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第四代TOPSwitch?GX系列单片开关电源
摘要:TOPSwitch?GX是美国PowerIntegrations公司在继TOPSwitch?I、II、FX三个系列之后,开发的最新单片开关电源系列。该系列芯片通过改进布局,扩展了电源功率,增加了大量新功能,从而有效地提高了电源设计的灵活性及电源效率。介绍了新型TOPSwitch?GX系列中TOP242?250芯片的性能特点、工作原理。关键词:TOPSwitch?GX;单片开关电源;软启动;高效率FourthGenerationTOPSwitch?GXSeriesICPowerSupply 1引言 开关电源由于在体积、重量、效率和可靠性等多方面的优势,目前在计算机、通信、家用电器、雷达、空间技术等众多领域中已完全取代了传统的线性稳压电源。美国PowerIntegrations公司在20世纪90年代推出的单片集成化开关电源TOPSwitch?I、II、FX系列产品,为新型、高效、低成本开关电源的推广与普及创造了良好条件,被誉为“顶级开关电源”。但是这些IC电源仍存在一些不足:纹波电压较大、空载和轻载损耗大、高温工作时输出功率受限、启动时元件承受较大的尖峰电压和电流以及设计不够灵活等。针对这些不足之处,PowerIntegrations公司优化了芯片的内部布局,改进了电路功能,于2001年新推出了TOPSwitch家族的第四代芯片:TOPSwitch?GX系列。 TOPSwitch?GX系列不仅继承了早期的TOPSwitch将高压功率MOSFET管、PWM控制、故障自动保护及其它控制电路集成在一个CMOS芯片上的优点,而且还增加了许多新功能,从而有效地降低了电源系统成本,提高了电源性能,改善了设计灵活性并扩展了电源输出功率。其中的TOP250型芯片是世界上功率最高的单片电源IC,其最大输出功率可达290W,该芯片极大地扩展了开关电源芯片在大功率领域内的应用范围。 2新增功能介绍 TOPSwitch?GX系列新增的主要功能及其优点如下: 1)更宽的输出功率范围,最大可达290W; 2)可减少外围器件的损耗; 3)在极低压或过压时能实现完全软启动,进一步减小了器件在启动时的电压、电流应力; 4)外部可编程精确地设定限制电流,减小了变压器铁芯体积,提高了电源效率; 5)更大的占空比,能提供更大的输出功率并减小了输入电容; 6)在Y、R、F型式封装中将电压检测管脚与限流管脚分开封装,提高了设计的灵活性; 7)欠压保护,不会造成误关断; 8)有过压保护,可以限制浪涌电流; 9)采用线电压前馈,减小了低压时的输出电压纹波,限制了高压时的最大占空比(Dmax); 10)有±3%的频率抖动,减小了电磁干扰(EMI),并降低了EMI滤波器的损耗; 11)空载、轻载时可降低工作频率,使输出电路无需加假负载,从而显著地减少了能量损耗; 12)高达132kHz的工作频率,减小了变压器和电源的体积; 13)在视频应用时可选择半频(66kHz)运行(只限于Y、R、F封装); 14)温度范围更宽的滞后热关断,允许电源在高温下输出更大的功率,并有效地防止装置过热。 TOPSwitch?GX系列的这些优点使其可广泛地应用于手提电脑、PDA、集线器、交换器、路由器、台式电脑、小型服务器、机顶盒、数码电视、打印机、DVD播放器、UPS、电视游戏机、音频放大器等装置中。 3管脚功能描述 TOPSwitch?GX系列有TOP242—TOP250的9种不同容量型号,又分为Y、P、G、R、F等5种封装形式。根据封装形式不同,TOPSwitch?GX系列芯片新增的管脚数也不同。P、G型封装与第三代芯片TOPSwitch?FX系列一样只有D、S、C、M四个管脚,而Y、R、F型封装则有六个管脚:D、S、C、F、X、L。图1为Y/R/F型封装芯片引脚及内部功能方框图。Y、R、F型封装的管脚功能如下。 漏极管脚(D)高压功率MOSFET漏极输出。通过此脚从高压开关电流源输入内部启动偏置电流。 控制管脚(C)用于调节占空比的误差放大器与电流输入脚。在正常操作期间通过连接至内部分流调节器来提供内部偏置电流,也可以作为电源的旁路和自动重启/补偿电容的连接点。 源极管脚(S)将其连接至输出MOSFET源极时可得到高压功率回馈。 电压检测管脚(L)作为欠压保护(UV)、过压保护(OV)、减少Dmax的线性前馈及远程开/关等4项功能的控制脚。当脚L与脚S短接时,各项功能均不起作用;当L脚串联电阻接至电源母线时,可实现UV、OV及随母线电压减少Dmax的3项功能;当脚L通过电阻与脚C相连,并外接一级开关信号放大电路时可以实现远程控制开/关的作用。 外部限流管脚(X)用于外部电流限制值设置的输入脚。当串联电阻接至地线时为外部可编程精确设定限流值,当串电阻接至电源母线时可随母线电压调节限流值。 频率管脚(F)用于选择开关频率的输入脚。在多数应用场合下将脚F连接至源极管脚S,此时开关频率为132kHz。在一些特殊应用场合如对噪音敏感的音频设备中,将脚F连接至控制管脚C时开关频率降为66kHz以减小干扰。 4典型应用实例 4?130W通用高效电源 图2是一个30W高效通用电源电路。该电路利用TOPSwitch?GX的某些特点降低了系统成本和减小了电源尺寸,并且改善了效率。实现了初、次级的完全隔离。电源性能指标为:输出电压为12V,输出功率为30W,输出纹波不大于50mVp?p,输入电压范围为85~265V交流,环境温度为50℃,满载时可达到标称效率80%。 电路原理:电流限制通过外部电阻R1和R2被设定。随着线性电压的升高,电阻R1和R2分压提供给X端的信号降低了电流限制。电阻R4提供了线性检测,设置UV为DC100V和OV为DC450V。R5,C5提供环路补偿。次级电压通过D8,C10,C11整流、滤波,L3,C12开关噪声滤波后输出直流电压。使用60V的肖特基整流器(D8)来提供15V的输出电压,从而大大提高了电源的效率。输出电压由齐纳二极管(VR2)、光耦(U2)内部二极管和电阻R6决定。在非线性、加载和元件参数变化时,电阻R8提供给齐纳二极管VR2偏置电流,调节12V直流输出电压稳定在±5%内。使用TOPSwitch?GX可消除在进行无负载调节时使用假负载,并可减少无负载和轻载下的电源损耗。 4?2微处理器(MPU)控制电源远程开/关 低成本瞬间触点开关在一些应用程序(如打印 图230W高效通用电源电路图 图3运用MPU远程控制电源的开/关电路图 机)要求的微处理器控制下能用于开/关。TOPSwitch?GX芯片内置的远程开/关功能允许使用少量外部元件实现这一功能,具体电路如图3所示。 电路原理:每当用户闭合按钮瞬间触点开关P1时,光耦U3被激活,把信号传送给微处理器的逻辑输入端。首先,当电源断开时(M端处于浮动状态),P1关闭,通过一只二极管短接TOPSwitch?GX的M端和源极打开电源。当次级输出电压VCC建立时,微处理器被激活并且确认由光耦U3输出信号驱动开关状态输入,开关P1关闭。然后微处理器通过光耦U4发送电源控制信号使电源处于接通状态。如果用户再次按下开关P1,发出关断命令,微处理器通过光耦U3检测它并且启动产品专用的关程序。例如,在喷墨打印机中,关程序包括可以在存储位置安全地停止打印头。在有磁盘驱动器的产品中,关程序包括保存数据和调整磁盘。在关程序完成后,安全地关掉电源时,微处理器通过断开光耦U4释放M端。如果手动开关和光耦U3、U4不设置接到M端,当M端开路时,电容CM可以防止噪声耦合到这个端。 电源也能通过局域网或由光耦U4输入LED逻辑信号到并行或串行口远程控制打开。有时通过一根电缆(如交流耦合电缆)替代直流逻辑电平发送一列逻辑脉冲作为提醒信号,是更容易的。因此,简单的RC滤波器用来产生一个直流电平去驱动U4(在图3中没有显示出来)。远程打开特点能用来提醒外围设备,例如打印机、扫描仪、外部的调制解调器、磁盘驱动器等。如果外围设备在一个时段内不保存功率,则通常被设计为自动关断状态。 5结语 综上所述,除了使用少量外围元件之外,TOPSwitch?GX在这类应用中还提供了许多技术优势:如在关断模式下功率消耗极小,低成本、低冲击电压/电流,使用瞬间触点开关,瞬间开关无需防反跳电路,设计灵活等。采用TOPSwitch?GX系列开关器件可以设计出各种高效率、多输出端电源,广泛应用于各种领域。 TOPSwitch?GX的一系列设计工具软件及选型表可以从生产商PowerIntegrations公司网址:http://www/powerint.com下载,还可以从网上申请一套包括30W电源原型电路板、TOPSwitch-GX样品和全套软件的设计工具包。国内总代理为香港科汇(亚太)有限公司盈丰分部。 参考文献 [1]PowerIntegrations.DataSheetTOP242- 250. [2]沙占友.新型特种集成电源及应用[M]. 北京:人民邮电出版社,1998. [3]张占松.高频开关稳压电源[M].广州:广 东科技出版社,1993. [4]李乃英.一种新型单片开关电源的设计 [J].电力电子技术:1999(6). |
第四代TOPSwitch?GX系列单片开关电源
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2022-10-12 09:25:16
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1403Nordic全新第四代低功耗无线SoC—— nRF54系列
高性能低功耗物联网无线连接领导厂商Nordic 半导体公司宣布推出第四代多协议系统级芯片(SoC)系列中的首款产品nRF54H20。
2023-06-06 12:46:15
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1802虹科新品 | HK&ATTO推出FastFrame™ 第四代智能以太网适配器系列
虹科新品HK&ATTO推出FastFrame第四代智能以太网适配器系列ATTOTechnology,Inc.是35多年来为数据密集型计算环境提供网络、存储连接和基础设施解决方案的全球领导者
2023-05-11 10:36:09
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1129
苹果第四代iPhone SE发布被推迟
现预计苹果自研的5G调制解调器要等到2025年才能进入大规模生产。因此,第四代iPhone SE的发布时间也会相应延后。第四代iPhone SE的计划也随之被推迟了。
2023-06-25 15:20:43
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2391国民技术第四代可信计算芯片NS350正式投入量产
2024年4月18日,国民技术第四代可信计算芯片NS350v32/v33系列产品正式发布并开始量产供货。NS350v32/v33是一款高安全、高性能、超值可信密码模块2.0(TCM2.0)安全芯片
2024-04-19 08:24:10
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Vishay推出采用PowerPAK 8x8LR封装的第四代600 VE系列功率MOSFET
Vishay 推出首款采用新型 PowerPAK 8 x 8 LR 封装的第四代 600 V E 系列功率MOSFET,为通信、工业和计算应用提供高效的高功率密度解决方案。
2024-05-10 11:47:42
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国民技术第四代可信计算芯片NS350投入量产
国民技术近日正式推出了其第四代可信计算芯片NS350 v32/v33系列,并已开始量产供货。这款芯片是高性能、高安全性的TCM 2.0安全芯片,能够满足PC、服务器平台和嵌入式系统等不同领域的需求。
2024-05-13 15:17:25
2303
2303Vishay推出第四代600 V E系列功率MOSFET
Vishay公司近日重磅推出了一款革命性的功率MOSFET产品——SiHR080N60E,它采用了新型的PowerPAK® 8 x 8 LR封装技术,标志着第四代600V E系列功率MOSFET的诞生。这一创新产品为通信、工业及计算领域带来了前所未有的高效高功率密度解决方案。
2024-05-14 15:33:38
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1341富士康,布局第四代半导体
来源:钜亨网 鸿海(富士康)研究院半导体所,携手阳明交大电子所,双方研究团队在第四代化合物半导体的关键技术上取得重大突破,提高了第四代半导体氧化镓 (Ga2O3) 在高压、高温应用领域的高压耐受性
2024-08-27 10:59:35
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1169意法半导体发布第四代SiC MOSFET技术
意法半导体(简称ST)近日宣布推出其第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技术,标志着公司在高效能半导体领域又迈出了重要一步。此次推出的第四代技术,在能效、功率密度和稳健性方面均树立了新的市场标杆,将为汽车和工业市场带来革命性的改变。
2024-10-10 18:27:33
1619
1619意法半导体第四代碳化硅功率技术问世
意法半导体(简称ST)推出第四代STPOWER碳化硅(SiC)MOSFET技术。第四代技术有望在能效、功率密度和稳健性三个方面成为新的市场标杆。在满足汽车和工业市场需求的同时,意法半导体还针对
2024-10-12 11:30:59
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2195TCL 再掀电视革新风暴,第四代液晶电视震撼登场
LED电视春季新品发布会,正式发布了第四代液晶电视Q10L系列,凭借万象分区、蝶翼华曜屏、极景·无黑边等核心技术,不仅终结了传统液晶电视的黑边时代,更以“真全面屏”形态重新定义了高端显示标准。 回顾液晶电视的发展历程,早期以超宽边框设计为主
2025-03-11 14:59:20
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762曝三星已量产第四代4nm芯片
据外媒曝料称三星已量产第四代4nm芯片。报道中称三星自从2021年首次量产4nm芯片以来,每年都在改进技术。三星现在使用的是其最新的第四代4nm工艺节点(SF4X)进行大规模生产。第四代4nm工艺
2025-03-12 16:07:17
13207
13207高通推出第四代骁龙8s移动平台
今日,高通技术公司宣布推出第四代骁龙8s移动平台,该平台专为追求出色娱乐体验和创作体验的用户打造,旨在将旗舰性能和先进特性带给更多消费者,并为手游玩家和创作者提供强劲支持。第四代骁龙8s能够确保终端持久运行,满足用户全天候的多样化需求,无论是随时随地畅玩游戏、享受影音娱乐体验,还是拍摄精彩瞬间。
2025-04-03 17:44:29
1785
1785高通推出第四代骁龙7移动平台
高通技术公司今日推出最新骁龙7系产品——第四代骁龙7移动平台。这一全新平台旨在增强用户喜爱的多媒体体验并提供全面的稳健性能。无论是利用先进图像处理功能拍摄珍贵瞬间,还是借助精选的Snapdragon
2025-05-19 15:02:14
1848
1848新唐科技发布第四代Gerda系列车用HMI显示IC
新唐科技日本有限公司 (NTCJ) 将于 2025 年 5 月开始量产第四代 Gerda 系列车用HMI[1]显示IC,共三款型号(Gerda-4M、Gerda-4L 和 Gerda-4C)。
2025-07-24 17:41:26
928
928派恩杰发布第四代SiC MOSFET系列产品
近日,派恩杰半导体正式发布基于第四代平面栅工艺的SiC MOSFET系列产品。该系列在750V电压平台下,5mm × 5mm芯片尺寸产品的导通电阻RDS(on)最低可达7mΩ,达到国际领先水平。相比上一代
2025-08-05 15:19:01
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Wolfspeed推出第四代高性能碳化硅MOSFET
Wolfspeed 推出第四代 (Gen 4) 1200 V 车规级碳化硅 (SiC) 裸芯片 MOSFET 系列,专为严苛的汽车环境设计。Wolfspeed 第四代高性能碳化硅 MOSFET,可在 185°C 下持续工作,助力动力总成系统实现最大性能。
2025-08-11 16:54:23
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2327派恩杰第四代碳化硅产品在AI基建的应用
在 AI 基建中,碳化硅(SiC)凭借高频高效、耐高温、高功率密度等特性,成为解决 “算力飙升与能耗、空间、散热瓶颈” 矛盾的核心材料。从数据中心的电源系统到边缘 AI 设备的稳定运行,派恩杰第四代碳化硅正深度渗透到 AI 基建的全链条。
2025-08-18 15:56:31
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1138小马智行与三一重卡及东风柳汽联合打造第四代自动驾驶卡车
11月19日,小马智行宣布与三一重卡、东风柳汽达成合作,将联合打造第四代自动驾驶卡车家族。第四代自动驾驶卡车系统采用平台化设计,具有极强的车型适配能力。
2025-11-21 15:51:41
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