高压氮化镓的未来，您能想象得到吗？

你可以想象有这样一个世界，在这个世界中，你不需要建造这么多发电厂，来满足不断蹿升的数字需求。在这个世界中，工业、企业计算、电信和可再生能源系统的运行速度大大加快，并且效率更高。

这样一个世界也许很快就可以实现。

正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案，相对于传统的、基于硅材料的技术，创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳的应用。

“氮化镓就像一个超级增压引擎，”我们的高压新技术开发组总监Steve Tom说，“它使得系统运行更快，动力更加强劲，并且能够处理更高的功率。它周围的驱动器、封装和其它组件能够真正地提高任何系统的性能。”

它会影响到我们身边的每一个人。你每次使用智能手机、网上下单、查看社交媒体，或者将照片上传至在线账户时，你连接的是一个包含数千台服务器的巨大数据中心。

这些服务器和数据中心的运转耗电量很大。而对于电力的需求—也是对于电厂发电量的要求—也增长的越来越快，这是因为我们的生活与网络互连的关系越来越紧密，并且对于高耗能数字器件的依赖程度也越来越高。

“由于我们对电子元器件的期待越来越高，随着物联网不断增长，我们的设备都被连接在了一起，我们需要消耗更多的电能，”GaN开发团队的系统和应用工程师Eric Faraci说，“更多的能耗意味着需要建造更多的大型电厂。但是，如果我们使用诸如氮化镓的技术，我们可以将效率提高到一定的程度，这样的话，我们也许就不再需要增加发电能力了。”

所以，我们可以想象一个更加绿色环保的生活。

“我们需要减少能耗，”Steve说，“我们无法一直满足全世界范围内不断增长的用电需求。”

在TI，我们不断工作，在憧憬着未来美好生活的同时，我们也努力尽早实现这些未来的技术。

感觉不到散热

GaN是将鎵元素和氮元素这两个元素组合在一起而创造出来的一款超快速的半导体材料。在很多年间，硅材料一直在底部支撑电子元器件的基础构造块。相对于硅材料，这个组合使得电子能够更加自由的运动。

系统中的电路，从手机到高端工业用工具和服务器，它们的工作方式都是不断接通和断开数百万个微型开关。开关每移动一次，它就会产生热量。

这些发热限制了系统的性能。比如说，当你笔记本电脑的电源变热时，其原因在于流经电路开关内的电子会产生热量，并且降低了它的效率。

由于氮化镓是一款更好、效率更高的半导体材料，它的发热量更低，所以设计人员能够将更多的开关装在更小的空间内。

在隔离式高压工业、电信、企业计算机和可再生能源应用中，具有集成式驱动器的600V GaN功率级开关显得特别重要。LMG3410的优势包括：

将目前技术最先进的硅材料功率因数校正转换器的功率密度加倍。

相对于分立式GaN解决方案，其功率损耗、电压应力和电磁干扰更低。

实现全新技术。