恩智浦半导体NXP Semiconductors N.V. 日前宣布推出采用DFN2020-6 (SOT1118) 无铅塑料封装的超紧凑型中等功率晶体管和N沟道Trench MOSFET产品PBSM5240PF
2011-08-16 08:51:27
1163 的选择选型之前我们要清楚MOS管的原理：MOS管有两种结构形式，即N沟道型和P沟道型，结构不一样，使用的电压极性也会不一样，因此，在确定选择哪种产品前，首先需要确定采用N沟道还是P沟道MOS管。MOS管
2023-02-17 14:12:55
通过向栅极施加正电压来控制漏极电流。N 沟道场效应管N 沟道 MOSFET 的 N沟道区域位于源极和漏极之间。它是一个四端子器件，具有以下端子：栅极、漏极、源极和主体。这种类型的场效应晶体管的漏极和源极
2023-02-02 16:26:45
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
场效应晶体管LDMOS（Lateral Double-Diffused MOS）、平面双扩散型场效应晶体管（Planar MOS）和沟槽双扩散型场效应晶体管（Trench MOS）。N沟道的横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30
功率MOSFET结构图1列出这二种沟道功率MOSFET的结构，都是沟槽型Trench结构。从结构上来看，衬底都是漏极D，但半导体的类型不同：N沟道的漏极是N型半导体，P沟道的漏极是P型半导体。当N沟道
2016-12-07 11:36:11
`功率场效应晶体管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
是，最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联，因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理，在此基础上为什么要加电阻？
2、场效应管无需任何外接
2024-01-26 23:07:21
标准化的产物。4. 按形状分类根据功率及安装形态，决定了晶体管的外形大小和形状。大体分为引脚型和表面安装型。
2019-04-10 06:20:24
。 Si晶体管的分类 Si晶体管的分类根据不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。 双极晶体管和MOSFET中，分功率型
2020-06-09 07:34:33
不同分类角度，有几种不同的分类方法。在这里，从结构和工艺方面粗略地分类如下。其中，本篇的主题“功率类”加粗/涂色表示。双极晶体管和MOSFET中，分功率型和小信号型，IGBT原本是为处理大功率而开发
2018-11-28 14:29:28
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39:05
`BRD4N60(CS4N60D)_N-CHANNEL_MOSFET_N沟道MOS晶体管`
2012-08-20 08:03:59
半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。根据其分别可支持的开关速度
2019-05-06 05:00:17
半导体元器件晶体管领域。功率半导体元器件的特点除了IGBT外，功率半导体元器件（晶体管领域）的代表产品还有MOSFET、BIPOLAR等，它们主要被用作半导体开关。根据其分别可支持的开关速度
2019-03-27 06:20:04
编辑-Z场效应晶体管是一种电压控制器件，根据场效应管的结构分为结型场效应（简称JFET）和绝缘栅场效应（简称MOSFET）两大类。按沟道材料：结型和绝缘栅型分为N沟道和P沟道。根据导电方式：耗尽型
2021-12-28 17:08:46
的分类还没结束，每种类型的管子又可分为N型管和P型管，所以说场效应晶体管下面可以分为6种类型的管子，分别是N沟道结型场效应晶体管、P沟道结型场效应晶体管、N沟道增强型场效应晶体管、P沟道增强型
2019-04-15 12:04:44
频率范围内的线性大信号输出级。产品型号：MRF154产品名称：射频晶体管MRF154产品特性N沟道增强型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-输出功率＝600瓦，功率增益＝17分贝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
晶体管是现代电子产品的基本组成部分之一。在二极管教程中，我们看到简单的二极管由两块半导体材料组成，形成一个简单的pn结。而晶体管是通过背靠背连接两个二极管而形成的三端固态器件。因此，它有两个PN结
2023-02-15 18:13:01
`NPN中功率晶体管系列，采用表面贴装器件（SMD）塑料封装，具有大电流，高功耗，出色的导热性和导电性等优势。n具有中等功率能力的无铅超小型SMD塑料封装（SOT1061）。符合AEC-Q101
2020-03-11 17:20:01
的功率MOSFET，从而形成垂直的PNP双极结型晶体管。该附加的p+区域产生PNP双极结型晶体管与表面n沟道MOSFET的级联连接。 IGBT将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和
2020-07-07 08:40:25
是主开关晶体管且兼具提高效率的作用。为选择最适合电源应用的开关，本设计实例对P沟道和N沟道增强型MOSFET进行了比较。对市场营销人员，MOSFET可能代表能源传递最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
RF 功率 MOSFET的最大应用是无线通讯中的RF功率放大器。直到上世纪90年代中期，RF功率MOSFET还都是使用硅双极型晶体管或GaAs MOSFET。到90年代后期，的出现改变了这一
2019-07-08 08:28:02
SiC-DMOS的特性现状是用椭圆围起来的范围。通过未来的发展，性能有望进一步提升。从下一篇开始，将单独介绍与SiC-MOSFET的比较。关键要点:・功率晶体管的特征因材料和结构而异。・在特性方面各有优缺点，但SiC-MOSFET在整体上具有优异的特性。＜ 相关产品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
场效应晶体管
结型场效应晶体管有两种基本配置：N 沟道 JFET 和 P 沟道 JFET。N 沟道 JFET 的沟道掺杂有施主杂质，这意味着流过沟道的电流以电子形式为负（因此称为 N 沟道）。这些晶体管有 P
2023-08-02 12:26:53
电流密切相关。晶体管的实际功耗在使用时不允许超过PCM值，否则，晶体管会因过载而损坏。耗散功率PCM小于1W的晶体管通常称为低功率晶体管，等于或大于1W。小于5W的晶体管称为中等功率晶体管，PCM等于或
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
的微小变化非常敏感。由于这个原因，达林顿通常用于触摸和光传感器。光电达林顿专为光敏电路而设计。 输出侧通常是高功率、低增益的。使用非常高功率的晶体管，它可以控制电机，电源逆变器和其他大电流设备。中等功率
2023-02-16 18:19:11
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
2019-05-13 09:00:00
导电，故称为单极型晶体管。 单极型晶体管的工作原理 以N沟道增强型MOS场效应管为例说明其工作原理。N沟道增强型MOS管的结构模型如图1所示，它由两个背靠背的PN结组成。 图2是实际结构
2020-06-24 16:00:16
二次击穿现象，安全工作区域宽等特点，主要分为两种：结型场效应管（JFET)和绝缘栈型场效应管（MOSFET)。对N沟道结型场效应管2N3370的输出特性进行分析。对N沟道增强型MOSFET2N7000的输出特性进行仿真
2012-08-03 21:44:34
MOS管在绝缘栅型场效应管中，目前常用二氧化硅作金属铝（Al）栅极和半导体之间的绝缘层，称为金属一氧化物-半导体场效应晶体管，简称为MOSFET或者MOS管。电路符号G,D,S极怎么区分G极是比较好
2023-02-10 16:27:24
，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。一、场效应管的分类 场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全
2011-12-19 16:30:31
运动的少子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。场效应晶体管有哪几种分类场效应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种；按导电方式：耗尽
2019-05-08 09:26:37
实现功率密度非常高的紧凑型电源设计的方法
2020-11-24 07:13:23
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
，它代表金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道
2021-04-09 09:20:10
一个级联，功率器件是JFET，级联中的下部晶体管是MOSFET。级联码的内部节点不可访问，与IGBT相同。因此，只能影响打开，而不能影响关闭！可以快速关闭栅极处的MOSFET，但器件的关断方式不会
2023-02-20 16:40:52
标准化的产物。4. 按形状分类根据功率及安装形态，决定了晶体管的外形大小和形状。大体分为引脚型和表面安装型。
2019-05-05 01:31:57
和功率密度方面的性能越好。此外，GaN功率晶体管具有在AlGaN / GaN异质结上形成的横向二维电子气体（2DEG）通道，该异质结没有固有的双极体二极管。无体二极管意味着没有Qrr，这意味着由于MOSFET
2023-02-27 09:37:29
和工作原理电力场效应晶体管种类和结构有许多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和增强型之分。在电力电子装置中，主要应用N沟道增强型。电力场效应晶体管导电机理与小功率绝缘栅MOS管相同，但结构有
2020-03-20 17:09:10
: IXFX32N80 晶体管类型: 1 N-Channel 商标: IXYS 产品类型: MOSFET 上升时间: 300 ns 工厂包装数量: 30 子类别: MOSFETs 单位重量: 38 g
2020-03-05 11:01:29
用于射频和微波系统的超紧凑型可调谐MMIC滤波器
2019-05-20 17:24:24
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。一．绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣
2009-05-12 20:44:23
型结构，如图所示。绝缘门/双极性晶体管我们可以看到，绝缘栅双极性晶体管是一个三端子，跨导器件，结合了绝缘栅 n 沟道 MOSFET 输入和 PNP 双极性晶体管输出相连的一种达灵顿配置。因此，端子被
2022-04-29 10:55:25
的栅极端子提供了更多的-ve电压，那么该MOSFET将在源极 - 漏极端子上传导更少和更少的电流。一旦栅极电压达到某个-ve电压阈值，它就会关闭晶体管。因此，-ve电压关闭晶体管。漏极特性1、N沟道耗尽
2022-09-13 08:00:00
LTC2924，采用外部N沟道MOSFET的电源排序的简单紧凑型解决方案
2019-04-16 06:07:32
是沟道区，n+区是漏区。对于p型TFET来说，p+区是漏区，i区是沟道区，n+区是源区。漏极电压用Vd表示，栅极电压用Vs表示，栅极电压用Vg表示。隧穿场效应晶体管是什么----隧穿场效应晶体管工作原理隧
2018-10-19 11:08:33
SPTECH硅NPN功率晶体管2N5240规格书.pdf
2021-12-28 11:22:14
8 45 V、1 A NPN 中等功率晶体管-BC54PA-Q_SER
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2023-02-23 19:17:410 具有 N 沟道沟槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管-PBSM5240PF
2023-02-23 19:31:531 具有 N 沟道沟槽 MOSFET 的 40 V、2 A PNP 低 VCEsat (BISS) 晶体管-PBSM5240PFH
2023-03-02 23:00:330 电子发烧友网站提供《80 V，1 A PNP中等功率晶体管BC53xPAS系列数据手册.pdf》资料免费下载
2024-02-19 10:24:040
电子发烧友App
工商网监
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