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电子发烧友网>电源/新能源>电源设计应用>新型60V FemtoFET MOSFET减少您的元件占用面积

新型60V FemtoFET MOSFET减少您的元件占用面积

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)-23,漏源导通电阻RDS(ON)通常100mΩ左右。“在这些电路板上,您有遇到过空间受限的问题吗?”我问。他确实碰到过,于是我向他展示TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息。
2016-10-24 16:33:37938

TI 超小型 FemtoFET MOSFET 支持最低导通电阻

关键词:MOSFET , FemtoFET 小信号 MOSFET 晶体管为移动设备节省电源,延长电池使用寿命 德州仪器 (TI) 宣布面向智能手机与平板电脑等空间有限手持应用推出业界最小型低导通电
2018-10-13 11:03:01308

60V转5V,60V转12V的降压芯片规格书,0.1A-10A

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2020-11-25 17:54:4238

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Vishay/Siliconix SiR186LDP N沟道60V (D-S) MOSFET采用TrenchFET® Gen IV功率MOSFET技术。
2021-04-21 17:50:211274

60V零漂移

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2021-05-14 21:27:110

60V电池煤气表

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2021-05-16 15:54:071

你碰巧在你的设计中用过60V的负载开关吗

有,于是我让他看TI新型CSD18541F5 60V FemtoFET MOSFET的技术信息,RDS(ON)不到60mΩ,占位面积5mm × 0.8mm (1.2mm2) (参见图1),是专为诸如信息
2022-01-27 14:51:08684

NP50P06D6(60V P沟道增强模式MOSFET)

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2022-07-13 10:49:341560

借助新型60V FemtoFET MOSFET缩小您的元件占位面积

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2022-11-02 08:16:250

60V,N 沟道沟槽 MOSFET-2N7002H

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2023-02-15 18:44:250

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2023-02-17 18:44:050

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2023-02-17 18:45:550

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2023-02-17 18:46:150

60V,P 沟道沟槽 MOSFET-BUK6Y61-60P

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2023-02-20 19:13:270

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2023-02-22 18:53:020

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2023-02-23 19:05:270

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2023-03-03 19:34:480

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