电源设计小贴士:DDR内存电源

　　CMOS 逻辑系统的功耗主要与时钟频率、系统内各栅极的输入电容以及电源电压有关。器件形体尺寸减小后，电源电压也随之降低，从而在栅极层大大降低功耗。这种低电压器件拥有更低的功耗和更高的运行速度，允许系统时钟频率升高至千兆赫兹级别。在这些高时钟频率下，阻抗控制、正确的总线终止和最小交叉耦合，带来高保真度的时钟信号。传统上，逻辑系统仅对一个时钟沿的数据计时，而双倍数据速率 (DDR) 内存同时对时钟的前沿和下降沿计时。它使数据通过速度翻了一倍，且系统功耗增加极少。

　　高数据速率要求时钟分配网络设计要倍加小心，以此来最小化振铃和反射效应，否则可能会导致对逻辑器件非有意计时。图 1 显示了两种备选总线终止方案。第一种方案(A)中，总线终止电阻器放置于分配网络的末端，并连接至接地。如果总线驱动器处于低态下，电阻器的功耗便为零。在高态下时，电阻器功耗等于电源电压(VDD)平方除以总线电阻(源阻抗加端接电阻)。平均功耗为电源电压平方除以两倍总线电阻。