摘要:为大幅度提高小功率反激开关电源的整机效率,可选用副边同步整流技术取代原肖特基二极管整流器。它是提高低压直流输出开关稳压电源性能的最有效方法之一。 关键词:反激变换器;副边同步整流控制器STSR3;高效率变换器
1 概述 本文给出ST公司2003年新推出的开关电源IC产品STSR3应用电路分析。它是反激变换器副边同步整流控制器,具有数字控制的智能IC驱动器。采用STSR3作同步整流控制芯片的反激变换器基本电路简化结构见图1。STSR3的内部功能方框见图2,其引脚排列见图3。
图1 STSR3典型应用电路简化示意图
图2 STSR3内部功能方框图
图3 STSR3各引脚排列图 STSR3智能驱动器IC可提供大电流输出,以正常地驱动副边的功率MOSFET,使之作为大电流输出的高效率反激变换器中的同步整流器。根据取自隔离变压器副边的一个同步时钟输入,IC产生一个驱动信号,它具有与原边PWM信号相关的死区时间设置。 在原边开关导通时,IC的工作可防止副边发生错误状态,它提供预期的输出截止状态。这个智能的功能实现了快速的逐周逻辑控制机制,它是建立在高频振荡器由时钟脉冲信号来同步。该项预置可由IC外部元件来调节。 经传感检测同步整流器的源极—漏极电压脉冲。这个特殊的禁止功能可以关闭驱动输出,因此当有必要时即刻关掉它。该特性使电源能工作在非连续导通模式下,及避免与变换器并联工作的同步整流器反向导通。 STSR3允许开关电源工作在非连续模式PWM,连续模式PWM,以及在准谐振状态的反激变换器,均能实现同步整流任务。 STSR3的封装如图3所示的SO-8片状部件,各引脚的符号与功能概述如下: 脚1 N/C,它并不接内电路; 脚2 VCC,供电输入4~5.5V; 脚3 SETANT,设置预期的关断输出; 脚4 CK,为IC工作的同步信号; 脚5 INHIBT,接非连续模式检测器; 脚6 SGLGND,所有控制逻辑信号的基准地线; 脚7 OUTGATE,输出去MOSFET栅极驱动; 脚8 PWRGND,功率信号的基准地电平。 2 STSR3的应用电路分析 STSR3同步整流器控制器具体应用于一种90W笔记本电脑稳压电源的实际电路见图4,其直流输出为+19V,4.74A。开关电源是反激式变换器,原边主芯片采用复合PFC/PWM新品CM6805。图4中给出了详细的阻容数值。下面分别介绍STSR3在电路设计上的一些特点。
图4 采用STSR3作副边同步整流控制器的实际应用电路图之一 2.1 IC供电Vcc和欠压闭锁输出 STSR3的Vcc供电范围是4~5.5V,其内部有一个齐纳二极管限制最大的供电电压为5?8V。需要外接一只100nF瓷介电容器连在脚2(Vcc)与脚6(SGLGND)之间,以确保稳定供电。该高频电容器应尽量紧靠芯片。而用另一只100nF瓷介电容器接在脚2(Vcc)与脚8(PWMGND)之间。欠压闭锁输出特性保证了正常的起动,避免了万一在Vcc过低时不希望的驱动工作状态。Vcc电压也供给输出端驱动器,因此最大的驱动电压设在5.5V,所以推荐用逻辑栅极门限电平的MOSFET。 2.2 同步工作状态 STSR3具有一种革新的特性,即内在设计使STSR3能工作在副边没有任何来自原边的同步信号条件下。STSR3的同步是直接从副边获得的,它利用同步开关管MOSFET两端上施加的电压脉冲,作为开关转换的传递信息。图2中同步信号从脚4(CK)输入,芯片内部的门限电平设置在2.6V。在CK的输入端接一个峰值检波器,该单元电路能够辨别原边MOSFET开关转换感应信号以及之后出现的正弦波形。它由非连续模式工作或者谐振复位形态引起,如图5之中的死区时间内波形所示。 (a) 峰值检波器输入
(b) 峰值检波器输出 图5 非连续模式DCM工作波形 2.3 连续导通模式 当反激变换器工作在连续导通模式(CCM)时,在同步MOSFET开关管源极与漏极之间的电压脉冲已变为矩形波状,如图6所示。该电压可以用两种不同的方式加到芯片脚CK上:一是用图7中的电阻分压器方法;二是用图8中的一只二极管和拉住电阻器方法。在大多数情况下,当同步MOSFETA管关断截止时,在电压脉冲波形上会出现一个尖峰信号。在芯片脚CK输入端,必须先消除这一尖峰电压,以避免导致虚假同步触发。在采用电阻分压器R1及R2时,可再增加一只C1高频小电容器来消除尖峰电压突起,如图7所示。
图6 连续导通模式(CCM)波形 图7 用电阻分压器的同步电路 图8 用二极管D1和R1给脚4(CK)脉冲输入 反激变换器用于电信的一个典型例子,就是直流输入电压具有1:2的可变性范围,典型值为36~72V。因此,副边绕组电压也有1:2的可变范围。那么在36V输入时,由分压电阻器可计算出在脚CK的电压约为2?8V;而当直流输入为72V时,则脚CK电压达到5?6V。即使该值高于脚CK的最大电压也是可以接受的,因为它限制了流入该脚的电流为10mA。 电容器C1的数值取决于同步MOSFET管关断尖峰的幅度,并随R1的数值而变化。为了减小因R1和C1两者引起的延迟,应选用最小的电容值。 在用电源适配器的反激变换器时,其电网输入工作电压为AC85~270V,它的可变范围是1:3。在电网输入电压最低时,必须保证脚CK的电压为2.8V;因此当电网输入电压为最高值时,电压将达到8.9V,或者更高些。该电压值超过了器件允许的最大值。如果通过R1限制流入脚CK的电流值,使之低于脚CK允许的最大电流值,那么芯片仍然可以正常地工作。否则,必须加接二极管D1,以保护芯片不受损。 图8给出了用二极管D1和R1拉住电阻器的同步电路图,用这种电路不存在关断尖峰和脚CK最高电压的问题。由于同步整流器的漏极电压出现振铃,故该电路不能在非连续状态下正常工作。 通过增设一只NPN晶体管接在脚CK与脚SGLGND之间,如图9所示,用一只二极管和拉住电阻器去同步STSR3的关断电路,用Q1和R2接法来等效于电阻分压器电路,可以容易地关断STSR3。当图9中信号“OFF”为高电平时,该三极管导通,迫使脚CK降到地电平。在这种条件下,OUTGATE脚将变为低电平状态,从而关断同步MOSFET开关管。
图9 芯片增设的外部关闭电路 2.4 非连续导通模式 正如前面图5所示,在非连续模式工作状态下,当检测原边开关转换信号时,可能会存在一些问题。芯片内部的峰值检波器,只能确定脚CK达到的峰值,而忽略其他所有较低值的信号。查看图5可知,应确保开关转换波形与正弦波之间最小的电压差为V1=400mV时,也能让峰值检波器正常地工作。正像前面的叙述中提到的,如果输入电压可变范围大于1:2,那么就必须增加二极管D1,来箝位脚CK上的电压。在这种条件下,无论是开关转换波形,还是正弦波形都被箝位,使峰值检波器不能正确工作,则易产生如图10所示STSR3错误触发时的驱动脉冲波形。这时若采用一个如图11中所示的外部峰值检波器电路,就能解决问题,使芯片在连续或非连续模式下均能正确工作。
(a) 峰值检波器输入
(b) 峰值检波器输出 图10 错误箝位的异常驱动输出 图11 外部加设的峰值检波器电路 2.5 外部峰值检测器 当输入电压可变范围高于1:2时,可用图11外峰值钟检测器,取代前面图7中电路,以保证STSR3在非连续或连续导通模式下均正确工作,它向脚CK供纯净的矩形波。 R20是一只拉住电阻器,当同步整流MOSFET导通或者它的体二极管导通时,图11中V1电压值是低电平。当MOSFET截止时(对应于原边的开关时间),电压V1在5V值。图11中的R22和C10构成一个低通滤波器,甚至当振铃脉冲几乎为零值时(见图12中波形),它也能具备正确的同步信号。但是,R22和C10又会引起不希望的延迟时间,所以,再增加R21和C9组合电路,就能在快速开关转换时减小该延迟。ST公司的逻辑器件74V1T70可消除噪声,防止它误触发STSR3内部的峰值检波器。在后面的叙述中会给出该电路的建议值。
图12 当振铃电压接近零值时可能会引起IC错误触发 2.6 禁止工作电路 在二极管整流与同步整流之间存在着一种差异,即MOSFET导通时电流可能双向流动,而二极管导通时电流只呈单方向。在非连续模式用二极管整流时,当电感器的电流降到零值,它也不能反向流动,若用MOSFET做整流器,当电感电流降到零,它将继续减小变为负值,并从同步MOSFET漏极流向源极。在这种条件下,变换器好像就工作在连续模式。 若需工作在非连续模式,则当电感电流为零时,同步MOSFET应截止,故体二极管作共用整流器,避免电感电流反向。当该电流接近0时,脚INHIBIT能关断同步MOS,使变换器工作在非连续模式。 芯片在脚INHIBIT的内部接了一个门限电平为-25mV的比较器。该脚外部通过一只电阻器接到同步MOSFET的漏极。在开始截止时间(此时CK处于低电平),OUTGATE处于高电平。INHIBIT电压的监控时间为250ns:如果脚INHIBIT上的电压高于-25mV,那么OUTGATE变为低电平;如果脚INHIBIT电压低于-25mV,那么OUTGATE保持高电平,直到其电压达到-25mV为止。这是由于当同步MOSFET导通时,其漏极上电压为VDS=-RDS(ON)×ID。如果VDS高于-25mV,这就意味电流在减小,并且接近非连续模式,所以OUTGATE关断,让MOSFET的体二极管工作,见图13。当变换器在连续模式时,脚INHIBIT电压总是低于-25mV,则OUTGATE保持高电平。
(a) 同步整流MOSFET源极—漏极电压
(b) 电感电流 (c) 禁止INHIBIT工作电压
(d) 同步整流MOSFET栅极电压 图13 禁止电路工作波形 在原边MOSFET转换到关断期间,脚INHIBIT电压应在250ns之内从高降到-25mV。选择R26阻值应适合该特性。当变换器与其他电源并联工作时,脚INHIBIT检测同步MOSFET两端电压,也避免变换器从输出端吸入电流。 虽然脚INHIBIT允许工作在非连续模式,但是在原边开关管关断期间,-25mV门限电平对同步整流MOSFET漏极出现的振铃,可能是敏感的,会引起不完全的OUTGATE导通。利用时钟信号提供负极性电压加到脚INHIBIT起消隐时间作用,就能避免这一不恰当的情况。采用图14中所示的一些元器件,可容易地产生该负极性电压。消隐时间值由C11和R25确定。它对覆盖振铃时间结束是必要的,图15中的振铃信号由原边开关截止时引起。(待续) 图14 给INHIBIT提供负极性电压的电路
图15 关断原边开关管时的振铃波形 |
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零电压开通,电路的结构如图1所示,和传统的采用同步整流的反激变换器完全相同,只是控制的方式不一样,工作的原理分析如下。图1:输出反灌电流零电压软开关反激变换器图2:输出反灌电流零电压软开关反激变换器
2021-05-21 06:00:00
连续电流模式反激变压器的设计
反激式变换器以其电路结构简单,成本低廉而深受广大开发工程师的喜爱,它特别适合小功率电源以及各种电源适配器.但是反激式变换器的设计难点是变压器的设计,因为输入电压范围宽,特别是在低输入电压,满负载
2023-09-28 07:07:09
零基础如何入门学习电源?带你从反激变压器开始了解
反激变换器,从控制到输出的传函,由公式 40 可知,有一个右半平面零点,它在提升幅值的同时,带来了 90°的相位衰减,这个零点不是我们想要的,设计时应保证带宽频率不超过右半平面零点频率的 1/3;由
2020-07-11 07:00:00
高效率反激变换器设计技巧分享
漏感问题是反激变换器的基本问题。漏感是硬伤。要实现高效率,控制漏感是重头戏。先做好漏感,再说其余。漏感有多大?意味着能量传递损失多大,变换器效率损失有多大,钳位电路热损耗有多大。这都是额外的,其他变换器没有的。
2023-09-19 07:44:19
高频共模电流、电压和阻抗的测量 —— 以反激变换器为例
为例,来谈论怎样得到准确的测量结果。02反激变换器高频共模电流的测量下图左图为反激变换器的拓扑及共模电流路径。在共模路径上,原边主要有共模滤波器,整流桥,电解电容等;共模电流通过变压器流到副边,并流到
2021-12-21 07:00:00
反激拓扑副边同步整流功率开关5V2A同步整流芯片U7710&U7711
U7710&U7711同步整流芯片是一款用于替代反激变换器中副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关,内置超低导通阻抗功率 MOSFET 以提升系统效率。U7710&U7711同步整流芯片支持“浮
2022-10-31 16:50:14
反激变换器副边同步整流控制器STSR3应用电路详解(2)
反激变换器副边同步整流控制器STSR3应用电路详解(2)
摘要:为大幅度提高小功率反激开关电源的整机效率,可选用副边同步整流技术取代原肖特基二极管整流器。
2009-07-06 09:09:121538
新型反激变换器准谐振控制器ICE1QS01及其应用电路与设计
新型反激变换器准谐振控制器ICE1QS01及其应用电路与设计
摘要:ICE1QS01是一种支持低功率待机和功率因数校正(PFC)的开关电源准谐
2009-07-11 10:04:081748
同步整流实现反激变换器设计
详细分析了同步整流反激变换器的工作原理和该驱动电路的工作原理,并在此基础上设计了100V~375VDC 输入,12V/4A 输出的同步整流反激变换器,工作于电流断续模式,控制芯片选用UC3842,
2011-08-30 14:35:366067
正激变换器同步整流驱动方法分析
本文对正激变换器同步整流的内驱动、外驱动方法的工作原理进行了比较分析。讨论了提高同步整流效率应采取的措施。 并得出结论,同步整流是低压、大电流电源中提高效率的有效方法。
2016-05-11 15:26:219
基于输出反灌电流的ZVS软开关反激变换器的原理和应用
开通,电路的结构如图1所示,和传统的采用同步整流的反激变换器完全相同,只是控制的方式不一样,工作的原理分析如下。
2022-03-25 09:43:0013941
LT3752LT8311演示电路-带同步整流的有源箝位正激变换器(36-72V至12V@12A)
LT3752LT8311演示电路-带同步整流的有源箝位正激变换器(36-72V至12V@12A)
2021-06-02 14:30:183
LTC3765LTC3766演示电路-120W隔离正激变换器,带同步整流(9-36V至12V@10A)
LTC3765LTC3766演示电路-120W隔离正激变换器,带同步整流(9-36V至12V@10A)
2021-06-05 16:03:198
AS7212AP替代反激变换器中副边肖特基二极管高性能同步整流功率开关
AS7212AP是一款用于替代反激变换器中 副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关 ,内置60V超低导通阻抗功率 MOSFET 以提升系 统效率。支持 “High Side 浮地”和“Low
2023-10-14 15:55:53
AS7211AP替代反激变换器中副边肖特基二极管同步整流功率开关内置60V超低导通阻抗功率MOSFET
AS7211AP是一款用于替代反激变换器中 副边肖特基二极管的高性能同步整流功率开关, 内置60V超低导通阻抗功率 MOSFET 以提升 系统效率。支持 “High Side 浮地”和“Low
2023-10-14 16:01:31
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