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电子发烧友网>电源/新能源>电源设计应用>IR收购ATMI硅外延服务部

IR收购ATMI硅外延服务部

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氮化镓外延片工艺介绍 氮化镓外延片的应用

氮化镓外延片生长工艺较为复杂,多采用两步生长法,需经过高温烘烤、缓冲层生长、重结晶、退火处理等流程。两步生长法通过控制温度,以防止氮化镓外延片因晶格失配或应力而产生翘曲,为目前全球氮化镓外延片主流制备方法。
2023-02-05 14:50:004345

硅基氮化镓外延片是什么 硅基氮化镓外延片工艺

氮化镓外延片指采用外延方法,使单晶衬底上生长一层或多层氮化镓薄膜而制成的产品。近年来,在国家政策支持下,我国氮化镓外延片行业规模不断扩大。
2023-02-06 17:14:353012

氮化镓外延片的工艺及分类介绍

通常是指的在蓝宝石衬底上用外延的方法(MOCVD)生长的GaN。外延片上面一般都已经做有u-GaN,n-GaN,量子阱,p-GaN。
2023-02-12 14:31:252100

氮化镓外延片工艺流程介绍 外延片与晶圆的区别

氮化镓外延片工艺是一种用于制备氮化镓外延片的工艺,主要包括表面清洗、氮化处理、清洗处理、干燥处理和检测处理等步骤。
2023-02-20 15:50:3210569

SiC外延工艺基本介绍

外延层是在晶圆的基础上,经过外延工艺生长出特定单晶薄膜,衬底晶圆和外延薄膜合称外延片。其中在导电型碳化硅衬底上生长碳化硅外延层制得碳化硅同质外延片,可进一步制成肖特基二极管、MOSFET、 IGBT 等功率器件,其中应用最多的是4H-SiC 型衬底。
2023-05-31 09:27:092827

异质外延单晶金刚石及其相关电子器件的研究进展

金刚石异质外延已发展 30 年有余,而基于 Ir 衬底的大面积、高质量的异质外延单晶金刚石已取得较大进展。本文主要从关于异质外延单晶金刚石及其电子器件两个方面对异质外延单晶金刚石的发展进行了阐述。
2023-07-12 15:22:23843

SiC外延片测试需要哪些分析

对于掺杂的SiC外延片,红外光谱测量膜厚为通用的行业标准。碳化硅衬底与外延层因掺杂浓度的不同导致两者具有不同的折射率,因此试样的反射光谱会出现反映外延层厚度信息的连续干涉条纹。
2023-08-05 10:31:47914

SiC外延片制备技术解析

碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同,不能直接制作在碳化硅单晶材料上,必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料,并在外延层上制造各类器件。
2023-08-15 14:43:341001

什么是外延工艺?什么是单晶与多晶?哪些地方会涉及到外延工艺?

外延工艺的介绍,单晶和多晶以及外延生长的方法介绍。
2023-11-30 18:18:16878

三种碳化硅外延生长炉的差异

碳化硅衬底有诸多缺陷无法直接加工,需要在其上经过外延工艺生长出特定单晶薄膜才能制作芯片晶圆,这层薄膜便是外延层。几乎所有的碳化硅器件均在外延材料上实现,高质量的碳化硅同质外延材料是碳化硅器件研制的基础,外延材料的性能直接决定了碳化硅器件性能的实现。
2023-12-15 09:45:53607

分子束外延(MBE)工艺及设备原理介绍

分子束外延(Molecular beam epitaxy,MBE)是一种在超高真空状态下,进行材料外延技术,下图为分子束外延的核心组成,包括受热的衬底和释放到衬底上的多种元素的分子束。
2024-01-15 18:12:10963

半导体衬底和外延有什么区别?

衬底(substrate)是由半导体单晶材料制造而成的晶圆片,衬底可以直接进入晶圆制造环节生产半导体器件,也可以进行外延工艺加工生产外延片。
2024-03-08 11:07:41161

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