M57957L/M57958LIGBT厚膜驱动器集成电路

M57957L/M57958LIGBT厚膜驱动器集成电路

1引脚排列与名称、功能及用法

M57957L与M57958L均采用单列直插式标准8脚厚膜集成电路封装。其外形和引脚排列如图1所示，各引脚的名称、功能及用法可参见表1所列。

2内部结构及工作原理简述

M57957L与M57958L的内部结构和工作原理如图2所示。由图可知，它们的内部集成有光耦、接口及功放单元。其工作原理可简述为：来自脉冲形成单元的驱动信号为高电平时光耦导通，接口电路把该信号整形后由功放级的两级达林顿NPN晶体管放大后输出，驱动功率IGBT模块导通。在驱动信号为低电平时光耦截止，此时接口电路输出亦为低电平，功放输出级PNP晶体管导通，给被驱动的功率IGBT栅?射极间施加以反向电压，使被驱动功率IGBT模块恢复关断状态。

表1M57957L/M57958L的引脚说明

图1M57957L/M57958L的引脚排列示图

（原图，未做格式转换）

图2M57957L/M57958L的内部结构及工作原理图

图3M57957L与M57958L的典型应用接线图

图4M57957L与M57958L的典型工作波形

3主要设计特点、极限参数、电参数及推荐工作条件

3?1主要设计特点

（1）功耗较小，可以采用密集型的单列直插式厚

膜电路封装；

（2）单电源工作，供电极为简化；

（3）外接串联电阻可输入CMOS信号，输入信号

与TTL电平兼容；

（4）内置高速光电耦合器，可隔离2500V、50Hz

的交流电压。

3?2极限参数、电参数及推荐工作条件

M57957L与M57958L的极限工作参数如表2所列。

表2M57957L/M57958L的极限参数(Ta=25°C)

4应用技术

M57957L与M57958L的上述结构和原理，决定了它可以用于单管IGBT模块的驱动中。图3给出了这种应用的典型接线图，图4给出了其典型工作波形。

表3M57957L与M57958L的电性能参数(Ta=25°C、VCC=15V、VEE=－10V)

应注意的是,栅极串联电阻Rext的值应与在有关IGBT模块数据表中推荐的栅极电阻值相同。

5结语

M57957L/M57958L内部集成有可在输入与输出之间实现良好电气隔离的光电隔离器，所以可对被驱动的IGBT模块实现可靠的驱动。M57957L可用来直接驱动Vces=600V系列的电流容量在200A以内的IGBT模块及Vces=1200V系列的电流容量在100A以内的IGBT模块；而M57958L可用来直接驱动Vces=600V系列的电流容量在400A以内的IGBT模块及Vces=1200V系列的电流容量在200A以内的IGBT模块。它们均采用双电源驱动技术，输入信号与TTL电平兼容，且采用单列直插式厚膜集成电路封装。