硅技术壁垒是什么 碳化硅技术壁垒有哪些 碳化硅芯片不仅是一个新风口，也是一个很大的挑战，那么我们来碳化硅技术壁垒分析下碳化硅技术壁垒是什么？碳化硅技术壁垒
2023-02-03 15:25:163645 
碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:353020 碳化硅，是一种无机物，化学式为SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生产绿色碳化硅时需要加食盐）等原料通过电阻炉高温冶炼而成。碳化硅在大自然也存在罕见的矿物，莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-05 16:34:591314 摘要：对于高导热碳化硅（4H-SiC、6H-SiC）圆晶的导热系数测试，目前普遍都采用闪光法，但都存在测试结果偏低的现象。本文基于这种高导热碳化硅特性和闪光法，解释了这种测试误差较大的原因，并通过
2023-02-20 15:55:040 晶锭进过晶圆切磨抛就变成碳化硅二极管和碳化硅MOSFET的晶片的碳化硅衬底；再经过外延生长就变成碳化硅外延片，也就是雏形的芯片。碳化硅外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、CVD、PVD背面减薄、退火变成碳化硅
2023-02-21 10:04:111698 
碳化硅晶片是一种新型的半导体材料，由碳和硅组成，具有高温、高压、高频、高功率等特性。
2023-02-25 14:00:102285 首先，让我们简要介绍一下碳化硅到底是什么，以及它与传统硅的一些不同之处。关于SiC的一个有趣的事实是，碳化硅的碳化物成分不是天然存在的物质。事实上，碳化物最初是从陨石的碎片中发现的。其独特的性能非常有前途，以至于今天，我们合成了用于碳化硅功率产品的硬质合金。
2023-05-20 17:00:09617 碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱，本期为番外篇，前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游，本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场，以及未来的发展趋势，感谢各位
2023-05-31 09:43:20393 使用化学机械抛光(CMP)方法对碳化硅晶片进行了超精密抛光试验，探究了滴液速率、抛光头转 速、抛光压力、抛光时长及晶片吸附方式等工艺参数对晶片表面粗糙度的影响，并对工艺参数进行了优化，最终 得到了表面粗糙度低于0.1 nm的原子级光滑碳化硅晶片。
2023-05-31 10:30:062229 
碳化硅二极管是什么 碳化硅二极管是一种半导体器件，它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐压能力和高的温度耐受性，因此碳化硅二极管具有较低的反向漏电流、高温下稳定性良好、响应速度快等特点，广泛用于高功率、高频率、高温、高压等领域，如电源、变频器、太阳能、电动汽车等。
2023-06-02 14:10:32756 碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一种新型的功率半导体器件，其中"MOSFET"表示金属氧化物半导体场效应晶体管，"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151191 碳化硅硬度高，耐磨性好，碳化硅晶片硬度大，莫氏硬度分布在9.2～9.6之间，化学稳定性高，几乎不与任何强酸或强碱发生反应，切割划片很有难度。深圳西斯特科技在碳化硅晶圆切割方面积累了丰富的经验，现将
2022-12-08 16:50:461678 
碳化硅，也称为SiC，是一种由纯硅和纯碳组成的半导体基础材料。您可以将SiC与氮或磷掺杂以形成n型半导体，或将其与铍，硼，铝或镓掺杂以形成p型半导体。虽然碳化硅存在许多品种和纯度，但半导体级质量的碳化硅仅在过去几十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451121 采用砂浆多线切割工艺加工6英寸（1英寸=25.4 mm）N型碳化硅晶体，研究了此工艺中钢线张力、 线速度、进给速度等切割参数对晶片切割表面的影响。通过优化切割工艺参数，最终得到高平坦度、低翘曲度、 低线痕深度的6英寸N型碳化硅晶片。
2023-08-09 11:25:311061 
来源：天科合达 据天科合达官微消息，8月8日，北京天科合达全资子公司江苏天科合达半导体有限公司碳化硅晶片二期扩产项目开工活动在徐州市经济开发区成功举办。 （图源：金龙湖发布） 据悉，江苏天科合达二期
2023-08-10 16:45:49803 
、结构、制备方法、特性以及应用方面存在着一些差异。以下将详细介绍碳化硅和氮化镓的区别。 1. 物理性质 碳化硅是由碳和硅元素组成的化合物，具有多种晶体结构，包括六方晶系、三方晶系和立方晶系。它具有较高的熔点、硬度、热导率和
2023-12-08 11:28:51764 碳化硅和igbt的区别 碳化硅（SiC）和绝缘栅双极型晶体管（IGBT）都是在电子领域中常见的器件。虽然它们都用于功率电子应用，但在结构、材料、性能和应用方面存在一些显著差异。本文将详细介绍碳化硅
2023-12-08 11:35:531876 碳化硅（SiC），又名碳化硅，是一种硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻断电压能力和低比导通电阻。
2023-12-12 09:47:33468 
碳化硅晶片薄化技术，碳化硅断裂韧性较低，在薄化过程中易开裂，导致碳化硅晶片的减薄非常困难。碳化硅切片的薄化主要通过磨削与研磨实现。
2023-12-12 12:29:24195 
平煤神马集团碳化硅半导体粉体验证线传来喜讯——实验室成功生长出河南省第一块8英寸碳化硅单晶，全面验证了中宜创芯公司碳化硅半导体粉体在长晶方面的独特优势。
2024-02-21 09:32:31349
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