Sic功率器件助力低功耗 - 迎合节能减排硬需求，罗姆打电源管理组合牌

　　作为其打造无线供电用控制IC的第一款新产品，ROHM的BD57011GWL是根据作为无线供电标准备受瞩目的WPC（Wireless Power Consortium）最新Qi标准Low Power Ver1.1开发的。这虽然是个单芯片产品，但发热量更低，与以往产品相比，供电时的温升可降低约75%，缩减贴装面积的同时实现了低发热。不仅如此，搭载了业界首创的位置偏差检测功能，可检测位置偏差时的充电效率下降情况，因此，有助于提高设备的工作效率。

　　ROHM同时指出，提高无线充电效率关键在于降低发热，增大电流，减少损失。另外，FOD （Foreign Object Detection /异物检测功能）是最新的Qi标准所规定的有义务搭载的项目，金属物体存在于收发器之间时，金属发热可能导致机壳变形或烧伤，搭载FOD可防患于未然，使设备安全性能显著提高。要想实现FOD，需要发送侧与接收侧复杂的对接技术。

　　8D57011GWL满足QI标准Low Power Ver1.1的规定。因此，按该标准要求搭载了FOD（异物检测功能），可轻松实现配套设备使用时的高安全性。

　　通过融合本公司的模拟技术与集团公司LAPIS Semiconductor的数字技术，ROHM使FOD得以实现。实际上，接收侧进行功率损耗计算时，可通过外置电阻设定每个接收单元不同损耗误差的微调量，因此，实现了极具灵活性且高精度的FOD。这是ROHM为节能减排做出的另一个贡献。

　　SiC功率器件助力低功耗

　　技术发展到今时今日，Si功率器件的优势已逐渐被SiC器件所取代。与以往的硅材料功率元器件相比，这种以碳化硅作为原材料制作而成的功率器件具有低导通电阻、高速开关、高温作业的特点，因此许多研究机构和厂商将其视为新一代功率元器件，并一直致力于对它的研发。

　　一直以“理想器件”备受期待的SiC功率器件近年来已得以问世。作为知名的功率器件厂商，ROHM已批量生产SiC二极管和SiC-MOSFET，并于2012年3月开始批量生产内置上述两种元器件的功率模块。

　　虽然新型的器件在功能上有了显著的提升，但囿于当前价格等因素的影响，限制了其大规模采用，而ROHM将全面推动SiC元器件的普及作为其目标。

　　ROHM指出，相对于已经具有大量采用实绩的SiC-SBD而言，SiC-MOSFET和全SiC功率模块的真正采用现在才开始。相对以往硅材质器件的性能差别和成本差别的平衡将成为SiC器件真正普及的关键。ROHM在两个方面进行着技术开发：①基于SiC电路板大口径化，降低SiC器件成本②相对硅材质器件，开发在性能上具有绝对优势的新一代SiC器件。今后，ROHM将通过扩大普及SiC器件，助力于全球范围内实现节能和减少CO2的排放。

　　通过这篇文章，相信大家已经对ROHM为了节能减排在电源管理方面做的努力。期望在未来能够见到ROHM更多的新产品。