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电子发烧友网>模拟技术>英飞凌推出CoolGaN双向开关和CoolGaN Smart Sense, 提高功率系统的性能和成本效益

英飞凌推出CoolGaN双向开关和CoolGaN Smart Sense, 提高功率系统的性能和成本效益

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2019-09-23 14:46:062850

关于大陆集团开发的48 V轻混系统性能分析和应用

通过芯片嵌入式工艺,功率MOSFET将不再焊接到电路板上,而是集成在电路板中。主管英飞凌汽车MOSFET业务的Frank Findeis博士表示:“由此带来的热性能效益有助于提高功率密度,而电路板集成则助力提升系统可靠性。这些优势又能帮助提高48 V系统功率成本效率。
2019-09-23 09:46:062231

Sense Photonics推出Flash激光雷达 开启了全固态深度传感的新时代

据了解,Osprey 是 Sense Photonics 推出的第二款激光雷达。去年 10 月,该公司曾推出一款工业用固态 Flash 激光雷达系统,该系统提高了整个行业内的高分辨率数据输出性能标准。同年 6 月份,该公司在 A 轮融资中筹集了 2600 万美元。
2020-01-15 15:02:002034

这趟“高效节能”车没有老司机,全靠英飞凌功率技术带你飞!

什么样的MOSFET才适合储能系统英飞凌全新推出了碳化硅MOSFET:650V CoolSiC MOSFET产品系列,帮助储能系统轻松实现更高效、更高功率密度以及双向充/放电的设计。
2020-08-21 14:01:251079

一款高性能、低成本的原边控制功率开关

U62113 电源ic是一款高性能、低成本的原边控制功率开关,内置高压功率三极管,可提供高精度恒压和恒流输出性能,尤其适合于小功率离线式充电器应用。采用 U62113 可以工作无异音,同时可保证优异的动态性能。利用集成的线损补偿功能,可获得高性能的恒压输出表现。
2022-07-07 15:51:151122

英飞凌CoolGaN技术开启电力电子新时代

英飞凌的总体战略是将当今的每一项尖端硅技术与宽带对应技术相结合。基于市场上已经推出的 CoolSiC™ 技术,英飞凌推出了全新的 CoolGaN™ 解决方案,这些解决方案完善了 CoolMOS
2022-08-09 09:45:11912

USB-PD 3.1 EPR 140W高功率密度解决方案

随着市场对笔记本电脑快充需求的增加,英飞凌针对28V输出, 推出USB PD3.1高功率密度方案,突破了长期以来的100W功率限制,最高功率可达到140W,进一步提高笔记本的充电效率,可以满足更大功率
2022-11-07 16:28:311223

英飞凌采用第二代MERUS™多电平开关技术的全新2 x 37 W音频放大器

电平开关技术,旨在降低开关损耗以及在低输出功率和高输出功率下均实现高效的音频放大性能,为此类应用带来显著优势。 英飞凌推出采用第二代MERUS?多电平开关技术的全新2 x 37 W音频放大器系列 2022年11月25日,在为消费级音箱应用设计电池
2022-11-30 17:20:44615

如何提高开关电源EMC性能

系统的可靠性和稳定性。本文将从以下几个方面介绍如何提高开关电源的EMC性能。 一、优化开关电源的设计 选择合适的拓扑结构:开关电源的拓扑结构对EMC性能有很大影响。一般来说,反激式、正激式和LLC等拓扑结构具有较高的EMC性能。在设
2023-12-30 16:35:00805

英飞凌推出首款采用OptiMOS 7技术的15 V沟槽功率MOSFET

英飞凌推出业内首款采用全新 OptiMOS 7 技术的 15 V 沟槽功率 MOSFET。这项技术经过系统和应用优化,主要应用于服务器和计算应用中的低输出电压 DC-DC 转换。英飞凌是首家推出15
2023-12-29 12:30:49553

大联大推出3.3KW高功率密度双向相移全桥方案

2024年1月4日,致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布其旗下品佳推出基于英飞凌(Infineon)XMC4200微控制器和CFD7 CoolMOS MOSFET的3.3KW高功率密度双向相移全桥方案。
2024-01-05 09:45:01412

英飞凌推出TDM2254xD系列双相功率模块

随着人工智能(AI)技术的飞速发展,全球数据生成量呈现爆发式增长,进而推动数据中心对高效、可靠且成本优化的功率解决方案的需求日益增长。为满足这一市场需求,英飞凌科技近日正式推出TDM2254xD系列双相功率模块,旨在为AI数据中心提供卓越的基准性能,并有效降低总体拥有成本
2024-03-12 09:44:23376

英飞凌推出新一代碳化硅技术CoolSiC™ MOSFET G2,推动低碳化的高性能系统

英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX/OTCQX代码:IFNNY)推出新一代碳化硅(SiC)MOSFET沟槽栅技术,开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比,英飞凌全新
2024-03-12 08:13:02260

英飞凌推出全新CoolSiC™ MOSFET 2000 V,在不影响系统可靠性的情况下提供更高功率密度

密度的需求,而且即使面对严格的高电压和开关频率要求,也不会降低系统可靠性。CoolSiCMOSFET具有更高的直流母线电压,可在不增加电流的情况下提高功率。作为市面上
2024-03-20 08:13:05288

微型逆变器综述与英飞凌解决方案

,进一步减小电感、电容尺寸。特别对于交流侧的双向开关英飞凌即将推出基于GaN的双向开关BDS,在单晶圆上实现可以进一步减小尺寸与封装成本
2024-06-11 12:38:29206

英飞凌携手酷冷至尊推出功率电源系列

的领军厂商英飞凌科技携手,共同推出了X series旗舰级高功率电源系列,以满足市场对高功率与静音性能的双重要求。
2024-06-15 16:07:33365

英飞凌推出全新600 V CoolMOS™ 8 SJ MOSFET系列, 适用于高成本效益的先进电源应用

【 2024 年 6 月 26 日 , 德国慕尼黑 讯 】 英飞凌科技股份公司(FSE代码:IFX / OTCQX代码:IFNNY)推出600 V CoolMOS™ 8 高压超结(SJ)MOSFET
2024-06-26 18:12:00146

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