德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC产品群”，并在2012年5月8日～10日于德国举行的电源技术展会“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
1734 安森美(onsemi)发布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET，命名为M3S，其中S代表开关。
2024-03-26 09:57:19594 
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列专注于提高开关性能，相比于第一代1200V碳化硅MOSFET，除了降低特定电阻RSP (即RDS(ON)*Area) ，还针对工业电源系统中的高功率应用进行了优化。
2024-03-28 10:01:09580 
基本半导体1200V 碳化硅MOSFET采用平面栅碳化硅工艺，结合元胞镇流电阻设计，开发出了短路耐受时间长，导通电阻小，阈值电压稳定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039401 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）最近，安森美发布了第二代1200V SiC MOSFET产品。安森美在前代SiC MOSFET产品中，采用M1及其衍生的M2技术平台，而这次发布的第二代1200V
2024-04-08 01:55:002873 的 SiC MOSFET，可确保高达 1000V 的更高直流总线电压和更低的开关损耗，实现 99% 的峰值效率。此设计可配置为两级或三级逆变器。主要特色额定标称输入电压/最大输入电压：800V/1000VDC
2018-10-29 10:23:06
测试1200V输入时，加十多分钟后就炸机了，不是一开始就炸，MOS管那一串都炸了，变压器没烧毁。大神帮我看一下电路和波形，600V以后的CS波形感觉就不太好看了，不知道是什么导致的。示波器通道2坏了，没法双通道，只能这样了。
2017-12-13 08:56:00
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
。如果是相同设计，则与芯片尺寸成反比，芯片越小栅极电阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此栅极电容小，但内部栅极电阻增大。例如，1200V 80mΩ产品（S2301为裸芯片
2018-11-30 11:34:24
的小型化。 另外，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。 与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片
2023-02-07 16:40:49
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-04-09 04:58:00
问题。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不会发生这类问题）ROHM通过开发不会扩大堆垛层错的独特工艺，成功地确保了体二极管通电的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET产品中，实施了
2018-11-30 11:30:41
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了
2018-11-27 16:38:39
的稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡以及故障处理等问题。这就需要工程师深入了解SiC MOSFET的工作特征及其对系统设计的影响。如图1所示，与同类型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
的第一款SiC功率晶体管以1200 V结型场效应晶体管（JFET）的形式出现。SemiSouth实验室遵循JFET方法，因为当时双极结晶体管（BJT）和MOSFET替代品具有被认为是不可克服的障碍。虽然
2023-02-27 13:48:12
产品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封装。其他器件很快将在同一封装中投入生产，加上类似器件将采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
在内的各种应用中的采用。当前的SiC-SBD产品结构分为耐压为650V与1200V、额定电流为5A～40A的产品，具体因封装而异。其概要如下表所示。另外，ROHM正在开发650V产品可支持达100A
2018-12-04 10:09:17
，SiC-MOSFET能够在IGBT不能工作的高频条件下驱动，从而也可以实现无源器件的小型化。与600V~900V的Si-MOSFET相比，SiC-MOSFET的优势在于芯片面积小（可实现小型封装），而且体
2019-05-07 06:21:55
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高温时功率损耗低.高温工作性能（200C）.无恢复损耗的体二极管.驱动方便.低栅极充电（SCT*N65G2V）了解更多信息，请关注英特洲电子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
车规级GPS模块有哪些特征？
2021-05-18 06:54:02
、恩智浦、英飞凌、德州仪器、微芯科技、意法半导体等国际大厂，市场占有率合计超95%，国内市场同样如此，国产化率不足5%。与商规、工规相比，车规级MCU的要求极为严苛，寿命要达到15年以上，且要支持-40
2023-02-03 12:00:10
`各位今天聊聊车规级的芯片选型。如果需要的芯片没有车规级别的，但又工业级别的。从稳定性，可靠性方面考虑，应该要层元器件的那些特性为主要的考虑因素呢，是温度？`
2015-10-15 14:22:18
（IPS-RA）4. 航空级智能功率开关（IPS-AA）纳/ 微电网与航空电子5.用于奈米／微电网V2G／V2H的高效双向SiC功率转换器6.航空电子逆变器。航空电子7. LiPo介面8.引擎控制器- 逆变器该
2019-06-27 04:20:26
、车载电源、太阳能逆变器、充电桩、UPS、PFC 电源等领域有广泛应用。附上1200V同系列碳化硅MOSFET B1M160120HC B1M080120HC B1M080120HK B1M032120HC B1M018120HC 参数选型表：
2021-11-10 09:10:42
开来，并应用于电缆以将电线与电缆所穿过的环境隔离开来。 SiC MOSFET可作为1200V，20A器件提供，在+ 15V栅极-源极电压下具有100mΩ。此外，固有的导通电阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
PCA9685是车规级的么？我想要一个车规级的PWM输出信号芯片（引脚越多越好）有没有推荐。TLC5940-EP怎么样
2021-05-24 09:43:54
大家好如题，i.MX RT1170车规级产品有AEC-Q100认证吗？如果是，能否提供相关文件？
2023-03-15 08:24:23
Firefly推出了专门为工业和汽车领域而打造的RK3588产品系列，除了之前已发布的核心板系列之外，目前同步推出了以下两款主板产品：8K AI工业主板：AIO-3588JQ车规级AI主板
2022-10-28 16:39:48
使用，BM6101是一款电流隔离芯片，通过它进行两级驱动Mosfet管。而驱动的电压就是通过开关电源调整得到的电压，驱动电路还如下图黄框出提供了死区调整的电阻网络。利用示波器在在这时对栅极源极电压
2020-06-07 15:46:23
40mR导通电阻Ron的SIC-MOSFET来说，17A的电流发热量还是挺大，在实际应用中需要加强散热才可以。不过，1200V的SIC-MOSFET并不适合做低压大电流的应用，这里才是48V的测试，属于
2020-06-10 11:04:53
项目名称：基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划：申请理由本人在电力电子领域（数字电源）有五年多的开发经验，熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
电动汽车充电领域的研究，想借助发烧友论坛完成项目的设计。项目计划：1）研究与分析双向谐振式DCDC变换器的工作原理；2）下载器件模型在ADS上搭建仿真电路，同时设计SiC管的驱动策略；3）采用耐压1200V
2020-04-24 18:11:27
封装的SIC MOSFET各两片，分别是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，这两款都是罗姆推出的SIC MOSFET。两款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
对江苏中科君芯科技有限公司(以下简称中科君芯)针对焊机领域开发1200V系列产品性能、和国外主流器件的参数比对、实际焊机测试比对展开讨论。1电路拓扑工业用焊接电源电路拓扑有半桥和全桥(图1,图2)两种
2014-08-13 09:01:33
的电感和电容之外的杂散电感和电容。需要认识到，SiC MOSFET 的输出开关电流变化率 (di/dt) 远高于 Si MOSFET。这可能增加直流总线的瞬时振荡、电磁干扰以及输出级损耗。高开关速度还可能导致电压过冲。满足高电压应用的可靠性和故障处理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
车规级共模扼流圈
过滤汽车和工业应用中的功率和信号噪声
Abracon最新的共模扼流圈（CMC）可用于电源线和信号线的应用。此外，信号线CMC可以支持can、can-FD和以太网数据传输中的噪声
2023-09-12 14:48:02
` 谁来阐述一下什么是车规级芯片？`
2019-10-18 10:55:55
、RK3568M、和RK3358M也是瑞芯微即将在车载电子市场推出的车规级芯片。其中RK3358M已经通过了汽车行业的AEC-Q100可靠性认证，并已经在售。下面是这三款车规芯片的简单规格参数，供大家
2022-08-03 15:45:13
SiC-MOSFET的量产。SiC功率模块已经采用了这种沟槽结构的MOSFET，使开关损耗在以往SiC功率模块的基础上进一步得以降低。右图是基于技术规格书的规格值，对1200V/180A的IGBT模块、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
不断壮大，希望PineTab-V能为推动RISC-V生态贡献更多力量。”JH7110是全球首款量产的高性能RISC-V多媒体处理器，此次成功赋能入门级平板电脑，将进一步验证RISC-V芯片应用于生产力设备的可行性。
2023-04-14 13:56:10
介绍了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的100KHz，10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
纳芯微推出集成LIN总线物理层和小功率MOS管阵列的单芯片车用小电机驱动系统级芯片（SoC）—— NSUC1610。作为单芯片解决方案，NSUC1610支持12V汽车电池供电，适合于直接控制小型有刷
2023-02-17 14:15:19
CRD-60DD12N，60 kW交错式升压转换器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。该演示板由四个15 kW交错升压级组成，每个级使用CGD15SG00D2隔离式栅极驱动板
2019-04-29 09:18:26
测试板。 实验结果： 电流源驱动器和传统电压源驱动器板均使用双脉冲测试进行评估。评估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。两款器件
2023-02-21 16:36:47
频率选择演示了基于 1200V SiC MOSFET 的 500-840V 可变直流母线的 OBC 设计，用于 250-450V 电池电压 ［10］。OBC的整体效率得到了优化，但是，1200V SiC
2023-02-27 09:44:36
的行列中，推出相关产品。
国内规模比较大的有华润微、派恩杰、杨杰科技等都有SiCMOSFET产品，而更多的初创企业也在进入车规SiCMOSFET赛道。比如芯塔电子自主研发的1200V/80m
2024-01-19 14:55:55
的行列中，推出相关产品。
国内规模比较大的有华润微、派恩杰、杨杰科技等都有SiCMOSFET产品，而更多的初创企业也在进入车规SiCMOSFET赛道。比如芯塔电子自主研发的1200V/80m
2024-01-19 14:53:16
纳芯微全新推出120V半桥驱动NSD1224系列产品，该系列产品具备3A/-4A的峰值驱动电流能力，集成 高压自举二极管 ，提供使能、互锁、欠压保护不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
结构性缺芯。汽车芯片，尤其是车规功率半导体的缺货和涨价仍在持续。功率半导体领域，中国有六家上市公司先后发布了第三季度财报，分别是闻泰科技、时代电气、华润微电子、士兰微、扬杰科技、斯达半导体。 根据六家
2022-11-23 14:40:42
求可靠的生产厂家，车规级器件。求推荐
2017-05-12 10:21:28
近日，武汉芯源半导体正式发布首款基于Cortex®-M0+内核的CW32A030C8T7车规级MCU，这是武汉芯源半导体首款通过AEC-Q100 (Grade 2)车规标准的主流通用型车规MCU产品
2023-11-30 15:47:01
基于Richtek RTQ7880的车规级充电装置有哪些核心技术优势？
2021-08-06 06:19:11
PWM输出信号芯片类似于PCA9685这种，引脚越多越好，需要是车规级。继电器控制输出芯片类似于TLE6244X这种，也需要是车规级，急需，感谢大家
2021-05-25 15:31:03
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
40%。在工业电子领域，紫光展锐已推出V510、V516，以及面向智能座舱的A7870和面向行业解决方案的P7885。紫光展锐首度展示三款车规级商用芯片2022年，展锐在汽车电子领域，也有多款产品量产
2023-02-28 10:00:39
本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗
2019-03-18 23:16:12
。BD7682FJ-LB是AC/DC转换器用的准谐振控制器，是全球首款*专为驱动SiC-MOSFET而优化的IC。（*截至2015/3/25的数据）您可能已经注意到，开关要使用SiC-MOSFET时，需要为将
2018-11-27 16:54:24
220x180x50mm方框图，直流母线电压和开关频率选择图1显示了双向OBC的系统框图。基于1200V SiC MOSFET的OBC设计具有500-840V可变直流母线，可用于250-450V电池电压[10
2019-10-25 10:02:58
请问车规级芯片到底有哪些要求？
2021-06-18 07:56:37
。与此同时，SiC模块也已开发出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代SiC-MOSFET而促进实现更低导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
2023年2月20日，国民技术在深圳正式推出兼具通用性、硬件安全性和车规级高可靠性等优势特性的N32A455系列车规级MCU并宣布量产。这是继N32S032车规级EAL5+安全芯片之后，国民技术发布
2023-02-20 17:44:27
罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品（图1）。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻，以及备有将SiC制肖特基势垒二极管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531626 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild （NASDAQ： FCS） 发布首个1200V碳化硅（SiC）二极管 —— FFSH40120ADN，纳入即将推出的SiC解决方案系列。
2016-03-22 11:12:161339 英飞凌全新1200V SiC MOSFET经过优化，兼具可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200V硅（Si）IGBT低了一个数量级。这在最初可以支持光伏逆变器、不间断电源（UPS）或充电/储能系统等应用的系统改进，此后可将其范围扩大到工业变频器。
2016-05-10 17:17:498022 大联大旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
2018-04-23 16:18:003708 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET，并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:299081 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已推出两款碳化硅(SiC) MOSFET双模块：额定电压为1200V、额定漏极电流为600A的“MG600Q2YMS3”；额定电压为1700V、额定
2022-02-01 20:22:024631 值得一提的是，这款TO247-4封装的产品通过AEC-Q101认证，同时表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也满足车规级可靠性标准。该晶圆正面还可以采用镍钯金，如下图，支持双面散热封装，可进一步突破传统单面封装的功率密度极限。
2022-11-08 14:45:16907 SiC MOSFET：SCT3xxx xR系列是面向服务器用电源、太阳能逆变器和电动汽车充电站等要求高效率的应用开发而成的沟槽栅极结构SiC MOSFET，采用4引脚封装。此次共推出6款机型（650V耐压和1200V耐压）。
2023-02-09 10:19:221303 
2022年11月，上海瞻芯电子开发的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101)，该产品为TO247-4封装，最大电流(Ids)可达111A。
2023-03-22 16:47:332113 
之间的共性和差异，以便用户充分利用每种器件。本系列文章将概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的关键特性及驱动条件对它的影响，作为安森美提供的全方位宽禁带生态系统的一部分，还将提供
2023-06-16 14:39:39564 
提高。封装采用.XT互连技术，最新的CoolSiCMOSFET具有一流的热耗散性能。产品规格：1200V,7mΩ、14mΩ和20mΩTO247封装CoolSiC12
2022-04-20 09:56:20618 
SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同，这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说，输出电容的影响较大，而PN
2023-01-04 10:02:071242 
增强型1代1200V CoolSiC™ MOSFET的EasyDUAL™ 1B半桥模块，采用PressFIT压接式安装技术和温度检测NTC，并有使用预涂的热界面材料（TIM）版本。
2023-07-28 14:22:44243 继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10448 
近日，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车规级可靠性认证。包括之前通过测试认证的650V
2023-12-06 14:04:49344 
据悉，国联万众公司已研发出具备指标性能堪比国外知名厂商的1200V SiC MOSFET产品，部分型号产品已开始供应市场。另一方面，针对比亚迪在内的多方潜在客户，该公司的电动汽车主驱用大功率MOSFET产品正在进行进一步洽谈。
2023-12-12 10:41:48256 电子发烧友网站提供《NSF080120L3A0：1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET一般说明.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:36:29
0 电子发烧友网站提供《NSF040L3A0：1200伏，40米Ω,NN沟道SiC MOSFET应用指南.pdf》资料免费下载
2023-12-19 15:37:520 电子发烧友网站提供《1200 V，80 mΩ，N沟道SiC MOSFET初步数据表.pdf》资料免费下载
2024-01-03 16:28:290 深圳市至信微电子有限公司（简称：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功举办了2024新品发布暨代理商大会。此次大会上，至信微发布了一系列行业领先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ两款产品。
2024-01-16 15:45:17343 全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日发布了四款采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置，其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35371 蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30301 近日，瞻芯电子正式推出一款车规级1200V 碳化硅(SiC)三相全桥塑封模块IVTM12080TA1Z，该模块产品及其采用的1200V 80mΩ SiC MOSFET分别获得了AQG324与AEC-Q101车规级可靠性认证。
2024-04-07 11:37:32378 
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种
2024-04-17 13:37:4962 
纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。
2024-04-17 14:02:49172 
纳芯微全新推出NSD830x-Q1系列多通道半桥车规级驱动芯片，该系列产品包含NSD8308（8通道）和NSD8306（6通道）两款产品，内部均集成多通道半桥驱动和N-MOS功率级，支持
2022-10-27 10:43:07
纳芯微全新推出首款业界领先的NSE11409系列智能低边开关芯片，该款芯片是专门针对驱动高可靠性负载应用而设计的，广泛应用于驱动汽车和工业场景中的继电器、执行阀、照明和加热电阻丝等负载
2022-10-27 13:42:50
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