为满足快速发展的电动汽车行业对高功率密度 SiC 功率模块的需求，进行了 1 200 V/500 A 高功率密度三相 全桥 SiC 功率模块设计与开发，提出了一种基于多叠层直接键合铜单元的功率模块封装方法来并联更多的芯片。
2024-03-13 10:34:03
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CMT-TIT0697栅极驱动器板被设计为可直接安装在CAB450M12XM3 1200V/450A碳化硅MOSFET功率模块上。凭借可提供每通道高达2.5W功率的板载隔离电源（且无需降低高达125°C的额定环境温度），该栅极驱动器可以驱动频率高达100KHz的XM3模块，从而实现高功率密度。
2020-01-15 08:09:001117 本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块（IPM）体系所带来的益处，尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。
2020-11-07 12:00:362169 描述这一经过验证的参考设计概述了如何实现基于 SiC 的三级三相直流/交流并网逆变器级。50kHz 的较高开关频率降低了滤波器设计的磁性元件尺寸，并因此提高了功率密度。通过使用可降低开关损耗
2018-10-29 10:23:06
国际整流器公司推出坚固型600 V三相栅极驱动器IC，主要应用于包括永磁电机驱动的家电、工业驱动、微型变频器驱动和电动汽车驱动等在内的高、中和低压电机驱动应用。
2016-06-21 18:20:36
半导体器件具有导通电阻小、阻断电压高、耐高温耐高压等优点。随着SiC基半导体工艺的成熟，SiC成为工作于较高环境温度和较大功率场合下的--宽禁带半导体材料。近年来随着电力电子技术在电动汽车、风力发电
2019-10-24 14:25:15
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
ROHM面向工业设备用电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
。如果是相同设计，则与芯片尺寸成反比，芯片越小栅极电阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此栅极电容小，但内部栅极电阻增大。例如，1200V 80mΩ产品（S2301为裸芯片
2018-11-30 11:34:24
与IGBT相比，SiC MOSFET具备更快的开关速度、更高的电流密度以及更低的导通电阻，非常适用于电网转换、电动汽车、家用电器等高功率应用。但是，在实际应用中，工程师需要考虑SiC MOSFET
2019-07-09 04:20:19
可以通过在SiC功率器件上运行HTGB（高温栅极偏压）和HTRB（高温反向偏压）应力测试来评估性能。Littelfuse在温度为175°C的1200V，80mΩSiCMOSFET上进行了压力测试，具有
2019-07-30 15:15:17
在内的各种应用中的采用。当前的SiC-SBD产品结构分为耐压为650V与1200V、额定电流为5A～40A的产品，具体因封装而异。其概要如下表所示。另外，ROHM正在开发650V产品可支持达100A
2018-12-04 10:09:17
实现“充电5分钟，续航超200公里。”极氪智能旗下威睿电动汽车技术有限公司正式发布了600kW超充技术，并已实现量产，据称可实现充电5分钟续航里程增加300公里。哪吒汽车发布浩智800V SiC高性能
2022-12-27 15:05:47
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高温时功率损耗低.高温工作性能（200C）.无恢复损耗的体二极管.驱动方便.低栅极充电（SCT*N65G2V）了解更多信息，请关注英特洲电子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
和PCN 分别表示A 相、B 相和C 相负载各自吸收的平均功率。这就是三表法。这种接线方法是最容易理解的。实际上，三表法测三相功率不止图1 所示的一种接线方式，另外还有三种接线方式，如图2 所示，分别
2008-12-04 11:36:22
器件的耐压等级通常为650V,700V和800V.如果对于三相应用，考虑到变压器的反射电压及漏感和设计余量，该类器件无法满足要求。而单纯采用一个高压开关器件，如1000V或1200V以上的功率开关器件
2018-11-29 11:26:20
三相电动机为什么可以正反转？怎样调换三相电源呢？
2021-10-14 09:12:35
LAUNCHXL-F28027 用于生成逆变器控制所需的 PWM 信号。主要特色 三相逆变器系统具有：额定电压为 1200V、额定电流范围为 50A-200A 的 IGBT 模块。（支持多家供应商）7 个增强型隔离式
2018-12-27 11:41:40
三相异步电动机是电工常接触的设备，本文以图文并茂形式介绍三相异步电动机原理和三相异步电动机结构，是电工入门的必读干货文章。
2021-01-27 07:43:40
三相异步电动机原理
2019-10-21 09:02:33
智能电动汽车的三大主题分别是什么？eysight仿真设计软件在汽车毫米波雷达中的应用是什么？Keysight智能汽车是如何应用到复杂电磁环境模拟系统中去的？
2021-06-28 08:54:34
电动汽车Electric Car：电动汽车是以电代替燃料作为动力的低噪音、无废气排放的汽车。电动车锂电池、电动汽车是1835年由美国人汤姆斯发明的，它比燃油汽车的发明整整早了半个世纪。到19世纪出现
2013-05-14 10:50:16
汽车是现代生活中不可或缺的交通工具，但随着能源危机和环境污染问题日益严峻，传统燃油汽车的发展面临着越来越大的压力。电动汽车凭借其在环保和节能等方面的优势，已成为汽车工业发展的必然趋势。然而，电动汽车
2020-04-20 06:54:10
电压，直流总线电压至少必须为DC800V，此时必须采用定额为1200V/400A的IGBT。 5 结语 本文根据SAEJ-1773对感应耦合器的规定，对电动汽车供电电池的充电器进行了讨论。根据感应
2012-11-29 14:29:17
，直流总线电压至少必须为DC800V，此时必须采用定额为1200V/400A的IGBT。 5 结语 本文根据SAEJ-1773对感应耦合器的规定，对电动汽车供电电池的充电器进行了讨论。根据感应
2012-12-05 16:10:53
、6.6-kW推拉 用于HEV/EV车载充电器的PFC参考设计配两级关闭保护的汽车双通道SiC MOSFET栅极驱动器参考设计用于太阳能串逆变器的10kW三相三电平并网逆变器参考设计更多关于充电系统
2019-03-11 06:45:02
电动汽车电池智能快速充电器的设计本文介绍了一种电动汽车智能快速充电器的设计过程。该充电器基于Cygnal 公司的C8051F040单片机为控制核心，将C8051F040 特有的模拟电路模块、高精度A
2009-05-17 11:39:32
求一个芯片，电动汽车里用的，8V-36V转成12V的DC/DC芯片，要求输出电流大于50mA,求高手指教，谢谢！
2016-09-02 19:52:00
，而且距离工业革命还不到三个世纪，人们强烈要求保护这些自然资源并寻找替代能源。图1: 电动汽车的代表性图像由于如此猖獗地使用这些消耗性资源所产生的副作用，地球上脆弱的生态系统正面临严重危险。如果这些
2022-04-28 16:27:19
。在今年 7 月的 PCIM（电力元件、可再生能源管理展览会）虚拟展位上，展示了采用CoolSiC™汽车 MOSFET 技术的 EasyPACK™模块，即 1200V/8mΩ(150A)的半桥模块
2021-03-27 19:40:16
电动汽车变革进行时，芯片IP供应商扮演着怎样的角色？
2021-01-13 06:25:54
的锂离子电池可能限于1C，但一些汽车电池可以用远高于这个限值的电流充电，从而缩短再次充电时间。事实上，工作在480V/三相电压的大功率三类充电器，给电动汽车电池充电的时间与加满一箱油的时间相近。请注意
2019-05-13 14:11:37
(MCU) 控制功率级的方法。用于此设计的硬件和软件可帮助您缩短产品上市时间。高功率三相功率因数校正应用中（例如非板载电动汽车充电和电信整流器）使用了 Vienna 整流器电源拓扑。此设计说明
2018-10-24 16:36:45
`编辑-ZD45XT100在DXT-5封装里采用的玻璃钝化硅整流二极管芯片，外壳采用环氧树脂，是一款大功率三相整流桥。D45XT100的浪涌电流Ifsm为450A，漏电流(Ir)为10uA，其工作
2021-07-16 14:15:18
FCI为混合动力及电动汽车推出大功率连接器设计
2021-05-10 06:18:51
R12KT4（450A/1200V）FF300R12KT4（300A/1200V）FF200R12KT4（200A/1200V）FF150R12RT4（150A/1200V）FS200R12KT4R(200A
2022-05-10 10:06:52
RD-354，参考设计使用FNA22512A 25A / 1200V，3.7 kW三相逆变器。该参考设计支持1200 V Motion SPM 2系列的设计
2020-07-18 12:23:30
RD-354，参考设计使用FNA23512A 35A / 1200V，5.5 kW三相逆变器。该参考设计支持1200 V Motion SPM 2系列的设计
2020-07-18 12:46:31
的功率模块系列产品。该电源模块系列包括驱动器模块“SA310”（非常适用于高耐压三相直流电机驱动）和半桥模块“SA110”“SA111”（非常适用于众多高电压应用）两种产品。ROHM的1,200V
2023-03-29 15:06:13
三相交流电机驱动压缩机转移● 真空或气动控制：向电子控制模块（ECM）转移● 线控驱动（DbW）系统：向高功率机电执行器转移● 停车制动器：向电动卡钳转移● 驱动轮系统：向端到端电气化转移逻辑上，这些
2018-07-19 16:30:38
电动汽车充电领域的研究，想借助发烧友论坛完成项目的设计。项目计划：1）研究与分析双向谐振式DCDC变换器的工作原理；2）下载器件模型在ADS上搭建仿真电路，同时设计SiC管的驱动策略；3）采用耐压1200V
2020-04-24 18:11:27
的运行状态演示及常规信号检测。2.产品组成：动力总成拆装实训台.智能信息采集检测箱.驱动能量供给平台.三相高压连接线缆.低压通信连接线缆等重要组成件组成。3.电动机类型为三相永磁交流同步电机，电动
2021-06-30 07:42:31
Navitas的GeneSiC碳化硅(SiC) mosfet可为各种器件提供高效率的功率传输应用领域，如电动汽车快速充电、数据中心电源、可再生能源、能源等存储系统、工业和电网基础设施。具有更高的效率
2023-06-16 06:04:07
智能型22kw电动汽车充电 便携式智能型11kw电动汽车充电 便携式智能型7kw电动汽车充电便携式智能型3.6kw电动汽车充电 便携式本款充电方案采用先进的碳化硅技术，主要优势在功率密度、功率转换
2022-09-22 10:09:01
。目前，ROHM正在量产的全SiC功率模块是二合一型模块，包括半桥型和升压斩波型两种。另外产品阵容中还有搭载NTC热敏电阻的产品类型。以下整理了现有机型产品阵容和主要规格。1200 V耐压80A～600A
2018-11-27 16:38:04
ROHM为参战2017年12月2日开幕的电动汽车全球顶级赛事“FIAFormula E锦标赛2017-2018（第4赛季）”的文图瑞Formula E车队提供全SiC功率模块。ROHM在上个赛季（第
2018-12-04 10:24:29
SiC-MOSFET的量产。SiC功率模块已经采用了这种沟槽结构的MOSFET，使开关损耗在以往SiC功率模块的基础上进一步得以降低。右图是基于技术规格书的规格值，对1200V/180A的IGBT模块、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
介绍了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的100KHz，10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
如何设计来应对未来电动汽车的需要？这两个问题是比较复杂的两个问题，如果要系统完整的回答要写好几千字，老代只是从充电模块和系统的角度简单做以回答：1. 充电的速度和充电机的功率有关系，功率越大，充电
2016-03-24 09:53:06
上应用，就会存在兼容性不足和利用率不高的问题。 矩阵式柔性充电堆可以较好地解决这个问题。其将充电站内所有充电模块整合在一起，根据电动汽车需求功率智能分配，实现充电功率按需分配。同时，该技术还可改善充电模块
2016-09-22 15:47:41
本文为芬兰赫尔辛基应用科学大学（作者：Lars Dautermann）的学士论文，共63页。本论文的目的是为方程式大赛学生（Formula Student）的电动汽车提供一个三相逆变器。设计逆变器
2021-08-27 07:02:06
本文为芬兰赫尔辛基应用科学大学（作者：Lars Dautermann）的学士论文，共63页。本论文的目的是为方程式大赛学生（Formula Student）的电动汽车提供一个三相逆变器。设计逆变器
2021-08-30 07:05:10
1、【判断题】()测量三相有功功率只能用三相有功功率表进行测量。（×）2、【判断题】三相电动机接在同一电源中，作△形联接时的总功率是作Y联接时的3倍。（√）3、【判断题】()额定电压10千...
2021-09-17 08:19:13
如何实现三相感应电动机的设计？
2021-11-01 06:22:56
380V的线电压。如照明不多时，可将两只功率相同的灯泡串联后接在两火线之间；若照明灯具较多，则应将功率相同的灯具三个为一组接成Y后，再接到三相电源上，如图1所示。
2021-05-13 07:29:14
频率选择演示了基于 1200V SiC MOSFET 的 500-840V 可变直流母线的 OBC 设计，用于 250-450V 电池电压 ［10］。OBC的整体效率得到了优化，但是，1200V SiC
2023-02-27 09:44:36
技术几十年来最迅速的进展。例如，新的符合AEC车规的ASPM 27三相智能功率模块(IPM)，集成了驱动器、IGBT和二极管，提供一种更小、更可靠的方案，增强了热性能，用于诸如汽车空调(HVAC)系统、电动油泵
2018-10-30 09:06:50
Ω 至10mΩ）的分立MOSFET和模块、用于电动汽车辅助系统的600至1200V智能功率模块（IPM）、和用于泵及电机的各种40 V至60 V MOSFET。展望未来，安森美半导体电源方案部正扩展针对
2018-10-25 08:53:48
/混合动力汽车半导体领袖，紧跟市场趋势，提供全面的高性能方案，包括超级结SuperFET® III MOSFET、碳化硅(SiC)二极管、IGBT、隔离型门极驱动器、电流检测放大器、快恢复二极管，满足电动汽车充电桩市场需求并推动创新。
2019-08-06 06:39:15
电动汽车大功率充电桩的三相PFC整流装置是什么？带升降压功能的电动汽车大功率充电桩的控制方法是什么？
2021-07-02 06:52:26
。右图为SiC-MOSFET＋SiC-SBD组成的全SiC模块BSM300D12P2E001（1200V/300A）与IGBT＋FRD的模块在同一环境下实测的开关损耗结果比较。Eon是开关导通时的损耗
2018-12-04 10:14:32
怎样去设计一种大功率电动汽车充电机？
2021-05-13 07:16:52
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
金鉴出品】新能源汽车SiC MOSFET芯片漏电红外热点定位+FIB解析碳化硅器件的高压高频和高效率的优势，可以突破现有电动汽车电机设计上因器件性能而受到的限制，这是目前国内外电动汽车电机领域研发
2018-11-02 16:25:31
虽然电动和混合动力电动汽车（EV]从作为功率控制器件的标准金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）到基于碳化硅（SiC）衬底和工艺技术的FET的转变代表了提高EV的效率和整体系统级特性的重要步骤
2019-08-11 15:46:45
使用。此外还有第三方充电站网络运营商，这些运营商既不是电力公司，也不是电动汽车原始设备制造商。第 5 种不实传言：高功率级别充电器功效更高电源拓扑、控制方法、设计和元件选型对充电器的整体功效有重大
2022-11-03 07:45:06
日益严格的能效及环保法规推动汽车功能电子化趋势的不断增强和混合电动汽车/电动汽车(HEV/EV)的日渐普及，这加大了对高能效和高性能的电源和功率半导体器件的需求。安森美半导体作为汽车功能电子化的领袖
2019-07-23 07:30:07
AN1315，用于三相电机驱动的L6386 MOSFET功率驱动器评估板。 L6386，用于三相电机驱动的MOSFET功率驱动器。三相演示板是用于评估和设计高压栅极驱动器L6386的参考套件。用户
2019-07-03 09:22:07
HPD系列是1200V三相水冷式SiCMOSFET功率模块，采用业界公认的汽车封装，针对牵引逆变器和电机驱动器进行了优化。为了提供汽车级HPDSiC功率模块
2023-02-20 16:26:24
功率开关技术也是如此，特别是用SiC和GaN制作的宽带隙器件。SiC已经从5年前的商业起步跃升到今天的第三代，价格已与硅开关相当，特别是在考虑到连锁效益的情况下。 随着电动汽车、可再生能源和5G等
2023-02-27 14:28:47
本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗
2019-03-18 23:16:12
]。虽然优化了OBC的整体效率，但是1200V SiC MOSFET的成本很高。高直流母线电压也会增加PFC MOSFET和PFC扼流圈的功率损耗。840V直流链路设计需要两个串联的500V或450V
2019-10-25 10:02:58
: 电动汽车工作原理示意图图2是众人所熟悉之矽和宽带隙材料（SiC，GaN）的比较图。在开关频率还不是重点的汽车应用中，卓越的驱动性能和宽广的工作温度范围，让SiC成为电动汽车设计者的首选功率元件。图
2019-06-27 04:20:26
地进行比较，10 kW是合适的输出功率，因为该系统将为三相，易于操作并且非常适合可用SiC器件的额定功率。此外，通常需要1200 V的击穿电压，其中有多种选择，可从不同的拓扑和电平中进行选择，例如半
2019-10-25 10:01:08
。与此同时，SiC模块也已开发出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代SiC-MOSFET而促进实现更低导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
英飞凌IGBT模块FF300R12ME4 300A,1200V,IGBT4,螺栓型 EconoDUAL3 ?江苏求购英飞凌IGBT模块FF450R12ME4 450A,1200V,IGBT4,螺栓型
2021-09-17 19:23:57
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级，并能够监控和保护各种故障情况。图1：电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
比利时，蒙-圣吉贝尔—— 2016 年 4 月 15 日。高温及长寿命半导体解决方案的领先供应商CISSOID公司宣布，向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首个三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模块（IPM）原型。
2016-04-15 17:23:471873 科锐（Nasdaq: CREE）旗下Wolfspeed于近日宣布推出最新第三代1200V碳化硅（SiC）金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）系列，为电动汽车动力传动系统带来性能突破。
2018-07-19 10:17:593499 日前，Wolfspeed宣布推出1200V 450A全碳化硅半桥模块CAB450M12XM3，该产品可最大限度地提高功率密度，同时最大限度地降低环路电感并实现简单的功率总线。XM3适用于电动车充电器，牵引驱动器和不间断电源（UPS）等应用。
2019-09-14 10:54:001843 各行业所需高温半导体解决方案的领导者CISSOID近日宣布，将继续致力于应对汽车和工业市场的挑战，并推出用于电动汽车的三相碳化硅（SiC）MOSFET智能功率模块（IPM）平台。
2020-03-07 09:31:30950 Cissoid首席执行官Dave Hutton表示：“开发和优化快速开关SiC电源模块并可靠地驱动它们仍然是一个挑战，这款SiC智能电源模块是针对极端温度和电压环境开发电源模块和栅极驱动器的多年经验的成果。有了它，我们很高兴支持汽车行业向高效的电动汽车解决方案过渡。”
2020-03-07 13:59:472573 据外媒报道，比利时Cissoid公司推出一款三相SiC智能功率模块（IPM），可用于电动出行。
2020-04-22 15:54:253711 值从SCTxN65G2的650V到SCTxN120G2的1200V，并延伸到1700V。 在电动汽车牵引电机或充电站等汽车应用中，以及在太阳能发电机和电机驱动等工业应用中，使用SiC MOSFET可使设计者获得各种好处，包括： ●减小功率级的尺寸和重量 ●实现更高的功率密度 ●减小功率电路无源元件的尺
2020-11-26 16:33:521178 
作为国内首批自主研发并量产应用SiC器件的公司，在SiC功率器件领域，比亚迪半导体于2020年取得重大技术突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全桥SiC功率模块，并已实现在新能源汽车高端车型电机驱动控制器中的规模化应用。
2022-06-21 14:40:571216 意法半导体最近推出了第三代 STPOWER 碳化硅 (SiC) MOSFET，针对先进的功率应用（例如 EV 动力系统）和其他功率密度、能效和可靠性是相关关键因素的应用。 向电动汽车的过渡和内燃机
2022-07-29 18:09:27647 
2022年11月，上海瞻芯电子开发的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101)，该产品为TO247-4封装，最大电流(Ids)可达111A。
2023-03-22 16:47:332073 
随着电动汽车的车载充电器 (OBC) 迅速向更高功率和更高开关频率发展，对 SiC MOSFET 的需求也在增长。许多高压分立 SiC MOSFET 已经上市，工程师也在利用它们的性能优势
2023-06-08 15:40:02691 
1200V-600A/450A IGBT模块被广泛应用于新能源光伏和集中式储能、大功率工业电机变频及伺服、新能源车电驱等重要系统中。在这些应用系统中，IGBT模块作为最核心的零部件之一，其性能
2023-06-20 11:26:021328 
据悉，国联万众公司已研发出具备指标性能堪比国外知名厂商的1200V SiC MOSFET产品，部分型号产品已开始供应市场。另一方面，针对比亚迪在内的多方潜在客户，该公司的电动汽车主驱用大功率MOSFET产品正在进行进一步洽谈。
2023-12-12 10:41:48229 全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日宣布，推出四款采用E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置，其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。这一创新产品系列专为电动汽车充电站、储能系统、工业电源和太阳能应用而设计。
2024-03-06 11:43:19282 蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
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