实际的运放:
模型说了这么多,还没和实际的沾上边儿,这一部分将考虑实际器件。
通常的运放最高能输出35mA(我见过的,勿疑),而且到达最大输出电流时,运放几乎进入饱和状态,已失去大多数可圈可点的性能。
当然,功率运放可输出5A以上的电流,但功率运放的直流特性不大好,集中于VOS和dVOS/dT,有兴趣的坛友可查看LM1875的datasheet,其余类推。
由于功率运放的VOS已和Vsample可比,因此一般不推荐单独使用。
一般而言,依照运放自身的设计原则,运放输出电流应尽量控制在1mA以内,否则:
1. 加上自身偏置电流,运放可能发热,造成输出漂移。
2. 由于集电极/发射极串联电阻的作用,大电流输出造成运放输出级状态不佳,主要是VCE过低,IC过大,造成电流增益下降,具体参见任意NPN/PNP datasheet中的输出特性曲线。
3. 加重中间级负载,造成运放对高频大信号的响应能力下降。
对于大于1mA的电流,应该扩流。
图9
扩流方法很多,最常见方法如下:
1. 使用现成的单位增益缓冲器:
例如LT1010,最大输出150mA。
2. 参照运放内部电路:
扩流最简单的办法是共集电级乙类推挽输出级,就是NPN和PNP构成的射随器组合,对于20V/100mA而言须选择10W左右的中功率管。实际是第一种方法的简化方法。
3. 使用具有电压增益的功率运放电路扩流:
这是一种豪华的方法,具有相当好的动态性能,很多Agilent高级系统仪器均采用这种方法,当然功率运放是分立的。由于扩流电路具有电压增益,因此对运放的SR要求降低,整体电路的直流性能决定于运放,克服了功率运放的VOS问题。但这种电路调试比较麻烦,容易振荡,需要设计者经验丰富。
显见,考虑性价比,如果只考虑将电流源作为稳定驱动,而不考虑动态性能(例如脉冲电流源),第2种方法是相当好的选择。
一定有人推荐,最好使用甲乙类输出以避免交越失真,也可,但对直流源实无必要。
图10
上述电路都可工作于I、II、III、IV象限。针对一般的用途,事实上需要四象限均可工作的电流源的场合非常少,通常只需I象限工作即可(Io》0、Vo》0),如果不考虑动态性能,可将推挽输出级PNP一侧去掉,简化为单臂输出。
这次的简化牺牲了输出电流下降沿性能,但对于直流稳定源无大碍。
坛友可参考Agilent 36xx系列用户手册,下降沿和上升沿响应速率的巨大差异。36xx均为单臂电源。
图11
图中运放使用了双电源。运放可单电源也可双电源工作,推荐使用双电源,原因如下:
1. Aopen(Vin+-Vin-)=Vo是运放的基本公式,通常认为Aopen无穷大,但实际运放最高不过140dB(icl7650),有的运放甚至只有几千(TL061)。
变换公式得到(Vin+-Vin-)=Vo/Aopen,一定记住,其中所有的电压都是以双电源中点为参考地。而(Vin+-Vin-)就是运放误差。
单电源工作时,Vo=1/2Vcc时才能达到误差最小,双电源工作时Vo=1/2(Vcc-Vee)=0时误差最低,相对而言,后者更好把握,此问题在后面有实际应用方法解决。
2. 即使轨到轨运放也无法达到输入/输出绝对到轨,因此需要输入/输出为0时会出一些令人烦恼的问题,使用双电源可避免这些问题,从而集中精力考虑重点。
还存在的一些问题:
电路基本成型了,还有什么问题?
一般而言,设计到这个地步,设计工作可到一段落。然而仔细分析,仍有不甚完美之处。
普及知识:电流源和电压源都是互补对应的。首先看看电压源:
1. 对电容性负载敏感,对电感比较无所谓。
2. 有最大电流限制,短路时输出电流受电压源的电源的电流能力限制。
3. 负载并联在输出端和地之间。
对应于电流源:
1. 对电感性负载敏感,对电容比较无所谓
2. 有最大电压限制,开路时输出电压受电流源的电源的电压能力限制。
3. 。。。
第3点是个问题,已经得到的电流源的负载接在输出端和采样电阻之间,而且参与反馈,因而造成如下问题。
1. 负载调节率
试想负载的变化范围由0—100 Ohm,运放输出端电压需要在1到10V之间变化,根据前面运放误差分析,10V与1V对应的(Vin+-Vin-)相差10倍。如果运放为TL061(Aopen=6000),输入误差在1V/6000—10V/6000之间变化,即0.16mV—1.6mV,对应Vsample=300mV的情况,电流误差为0.05%—0.5%,因此0—100 Ohm范围内的负载调整率为0.45%,很可观。通常的商品电源负载调整率不会超过0.01%。
当然换好一点的运放,例如OP07(增益1000000),会好的多,负载调整率为0.003%。基本可以忽略。
然而,如果可以用好一些,就尽量用好一些。即使是便宜的OP07,也尽量发挥出它应有的指标。
为何要一味追求负载调整率,其实负载调整率对应的就是电流源的并联内阻,负载调整率越小,并联内阻越高,其分流越小,电流源性能越好。
对应于电压源,负载调整率对应的是电压源的串联内阻,负载调整率越小,串联内阻越小,其分压越小,电压源性能越好。
2. 输出电压无法达到20V
老实话,为什么命题选择20V,就是要在这里说明问题。大多数的运放双电源时推荐最大电源电压为+/-15V,当然也有OP07(极限+/-22V)家族可以到达+/-20V。
即使使用OP07,在+/-20V下工作,输出最高电压不过+/-18V,因此NPN的E,即电流源输出端的最高电压为17.4V,算上Vsample=300mV,电流源能达到的输出电压为17.1V。况且中功率NPN的电流增益不过几十,因此一定会使用达林顿组态,减小运放负载,又会去掉0.6V,最高输出电压压缩到16.5V。
当然,会有建议采用非对称双电源,例如+30V -5V,可使输出电压达到20V以上。
如果不得已,这样的配置是可用的。然而基于以下的原因:
(1)如果Vin+端电压很接近0V,运放输入级晶体管会工作在不太舒服的状态,VCE过小,导致电流增益下降,造成运放Aopen下降和输入偏流增大。
(2)Aopen下降也会造成负载调节率指标下降。
一般不推荐相差悬殊的非对称双电源应用。单电源是非对称双电源的极端,因此与双电源相比性能会打很大折扣。这就是为什么早期的运放均不推荐单电源的原因。但手持设备的出现对单电源应用有巨大促进作用,现代单电源运放作过很大改进,例如轨到轨,但价格也高得多,在不损失其他性能的前提下,价格通常是普通运放的几倍。
对于上述问题,这个电流源的架构无法确切的完全的解决,必须改变架构。
利用三极管的镜像原理(IB约等于0,IC=IE),可将负载请出反馈回路,移到电源和C之间,也就达到了与电压源的对应:“负载串联在输出端和电源之间”。
图12
此时,运放输出端电压基本控制在0.6—0.9V之间,即使TL061也可达到0.016%,OP07更可达到0.0001%。
如果将运放电源VCC与连接负载的电源VP分开,连接负载的电源VP为24V,电流源的输出电压便可达到20V以上。
可是,三极管的电流增益毕竟是有限的,即使是达林顿组态也不过1000,超beta管(通常用在双极运放输入端)最大也不过10000,IB总会出现,而且IB通过Rsample流入地,造成Vsample里出现误差。误差即1/电流增益。
NS有个电路避免了这个问题,使用JFET与NPN构成一个无需电流驱动的达林顿组态。
图13
然而小功率JFET或N MOS并不便宜,而功率N MOSFET并不贵,还可减少一种库存,因此使用N MOSFET代替NPN即可。
图14
MOSFET不需要稳定的电流驱动,因此IG造成的Vsample误差基本可以忽略,ID=IS,一个近乎完美的镜像。
10W左右的N-MOSFET反而不太便宜,选用100W的IRF530也是明智的,而且为扩充输出功率提供了潜力。
本次增加成本:
IRF530 1只 单价3.00元,合计3.00元
合计成本:6.20元
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