本章采用TI公司的AM335x芯片构建的最小核心板系统,能通过外接DC电源让核心板直接运行,与底板通过B2B连接器连接。 底板配合核心板提供了串口、CAN总线接口、USB Host、OTG、LCD外扩、千兆网口外扩等丰富外设,让开发人员能快速整合资源并形成有效的项目解决方案。 核心板集成度高、低成本、低功耗、功能齐全 ,主要特点如下 :
(2)4GByte 工业级 eMMC 或者 4GBit NAND FLASH 可选
(3)2路MII/GMII/RGMII
(4)2路CAN
(5)6路UART
(6)最大分辨率 1366x768, 带3D图形加速器
(7)完美支持 Windows Embedded Compact 7Linux 3.2Android 4 嵌入式操作系统
(8)工作温度范围可达:-40 ℃~85 ℃
(9)外扩资源丰富:包括 2xCAN 总线接口、 2xSPI总线、 1xGPMC 总线、 2xMMC 总线、 2xI2 C总线、 24bit LCD 总线、 1x MDIO 、2x PRU MII 、2x PRU MII 、8x12bit ADC/TSC 、1xUSB 2.0 OTG 、1xUSB HOST 、5x5 线UART、1x3线UART、3x16bit PWM 、3x32bit eCAP 脉冲宽度捕获输入、 3x32bit eQEP 正交编码脉冲输出、 2xRGMII/RMII/GMII Ethernet 、4xtimer 、JTAG等。
(10)AM335x工控板应用领域:
(11)游戏机主控板
(12)家庭与楼宇自动化
(13)工业控制设备
(14)HMI工业人机界面
二、模块PCB设计指南
1、原理框图
单板的信号流向图,即原理框图,如图23-1所示。
图23-1 原理框图
2、单板工艺
单板布线工艺主要取决于单板的高密度芯片的封装工艺(即BGA的间距),以及PCB成本和性能的考虑。 推荐的单板工艺设计如下:
(1)单板尺寸:71 x 47 mm。 板厚:1.6mm
(2)建议采用八层板设计:TOP、GND02、ART03、PWR04、PWR05、ART06、GND07、BOTTOM
(3)过孔规则:孔径8mil/盘径16mil(BGA区域)、孔径10mil/盘径18mil(除BGA的其他区域)
(4)最小线宽规则:5mil(BGA局部区域)
(5)最小线距规则:4mil(BGA局部区域)
3、层叠和布局
单板采用八层的层叠设计如图23-2所示。
图23-2 八层板层叠设计
单板的布线情况如下:
(1)TOP层作为主要元器件层,主要摆放芯片、钽电容、电感等高度较高的元件;
(2)第3层和第6层相邻层除了地平面,还有两个分割的电源平面,在安排布线时需注意高速信号线的跨岛问题
(3)第2层和第5层作为完整的接地平面,为表层的元器件和布线提供屏蔽和最短电流返回路径的作用
(4)第4层和第5层为主电源平面,为主要电源提供平面分割形式的电源网络
(5)Bottom层放置两个2x50 Pin板对板连接器、BGA和DDR3区域的滤波电容。
单板TOP层布局规划如图23-3所示。
图23-3 分区布局规划
单板Bottom层布局规划如图23-4所示。
图23-4 分区布局规划
4、屏蔽处理
为了降低EMI及提高产品的可靠性,在TOP层的板边四周用1mm的铜皮进行裸铜开窗。 如图23-5所示。
图23-5 屏蔽处理示例
为了能够提供良好的信号回流路径,同时改善铜皮散热的性能,需保证主控和DDR3下方铺铜的完整性及连续性。 如图23-6所示。
图23-6 完整平面处理
注意:
(1)铺铜层属性设置为混合分割层,在铺铜时要注意电源层比地层要内缩40mil。
(2)采用8mil孔径,16mil盘径的过孔。
(3)铺铜线宽设置为4mil。
(4)过孔与铺铜的安全间距设置为5.5mil。
5、模块PCB设计指南
(一)处理器
AM335x提供高达720MHz的主频速度和支持mDDR/DDR2/DDR3,并配有NEON SIMD协处理器、SGX5303D图形引擎。 同时AM335x提供了丰富的接口资源。 极高的性价比,使得它能适用性极广。
AM335X采用324pin的BGA封装,球距为0.8mm,采用8/16mil的过孔进行Fanout设计,通常将BGA外围前两排焊盘通过走线引出至BGA外部。 第三排开始通过过孔就近fanout。 AM335X Fanout情况如图23-7所示。
图23-7 AM335X Fanout示意
a、去耦电容处理
芯片的电源管脚需要放置足够的去耦电容,推荐采用0402封装0.1mF的陶瓷电容,其在20~300 MHz 范围非常有效。
去耦电容的处理规则如下:电容尽可能靠近电源管脚。 芯片上的电源、地引出线从焊盘引出后就近打VIA接电源、地平面。 线宽尽量做到8~12mil(视芯片的焊盘宽度而定,通常要小于焊盘宽度20%或以上)。 电容则放置在过孔与过孔之间的间隙。 如图23-8所示。
图23-8 去耦电容布局示例
b、晶体处理
晶体谐振器PCB设计要点如下:
(2)晶体谐振器两个信号要适当加宽(通常取10~12mil)
(3)两个电容要靠近晶体放置,并整体靠近相应的IC
(4)为了减小寄生电容,电容的地线扇出线宽要加宽
(5)晶体谐振器底下要铺地铜,并打一些地过孔,充分与地平面相连接,以吸引晶体谐振器幅射的噪声,或者立体包地
图23-9所示是实际使用晶体的PCB布局布线的例子。
图23-9 晶体布局布线示例
本系统采用单颗2Gb容量的DDR3,主电源由PMIC的提供1.5V稳定供电。 DDR3相比DDR和DDR2有更快的速度外,另一个区别就是3代的芯片有REST引脚,ZQ引脚。 还有则是3代的芯片采用了一些新技术,所以有更快的速度更低的功耗,其供电电压为1.5V。
表23-1总结了DDR,DDR2,以及DDR3的一些重要的区别:
表23-1 DDR/DDR2/DDR3工作特性区分
DDR3关键信号处理要点如表23-2所示。
表23-2 DDR3关键信号处理要点
其 Fanout和布线等长情况如图23-10所示。
图23-10 DDR3 Fanout示意
(三)PMIC
5V电源连接器直接供给AM335x系列配套的电源管理芯片TPS65217C,TPS65217C产生各路电源提供给CPU、DDR等设备。 PMIC输出的各路电源通过底板上的LED显示TPS65217C是否工作正常。 AM335x通过I2C0来控制TPS65217C。 如图23-11为TPS65217C管脚排序。
图23-11 TPS65217C管脚排序
其外部电源供电管脚分配,如表14-3所示。
表14-3 TPS65217C电源处理
PMIC在布局时要注意预留出芯片电源输出大电感的位置,因为此处是PMIC输出的大电流,大电流示意如图23-12所示。 大电感通常放置在Top层,同时需要将PMIC的20,23,31管脚到大电感采用铜皮连接。 另外,PMIC输入管脚的滤波电容全部放置在Bottom层靠近输入管脚附近。 如图23-13所示。
图23-12 PMIC 大电流示例
图23-13 PMIC 布局布线示例
PMIC的19,24,29管脚为电压采样信号,需要单独接到输出端的末端,即输出滤波电容打孔的位置,如图23-14所示。
图23-14 电压采样走线示例
第4层电源平面划分如图23-15所示:
图23-15 第4层电源平面划分
第五层电源平面划分如图23-16所示:
图23-16 第5层电源平面划分
(四)SD/MMC0
AM335x通过MMC0端口连接到Micro SD 卡槽。 表14-4为Micro SD 卡槽信号分配表和PCB设计原则。
(五)USB信号
USB设计要点如下:
(1)TVS器件必须靠近插座放置,在PCB设计时要大面积接地
(2)布局保证信号流经TVS后再到共模电源
(3)差分线特性阻抗为90W,等长误差为5mil
(4)两组差分线之间的间距保持4w,并与其他信号或灌铜的间距也要保证4w,如图23-17所示。
图23-17 USB布线间距
(5)优先邻近接地平面走线
USB PCB设计实例如图23-18所示。
图23-18 USB PCB设计实例
(七)JTAG调试接口
开发板提供了14 pin的JTAG调试接口,信号直接与AM335x连接,让开发人员能通过JTAG口直接调试程序。
(八)LCD外扩接口
LCD外扩接口支持24bit RGB信号,带有触摸控制信号外接,以及可通过I2C对外接LCD屏进行控制配置。
(九)网口与音频外扩接口
AM335x的RGMII和音频接口通过板对板接口外接到另一块功能板上,用户可以根据需求决定是否需要或者需要的哪种功能的板(如百兆网卡or千兆网卡)。
(十)GPMC总线、SPI、McASP总线、串口
核心板通过2个50 Pin板对板连接器对GPMC总线、SPI、McASP总线、串口的扩展,用户可配合对应的功能板进行这类接口的调试。 在PCB布线时,注意将同一类型的信号线采用同组同层的布线方式,并且要与其他信号保证至少3w的间距。
审核编辑:汤梓红
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