本文探讨了在SiC MOSFET应用中需要考虑的可能致使功率器件处于雪崩状态的工作条件。
2020-08-10 17:11:00
1712 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/C3/9E/o4YBAF8tGkWAfUI4AACYw1aRF48707.png)
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有二种:平面结构和沟槽结构。平面SiC MOSFET的结构,如图1所示。这种结构的特点是工艺简单,单元的一致性较好,雪崩能量比较高。但是,这种结构
2023-02-12 16:03:09
3214 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/90/38/poYBAGPom2uAIt3OAABVtekaK5E213.png)
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,会造成击穿并引发雪崩击穿。
2023-04-15 17:31:58
955 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/0B/wKgZomQ6bzGAUY_zAAClnqXaVq8326.png)
雪崩强度是MOSFET的一种特性。在MOSFET的漏极和源极之间施加超过VDSS的电压,但是MOSFET的性能没有被破坏。此时施加在其上的能量称为雪崩能量[Avalanche energy],流过的电流称为雪崩电流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保证雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24
502 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A2/65/wKgaomTv-CeAevSAAABgHQ7e-1g936.jpg)
当功率器件PN结的反向电压增大到某一数值后,半导体内载流子通过碰撞电离开始倍增,这一现象与宏观世界中高山雪崩是很像的,所以我们称之为雪崩击穿。
2023-11-23 16:22:27
572 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B2/61/wKgZomVfC5SAT-osAAA0kKrRrgc93.jpeg)
在关断状态下,功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-02-23 09:38:53
343 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/9D/wKgaomXX93qAF3UNAAAAjgjvZ2U890.png)
当功率器件承受的雪崩耐量超过极限后,芯片最终会损坏,然而单脉冲雪崩与重复雪崩的失效机理并不相同。
2024-02-25 15:48:08
1123 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C0/E9/wKgZomXa68CAQN7sAAA6KAkpYD8566.jpg)
功率MOSFET的雪崩损坏有三种模式:热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2024-02-25 16:16:35
487 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/D9/wKgaomXa8ZOAUT0mAABIluUiYp0778.jpg)
不同的等式。有效电容值代表的是相同充电时间或充电能量(可高至给定电压)条件下的结果。这些值考虑到电容变化,而无需使用复杂的公式或像公式1所要求的积分。图1:根据公式1计算的平面型MOSFET输出电容图2:根据
2014-10-08 12:00:39
雪崩能量)中电感器增加的尺寸抵消,这样的话,尽管电流减少了,这个值实际上是增加了。表1中说明了这个关系,其中列出了从测试中的TI CSD18502KCS 60V NexFET™ 功率MOSFET器件中
2018-09-05 15:37:26
MOSFET是指的什么?MOSFET的特性是什么?MOSFET有哪些应用?
2021-07-09 07:45:34
MOSFET的失效机理至此,我们已经介绍了MOSFET的SOA失效、MOSFET的雪崩失效和MOSFET的dV/dt失效。要想安全使用MOSFET,首先不能超过MOSFET规格书中的绝对最大
2022-07-26 18:06:41
雪崩从而发生损坏。不同于三极管和IGBT,功率MOSFET具有抗雪崩的能力,而且很多大的半导体公司功率MOSFET的雪崩能量在生产线上是全检的、100%检测,也就是在数据中这是一个可以保证的测量值,雪崩
2017-11-15 08:14:38
` 谁来阐述一下mosfet选型什么参数优先考虑?`
2019-10-29 16:30:15
雪崩二极管的原理雪崩二极管的作用
2021-03-10 07:05:13
雪崩二极管如何帮助防止过电压?雪崩二极管的噪声是如何产生的?
2021-06-18 09:24:06
电二极管施加相对高(约20v)的反向偏置或反向电压,加速高能量的电子。这些电子和空穴与中性原子碰撞,将它们与其他结合的电子和空穴分开。这被称为导致雪崩作用的次要机制。结果,单个光子最终会产生许多电荷
2023-02-06 14:15:47
上产生的电压超过MOSFET击穿电压后,将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时,即使 MOSFET处于关断状态,电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量与杂散电感上存储,由MOSFET消散
2020-07-23 07:23:18
产生的电压超过MOSFET击穿电压后,将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时,即使 MOSFET处于关断状态,电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量与杂散电感上存储,由MOSFET消散
2019-08-20 07:00:00
)的应用非常重要。设计人员在评估高边放电 MOSFET 选择时考虑的其他因素包括:● 较高的雪崩能力。当快速隔离大电流负载时,通常会在电池故障保护机制下。断开时常触发的事件,高雪崩能量可能会
2022-10-28 16:18:03
与IGBT相比,SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻,非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是,在实际应用中,工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
器件。雪崩坚固耐用评估SiC MOSFET的另一个重要参数是雪崩耐用性,通过非钳位感应开关(UIS)测试进行评估。雪崩能量显示MOSFET能够承受驱动感性负载时有时会产生的瞬态。Littelfuse
2019-07-30 15:15:17
导通电阻,提供出色的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件非常适合于高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正。推荐产品:TSD5N65M;TSU5N65M;TSD5N50MR
2020-04-30 15:13:55
:UIS实测正常波形图4、雪崩能量对实际应用的影响MOSFET应用过程中,如果其D和S极之间可能产生较大电压的尖峰,则需考虑器件的雪崩能量大小。电压达到雪崩击穿电压时所集中的能量主要由电感和电流大小决定
2019-08-29 10:02:12
,因为Qg会影响开关损耗。这些损耗有两个方面影响:一个是影响MOSFET导通和关闭的转换时间;另一个是每次开关过程中对栅极电容充电所需的能量。要牢记的一点是,Qg取决于栅源电压,即使用更低的Vgs可以
2019-09-04 07:00:00
在MOSFET漏源之间,导致的一种失效模式。简而言之就是由于就是MOSFET漏源极的电压超过其规定电压值并达到一定的能量限度而导致的一种常见的失效模式。下面的图片为雪崩测试的等效原理图,做为电源工程师可以
2018-08-15 17:06:21
产生的电压超过MOSFET击穿电压后,将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时,即使 MOSFET处于关断状态,电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量与杂散电感上存储,由MOSFET消散
2019-11-15 07:00:00
强度足够大时,自由电子不断撞击介质内的离子,并把能量传递给离子使之电离,从而产生新的次级电子,这些次级电子在电场中获得能量而加速运动,又撞击并电离更多的离子,产生更多的次级电子,如此连锁反应,如同雪崩
2022-03-27 10:15:25
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR,同时标注了测量条件,通常有起始温度25C,最高结温150C或者175C,以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率,这些测量的条件
2017-09-22 11:44:39
`功率Mosfet参数介绍V(BR)DSS(有时候叫做BVDSS)是指在特定的温度和栅源短接情况下,流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。V(BR)DSS是正
2012-01-12 16:12:20
的应用中要结合这些因素综合考虑。很多资料和文献中经常提到:如果系统中功率MOSFET的VDS的最高尖峰电压如果大于BVDSS,即便这个尖峰脉冲电压的持续只有几个或几十个ns,功率MOSFET也会进入雪崩
2019-04-04 06:30:00
, MOSFET的雪崩能量不能太小。 小结 在电动车磷酸铁锂电池保护应用中,短路保护设计和整个系统的可靠性直接相关,因此不但要选择合适的功率MOSFET,而且要设计合适的驱动电路,才能保证功率MOSFET的安全工作。
2018-09-30 16:14:38
看懂MOSFET数据表,第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来,无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在
2022-11-18 06:39:27
雪崩能量)中电感器增加的尺寸抵消,这样的话,尽管电流减少了,这个值实际上是增加了。表1中说明了这个关系,其中列出了从测试中的TICSD18502KCS 60V NexFET™ 功率MOSFET器件中搜集
2015-11-19 15:46:13
℃的工作温度、漏极和源极不发生雪崩击穿时,所能施加的最大的额定电压,测试的电路如图1所示。关于雪崩击穿问题将在雪崩能量的相关章节专门的讨论。 图1:BVDSS测试电路功率MOSFET的耐压由结构中低掺杂层
2016-09-06 15:41:04
如何判断SW节点的振铃是否在MOSFET承受范围内?TI的许多集成MOSFET的同步降压芯片只标注了Vin的电压规格,对于集成的MOSFET的雪崩击穿能量等没有详细的参数,现在发现一个
2019-04-08 11:57:50
获得的能量减小,发生碰撞电离的可能性也相应减小。在这种情况下,只有提高反向电压,进一步增强电场才能发生雪崩击穿,因此雪崩击穿电压随温度升高而提高,具有正的温度系数。MOSFET 耐压的测量基于一定的漏
2020-03-24 07:00:00
讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。当在
2011-08-17 14:18:59
开关。在低压侧开关中,应采用N沟道MOSFET,这是出于对关闭或导通器件所需电压的考虑。当MOSFET连接到总线及负载接地时,就要用高压侧开关。通常会在这个拓扑中采用P沟道MOSFET,这也是出于
2013-03-11 10:49:22
的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。MOSFET的选择MOSFET有两大类
2012-10-30 21:45:40
的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。MOSFET的选择MOSFET有两大类
2012-10-31 21:27:48
请问:驱动功率MOSFET,IBGT,SiC MOSFET的PCB布局需要考虑哪些因素?
2019-07-31 10:13:38
介绍了无载波脉冲探地雷达的现状及雪崩三极管一般工作原理,并且对其雪崩过程提出了一种新的仿真思路。介绍了一种双极性雪崩三极管脉冲产生器电路;电路采用双管并联以增大输
2010-07-31 10:33:56
28
功率MOSFET雪崩击穿问题分析
摘要:分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因,以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的
2009-07-06 13:49:38
5513 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/1B/wKgZomUMNvSAWcwOAAADM1RIIbQ616.JPG)
雪崩二极管
2009-11-07 08:35:56
801 安森美半导体推出12款新N沟道功率MOSFET系列
经过100%雪崩测试的MOSFET提供业界领先的雪崩额定值,能承受电源和电机控制应用中的大电压尖峰
2010年2月2日 – 应用
2010-02-03 10:13:15
1095 雪崩二极管,雪崩二极管是什么意思
雪崩二极管
PN结有单向导电性,正向电阻小,反向电阻很大。
2010-02-27 11:34:37
4633 雪崩光电二极管,雪崩光电二极管是什么意思
英文缩写: APD (A
2010-02-27 11:36:39
1155 雪崩击穿,雪崩击穿是什么意思
在材料掺杂浓度较低的PN结中,当PN结反向电压增加时,空间电荷区中的电场随着增强。这样,通过空
2010-02-27 11:49:25
3288 雪崩渡越时间二极管,雪崩渡越时间二极管是什么意思
雪崩二极管,亦称为“碰撞雪崩渡越时间二极管”。是一种在外加电压作用下可以产生超高频
2010-03-05 09:46:33
2327 雪崩渡越时间二极管振荡器是什么?
雪崩二极管,亦称为“碰撞雪崩渡越时间二极管”。是一种在外加电压作用下可以产生超高频振荡的半导体二极
2010-03-05 10:23:24
1181 MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩
2010-04-26 18:19:13
5530 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/92/wKgZomUMOQ6AVxSsAAAbdKp1uz0926.jpg)
在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩电流IAR,重复脉冲雪崩能量EAR等参数,而许多电子工程师在设计电源系统的过程中,很少考虑到这些参数与电源系统的应用有
2011-09-02 10:49:14
2039 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/FB/wKgZomUMOyKAbK2nAAAJJTRVKbg992.jpg)
考虑器件的雪崩能量,电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定,因此对于反激的应用场合,电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下,功率器件都会降额,从而留有足够的电压余量,但是一些电源在输出短路
2018-06-20 12:06:54
12436 理解MOSFET数据手册中的雪崩能量等级
2018-08-16 01:54:00
3493 雪崩击穿是在电场作用下,载流子能量增大,不断与晶体原子相碰,使共价键中的电子激发形成自由电子-空穴对。新产生的载流子又通过碰撞产生自由电子-空穴对,这就是倍增效应。1生2,2生4,像雪崩一样增加载流子。
2018-08-20 09:05:09
21344 体二极管,而沟道电流为零。 在开关管雪崩击穿过程中,能量集中在功率器件各耗散层和沟道中,在寄生三极管激活导通发生二次击穿时,MOSFET会伴随急剧的发热现象,这是能量释放的表现。雪崩电流在功率MOS
2019-04-28 19:24:33
8390 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/8D/F3/o4YBAFywB_2AM4WlAAClD7GD8Ng847.png)
雪崩二极管是利用半导体PN结中的雪崩倍增效应及载流子的渡越时间效应产生微波振荡的半导体器件。如果在二极管两端加上足够大的反向电压,使得空间电荷区展宽,从N+P结处一直展宽到IP+结处。
2019-12-06 13:50:09
18730 本文档的主要内容详细介绍的是如何理解功率MOSFET规格书之雪崩特性和体二极管参数的详细资料说明。
2020-03-07 08:00:00
19 早在80年代中期,功率MOSFET制造商就开始宣称一个新的突出特点:雪崩的坚固性。突然间,新的设备家族进化了,所有这些都有了“新”的特性。实现起来相当简单:垂直MOSFET结构有一个不可消除的整体
2020-06-08 08:00:00
5 本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估 SiC MOSFET 的鲁棒性。MOSFET 功率变换器,特别是电动汽车驱动电机功率变换器,需要能够耐受一定的工作条件。如果器件在续流导通期间出现失效或栅极驱动命令信号错误,就会致使变换器功率开关管在雪崩条件下工作。
2020-08-09 10:33:00
1724 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/C3/F3/pIYBAF8ra7eAcA1nAACv3BAxmh8869.png)
通常,在功率MOSFET的数据表中的第一页,列出了连续漏极电流ID,脉冲漏极电流IDM,雪崩电流IAV的额定值,然后对于许多电子工程师来说,他们对于这些电流值的定义以及在实际的设计过程中,它们
2021-03-11 10:53:36
2724 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/E4/D9/pIYBAGBJhw-AYDI-AAAmeWTjAhE123.png)
一些功率半导体器件设计为在有限时间内承受一定量的雪崩电流,因此可以达到雪崩额定值。其他人会在雪崩开始后很快失败。性能差异源于特定的设备物理、设计和制造。
2021-06-23 14:28:22
2238 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/02/C2/poYBAGDS1OGAAwr_AAA3FMFp8J4260.png)
为了使他们的产品看起来更吸引人而玩儿的文字游戏所糊弄。
看懂MOSFET数据表,第1部分—UIS/雪崩额定值
自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来,无钳位电感开关
2021-11-24 11:22:31
4298 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/1C/3D/pYYBAGGKZJuACqtsAAA9tqh8wFY916.jpg)
Nexperia全新POWER MOSFET工程师设计指南 认识理解功率 MOSFET 数据手册中的参数 功率 MOSFET 单次和重复雪崩强度限值 RC 热阻模型的使用 基于 LFPAK 封装的 MOSFET 热设
2022-04-07 11:40:22
0 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时,自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离,从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩
2022-04-19 15:10:24
3287 雪崩电流IAS和IAR :下图ID峰值 单次雪崩能量EAS:一次性雪崩期间所能承受的能量, 以Tch<=150℃ 为极限 重复雪崩能量EAR:所能承受以一定频率反复出现的雪崩能量, 以Tch<=150℃ 为极限
2022-05-09 11:18:40
1 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,会造成击穿并引发雪崩击穿。
2022-05-16 15:05:58
3621 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/43/DF/pYYBAGKB99iAAQNYAAABuSuYM5Q346.gif)
看懂MOSFET数据表,第1部分—UIS/雪崩额定值
2022-11-03 08:04:45
4 快速充电器设计中对功率 MOSFET 的考虑
2022-11-14 21:08:35
0 功率器件作为电力电子装置的核心器件,其在设计使用过程中的鲁棒性能一直是工程师关心的问题,雪崩能力其中一个很重要的指标,如何理解雪崩,单次雪崩和重复雪崩是如何定义的,以及雪崩会带来哪些危害
2023-02-06 13:54:24
2408 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8E/73/poYBAGPglbqAQWGcAAADZGp1EE4977.jpg)
LFPAK56D 中的 N 沟道 60 V、12.5 mOhm、逻辑电平 MOSFET,使用针对重复雪崩增强的 TrenchMOS 技术-PSMN012-60HL
2023-02-08 19:06:51
0 功率 MOSFET 单次和重复雪崩耐用性等级-AN10273
2023-02-09 19:23:42
2 当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时,自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离,从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩
2023-02-13 09:30:07
1298 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8C/67/poYBAGPbjsuAK1o7AABfnHnnbPA620.png)
采用重复雪崩技术的 LFPAK56D 中的双 N 沟道 60 V、35 mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K35-60RA
2023-02-17 19:06:54
0 采用重复雪崩技术的 LFPAK56D 中的双 N 沟道 60 V、55 mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K52-60RA
2023-02-17 19:07:05
0 采用重复雪崩技术的 LFPAK56D 中的双 N 沟道 40 V、29 mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K25-40RA
2023-02-17 19:07:21
0 采用重复雪崩技术的 LFPAK56D 中的双 N 沟道 60 V、12.5 mOhm 逻辑电平 MOSFET-山毛榉9K13-60RA
2023-02-17 19:07:32
0 单光子探测器是一种可检测单个光子能量的高灵敏度器件。按工作原理不同,单光子探测器可分为光电倍增管(PMT)、超导单光子探测器(SSPD)和单光子雪崩光电二极管(SPAD)。
2023-04-15 16:00:59
1405 电压摆幅在MOSFET击穿电压之上,从而激活了其内在的寄生双极晶体管,并在FET上出现有效的雪崩效应。这项测试重复进行,电流逐渐增加,直到开始的泄漏测试失败,表明器件已被损坏。
2023-04-17 09:45:06
1407 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/9F/ED/pYYBAGQ8pKCAWUcmAAA9tqh8wFY580.jpg)
功率MOSFET的雪崩强度限值是衡量器件针对于感性负载在开关动作应用中的重要参数。 清楚地理解雪崩强度的定义,失效的现象及评估的方法是功率MOSFET电路设计必备的能力。 本文将以下面三个方面进行探讨。
2023-05-15 16:17:45
1134 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/C7/wKgaomRh6jyAdlC5AABfPtUYI0I353.jpg)
EAS单脉冲雪崩击穿能量, EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。以低于Tj(max)为极限。
2023-05-24 09:51:30
2765 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/88/99/wKgaomRtbfiAV_6tAAAikUFzsY8752.png)
SiC功率MOSFET内部晶胞单元的结构,主要有二种:平面结构和沟槽结构。平面SiCMOSFET的结构,如图1所示。这种结构的特点是工艺简单,单元的一致性较好,雪崩能量比较高。但是,这种结构的中间
2023-06-19 16:39:46
7 功率MOSFET的UIS雪崩损坏有三种模式:热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2023-06-29 15:40:54
1276 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8B/B2/wKgZomSdNWmAaxkCAAAr56vhWUQ280.jpg)
MOSFET是电路中非常常见的元件,常用于信号开关、功率开关、电平转换等各种用途。由于MOSFET的型号众多,应用面广,本文将详细介绍MOSFET选型原则以及mosfet选型要考虑的因素。
2023-07-20 16:33:44
734 电子发烧友网站提供《SBR雪崩能量应用笔记.pdf》资料免费下载
2023-07-25 17:37:30
0 功率MOSFET有两种类型:N沟道和P沟道,在系统设计的过程中选择N管还是P管,要针对实际的应用具体来选择,N沟道MOSFET选择的型号多,成本低;P沟道MOSFET选择的型号较少,成本高。
2023-08-25 10:07:56
188 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/9E/AB/wKgaomToDcCAcqzbAAA6ddnTBmw277.png)
单光子雪崩二极管(SPAD)的关键特征是能够探测单个光子并提供数字信号输出。
2023-11-21 09:17:39
588 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AF/C1/wKgaomVcBZSAdrQEAAAVVG4JrVA228.jpg)
什么是雪崩失效
2023-12-06 17:37:53
294 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B1/E8/wKgZomVdksCAZFK7AABMh7qtvrY031.png)
【科普小贴士】MOSFET的性能:雪崩能力
2023-12-07 16:46:47
426 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B1/EC/wKgZomVdmBaAJhRRAAFYnr4kKbM381.png)
什么是雪崩击穿?单脉冲雪崩与重复雪崩有何不同?雪崩击穿失效机理是什么? 雪崩击穿是指在电力系统中,由于过电压等原因导致绝缘击穿,进而引发设备失效的一种故障现象。在电力系统中,绝缘是保证设备正常运行
2023-11-24 14:15:36
820 功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36
315 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B4/3C/wKgZomVtbi-AOacbAAAet1kpjK0328.png)
EAS 表示单脉冲雪崩击穿能量,如果电压过冲值(通常由于漏电流和杂散电感造成)未超过击穿电压,则器件不会发生雪崩 击穿,因此也就不需要消散雪崩击穿的能力。EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。
2023-12-11 14:34:33
415 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/B5/C4/wKgZomV2rXSAbsBWAADe0vO6x4g46.webp)
应当阻止电流流动的PN结。这种不受控制的电流流动会导致器件损坏,除非通过外部电路限制电流。 当MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)的漏源电压超过其绝对最大额定值BVDSS时,器件将发生击穿。在高电场作用下,自由电子获得加速并携带足够能量,引发碰撞
2024-02-23 17:06:03
246 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/C0/C5/wKgZomXYX_uAYwOuAABfnHnnbPA093.png)
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