65W氮化镓电源原理图
2022-10-04 22:09:30
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
氮化镓开关管来取代,一颗顶四颗,并且具有更低的导通电阻。通过使用氮化镓开关管来减少硅MOS管的数量,还可以减小保护板的面积,使保护板可以集成到主板上,节省一块PCB,降低整体成本。储能电源储能电源通常
2023-02-21 16:13:41
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年,德布瓦博德兰(Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被发现镓,并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名它。纯氮化镓的熔点只有30
2023-06-15 15:50:54
被誉为第三代半导体材料的氮化镓GaN。早期的氮化镓材料被运用到通信、军工领域,随着技术的进步以及人们的需求,氮化镓产品已经走进了我们生活中,尤其在充电器中的应用逐步布局开来,以下是采用了氮化镓的快
2020-03-18 22:34:23
的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30%1。这相当于30亿千瓦时以上
2020-11-03 08:59:19
能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
氮化镓电源设计从入门到精通,这个系列直播共分为八讲,本篇第六讲将为您介绍EMC优化和整改技巧,助您完成电源工程师从入门到精通的蜕变。前期回顾(点击下方内容查看上期直播):- 第一讲:元器件选型
2021-12-29 06:31:58
。联想此举直接将氮化镓快充拉到普通充电器一样的售价,如果以往是因为“贵”不买氮化镓而选择普通充电器,那么这次联想 59.9 元售价可谓是不给你任何拒绝它的理由。氮化镓快充价格走势氮化镓(GaN)具有禁带宽
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化镓的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
时间。
更加环保:由于裸片尺寸小、制造工艺步骤少和功能集成,氮化镓功率芯片制造时的二氧化碳排放量,比硅器件的充电器解决方案低10倍。在较高的装配水平上,基于氮化镓的充电器,从制造和运输环节产生的碳足迹,只有硅器件充电器的一半。
2023-06-15 15:32:41
。凭借高达 300W 的功率输出能力和坚固的塑料封装,第四代氮化镓功率晶体管无疑已成为具有高成本效益的可信赖解决方案。——————市场的指数级增长——————在短期内,无线基站市场将继续推动氮化镓市场
2017-08-15 17:47:34
的数十亿次的查询,便可以获得数十亿千瓦时的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年
2019-03-14 06:45:11
从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
和功率密度,这超出了硅MOSFET技术的能力。开发工程师需要能够满足这些要求的新型开关设备。因此,开始了氮化镓晶体管(GaN)的概念。 HD-GIT的概述和优势 松下混合漏极栅极注入晶体管(HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
首先报道了基于氮化镓双异质结构、波长为402.5 nm的受激辐射。1996年日本日亚公司中村修二领导研制出世界上第一支GaN基紫光激光器。从此,波长为405 nm的氮化镓紫光激光器的发展和应用推动
2020-11-27 16:32:53
、成本结构、制造能力和供应链灵活性的要求,在固态射频能量应用领域拥有无限潜力。硅基氮化镓提供的射频解决方案具有LDMOS和碳化硅基氮化镓竞争技术无法匹敌的价格/性能指标,而这仅仅是冰山一角。
2018-08-17 09:49:42
GaN如何实现快速开关?氮化镓能否实现高能效、高频电源的设计?
2021-06-17 10:56:45
。
与硅芯片相比:
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而,虽然 GaN 似乎是一个更好的选择,但它
2023-08-21 17:06:18
`Cree的CGH40010是无与伦比的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。 CGH40010,正在运行从28伏电压轨供电,提供通用宽带解决方案应用于各种射频和微波应用。 GaN
2020-12-03 11:51:58
Wolfspeed的CGHV40030是无与伦比的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT),专为高效率,高增益和宽带宽功能而设计。 该器件可部署在L,S和C频段放大器应用中。 数据手册中的规格
2020-02-24 10:48:00
`Cree的CGHV96100F2是氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)在碳化硅(SiC)基板上。 该GaN内部匹配(IM)FET与其他技术相比,具有出色的功率附加效率。 氮化镓与硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
Cree的CMPA801B025是氮化镓(GaN)高电子迁移率基于晶体管(HEMT)的单片微波集成电路(MMIC)。 氮化镓与硅或砷化镓相比具有更好的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度
2020-12-03 11:46:10
,传统的硅功率器件的效率、开关速度以及最高工作温度已逼近其极限,使得宽禁带半导体氮化镓成为应用于功率管理的理想替代材料。香港科技大学教授陈敬做了全GaN功率集成技术的报告,该技术能够实现智能功率集成
2018-11-05 09:51:35
MACOM科技解决方案控股有限公司(纳斯达克证交所代码: MTSI) (简称“MACOM”)今天宣布一份硅上氮化镓GaN 合作开发协议。据此协议,意法半导体为MACOM制造硅上氮化镓射频晶片。除扩大
2018-02-12 15:11:38
MACOM六十多年的技术传承,运用bipolar、MOSFET和GaN技术,提供标准和定制化的解决方案以满足客户最严苛的需求。射频功率晶体管 - 硅基氮化镓 (GaN on Si)MACOM是全球唯一
2017-08-14 14:41:32
,尤其是2010年以后,MACOM开始通过频繁收购来扩充产品线与进入新市场,如今的MACOM拥有包括氮化镓(GaN)、硅锗(SiGe)、磷化铟(InP)、CMOS、砷化镓等技术,共有40多条生产线
2017-09-04 15:02:41
多个方面都无法满足要求。在基站端,由于对高功率的需求,氮化镓(GaN)因其在耐高温、优异的高频性能以及低导通损耗、高电流密度的物理特性,是目前最有希望的下一代通信基站功率放大器(PA)芯片材料。5G采用
2017-07-18 16:38:20
系列光隔离探头现场条件因该氮化镓快充PCBA设计密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最优方案的同轴延长线连接(通常推荐采用MCX母座连接,可最大限度减少引线误差)。现场连接图如下:▲图1:接线
2023-01-12 09:54:23
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
全新的电源应用在同等的电压下以更高的转换频率运行。这意味着,在同样的条件下,GaN可实现比基于硅材料的解决方案更高的效率。TI日前发布了LMG5200,随着这款全集成式原型机的推出,工程师们能够轻松地将
2018-09-10 15:02:53
由于换了三星手机,之前的充电器都不支持快充了,一直想找一款手机电脑都能用的快充充电器,「倍思GaN2 Pro氮化镓充电器」就是这样一款能满足我的充电器,这篇文章就来说下这款充电器的选购过程
2021-09-14 08:28:31
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:氮化镓发展技术编号:JFSJ-21-041作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
Canaccord Genuity预计,到2025年,电动汽车解决方案中每台汽车的半导体构成部分将增加50%或更多。本文将探讨氮化镓(GaN)电子器件,也涉及到一点碳化硅(SiC),在不增加汽车成本的条件下
2018-07-19 16:30:38
氮化镓(GaN)的重要性日益凸显,增加。因为它与传统的硅技术相比,不仅性能优异,应用范围广泛,而且还能有效减少能量损耗和空间的占用。在一些研发和应用中,传统硅器件在能量转换方面,已经达到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
氮化镓(GaN)是一种“宽禁带”(WBG)材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离出来所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4ev,是硅的 3 倍多,所以说氮化镓拥有宽禁带特性(WBG)。
硅的禁带宽
2023-06-15 15:53:16
SiC、蓝宝石、AlN和原生块体氮化镓。不过,所有这些材料价格昂贵,而最常用的透明电路基板——玻璃,则非常便宜。 我们的解决方案是一个两步式制程,可在玻璃基板上形成氮化镓晶体管。第一步是在将氮化镓层
2020-11-27 16:30:52
氮化镓(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化镓功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
实现设计,同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本,并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案
2020-10-27 09:28:22
氮化镓,由镓(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“氮化镓系列”,告诉大家什么是氮化镓(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
移动应用、基础设施与国防应用中核心技术与 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®, Inc.(纳斯达克代码:QRVO)今日宣布,发布两款全新的氮化镓(GaN)功率放大器(PA)系列产品
2019-09-11 11:51:15
流,但随着5G的到来,砷化镓器件将无法满足在如此高的频率下保持高集成度。[color=rgb(51, 51, 51) !important]于是,GaN成为下一个热点。氮化镓作为一种宽禁带半导体,可承受更高
2019-07-08 04:20:32
系统能做得越小巧,则电动车的电池续航力越高。这是电动车厂商之所以对碳化硅解决方案趋之若鹜的主要原因。相较于碳化硅在大功率电力电子设备上攻城略地,氮化镓组件则是在小型化电源应用产品领域逐渐扩散,与碳化硅
2021-09-23 15:02:11
客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案,或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题,尽管不排除芯片可能存在不适用的领域,但是大部分时候是应用层面的问题,和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
的氮化镓(GaN)直流/直流解决方案去除了中间母线直流/直流转换级,设计师可以在单级中将48V电压降至更低的输出电压。去除中间母线直流/直流转换器使得功率密度和系统成本显着增加,同时提高了可靠性。与硅
2019-07-29 04:45:02
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
氮化镓(GaN)是最接近理想的半导体开关的器件,能够以非常高的能效和高功率密度实现电源转换。但GaN器件在某些方面不如旧的硅技术强固,因此需谨慎应用,集成正确的门极驱动对于实现最佳性能和可靠性至关重要。本文着眼于这些问题,给出一个驱动器方案,解决设计过程的风险。
2020-10-28 06:59:27
氮化镓技术是功率级的真正推动者,如今可提供过去十年无法想象的性能。只有当栅极驱动器与晶体管具有相同程度的性能和创新时,才能获得GaN的最大性能和优势。经过多年的研发,MinDCet通过推出
2023-02-24 15:09:34
氮化镓(GaN) 功率放大器(PA) 设计是当前的热门话题。出于多种原因,GaN HEMT 器件已成为满足大多数新型微波功率放大器需求的领先解决方案。过去,PA 设计以大致的起点开始并运用大量
2019-07-31 08:13:22
材料特性对比展开,通过泰克仪器测试英飞凌GaN器件来进行氮化镓特性的测量与分析。方案配置:示波器MSO5+光隔离探头TIVH08+电压及电流探头+电源和IGBT town 软件第二步:电路设计和PCB
2020-11-18 06:30:50
如何带工程师完整地设计一个高效氮化镓电源,包括元器件选型、电路设计和PCB布线、电路测试和优化技巧、磁性元器件的设计和优化、环路分析和优化、能效分析和优化、EMC优化和整改技巧、可靠性评估和分析。
2021-06-17 06:06:23
我经常感到奇怪,我们的行业为什么不在加快氮化镓 (GaN) 晶体管的部署和采用方面加大合作力度;毕竟,大潮之下,没人能独善其身。每年,我们都看到市场预测的前景不太令人满意。但通过共同努力,我们就能
2022-11-16 06:43:23
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
,因此预期EMI相同。在基于氮化镓器件的100 kHz 解决方案中,输出电流纹波降低,而电机的电流具有更好的正弦形状。
图 5:带有 LC 输入滤波器的传统逆变器,PWM = 20 kHz、DT
2023-06-25 13:58:54
氮化镓技术非常适合4.5G或5G系统,因为频率越高,氮化镓的优势越明显。那对于手机来说射频GaN技术还需解决哪些难题呢?
2019-07-31 06:53:15
氮化镓完整方案有深圳市展嵘电子有限公司提供,包括45W、69W单口、多口全协议输出适配器,更有87W适配器+移动电源超级快充二合一方案。总有一款适合您。目前包括小米、OPPO、realme、三星
2021-04-16 09:33:21
降低性能。行业内外随着射频能量通过加大控制来改进工艺的机会持续增多,MACOM将继续与行业领导者合作,以应用最佳实践并通过我们的硅基氮化镓(GaN-on-Si)解决方案实现射频能量。确保了解有关射频能量
2018-01-18 10:56:28
的开关频率运行。这意味着在相同条件下,GaN可实现比基于硅材料的解决方案具有更高的效率。TI日前发布了LMG5200,随着这款全集成式原型机的推出,工程师能够轻松将GaN技术融入到电源解决方案中,从而
2018-08-30 15:05:40
和功率因数校正 (PFC) 配置。 简单的电路提供了将硅控制器用于GaN器件的过渡能力。对于单个氮化镓器件,隔离式负 V一般事务(关闭)EZDrive®电路是一种低成本、简单的方法,可以使用12V驱动器
2023-02-21 16:30:09
实现设计,同时通过在一个封装中进行复杂集成来节省系统级成本,并减少电路板元件数量。从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案
2022-11-10 06:36:09
%、采用的元件少50%、缩短设计时间和更高效的解决方案。氮化镓集成电路使产品更小、更快、更高效和更易于设计。
误解4:氮化镓器件的供应链不可靠
EPC的GaN FET和集成电路的制造工艺非常简单和成熟。通过
2023-06-25 14:17:47
一种优秀的解决方案,其优点是同类最好的硅辐射硬设备的20倍,同时仍然保持明显更小和更低的成本。剑桥 GaN 器件有限公司首次推出增强型氮化镓新技术本次综述的最终成果来自2022年亚太经合组织会议
2022-06-15 11:43:25
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
5G将于2020年将迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
重要作用。下图展示的是锗化硅和氮化镓的毫米波5G基站MIMO天线方案,左侧展示的是锗化硅基MIMO天线,它有1024个元件,裸片面积是4096平方毫米,辐射功率是65dbm,与之形成鲜明对比的,是右侧氮化
2019-04-13 22:28:48
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
,是氮化镓功率芯片发展的关键人物。
首席技术官 Dan Kinzer在他长达 30 年的职业生涯中,长期担任副总裁及更高级别的管理职位,并领导研发工作。他在硅、碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率芯片方面
2023-06-15 15:28:08
解决方案,累计近100家客户选用了茂睿芯的氮化镓解决方案。致力于为客户提供最优解,进一步提高PD快充的功率密度,提高GaN系统可靠性,茂睿芯重磅推出33W集成氮化镓PD方案MK2787/MK2788,集成
2021-11-12 11:53:21
位于加拿大渥太华的第三代半导体无晶圆设计公司,主营业务是开发基于 氮化镓的功率芯片和功率转换解决方案。公司现拥有200多名员工,这就意味着按照员工数量的收购价格约为4百万美元每位员工。恭喜GaN
2023-03-03 16:48:40
得到改善。由于GaN技术的发展和推出易于使用的GaN功率级(如具有自我保护功能的LMG3410),这一趋势现在将发展到电源电子产品。了解TI的GaN解决方案。其他信息:了解更多关于GaN的信息:让我们
2019-07-29 04:45:12
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
氮化镓 (GaN) 电源解决方案,氮化镓 (GaN) 在充电器和适配器中的应用技术交流;
2021-11-22 09:26:58
随着科学技术的不断进步,电力电子设备的应用越来越广泛,而在这些设备中,电源是一个非常重要的部件。近年来,氮化镓(GaN)材料在电源领域的应用逐渐受到关注,成为推动新型电源解决方案的重要力量。
2023-10-20 16:41:43230 GaN氮化镓晶圆硬度强、镀层硬、材质脆材质特点,与硅晶圆相比在封装过程中对温度、封装应力更为敏感,芯片裂纹、界面分层是封装过程最易出现的问题。同时,GaN产品的高压特性,也在封装设计过程对爬电距离的设计要求也与硅基IC有明显的差异。
2023-11-21 15:22:36335
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