模拟技术

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MOSFET栅极驱动电路设计方案

必须在基极和发射极之间施加电流，以在集电极中产生电流。图1.2示出了MOSFET，当在栅极和源极端子之间施加电压时在漏极中产生电流。...

2024-04-22 标签：MOSFET 电容双极晶体管栅极驱动电路电压驱动 2484

模拟电路基础知识（2）

整流电路是将交流电转换成单向脉动性直流电，这就是交流电的整流过程，整流电路主要由整流二极管组成。经过整流电路之后的电压已经不是交流电压，而是一种含有直流电压和交流电压的混...

2024-04-22 标签：三极管二极管模拟电路 MOS管熔断器 988

模拟电路基础知识（1）

电感是闭合回路的一种属性。当线圈通过电流后，在线圈中形成磁场感应，感应磁场又会产生感应电流来抵制通过线圈中的电流。这种电流与线圈的相互作用关系称为电的感抗，也就是电感，单...

2024-04-22 标签：模拟电路上拉电阻下拉电阻电容电感 873

简要探讨石英晶体与振荡

石英晶体振荡器中使用的石英晶体是一块非常小的、薄的石英切割片或晶片，其两个平行表面被金属化以进行所需的电连接。一块石英晶体的物理尺寸和厚度受到严格控制，因为它会影响振荡的...

2024-04-22 标签：振荡器电源电压石英晶体晶体振荡等效阻抗 535

二极管保护电路的工作原理

二极管是一种允许电流流经一个方向但不允许另一方向流过的器件，因此，它可以用于电路中，仅允许电流仅在正向流动，而在反向流动中阻止电流。当电路中的组件可能会因反向（错误）方向...

2024-04-22 标签：led 二极管保护电路 1639

常见的电平转换方法

当 3.3V 器件输出高电平信号，由于上拉 5V 作用，信号输入器件被上拉为 5V 电平。当 3.3V 器件输出低电平信号，使 OUTPUT 信号被拉低，从而信号输入器件信号被拉低。...

2024-04-22 标签：三极管二极管上拉电阻 MOS 电平转换 3607

关于MOS管电路工作原理的讲解

MOS管的话题虽说是老生常谈，但这份资料几年前就有人给我分享过，这是网上评价非常高的一篇关于MOS管电路工作原理的讲解，从管脚的识别，到极性的分辨，再到常用功能，应用电路等等...

2024-04-22 标签：MOS管 MOS 寄生二极管 503

电子元器件识别与质量判定技巧

电子元器件的认识和判断好坏是电工必备的技能。以下是一些常见电子元器件的认识和判断好坏的方法...

2024-04-22 标签：继电器电阻电子元器件万用表电容 1067

电阻、电感及电容元件在交流电路中的特性分析

在电阻元件的交流电路中，电流和电压是同相的。在电阻元件电路中，电压的幅值（或有效值）与电流的幅值（或有效值）之比值，就是电阻R。...

2024-04-27 标签：交流电路电阻元件电感元件电容元件 851

MOS管的具体应用电路

电路设计时，不同的子系统之间无可避免的需要数字信号传递，不同的系统之间或者设备之间，数字接口电平经常不一致，故需要用到电平转换电路；...

2024-04-27 标签：放大电路 MOS管 NMOS 数字信号 PMOS 1301

NTC热敏电阻详细应用解析

温度相同区间不同的B值，说明材料可能不一样，因为NTC热敏电阻是负温度系数温度升高阻值成规律下降，B值代表曲线的弯曲程度或者说温度的敏感指数，单位温度变化的这时阻力值设施程度就...

2024-04-27 标签：热敏电阻 NTC 电子元件 1884

什么是差分信号差分信号与单端信号的区别

由于差分信号的开关变化是位于两个信号的交点，而不像普通单端信号依靠高低两个阈值电压判断，因而受工艺，温度的影响小，能降低时序上的误差，同时也更适合于低幅度信号的电路。...

2024-04-27 标签：差分信号信号传输单端信号 1381

信号处理常用算法简介

变分模态分解（Variational Mode Decomposition，缩写VMD）：模态分解认为信号是由不同“模态”的子信号叠加而成的，而变分模态分解则认为信号是由不同频率占优的子信号叠加而成的，其目的是要把...

2024-04-27 标签：算法数字信号处理信号处理函数傅立叶变换 2549

英飞凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术

英飞凌科技推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，开启功率系统和能量转换的新篇章。与上一代产品相比，英飞凌全新的 CoolSiC™ MOSFET 650 V 和 1200 V Generation 2 技术在确保质量和可靠性的前...

2024-04-20 标签：电动汽车英飞凌 MOSFET SiC 碳化硅 1030

揭秘电动汽车IGBT芯片键合线

在电控模块中，IGBT模块是逆变器的最核心部件，总结其工作原理：通过非通即断的半导体特性，不考虑过渡过程和寄生效应，我们将单个IGBT芯片看做一个理想的开关。...

2024-04-27 标签：电动汽车逆变器 IGBT 驱动系统减速器 689

深度解析DCDC电路中的前馈电容应用

A(s)为电源系统的开环增益，为方便讨论我们假定A(s)里已经包含了输出电容、负载等其他因素的影响。...

2024-04-19 标签：电容 DC-DC 电源系统 buck电路电源芯片 2409

全球首款氮化镓量子光源芯片诞生

量子光源芯片作为量子互联网的“心脏”，在量子通信中扮演着至关重要的角色。而电子科技大学团队此次研发的氮化镓量子光源芯片，在性能上取得了显著的突破。...

2024-04-19 标签：氮化镓量子通信 1361

为什么在PCB中使用电阻器？

电阻器是印刷电路板 (PCB) 中使用的最基本元件之一。它们是阻止电路中电流流动的无源器件。PCB 电阻器可以控制、划分、稳定、连接电路等。...

2024-04-19 标签：集成电路 pcb 电阻器印刷电路板无源器件 871

RECOM面向12VDC电源轨推出新一代芯片封装的降压式开关稳压器

RECOM 在现有 RPM-xx-1.0/2.0/3.0/6.0 系列的基础上，凭借尖端电路设计和封装技术方面的专业知识，面向 12VDC 电源轨推出新一代芯片封装的降压式开关稳压器，进一步缩小尺寸并增加输出电流，实现...

2024-04-19 标签：开关稳压器输出电压降压转换器 QFN封装 RECOM 656

圣邦微电子推出一款20V输出电压同步升压转换器SGM6604

圣邦微电子推出 SGM6604，一款 20V 输出电压同步升压转换器。该器件可应用于 PMOLED 电源、可穿戴设备、便携式医疗设备及传感器电源。...

2024-04-19 标签：锂离子电池升压转换器输出电压圣邦微电子可穿戴设备 969

什么是SiC boat？SiC boat有几种不同的制作工艺？

SiC boat，即碳化硅舟。碳化硅舟是用在炉管中，装载载晶圆进行高温处理的耐高温配件。...

2024-04-18 标签：SiC 热处理碳化硅 1837

半波整流器和全波整流器的定义和区别

半波整流电路由单个二极管和降压变压器组成，在降压变压器的帮助下将高压交流电转换为低压交流电。此后，连接在电路中的二极管将在交流周期的正半部分中正向偏置，并在负半部分中反向...

2024-04-18 标签：二极管整流器交流电压降压变压器全波整流器 1088

IGBT器件失效模式的影响分析

功率循环加速老化试验中，IGBT 器件失效模式主要为键合线失效或焊料老化，失效模式可能存在多个影响因素，如封装材料、器件结构以及试验条件等。...

2024-04-18 标签：IGBT 晶体管宽禁带 957

SiC器件的工作原理与主要优势！

在追求能源效率和对高性能电力电子系统的需求不断增长的今天，碳化硅（SiC）功率器件凭借其卓越的电气性能和热稳定性，正在变革传统功率电子技术。...

2024-04-18 标签：电动汽车功率器件 SiC 碳化硅驱动电机 1084

SiC器件工作原理与优势

碳化硅是一种宽带隙半导体材料，具备高电子迁移率、高热导率以及高击穿电场强度等特点。这些特性使得SiC器件在高温、高电压和高频率下依然能够稳定工作，同时比传统硅基器件体积更小，...

2024-04-18 标签：电机控制器功率器件 SiC 输电系统太阳能逆变器 753

纳芯微发布首款车规级1200V SiC MOSFET

为了提供给客户更可靠的碳化硅MOSFET产品，在碳化硅芯片生产过程中施行严格的质量控制，所有碳化硅产品做到 100% 静态电参数测试，100%抗雪崩能力测试。...

2024-04-18 标签：MOSFET SiC 碳化硅纳芯微热管理系统 447

一、二、三代半导体的区别

在5G和新能源汽车等新市场需求的驱动下，第三代半导体材料有望迎来加速发展。硅基半导体的性能已无法完全满足5G和新能源汽车的需求，碳化硅和氮化镓等第三代半导体的优势被放大。...

2024-04-18 标签：半导体 cpu gpu 半导体材料氮化镓 2975

三极管小电流如何驾驭大电流

三极管有两种基本类型，即NPN型和PNP型。在这两种类型中，NPN型的三极管更为常用，所以我们将主要讨论NPN型的三极管。...

2024-04-18 标签：三极管原理图 NPN 电流控制 1126

颇有前景的半导体替代材料：SiC和GaN适用范围及优缺点介绍

自1954年以来，硅一直是先进技术发展的重要基石。人们普遍认为，硅作为电子元件基础结构核心材料的地位不可动摇。...

2024-04-17 标签：电动汽车半导体电机驱动 SiC GaN 1709

纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品

纳芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列产品，该产品RDSon为60mΩ，具有通孔式TO-247-4L与表面贴装TO-263-7L两种封装形式，可提供车规与工规两种等级。...

2024-04-17 标签：MOSFET SiC 体二极管碳化硅纳芯微 692

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