本文探讨了在SiC MOSFET应用中需要考虑的可能致使功率器件处于雪崩状态的工作条件。
2020-08-10 17:11:00
1712 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/C3/9E/o4YBAF8tGkWAfUI4AACYw1aRF48707.png)
挑战散热性能的局限:良好的散热性对大电流直流电感的功能的改善作用。
2021-07-01 14:29:24
3807 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/04/FD/poYBAGDdYR-AR_HMAAGL9iSgSss068.png)
雪崩强度是MOSFET的一种特性。在MOSFET的漏极和源极之间施加超过VDSS的电压,但是MOSFET的性能没有被破坏。此时施加在其上的能量称为雪崩能量[Avalanche energy],流过的电流称为雪崩电流[Avalanche current]。有些MOSFET的spec中不保证雪崩能力。
2023-08-31 10:18:24
502 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A2/65/wKgaomTv-CeAevSAAABgHQ7e-1g936.jpg)
在关断状态下,功率MOSFET的体二极管结构的设计是为了阻断最小漏极-源极电压值。MOSFET体二极管的击穿或雪崩表明反向偏置体二极管两端的电场使得漏极和源极端子之间有大量电流流动。典型的阻断状态漏电流在几十皮安到几百纳安的数量级。
2024-02-23 09:38:53
343 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/9D/wKgaomXX93qAF3UNAAAAjgjvZ2U890.png)
当功率器件承受的雪崩耐量超过极限后,芯片最终会损坏,然而单脉冲雪崩与重复雪崩的失效机理并不相同。
2024-02-25 15:48:08
1123 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C0/E9/wKgZomXa68CAQN7sAAA6KAkpYD8566.jpg)
功率MOSFET的雪崩损坏有三种模式:热损坏、寄生三极管导通损坏和VGS尖峰误触发导通损坏。
2024-02-25 16:16:35
487 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/D9/wKgaomXa8ZOAUT0mAABIluUiYp0778.jpg)
8引脚LLP散热性能和设计指南The new leadless leadframe package (LLP) provides significantlyincreased power
2009-01-13 18:25:45
雪崩能量)中电感器增加的尺寸抵消,这样的话,尽管电流减少了,这个值实际上是增加了。表1中说明了这个关系,其中列出了从测试中的TI CSD18502KCS 60V NexFET™ 功率MOSFET器件中
2018-09-05 15:37:26
电子表格记录数据的经验丰富的设计人员,亦未能从熟悉的模型中获得满意的结果。除了器件结构和加工工艺,MOSFET的性能还受其他几个周围相关因素的影响。这些因素包括封装阻抗、印刷电路板(PCB)布局、互连线寄生
2019-05-13 14:11:31
功率BJT具有理想的导通状态传导性能;然而,它们是电流控制器件,需要复杂的基极驱动电路。由于功率MOSFET是电压控制器件,我们需要更简单的驱动电路。然而,功率MOSFET的主要挑战是其导通电阻随着
2023-02-24 15:29:54
LTM8047 采用耐热性能增强型、紧凑 (11.25mm x 9mm x 4.92mm) 模压树脂球栅阵列 (BGA) 封装,包括变压器 ,控制电路和电源开关等所有元件均配置于这个小型封闭的 BGA封装中,为高振动应用提供卓越的互连可靠性。
2019-09-17 09:11:44
上产生的电压超过MOSFET击穿电压后,将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时,即使 MOSFET处于关断状态,电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量与杂散电感上存储,由MOSFET消散
2020-07-23 07:23:18
产生的电压超过MOSFET击穿电压后,将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时,即使 MOSFET处于关断状态,电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量与杂散电感上存储,由MOSFET消散
2019-08-20 07:00:00
更高的降额。但这是以雪崩等级、SOA、栅极电荷和泄漏性能等其他因素为代价的。在许多 MOSFET 中,硅结构会使元胞之间单元间距变窄,以实现低导通电阻,但是会影响 SOA 变弱并降低雪崩能量。因此
2022-10-28 16:18:03
的基础。MOSFET设计的改进可使电路设计者充分发挥改进器件的性能,比如开关性能的提高和其他几个关键参数的改善,可确保转换器能够更高效地运行。某些情况下,还可对设计的电路进行修改。若不采用这些改进
2018-12-07 10:21:41
的隐患。谨慎处理 PCB 布局、板结构和器件贴装有助于提高中高功耗应用的散热性能。 引言 半导体制造公司很难控制使用其器件的系统。但是,安装IC的系统对于整体器件性能而言至关重要。对于定制 IC
2018-09-12 14:50:51
4.3 两个LFPAK器件 第4.3节考虑了安装在PCB板上的单个器件的热性能。这个实验设计的复杂程度是安装在PCB上的两个器件,我们将在其中观察器件间距对Tj的影响。为了将变量的数量限制在
2023-04-21 14:55:08
关断器件。这会大大延迟关断,从而增加MOSFET的功率损耗,降低转换效率。此外,杂散电感可导致电路中出现超过器件电压额定值的电压尖峰,从而导致出现故障。 旨在降低电阻和提升热性能的封装改进还可极大
2018-09-12 15:14:20
应用提供高性能射频以及微波晶体管并不是一个大挑战,该公司的产品在特性、封装以及应用工程方面具有明显优势。飞思卡尔半导体在生产及销售分立和集成射频半导体器件方面具有雄厚实力。该公司采用HV7工艺的第七代
2019-07-09 08:17:05
MOSFET ,是许多应用的优雅解决方案。然而,SiC功率器件的圣杯一直是MOSFET,因为它与硅IGBT的控制相似 - 但具有前述的性能和系统优势。 SiC MOSFET的演变 SiC MOSFET存在
2023-02-27 13:48:12
器件。雪崩坚固耐用评估SiC MOSFET的另一个重要参数是雪崩耐用性,通过非钳位感应开关(UIS)测试进行评估。雪崩能量显示MOSFET能够承受驱动感性负载时有时会产生的瞬态。Littelfuse
2019-07-30 15:15:17
与硅相比,SiC有哪些优势?SiC器件与硅器件相比有哪些优越的性能?碳化硅器件的缺点有哪些?
2021-07-12 08:07:35
导通电阻,提供出色的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能量脉冲。 这些器件非常适合于高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正。推荐产品:TSD5N65M;TSU5N65M;TSD5N50MR
2020-04-30 15:13:55
值标定的是器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。当雪崩击穿发生时,即使MOSFET处于关断状态,电感上的电流同样会流过MOSFET器件,电感上所储存的能量将全部通过MOSFET进行释放,该值不能大于
2019-08-29 10:02:12
MOSFET作为主要的开关功率器件之一,被大量应用于模块电源。了解MOSFET的损耗组成并对其分析,有利于优化MOSFET损耗,提高模块电源的功率;但是一味的减少MOSFET的损耗及其他方面的损耗
2019-09-25 07:00:00
,最终提高器件的稳健性。对最终用户而言,这意味着要在系统中采用更大的封装件。第四步:决定开关性能 选择MOSFET的最后一步是决定MOSFET的开关性能。影响开关性能的参数有很多,但最重要的是栅极/漏
2019-09-04 07:00:00
项目名称:SiC mosfet 测试试用计划:申请理由:公司开发双脉冲测试仪对接触到Sic相关的资料。想通过此次试用进一步了解相关性能。试用计划:1、测试电源输入输出性能。2、使用公司设备测试Sic器件相关参数。3、编写测试报告。
2020-04-21 15:54:54
项目名称:SiC MOSFET元器件性能研究试用计划:申请理由本人在半导体失效分析领域有多年工作经验,熟悉MOSET各种性能和应用,掌握各种MOSFET的应用和失效分析方法,熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
产生的电压超过MOSFET击穿电压后,将导致雪崩击穿。雪崩击穿发生时,即使 MOSFET处于关断状态,电感上的电流同样会流过MOSFET器件。电感上所储存的能量与杂散电感上存储,由MOSFET消散
2019-11-15 07:00:00
?记住,输出电流热衰减与器件的热性能相关。二者密切相关,同等重要。
● 效率考虑
是的,效率不是第一考虑因素。独立使用时,效率结果可能无法准确体现DC-DC调节器的热特性。当然,效率值对于计算输入电流
2019-07-22 06:43:05
信号源型号前面有几个字母,你知道他们代表什么意思吗?任意波形发生器(AFG)相关性能指标有哪些?
2021-04-09 06:02:25
传感器性能如何支持状态监控解决方案?
2021-01-28 06:51:45
光子学是什么?纳米光子学又是什么?光子器件与电子器件的性能有哪些不同?
2021-08-31 06:37:56
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR,同时标注了测量条件,通常有起始温度25C,最高结温150C或者175C,以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率,这些测量的条件
2017-09-22 11:44:39
【作者】:王丹;关艳霞;【来源】:《电子设计工程》2010年02期【摘要】:介绍功率器件的发展情况,随后分析比较SJMOSFET与FS-IGBT两种器件的工作原理及其性能特征,SJMOS-FET具有
2010-04-24 09:01:39
0.5Ω,内部栅极电阻为0.5Ω。 功率模块的整体热性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。与具有相同标称电流的硅IGBT相比,SiC MOSFET通常表现出显着较低的开关损耗,尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
从而发生损坏。不同于三极管和IGBT,功率MOSFET具有抗雪崩的能力,而且很多大的半导体公司功率MOSFET的雪崩能量在生产线上是全检的、100%检测,也就是在数据中这是一个可以保证的测量值,雪崩电压
2019-04-04 06:30:00
可满足高性能数字接收机动态性能要求的ADC和射频器件有哪些?
2021-05-28 06:45:13
消除二极管整流器件正向压降来大幅降低功率损耗。N沟道MOSFET具有小RDSON,并且它们相关的压降也是最小的。表1中是一个5A (I_rms = 3.5A) 二极管整流器与一个10m
2018-05-30 10:01:53
如何提高VMMK器件的性能?
2021-05-21 06:35:39
元器件的合理布局提高敏感器件的抗干扰性能
2021-02-19 07:05:29
随着设备尺寸的缩小,工程师正在寻找缩小DCDC电源设计解决方案的方法。如何缩小电源芯片设计并解决由此产生的热性能挑战?
2021-09-29 10:38:37
MOSFET将被用作平台主用开关器件,以验证最新推出的TO247 4引脚封装MOSFET优于传统的TO247封装的开关性能和栅极控制能力。 图4所示为传统的TO247封装(上)和最新推出的TO247 4引脚封装
2018-10-08 15:19:33
4.3 单个LFPAK器件。 本节将检查影响单个LFPAK器件在不同配置的pcb上的热性能的因素。从这一点开 始,当讨论叠层或结构从器件中去除热量的能力时,使用短语“热性能”。为了全面了解
2023-04-20 16:54:04
微控制器功能部件是怎样影响能量消耗和性能的?EnergyBench能量基准测试方法的原理是什么?外部存储器对能量消耗的影响是什么?
2021-04-14 06:36:14
用高性能的FPGA器件设计符合自己需要的DDS电路有什么好的解决办法吗?
2021-04-08 06:23:09
看懂MOSFET数据表,第1部分—UIS/雪崩额定值自从20世纪80年代中期在MOSFET 数据表中广泛使用的以来,无钳位电感开关 (UIS) 额定值就已经被证明是一个非常有用的参数。虽然不建议在
2022-11-18 06:39:27
雪崩能量)中电感器增加的尺寸抵消,这样的话,尽管电流减少了,这个值实际上是增加了。表1中说明了这个关系,其中列出了从测试中的TICSD18502KCS 60V NexFET™ 功率MOSFET器件中搜集
2015-11-19 15:46:13
众所周知,在器件中添加散热过孔通常会提高器件的热性能,但是很难知道有多少散热过孔能提供最佳的解决方案。 显然,我们不希望添加太多的散热过孔,如果它们不能显著提高热性能,因为它们的存在可能会在PCB组装
2023-04-20 17:19:37
如何设计出一个具有较高热性能的系统?
2021-04-23 06:05:29
讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。 MOSFET的选择 MOSFET有两大类型:N沟道和P沟道。在功率系统中,MOSFET可被看成电气开关。当在
2011-08-17 14:18:59
的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。MOSFET的选择MOSFET有两大类
2012-10-30 21:45:40
的基本部件,工程师需要深入了解它的关键特性及指标才能做出正确选择。本文将讨论如何根据RDS(ON)、热性能、雪崩击穿电压及开关性能指标来选择正确的MOSFET。MOSFET的选择MOSFET有两大类
2012-10-31 21:27:48
平坦的白噪声占主导地位。
总的来说,闪烁噪声可能对MOSFET的频率稳定性、相位噪声、总体性能等产生负面影响。然而,具体的性能影响会取决于噪声的强度以及器件和电路的其他具体设计参数。
2023-09-01 16:59:12
本文以TGA、DSC研究了自制酵溶自牯漆包线裱的热性能。筛选出T =158 1l℃聚酰胺材料为研制本捧的理想材质。五个漆样的固化温度范菌为207 6—224 71℃ ,耐热极限温度范围为359 6—39
2009-06-26 15:53:01
31 DC/DC辐照损伤与VDMOS器件1/f噪声相关性研究
大量的研究表明,低频噪声除了与产品性能有关之外,还与产品质量和可靠性密切相关。国内外出现了一系列使用低频噪声特别是1
2009-04-20 10:55:49
759 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A4/C7/wKgZomUMNaaAbm5TAAAxVsT7BoY846.jpg)
功率MOSFET雪崩击穿问题分析
摘要:分析了功率MOSFET雪崩击穿的原因,以及MOSFET故障时能量耗散与器件温升的关系。和传统的
2009-07-06 13:49:38
5513 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/1B/wKgZomUMNvSAWcwOAAADM1RIIbQ616.JPG)
飞兆半导体推出MOSFET器件FDMC7570S
飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor)推出具高效率和出色热性能,并有助实现更薄、更轻和更紧凑的电源解决方案的MOSFET产品系列,可应
2010-03-05 10:32:53
1022 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/7D/wKgZomUMOKuAX77sAAA3ZUjtEAc923.jpg)
MOSFET的UIS及雪崩能量解析
在功率MOSFET的数据表中,通常包括单脉冲雪崩能量EAS,雪崩
2010-04-26 18:19:13
5530 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A5/92/wKgZomUMOQ6AVxSsAAAbdKp1uz0926.jpg)
永磁驱动电机接线盒结构优化热性能分析_丁树业
2017-01-08 13:49:17
0 双位wdfn6506an器件封装的概述,垫模式,评价板布局和热性能。 概述 wdfn6平台提供了一个通用性使无论是单或双半导体器件在无引线封装内实现。图1说明了一个双位wdfn 6半导体器件封装和引脚描述。半蚀刻引线框架的补充模具锁功能允许这种无铅封装提供用于优异导热性的暴露排
2017-05-11 17:29:55
3 本文分析了基于COB技术的LED的散热性能,对使用该方法封装的LED器件做了等效热阻分析和红外热像实验,结果表明:采用COB技术封装制成的LED器件缩短了散热通道、增大了散热面积、减小了热阻,从而提高了LED的散热性能,对LED器件的各方面性能起到良好的作用,延长了使用寿命。
2018-01-16 14:22:36
5878 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A7/2A/wKgZomUMQsGAQXRiAABUd6QIA4U887.png)
本文使用Mega16单片机作为开展研究的载体,以希尔伯特黄变换滤波技术在相关性能量分析攻击中的应用为主线,对如何通过HHT预处理技术来提高CPA攻击的效率进行了深入研究。与传统的CPA攻击方法
2018-01-30 11:18:40
1 考虑器件的雪崩能量,电压尖峰所集中的能量主要由电感和电流所决定,因此对于反激的应用场合,电路关断时会产生较大的电压尖峰。通常的情况下,功率器件都会降额,从而留有足够的电压余量,但是一些电源在输出短路
2018-06-20 12:06:54
12436 理解MOSFET数据手册中的雪崩能量等级
2018-08-16 01:54:00
3493 音频放大器视频分为上下两期,在本期视频中将会为大家分析D类、DG类音频放大器的工作原理,及MAX98090的相关性能。
2018-10-12 03:30:00
4852 LTM4644效率和热性能_zh
2019-08-13 06:17:00
6162 本文将探讨如何在雪崩工作条件下评估 SiC MOSFET 的鲁棒性。MOSFET 功率变换器,特别是电动汽车驱动电机功率变换器,需要能够耐受一定的工作条件。如果器件在续流导通期间出现失效或栅极驱动命令信号错误,就会致使变换器功率开关管在雪崩条件下工作。
2020-08-09 10:33:00
1724 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/C3/F3/pIYBAF8ra7eAcA1nAACv3BAxmh8869.png)
本节将检查影响单个LFPAK器件在不同配置的pcb上的热性能的因素。从这一点开 始,当讨论叠层或结构从器件中去除热量的能力时,使用短语“热性能”。为了全面了解影响热性能的因素,我们将从最简单的一层叠层的PCB开始,然后系统地向PCB中添加更多的层。
2020-10-10 11:34:19
1889 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/C9/C4/pIYBAF-BKo6AV_poAAANyvlGksU939.jpg)
大电流 LDO 应用具增强的热性能以减少了热点
2021-03-20 17:20:18
6 AN110-LTM4601 DC/DC u模块热性能
2021-04-16 09:12:21
6 电子发烧友网为你提供功率器件热性能的主要参数资料下载的电子资料下载,更有其他相关的电路图、源代码、课件教程、中文资料、英文资料、参考设计、用户指南、解决方案等资料,希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2021-04-27 08:49:20
9 土壤温度水分速测仪相关性能特点介绍。土壤温度水分速测仪【恒美HM-SW】是现代农业生产中推广使用较为广泛的一款测土仪器,我们知道土壤中的养分、水分、温度都是影响作物正常生长的关键指标,了解土壤温湿度
2021-04-30 17:52:36
362 AN103-LTM4600 DC/DC组件热性能
2021-05-10 08:05:16
5 一些功率半导体器件设计为在有限时间内承受一定量的雪崩电流,因此可以达到雪崩额定值。其他人会在雪崩开始后很快失败。性能差异源于特定的设备物理、设计和制造。
2021-06-23 14:28:22
2238 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/02/C2/poYBAGDS1OGAAwr_AAA3FMFp8J4260.png)
《车用插接器电热性能仿真分析》论文pdf
2021-12-03 17:28:36
3 看懂MOSFET数据表,第1部分—UIS/雪崩额定值
2022-11-03 08:04:45
4 600V SPM® 2 系列热性能(通过安装扭矩)
2022-11-15 20:04:03
0 功率器件作为电力电子装置的核心器件,其在设计使用过程中的鲁棒性能一直是工程师关心的问题,雪崩能力其中一个很重要的指标,如何理解雪崩,单次雪崩和重复雪崩是如何定义的,以及雪崩会带来哪些危害
2023-02-06 13:54:24
2408 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8E/73/poYBAGPglbqAQWGcAAADZGp1EE4977.jpg)
关键要点:在PCB实际安装状态下,随着铜箔面积的增加,热量变得更容易扩散,因而能够提高散热性能。如果铜箔面积过小,PMDE的Rth(j-a)会比PMDU还大,从而无法充分发挥出散热性能。
2023-02-10 09:41:07
494 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8C/63/poYBAGPbjiiAECYnAAC8IwZqYTI572.png)
当向MOSFET施加高于绝对最大额定值BVDSS的电压时,就会发生击穿。当施加高于BVDSS的高电场时,自由电子被加速并带有很大的能量。这会导致碰撞电离,从而产生电子-空穴对。这种电子-空穴对呈雪崩
2023-02-13 09:30:07
1298 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/8C/67/poYBAGPbjsuAK1o7AABfnHnnbPA620.png)
DFN 封装的热性能-AN90023_ZH
2023-02-16 21:17:48
0 DFN 封装的热性能-AN90023
2023-02-17 19:10:10
1 现代 DC-DC 转换器使用集成 MOSFET 的 PWM 控制器来实现 DC-DC 模块的最高功率密度。由于功率MOSFET位于PWM芯片内部,因此它们会显著影响器件的热性能。因此,为了获得最佳
2023-04-11 10:52:21
591 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/9E/C0/pYYBAGQ0y2KAGHs6AAAli5wvBsg375.gif)
本篇是读懂MOSFET datasheet系列第二篇,主要介绍电性能相关的参数。 这部分的参数是我们经常提到并且用到的,相关的参数如下表所示。
2023-04-26 17:50:10
2213 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/50/wKgaomRI83-AKcWuAAFSuK88nYs551.jpg)
本篇是读懂MOSFET datasheet系列最终篇,主要介绍MOSFET动态性能相关的参数。 主要包括Qg、MOSFET的电容、开关时间等。 参数列表如下所示。
2023-04-26 17:52:14
4759 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/50/wKgaomRI9CmAEQygAADvoDtohgc028.jpg)
功率MOSFET的雪崩强度限值是衡量器件针对于感性负载在开关动作应用中的重要参数。 清楚地理解雪崩强度的定义,失效的现象及评估的方法是功率MOSFET电路设计必备的能力。 本文将以下面三个方面进行探讨。
2023-05-15 16:17:45
1134 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/C7/wKgaomRh6jyAdlC5AABfPtUYI0I353.jpg)
EAS单脉冲雪崩击穿能量, EAS标定了器件可以安全吸收反向雪崩击穿能量的高低。以低于Tj(max)为极限。
2023-05-24 09:51:30
2765 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/88/99/wKgaomRtbfiAV_6tAAAikUFzsY8752.png)
监测监控系统【云唐科器】相关性能如下:
当前检测粉尘的主要手段是手工采样、分析,检测效率低,而且浪费大量人力物力。为改善空气质量利用无线传感器技术和激光
2021-03-09 16:40:18
660 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/E3/12/pIYBAGA9snKAXS0HAAAQWDzFZws732.jpg)
一、基本概念二、LDO的热性能与什么有关? 三、 如何提高LDO的热性能?
2023-07-19 10:33:54
1361 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8D/20/wKgZomS3StmAV74eAAEAhAnp0OE513.png)
电子发烧友网站提供《SBR雪崩能量应用笔记.pdf》资料免费下载
2023-07-25 17:37:30
0 【科普小贴士】MOSFET的性能:雪崩能力
2023-12-07 16:46:47
426 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B1/EC/wKgZomVdmBaAJhRRAAFYnr4kKbM381.png)
电子发烧友网站提供《高性能电机控制应用的电流反馈系统中的相关性与可用性.pdf》资料免费下载
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