飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor) 经扩大了其 P 通道 PowerTrench® MOSFET 产品线 。
2012-08-10 09:58:12
913 更高系统效率和功率密度，是现今数据和电信电源系统设计的首要目标。为达此一目的，半导体开发商研发出采用栅极屏蔽结构的新一代沟槽式金属氧化物半导体场效电晶体（MOSFET），可显著降低全负载及轻负载
2014-03-25 11:07:153711 
DC/DC开关控制器的MOSFET选择是一个复杂的过程。仅仅考虑MOSFET的额定电压和电流并不足以选择到合适的MOSFET。要想让MOSFET维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷和低导通电阻之间取得平衡。在多负载电源系统中，这种情况会变得更加复杂。
2022-08-22 14:15:071229 `描述此高功率升压直流/直流转换器采用具有低栅极电荷外部 MOSFET 的控制器，针对来自 24V 电源的高达 250W 的负载提供 48V 输出。特性带有集成低侧栅极驱动器的 TPS40210
2015-05-11 14:16:01
DC-DC升压芯片,输入电压0.65v/1.5v/1.8v/2v/2.5v/2.7v/3v/3.3v/3.6v/5v/12v/24v航誉微HUB628是一款超小封装高效率、直流升压稳压电路。输入电压
2020-12-27 11:25:18
（Fairchild典型的开关控制器），电感的一端是连接到DC输出电压。另一端通过开关频率切换连接到输入电压或GND。在状态1过程中，电感会通过（高边“high-side”）MOSFET连接到输入电压。在状态
2015-05-17 18:25:47
本帖最后由 zhupinchao899 于 2020-4-3 09:26 编辑
YJ2220是一款体积小，效率高的升压型DC-DC调整器，输出电压可通过两个外部电阻来设定，固定开关频率1.4MHZ,带载调整能力强。
2020-04-01 20:46:18
描述DC-DC升压转换器DC to DC转换器在电子发烧友中颇受欢迎，并在业界广泛使用。非隔离式直流到直流转换器主要分为三种类型：降压型、升压型和降压-升压型。在本文/视频中，我使用了著名
2022-07-26 07:56:08
我使用DC-DC直流升压模块，将DC4V供电升压为DC12V，为用电设备供电。
当单独提供DC4V，为升压模块供电时（不接用电设备），电压4V，平均电流1mA，24小时平均功耗约为22.9mAH
2023-09-14 15:40:24
我们都知道电感的电流突变，会产生高的电压，DC/DC输出端口的电感呢？会不会产生高的电压？会的话那岂不是会烧坏后面的芯片？不会的话，为什么呢？
2018-12-25 08:32:51
本帖最后由 xuehumaiya 于 2016-7-15 10:29 编辑
N沟道MOSFET PowerTrench®[N-Channel PowerTrench® MOSFET]常用管...................
2013-03-01 08:23:44
2.92A后，MOSFET的传导损耗更大。不过，图4中的直流传导损耗比较不适用于大部分应用。同时，图5中显示了传导损耗在CCM (连续电流模式)、升压PFC电路，125℃的结温以及85V的交流输入电压Vac
2018-08-27 20:50:45
MOSFET栅极电路常见的作用MOSFET常用的直接驱动方式
2021-03-29 07:29:27
应用。同时，图5中显示了传导损耗在CCM (连续电流模式)、升压PFC电路，125℃的结温以及85V的交流输入电压Vac和400 Vdc直流输出电压的工作模式下的比较曲线。图中，MOSFET-IGBT的曲线
2021-06-16 09:21:55
会测量测试电流在二极管上恢复的Eon损耗。 在硬开关导通的情况下，栅极驱动电压和阻抗以及整流二极管的恢复特性决定了Eon开关损耗。对于像传统CCM升压PFC电路来说，升压二极管恢复特性在Eon
2020-06-28 15:16:35
MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压MOSFET的VGS(th)：栅极阈值电压是为使MOSFET导通，栅极与源极间必需的电压。也就是说，VGS如果是阈值以上的电压，则MOSFET导通。可能有
2019-05-02 09:41:04
MOSFET较小的栅极电阻可以减少开通损耗吗？栅极电阻的值会在开通过程中影响与漏极相连的二极管吗？
2023-05-16 14:33:51
用于产生高直流输出电压，降压/升压转换器则用于产生小于、大于或等于输入电压的输出电压。本文将重点介绍如何成功应用降压/升压DC-DC转换器。降压和升压转换器已在2011年6月和9月的《模拟对话》中单独介绍
2018-11-01 11:34:48
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
具有较低导通电阻和非常高的关断电阻，驱动电路中的功耗大大降低。为在栅极转换期间控制边沿速率，Q1 的漏极和Q2的栅极之间外加一个小电阻。使用MOSFET的另一个优点是其易于在裸片上制作，而制作电阻则相对
2021-07-09 07:00:00
负电压栅极驱动器中的负电压处理是指承受输入和输出端负电压的能力。这些不必要的电压可能是由于开关转换、泄漏或布局不良引起的。栅极驱动器的负电压承受能力对于稳健可靠的解决方案至关重要。图1显示了TI栅极
2019-04-15 06:20:07
`AON7544 N沟道MOSFET采用最新的Trench Power AlphaMOS（αMOSLV）技术，具有极低的RDS（on），低栅极电压和高电流能力，非常适合应用在DC/DC电路中
2020-05-29 08:39:05
构成的CMOS 升压DC/DC 控制器。通过使用外接低通态电阻N 沟道功率MOS，即可适用于需要高效率、高输出电流的应用电路上。通过PWM / PFM 切换控制电路，在负载较轻时，将工作状态切换为占空
2020-11-09 16:57:23
。在隔离型1/16thbrickDC-DC转换器应用中，Power33MOSFET的最大RDS(ON)仅为1.3mΩ，与具有同等占位面积的竞争解决方案相比减小了25%。此外，该器件减小了传导损耗，从而
2012-04-28 10:21:32
和卓越的电压调节。 据了解，Linear的LT3840集成的降压-升压型稳压器可产生7.5V MOSFET栅极驱动，以保持在2.5V至60V输入电压范围内提供高效率栅极驱动，抵御高压瞬态并在汽车冷车
2018-09-27 15:19:03
的栅极电压越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些应用中，对MOSFET进行栅控的是可以提供令人满意的RDS(on)的电压。额外的栅极电压会因½C x Vgs x Vgs x f产生功耗，其中栅极
2018-03-03 13:58:23
`罗姆低门驱动电压MOSFET具有0.9伏至10伏的宽驱动类型。 这种广泛的驱动器类型范围支持从小信号到高功率的各种应用。 这些MOSFET具有与微型封装（0604尺寸）一样小的尺寸选择。 各种大小
2021-02-02 09:55:16
`请问：图片中的红色白色蓝色模块是什么东西？芯片屏蔽罩吗？为什么加这个东西？抗干扰或散热吗？这是个SiC MOSFET DC-DC电源，小弟新手。。`
2018-11-09 11:21:45
栅极电压，在20V栅极电压下从几乎300A降低到12V栅极电压时的130A左右。即使碳化硅MOSFET的短路耐受时间短于IGTB的短路耐受时间，也可以通过集成在栅极驱动器IC中的去饱和功能来保护SiC
2019-07-30 15:15:17
电阻低，通道电阻高，因此具有驱动电压即栅极－源极间电压Vgs越高导通电阻越低的特性。下图表示SiC-MOSFET的导通电阻与Vgs的关系。导通电阻从Vgs为20V左右开始变化（下降）逐渐减少，接近
2018-11-30 11:34:24
的不是全SiC功率模块特有的评估事项，而是单个SiC-MOSFET的构成中也同样需要探讨的现象。在分立结构的设计中，该信息也非常有用。“栅极误导通”是指在高边SiC-MOSFET＋低边
2018-11-30 11:31:17
异步DC-DC转换器中箝位二极管的正向压降通常会产生的损耗。这一效率提升使LT3762能够提供比类似异步升压型LED驱动器更高的输出电流，特别是在低输入电压时。为了改善低输入电压时的工作性能，通过配置一
2019-09-25 13:58:43
升压拓扑结构在功率电子领域非常重要，但是电感值的选择并不总是像通常假设的那样简单。在dc - dc升压转换器中，所选电感值会影响输入电流纹波、输出电容大小和瞬态响应。选择正确的电感值有助于优化转换器
2019-12-11 18:02:31
，MOSFET的传导损耗更大。不过，图4中的直流传导损耗比较不适用于大部分应用。同时，图5中显示了传导损耗在CCM (连续电流模式)、升压PFC电路，125℃的结温以及85V的交流输入电压Vac和400
2019-03-06 06:30:00
`AP8106 高效低功耗 PFM DC-DC 同步升压芯片概述AP8106 系列产品是一种低功耗、效率高、低纹波、工作频率高的 PFM 同步升压 DC-DC 变换器。AP8106 系列产品仅需要
2021-07-06 11:24:11
`AP8105 低功耗 PFM DC-DC 升压芯片概述AP8105 系列产品是一种效率高、低纹波、工作频率高的 PFM 升压 DC-DC 变换器。AP8105 系列产品仅需要四个外围元器件，就可
2021-07-06 11:29:18
和更快的切换速度与传统的硅mosfet和绝缘栅双极晶体管(igbt)相比，SiC mosfet栅极驱动在设计过程中必须仔细考虑需求。本应用程序说明涵盖为SiC mosfet选择栅极驱动IC时的关键参数。
2023-06-16 06:04:07
器件相比，具有更低的导通电阻和更高的电压耐受能力。（图片来源：ROHM Semiconductor）标准硅 MOSFET 在高至 150°C 的温度条件下工作时，RDS(on) 导通电阻要高出 25
2017-12-18 13:58:36
用的 MOSFET 的关断，通常建议使用负栅极驱动电压（对于 C3M006065D 为-3 V ~ -4 V），以防止因高 dv/dt 引起的串扰而导致快速开关器件的误导通。但是，在 LLC 电路中，所有
2023-02-27 14:02:43
概述OC6811 是一款具有超低待机功耗、高效率的同步升压DC-DC，待机电流仅1.8uA。OC6811 采用固定导通时间的PFM 控制方式，在轻载时自动降低开关频率保持高的转换效率。OC6811
2020-04-01 10:03:38
就不用栅极电阻控制端直接连向栅极。想问下大家。 1.什么时候可以不加栅极电阻，什么时候需要加上栅极电阻。感觉是和GS间结电容有关或和MOSFET的功率大小有关但具体分析不清楚。2.听说在不加栅极电阻
2013-02-08 15:28:29
耐压MOSFET的DC/DC转换器IC。80V的耐压是非隔离型DC/DC转换器IC的业界顶级水平，在ROHM的目前产品阵容中，也是耐压最高的DC/DC转换器IC。ROHM在推出该
2019-04-08 08:48:17
转换器产品阵容中也是最高耐压的机型。高耐压的DC/DC转换器在以电信相关和工业设备为首的应用中、最近在使用电池组的应用中使用量增加，因此其需求日益高涨。然而，现状是可供应具有60V以上耐压的DC/DC
2018-10-19 16:47:06
产品阵容中也是最高耐压的机型。高耐压的DC/DC转换器在以电信相关和工业设备为首的应用中、最近在使用电池组的应用中使用量增加，因此其需求日益高涨。然而，现状是可供应具有60V以上耐压的DC/DC转换器
2018-12-04 10:10:43
电压、输出电压都是直流电压，而且输入电压比输出电压低，基本拓扑结构如图对于刚刚开始接触和学习电路设计的新人来说，扎实的了解和掌握DC-DC变换器的运行情况，是非常有必要的。在平时的工作中，升压式
2020-11-22 01:00:00
电压、输出电压都是直流电压，而且输入电压比输出电压低，基本拓扑结构如图对于刚刚开始接触和学习电路设计的新人来说，扎实的了解和掌握DC-DC变换器的运行情况，是非常有必要的。在平时的工作中，升压式
2021-01-02 09:00:00
· ((3.3mΩ || 0.9mΩ) + 0.7mΩ) = 0.56W在图 1 所示的 12V 应用中，LTC4234 的 MOSFET 处理的是高漏极至源极电压情况，此时 SOA 是一个主要的关注点。在正常
2018-10-23 14:26:00
在功率MOSFET的数据表的开关特性中，列出了栅极电荷的参数，包括以下几个参数，如下图所示。Qg(10V)：VGS=10V的总栅极电荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的总栅极电荷。Qgd：栅极
2017-01-13 15:14:07
栅极（Gate），漏极（Drain）和源极（Source）。功率MOSFET为电压型控制器件，驱动电路简单，驱动的功率小，而且开关速度快，具有高的工作频率。常用的MOSFET的结构有横向双扩散型
2016-10-10 10:58:30
异步DC-DC转换器中箝位二极管的正向压降通常会产生的损耗。这一效率提升使LT3762能够提供比类似异步升压型LED驱动器更高的输出电流，特别是在低输入电压时。为了改善低输入电压时的工作性能，通过配置一
2019-03-30 09:36:59
。 启动时，LTC3786 在 4.5V 至 38V 的输入电压范围内工作，启动后直至 2.5V 都保持工作，并可调节高达 60V 的输出电压。强大的 1.2Ω 内置 N 沟道 MOSFET栅极驱动器能快速
2021-04-19 07:05:41
LT3762 是一款同步升压型LED控制器，旨在减少高功率升压型LED驱动器系统中常见的效率损耗源。该器件的同步运行可最大限度地减少异步DC-DC转换器中箝位二极管的正向压降通常会产生的损耗。这一
2019-08-02 08:14:26
低Qgd/Qgs(th)比率和高阈值电压的MOSFET也可降低dv/dt电感误导通的可能性。欲了解更多信息，请查阅四开关降压-升压转换器栅极驱动器设计注意事项。
2019-07-16 06:44:27
增大MOSFET栅极电阻可消除高平震荡，是否栅极电阻越大越好，为什么？请你分析一下增大栅极电阻能消除高平震荡的原因
2023-05-16 14:32:26
，能够在 MOSFET 关断状态下为栅极提供负电压、高充电/放电脉冲电流，并且足够快以在纳秒范围内操作栅极。IC IX6611是一款智能高速栅极驱动器，可轻松用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET以及标准
2023-02-27 09:52:17
您好，我正在尝试使用 MC34GD3000 栅极驱动器，但我们遇到了设备故障和损坏高侧 MOSFET 栅极驱动器的问题。首先，是否有任何关于正确设置栅极驱动器输出的应用说明。我们看到的是在没有任何
2023-04-19 06:36:06
瞬态操作。图1所示为硬开关关断瞬态下，理想MOSFET的工作波形和工作顺序。 图1 升压转换器中的MOSFET的典型关断瞬态波形 当驱动器发出关断信号后，即开始阶段1 [t=t1]操作，栅极与源极之间
2018-10-08 15:19:33
`AP8106 高效低功耗 PFM DC-DC 同步升压芯片概述AP8106 系列产品是一种低功耗、效率高、低纹波、工作频率高的 PFM 同步升压 DC-DC 变换器。AP8106 系列产品仅需要
2021-07-08 11:22:03
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。要想让 MOSFET 维持在规定范围以内，必须在低栅极电荷
2019-11-30 18:41:39
通；P沟道MOSFET通过施加给定的负的栅-源极电压导通。MOSFET的栅控决定了它们在SMPS转换器中的应用。例如，N沟道MOSFET更适用于以地为参考的低侧开关，特别是用于升压、SEPIC、正向和隔离
2021-04-09 09:20:10
开关MOS管与线性MOS管的区别，1.是不是开关MOS管的只有“开”与“关”2种状态？2.是不是线性MOS管可以利用栅极的电压大小来控制导通的比率?3.开关的MOS管是使用数字信号控制。而线性的MOS管使用模拟信号控制？
2023-03-15 11:51:44
和 –4V 输出电压以及 1W(...)主要特色用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动能力，适用于驱动 SiC
2018-10-16 17:15:55
晶体管。P沟道MOSFET是电压驱动的，不需要电流，所以大大降低了器件本身消耗的电流;另一方面，采用PNP晶体管的电路中，为了防止PNP晶体管进入饱和状态而降低输出能力， 输入和输出之间的电压降不可以
2019-03-11 11:19:44
可用作 K=16/1 的升压转换器。固定比率转换器的工作原理与变压器极为相似，但它执行的不是 AC-AC 转换，而是 DC-DC 转换，输出电压为固定比例的 DC 输入电压。与变压器一样，这种转换器
2022-10-25 08:00:00
测试，并观察波形。在双脉冲测试电路的高边（HS）和低边（LS）安装ROHM的SiC MOSFET SCT3040KR，并使HS开关、LS始终OFF（栅极电压=0V）。图1所示的延长电缆已经直接焊接
2022-09-20 08:00:00
通过金属物短路，从而避免寄生三极管的意外导通。当栅极没有加驱动电压时，功率MOSFET通过反向偏置的P-体区和N-^^的epi层形成的PN结承受高的漏极电压。在高压器件中绝大部分电压由低掺杂的epi层来
2023-02-20 17:21:32
描述 此高功率升压直流/直流转换器采用具有低栅极电荷外部 MOSFET 的控制器，针对来自 24V 电源的高达 250W 的负载提供 48V 输出。特性带有集成低侧栅极驱动器的 TPS40210
2022-09-27 07:52:40
。虽然有许多方式来绘制MOSFET管，但最常见的符号如图2。注意有且只有三端连接：源极、漏极和栅极；栅极控制从源极到漏极的电流。较小的MOSFET可以在标准的MOS IC裸芯上直接制造，因此它可以是单芯片
2016-01-27 17:22:21
非常重要的。下一篇文章将对准谐振方式进行介绍。关键要点:・在使用电源IC的设计中，要使用SiC-MOSFET需要专用的电源IC。・SiC-MOSFET和Si-MOSFET的栅极驱动电压VGS不同。・设计中使用了SiC-MOSFET驱动用AC/DC转换器控制IC：BD7682FJ-LB。
2018-11-27 16:54:24
ROHM最近推出的“BD9G341AEFJ”，是内置80V高耐压MOSFET的DC/DC转换器IC。80V的耐压是非隔离型DC/DC转换器IC的业界顶级水平，在ROHM的目前产品阵容中，也是耐压最高
2018-12-03 14:44:01
低Qgd/Qgs(th)比率和高阈值电压的MOSFET也可降低dv/dt电感误导通的可能性。欲了解更多信息，请查阅四开关降压-升压转换器栅极驱动器设计注意事项。
2018-10-30 09:05:44
的接地点提供高电压隔离。但是，高频切换导致次级端电压转换的边沿较短。由于隔离边界之间的寄生电容，这些快速瞬变而从一侧耦合到另一侧，这可能导致数据损坏。其表现可能是在栅极驱动信号中引入抖动，或者将信号完全
2018-10-25 10:22:56
所示。PMOS具有较低导通电阻和非常高的关断电阻，驱动电路中的功耗大大降低。为在栅极转换期间控制边沿速率，Q1的漏极和Q2的栅极之间外加一个小电阻。使用MOSFET的另一个优点是其易于在裸片上制作，而
2018-11-01 11:35:35
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图
2022-11-16 08:00:15
。MOSFET不是逻辑电平，并且引脚DRVUV和DRVSET与INTVCC相连，以提供10V栅极驱动。引脚VPRG1连接到INTVCC，以在第一个通道上选择5V输出电压。图2显示了转换器的效率。DC
2019-10-25 09:59:35
新年伊始，设计师们似乎在永远不停地追求更高效率。在此系列的第一部分中，我讨论了高电流栅极驱动器如何帮助系统实现更高的效率。高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管
2019-03-08 06:45:10
为了减小输出电容和电感的尺寸以节省印刷电路板（PCB）空间，越来越多的高输入电压DC/DC转换器在更高的开关频率下工作。然而，随着输出电压降至5V和更低，设计更快的开关高输入电压降压DC/DC转换器
2019-07-16 23:54:06
（+ 3.3V）在SP6642单碱性电池，高效率升压型DC / DC转换器中的典型应用。 SP6642 / 6643器件是一款高效，低功耗升压型DC-DC转换器，适用于+ 1V输入，适用于单个碱性电池应用，如寻呼机，遥控器和其他低功耗便携式终端产品
2019-07-29 06:26:54
本文讨论了屏蔽栅极MOSFET在中等电压MOSFET(40～300V)应用中的优势。
2011-03-30 16:44:242015 
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)开发出N沟道PowerTrench MOSFET器件FDMS86500L，该器件经专门设计以最大限度地减小传导损耗和开关节点振铃，并提升DC-DC转换器的整体效率
2011-05-18 09:09:07704 快捷半导体扩大PowerTrench® MOSFET系列产品阵容
提供更高的功率密度与提升开关电源的效率
中电压MOSFET元件采用高性能矽片减低优化系数，提高同步整流应用的可靠性
2012-08-17 08:52:52860 全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild （NASDAQ： FCS） 在2016年APEC上发布了新一代100V N沟道Power MOSFET旗舰产品——FDMS86181 100V屏蔽栅极PowerTrench® MOSFET。
2016-03-22 11:44:063151 用于高效率降压型或升压型 DC/DC 转换器的高速同步 N 沟道 MOSFET 驱动器具有强大的栅极驱动
2021-03-19 07:15:03
2 带MOSFET栅极驱动器的LTC3803LTC4441演示电路升压转换器(6-24V至52V@2A)
2021-06-04 14:54:385 使用安森美半导体 40 V 和 80 V 汽车电源模块的可靠开关性能建议（使用屏蔽栅极 MOSFET）
2022-11-15 20:20:220 从本文开始，我们将进入SiC功率元器件基础知识应用篇的第一弹“SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作”。前言：MOSFET和IGBT等电源开关元器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。
2023-02-08 13:43:22250 
上一篇文章中，简单介绍了SiC MOSFET桥式结构中栅极驱动电路的开关工作带来的VDS和ID的变化所产生的电流和电压情况。本文将详细介绍SiC MOSFET在LS导通时的动作情况。
2023-02-08 13:43:23300 
上一篇文章中介绍了LS开关导通时栅极 – 源极间电压的动作。本文将继续介绍LS关断时的动作情况。低边开关关断时的栅极 – 源极间电压的动作：下面是表示LS MOSFET关断时的电流动作的等效电路和波形示意图。
2023-02-08 13:43:23399 
本文的关键要点・通过采取措施防止SiC MOSFET中栅极－源极间电压的负电压浪涌，来防止SiC MOSFET的LS导通时，SiC MOSFET的HS误导通。・具体方法取决于各电路中所示的对策电路的负载。
2023-02-09 10:19:16589 
本文是“SiC MOSFET：栅极－源极电压的浪涌抑制方法”系列文章的总结篇。介绍SiC MOSFET的栅极－源极电压产生的浪涌、浪涌抑制电路、正电压浪涌对策、负电压浪涌对策和浪涌抑制电路的电路板
2023-04-13 12:20:02815 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121369 SiC MOSFET：桥式结构中栅极－源极间电压的动作
2023-12-07 14:34:17223 
MOSFET栅极电路常见的作用有哪些？MOSFET栅极电路电压对电流的影响？ MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）是一种非常重要的电子器件，广泛应用于各种电子电路中。MOSFET的栅极电路
2023-11-29 17:46:40571
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