概述OC5862 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5862在 5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.8 A峰值输出电流,并且具有出色的线电压和负载调整率。OC5862
2023-03-28 17:12:54
想做一个0—60V的可调直流电路,一直找不到合适的解决方案。请教各位给出一个优质的解决方案
2015-11-28 15:44:47
惠海直销30V 60V 100V mos管 3A5A10A15A 25A 30A 50A 贴片 mos管【惠海半导体直销】惠海直销30V 60V 100V mos管SOT23封装 TO-252
2020-11-12 09:52:03
30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos管【惠海半导体直销】30V 60V 100V mos管SOT23封装 TO-252 SOP-8 DFN3
2020-11-11 14:45:15
`30V 60V 100V mos管3A 5A 10A 15A 25A 30A 50A贴片mos管【惠海半导体直销】30V 60V 100V mos管SOT23封装 TO-252 SOP-8
2020-11-03 15:38:19
(SOT)-23,漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上,你有空间受限的问题吗?”我问。他承认有,于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2022-11-16 07:06:25
` 在纯电阻电路里,导体中的电流跟导体两端的电压成正比,跟导体的电阻成反比,I=U/R由欧姆定律我们可以知道电压、电阻越大电流越小,电压、电阻越小电流越大。所以选型时要找60V Littelfuse
2017-08-22 10:36:50
的峰值输出电流 0.9Ω 的内部功率MOSFET 可采用大输出电容启动 低ESR 陶瓷电容输出稳定 效率高达 90% 固定 500kHz 频率 热关断 逐周期过流保护 宽输入电压范围:5.5~60V 采用SOT23-6 封装应用 电表 分布式电源系统 电池充电器 线性稳压器的预调节器典型应用电路图
2022-08-23 10:44:12
60V转5V稳压芯片,60V转3.3V稳压芯片,60V转3V稳压芯片,60V转1.8V稳压芯片,60V转5V降压芯片,60V转3.3V降压芯片,60V转3V降压芯片,60V转1.8V降压芯片。1
2020-11-18 10:00:48
产品概述:ZCC2459是一款内部集成有功率MOSFET管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速环路响应并提高环路的稳定性。宽范围输入电压(4.5 V至60V)提供0.5A电流的高效率输出
2019-10-24 09:26:59
80V/550mΩ高侧和一个80V/350mΩ低侧MOSFET,可在4.5V至60V的宽输入电压范围内提供600mA的连续负载电流。 峰值电流模式控制可提供快速的瞬态响应和逐周期的电流限制。产品特性
2022-08-18 15:21:12
概述SL3063是一款外部驱动MOSFET的降压型开关稳压器,工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压(6V至60V)可提供大电流高效率输出。SL3063安全保护机制包括逐周期
2022-05-23 09:31:25
`本人有60V电源驱动模块可免费提供,有需要的可联系我Q576309861已出售2000多个,自己DIY的,电压稳定,质量保障`
2014-08-20 13:59:32
型号太多,无法一一列出来,具体可以上惠海半导体网看或者来电自诩,给您带来不便敬请谅解,谢谢公司主营产品:30V、60V、100V、150V全系列nmos管,2N10、3N10、4N10、5N10
2020-12-01 16:18:08
60V转24V降压芯片,60V转20V降压芯片,60V转15V降压芯片,60V转12V降压芯片,60V转9V降压芯片60V转24V稳压芯片,60V转20V稳压芯片,60V转15V稳压芯片 ,60V转
2020-11-18 10:58:57
60V转24V降压芯片,60V转20V降压芯片,60V转15V降压芯片,60V转12V降压芯片,60V转9V降压芯片60V转24V稳压芯片,60V转20V稳压芯片,60V转15V稳压芯片 ,60V转
2020-11-18 10:53:17
60V转24V,60V转20V,60V转15V ,60V转12V,60V转9V,60V转5V,60V转3.3V,60V转3V,60V转24V芯片,60V转20V芯片,60V转15V芯片 ,60V转
2020-10-07 18:24:04
/0.6A稳压芯片
DCDC60V降压12V/0.6A稳压芯片是一种常见的电源管理芯片,它可以将输入的60V直流电压降低到12V,并输出0.6A的电流。这种芯片通常采用PWM控制技术,具有高效率
2023-11-21 15:30:37
概述SL3062是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器,工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压(6V至60V)可提供最大1.5A电流高效率输出。SL3062安全保护
2022-06-14 09:37:05
概述 SL3063是一款外部驱动MOSFET的降压型开关稳压器,工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压(6V至60V)可提供大电流高效率输出。 SL3063安全保护机制包括逐
2022-06-14 15:34:34
60V FemtoFET MOSFET缩小工业设备体积。”TI推荐使用无铅(SnAgCu)SAC焊锡膏如SAC305用于mtoFET面板安装。你可以选用第三类焊膏,但体积更小的第四类焊锡膏则是更优
2018-08-29 15:28:55
(SOT)-23,漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上,你有空间受限的问题吗?”我问。他承认有,于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET
2018-08-29 16:09:11
+-60v量程多路AD电路怎样设计?ADC是不是都自带采保电路(S/H),如ad7738?AD7738到底有无PGA?指南和PDF文件不一致.模拟开关和多路复用器有什么不同?AD7738 的MUX是模拟开关,还是多路复用器?谢谢您
2018-11-22 09:03:32
的非常宽的结温和存储温度范围.特征:•沟槽型Power MV MOSFET技术-60V•低RDS(ON)•低 GATE CHARGE•针对快速切换应用程序进行优化•VDS:-60V•ID (at VGS
2019-03-13 10:54:35
ESOP8 封装。特点宽输入电压范围:3.6V~60V高效率:可高达 95%最高工作频率:350KHzCS 限流保护电压:250mVFB 电流采样电压:250mV芯片供电欠压保护:2.5V关断时间可调
2019-04-22 11:33:50
ESOP8 封装。特点宽输入电压范围:3.6V~60V高效率:可高达 95%最高工作频率:350KHzCS 限流保护电压:250mVFB 电流采样电压:250mV芯片供电欠压保护:2.5V关断时间可调内置 60V 功率 MOS管ESOP8 封装应用领域LED 灯杯平板显示 LED 背光大功率 LED 照明
2019-07-23 09:04:56
ESOP8 封装。特点宽输入电压范围:3.6V~60V高效率:可高达 95%最高工作频率:350KHzCS 限流保护电压:250mVFB 电流采样电压:250mV芯片供电欠压保护:2.5V关断时间可调内置 60V 功率 MOS管ESOP8 封装应用领域LED 灯杯平板显示 LED 背光大功率 LED 照明
2019-09-07 10:00:41
稳压管,软启动以及过温保护电路,减少外围元件并提高系统可靠性。SL8530B 采用ESOP8 封装。散热片内置接SW 脚。特点 宽输入电压范围:2.6V~60V 内置60V 功率MOS 高效率:可高达
2022-11-16 10:16:04
国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)近日推出一款新型60V DirectFET 功率 MOSFET-IRF6648。该器件的最大导通电阻为7.0 mΩ(VGS
2018-11-26 16:09:23
频率进行调节或在 200kHz 至 700kHz 的范围内实施同步。在降压或升压操作中,无需上管 MOSFET 刷新开关周期。凭借 60V 输入、60V 输出能力以及工作区之间的无缝转换
2018-11-29 17:10:36
`深圳市三佛科技有限公司 供应 NCE60P04Y 新洁能 -4A -60V MOS管,原装,库存现货热销NCE60P04Y :-60V -4A SOT23-3L P沟道MOS 场效应管品牌:新洁能
2020-11-06 15:30:13
`深圳市三佛科技有限公司 NCE60P04Y 新洁能 -60V -4A SOT23-3L PMOS,原装,库存现货热销NCE60P04Y :-60V -4A SOT23-3L P沟道MOS 场效应管
2020-10-28 16:05:32
。DIM 端同时支持线性调光。OC5022B 内部还集成了 VDD 稳压管以及过温保护电路等,减少外围元件并提高系统可靠性。OC5022B 采用 ESOP8 封装。散热片内置接 SW 脚。特点◆内置60V
2022-02-10 14:14:45
模式。OC5122内部还集成了VDD稳压管以及过温保护电路等,减少外围元件并提高系统可靠性。OC5122 采用 ESOP8 封装。散热片内置接 SW 脚。特点◆内置 60V MOS◆宽输入电压范围:8V
2022-02-17 11:04:44
。OC5822 采用 SOP8 封装,且外围元器件少。特点 1.5A 的最大输出电流 60V/2A 的内部功率 MOSFET 效率高达 93% 频率可调 热关断 逐周期过流保护 宽输入电压范围:6
2022-01-12 09:43:12
输出电流0.9Ω 的内部功率MOSFET可采用大输出电容启动低ESR 陶瓷电容输出稳定效率高达 90%固定 1 MHz 频率热关断逐周期过流保护宽输入电压范围:5.5~60V采用SOT23-6 封装应用 电表分布式电源系统电池充电器线性稳压器的预调节器
2020-05-09 14:50:06
、售前服务及服务,给用户提供最优质最具竞争力的产品以及最人性化最贴心的服务。一、概述OC5860 是一款内置功率 MOSFET的单片降压型开关模式转换器。OC5860在 5.5-60V 宽输入电源
2020-05-11 11:29:51
` 本帖最后由 tcy694513036 于 2020-12-16 10:57 编辑
OC6700 是一款内置 60V 功率 NMOS高效率、高精度的升压型大功率 LED 恒流驱动芯片
2020-11-03 15:25:27
。OC6700B 内部集成了 VDD 稳压管, 软启动以及过温保护电路,减少外围元件并提高系统可靠性。OC6700B 采用 ESOP8 封装。散热片内置接 SW 脚。特点 宽输入电压范围:2.6V~60V 内置
2021-12-21 10:38:02
以及过温保护电路,减少外围元件并提高系统可靠性。OC6700B采用ESOP8封装。散热片内置接SW脚。特点 宽输入电压范围:2.6V~60V 内置60V功率MOS 高效率:可高达95% 最大
2020-05-26 10:48:15
以及过温保护电路,减少外围元件并提高系统可靠性。OC6700B采用ESOP8封装。散热片内置接SW脚。特点 宽输入电压范围:2.6V~60V 内置60V功率MOS 高效率:可高达95% 大工
2020-05-23 09:55:11
、MOS管、LED/LEC驱动等等,广泛应用于台灯、钟表、LCD显示模块、数码伴侣、玩具、车灯、扭扭车、等各类工业和民用电器产品上一、概述OC6700 是一款内置 60V 功率 NMOS高效率、高精度
2020-05-12 11:35:15
以及过温保护电路,减少外围元件并提高系统可靠性。OC6700B采用ESOP8封装。散热片内置接SW脚。特点 宽输入电压范围:2.6V~60V 内置60V功率MOS 高效率:可高达95% 最大
2020-05-22 09:55:05
以及过温保护电路,减少外围元件并提高系统可靠性。OC6700B采用ESOP8封装。散热片内置接SW脚。特点 宽输入电压范围:2.6V~60V 内置60V功率MOS 高效率:可高达95% 大工
2020-05-23 09:57:20
PRD1193是基于ADP1613的30至60V输入级联SEPIC转换器,可在0至150mA电流下产生3.3V输出。 U1(ADP1613升压调节器)用作控制器IC,Q1是级联(源极驱动)功率开关MOSFET
2019-07-18 07:35:48
`全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)开发出内置有2枚耐压±40V和±60V的MOSFET且支持24V输入的双极MOSFET*1“QH8Mx5/SH8Mx5系列(Nch+Pch*2
2021-07-14 15:17:34
深圳市森利威尔电子有限公司郑先生 *** QQ:2355368874SL3039 60V 0.8A 1MHZ 降压型转换器概述:SL3039 是一款内置功率MOSFET的单片降压型开关模式转换器
2021-04-07 17:55:14
概述SL3039 是一款内置功率MOSFET的单片降压型开关模式转换器。SL3039在5.5-60V 宽输入电源范围内实现 0.8 A峰值输出电流,并且具有出色的线电压和负载调整率。SL3039
2021-11-16 09:36:36
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
之前xl6009芯片资料说能升到60V,然而实际做出来只能到38V,比较郁闷,问一下有其他芯片能升压到60V或以上吗?
2017-04-02 16:45:35
概述OC5022B 是一款内置 60V 功率 MOS 高效率、高精度的开关降压型大功率 LED 恒流驱动芯片。 OC5022B 采用固定关断时间的峰值 电流控制方式,关断时间可通过外部电容 进行调节
2020-06-01 15:20:46
RS485收发器支持参考设计,具有60V故障,适用于半双工RS485网络操作60V DC,15kV ESD保护
2020-05-15 09:23:17
大的负载电流都会采用两个功率6 x 5封装,算上导线和打卷标的面积,以及两个器件的位置摆放,占用的面积超过60mm2。这种双芯片功率封装的尺寸是6.0mm x 3.7mm ,在电路板上占用的面积
2013-12-23 11:55:35
要监视更多的传感器。本文将讨论如何显著减少PCB占用空间,增加通道密度以及最大限度地发挥其他组件和功能与TI微型数据转换器高度集成的优势,从而以更小的尺寸创造更多的价值。第一个优点:PCB占用空间更小
2022-11-09 06:13:10
随着系统尺寸越来越小,每平方毫米的印刷电路板(PCB)面积都至关重要。与此同时,随着对数据需求的增加,则需要监视更多的传感器。 本文将讨论如何显著减少PCB占用空间,增加通道密度以及最大限度地发挥其他组件和功能与TI微型数据转换器高度集成的优势,从而以更小的尺寸创造更多的价值。
2021-01-19 06:41:35
=oxh_wx3、【周启全老师】开关电源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 如何把输入220v的开关电源 (手机充电器)改成60v输入。很对不起!我没有悬赏积分。只能表达我的谢意!
2019-05-18 10:35:39
怎么产生60V电压并且是方波1KHZ~2KHZ,如果用5V怎么变成12V电压?,并且控制输出方波脉宽。
2017-07-12 17:52:19
输入60V,输出5V,元器件最好有参数,类似下图
2020-09-21 17:08:43
求一个过放保护电路,电池60V,过放到54v的时候截止,电路越简单越好。谢谢
2023-03-17 10:28:57
测量高精度60V电量监测计
2019-09-18 08:56:50
三相电机驱动中的一相,电压是60V,其中 C4B 和 R5B 是吸收尖峰电压吗? 要如何选择型号呢 ?
2018-09-10 17:30:11
我这边用示波器测的60V的电源,输出纹波好大,不知道是测试问题还是电源的问题,示波器图片如下:
2014-12-30 18:35:44
产品概述:ZCC2459是一款内部集成有功率MOSFET管的降压型开关稳压器。以电流模式控制方式达到快速环路响应并提高环路的稳定性。宽范围输入电压(4.5 V至60V)提供0.5A电流的高效率输出
2020-12-17 14:47:30
,高输出功率下损耗的降低,会导致低负载范围内损耗的升高。 英飞凌通过推出阻断电压为40V和60V的新型MOSFET,为在整个负载范围内大幅降低各种损耗创造了条件。 通过对测量曲线进行直接比对,结果显示
2018-12-06 09:46:29
简化48V至60V直流馈电三相逆变的方法
2020-11-27 06:43:34
的亮度。产品特点: 内置温度保护 输出短路保护 关断时间可调 内置电流采样前沿消隐电路 高效率:可高达 95% 最大工作频率:300kHz 宽输入电压范围:5V~60V峰值电流采样电压:250mV内置
2018-07-26 10:11:50
单芯片同步降压DC/DC转换器减少面积60%
目前,不少电信及服务器架构标准(PCI、ATCA)对机架设备都有固定的尺寸和电源预算。不断增加的PCB密度支持设计人员实现更多
2009-11-07 16:29:45942 小信号应用60V功率MOSFET
日前,Vishay Intertechnology, Inc.推出采用SOT-923封装的60V N沟道功率MOSFET --- SiM400。该器件为业界最小的60V功率MOSFET,比SC-70和SC-90等封装能节约更多
2009-12-31 09:59:441420 Diodes公司 (Diodes Incorporated) 推出一对MOSFET H桥,DMHC4035LSD和DMHC3025LSD。产品通过减少元件数量及缩减50%的印刷电路板占位面积,简化电机驱动和电感无线充电电路。
2015-03-03 10:43:401459 德州仪器(TI)近日推出新型60-V N通道功率FemtoFET功率晶体管,电阻实现业内最低,比传统60-V负载开关低90%,同时,使终端系统功耗得以降低。CSD18541F5内置于微型1.53-mm x 0.77-mm硅基封装,其负载开关的封装体积比SOT-23中的减小80%。
2016-07-18 17:12:361476 )-23,漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上,您有遇到过空间受限的问题吗?”我问。他确实碰到过,于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息。
2016-10-24 16:33:37938 关键词:MOSFET , FemtoFET 小信号 MOSFET 晶体管为移动设备节省电源,延长电池使用寿命 德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电
2018-10-13 11:03:01308 60V转5V,60V转12V的降压芯片规格书,0.1A-10A
2020-11-25 17:54:4238 Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211274 60V零漂移
2021-05-14 21:27:110 60V电池煤气表
2021-05-16 15:54:071 有,于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息,RDS(ON)不到60mΩ,占位面积5mm × 0.8mm (1.2mm2) (参见图1),是专为诸如信息
2022-01-27 14:51:08684 NP50P06D6(60V P沟道增强模式MOSFET)
2022-07-13 10:49:341560 借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小您的元件占位面积
2022-11-02 08:16:250 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002H
2023-02-15 18:44:250 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y33-60P
2023-02-17 18:44:050 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PSMP061-60YE
2023-02-17 18:45:550 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-PSMP033-60YE
2023-02-17 18:46:150 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y61-60P
2023-02-20 19:13:270 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK7D36-60E
2023-02-20 19:14:442 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D210-60E
2023-02-20 19:57:030 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D125-60E
2023-02-20 19:57:430 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D77-60E
2023-02-20 20:03:400 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D56-60E
2023-02-20 20:04:170 60 V、P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D120-60P
2023-02-22 18:53:020 60 V、N 沟道沟槽 MOSFET-BUK6D43-60E
2023-02-23 19:05:270 60V、N 沟道沟槽 MOSFET-PMV230ENEA
2023-03-03 19:34:480
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