安森美与Transphorm合作提供基于GaN的电源系统方案

　　2014年9月26日 – 推动高能效创新的安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）与功率转换专家Transphorm宣布已建立了新的合作关系，共同开发及共同推广基于氮化镓（GaN）的产品和电源系统方案，用于工业、计算机、电信及网络领域的各种高压应用。

　　这策略合作充分发挥两家公司固有的实力。Transphorm是公认的第一家将600伏（V）GaN硅晶体管量产通过授证的公司，并在这先进技术有无与伦比的经验。安森美半导体是一家领先的高能效电源方案供应商，在系统设计具备深厚的专知和技术，提供宽广的阵容产品，从功率分立器件、高性能AC-DC控制器及集成开关稳压器到全定制专用集成电路（ASIC）电源管理方案。

　　GaN在电源应用已证明能提供优于硅基器件的重要性能优势。安森美半导体和Transphorm合作开发的新世代封装产品将提供可靠及授证的方案，令工程师实现前所未有的高能效和功率密度水平。

　　安森美半导体标准产品部执行副总裁兼总经理贺彦彬（Bill Hall）说：“安森美半导体充分认识到GaN技术可带给功率电子市场的固有优势，我们非常高兴与这领域公认的领袖合作，此外我们也有自己的GaN开发工作。这项新的重要合作，在策略上结合了我们可观的电源系统方案实力及Transphorm的GaN专知和技术。我们的合作能够增强客户对此新技术的信心，及加速它广泛的市场采纳。”

　　Transphorm首席执行官（CEO） Fumihide Esaka说：“跟像安森美半导体这样的领先电源半导体公司合作，确认了Transphorm在GaN的领先地位，将为我们客户提供更宽广的基于GaN的产品及方案。我们的合作不仅对加快GaN的市场渗透具有重要作用，还对整个电源转换行业富有意义。”

　　首批共同开发的基于600 V GaN晶体管方案预计将于2014年底前开始提供样品。这些方案将用于200 W至1000 W功率范围的高功率密度应用，用于电信及服务器市场的紧凑型电源。根据合作条款，共同开发的封装晶体管产品将包括安森美半导体的用于共源共栅（cascoded）开关的低压MOSFET硅片，及Transphorm的获得证明的GaN高压高电子迁移率晶体管（HEMT）。这些器件将在安森美半导体的制造厂联合封装、组装及测试。

　　电源系统参考设计将提供给客户，使他们能够应用包含GaN晶体管和高性能AC-DC控制器的新方案，以充分利用GaN器件的技术优势。

　　关于Transphorm

　　Transphorm正在重新定义电源转换，提供具成本竞争力、易于嵌入的电源转换模块，降低代价高昂的电能损失超过50%，简化用于太阳能面板及电动汽车的电机驱动器、电源和变频器的设计及生产。从材料技术及器件制造到电路设计及模块封装，Transphorm均设计及提供符合全球客户需求的电源转换器件及模块。Transphorm创建了一个电气系统制造商生态系统，加速专用电源模块的采用，为优化能效的下一代电气系统开辟道路。

　　关于安森美半导体

　　安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。公司全面的高能效电源和信号管理、逻辑、分立及定制方案阵容，帮助设计工程师解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战。公司运营敏锐、可靠、世界一流的供应链及品质项目，及在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的业务网络。