为了更好地理解对功率密度的关注,让我们看看实现高功率密度所需的条件。即使是外行也能看出,效率、尺寸和功率密度之间的特殊关系是显而易见的。
2020-08-20 11:12:141169 在本文中,我们将讨论一些设计技术,以在不影响性能的情况下实现更高的功率密度。
2021-09-13 11:29:541186 开启了提高射频功率密度、节省空间和提高能效的大门,其批量生产水平的成本结构非常低,与LDMOS相当,远低于碳化硅基氮化镓。与此同时,对于高功率射频应用,氮化镓的用例已经扩展到分立晶体管以外。 随着氮化镓向
2019-07-31 07:47:23
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
的存在。1875年,德布瓦博德兰(Paul-Émile Lecoq de Boisbaudran)在巴黎被发现镓,并以他祖国法国的拉丁语 Gallia (高卢)为这种元素命名它。纯氮化镓的熔点只有30
2023-06-15 15:50:54
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
桥式拓扑结构中放大了氮化镓的频率、密度和效率优势,如主动有源钳位反激式(ACF)、图腾柱PFC 和 LLC(CrCM 工作模式)。随着硬开关拓扑结构向软开关拓扑结构的转变,初级 FET 的一般损耗方程可以被最小化。更新后的简单方程使效率在 10 倍的高频率下得到改善。
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。
更快:氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
;这也说明市场对于充电器功率的市场需求及用户使用的范围;随着小米65W的充电器的发布,快速的走进氮化镓快充充电器时代。目前市面上已经量产商用的氮化镓方案主要来自PI和纳微半导体两家供应商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年,电力电子领域将管理大约80%的能源,而2005年这一比例仅为30
2018-11-20 10:56:25
从“砖头”手机到笨重的电视机,电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间,而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸,但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
在所有电力电子应用中,功率密度是关键指标之一,这主要由更高能效和更高开关频率驱动。随着基于硅的技术接近其发展极限,设计工程师现在正寻求宽禁带技术如氮化镓(GaN)来提供方案。
2020-10-28 06:01:23
,并且顺丰包邮。 2022 年 5 月 15 日,联想官方在电商平台发起氮化镓快充价格战,YOGA 65W 双口 USB-C 氮化镓充电器到手价仅需 59.9元。这是一款正儿八经的大功率氮化镓充电器
2022-06-14 11:11:16
。且在關斷的同時可保持閘極電位為零,避免開關誤導通也可降低dead-time造成的損失。並且使訊號隔離達到安全的絕緣標準。因此要想提高功率密度,使用氮化鎵元件是必須的,只要轉換器件的效率提升,所產生
2019-09-19 09:05:03
现在越来越多充电器开始换成氮化镓充电器了,氮化镓充电器看起来很小,但是功率一般很大,可以给手机平板,甚至笔记本电脑充电。那么氮化镓到底是什么,氮化镓充电器有哪些优点,下文简单做个分析。一、氮化镓
2021-09-14 08:35:58
众所周知。但是氮化镓的历史成本结构决定了它成本不菲,这减慢了其成为主流应用的速度。然而,这种情况将不再持续,客户对氮化镓的看法和期望正不断调整演变。考虑到固有的功率密度优势和向 8 英尺基底扩展的可能性
2017-08-15 17:47:34
本文展示氮化镓场效应晶体管并配合LM5113半桥驱动器可容易地实现的功率及效率。
2021-04-13 06:01:46
的数十亿次的查询,便可以获得数十亿千瓦时的能耗。
更有效地管理能源并占用更小空间,所面临的挑战丝毫没有减弱。氮化镓(GaN)等新技术有望大幅改进电源管理、发电和功率输出的诸多方面。预计到2030年
2019-03-14 06:45:11
和扩展到4G LTE基站以及大规模MIMO 5G天线领域,其中天线配置的绝对密度对功率和热性能具有极高的价值,特别是在较高频率下。经过适当开发,硅基氮化镓的功率效率优势将对无线网络运营商的基站运营费用
2018-08-17 09:49:42
。
与硅芯片相比:
1、氮化镓芯片的功率损耗是硅基芯片的四分之一
2、尺寸为硅芯片的四分之一
3、重量是硅基芯片的四分之一
4、并且比硅基解决方案更便宜
然而,虽然 GaN 似乎是一个更好的选择,但它
2023-08-21 17:06:18
AN011: NV612x GaNFast功率集成电路(氮化镓)的热管理
2023-06-19 10:05:37
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与硅或砷化镓
2024-01-19 09:27:13
镓相比具有更高的性能,包括更高的击穿电压,更高的饱和电子漂移速度和更高的热电导率。 GaN HEMT还提供更高的功率密度和更宽的带宽与砷化镓晶体管相比。 该IM FET提供金属/陶瓷法兰提供最佳电气
2020-12-03 11:49:15
和更高导热系数。 GaN HEMT还提供更高的功率密度和更宽的功率范围相较于Si和GaAs晶体管的带宽。 此MMIC可用于10引线金属/陶瓷法兰封装(CMPA801B025F)或小型药丸包装
2020-12-03 11:46:10
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
的地方。作为一种宽带隙晶体管技术,GaN正在创造一个令人兴奋的机会,以实现电力电子系统达到新的性能和效率。GaN的固有优势为工程师开启了重新考虑功率密度的方法,这些方法在以前并不可能实现,如今能满足世界
2022-11-14 07:01:09
衬底而引起了人们对大功率应用的广泛关注。但其性能仍低于氮化镓衬底上的垂直氮化镓器件。关键问题是在硅衬底上实现低位错密度和连续厚氮化镓层具有挑战性。会上,北京大学冯玉霞博士结合具体的研究实践,分享了Si
2018-11-05 09:51:35
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国,2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
基站的系统性能和运营成本产生深远的影响。氮化镓显而易见的技术优势(包括能源效率提高、带宽更宽、功率密度更大、体积更小)使之成为LDMOS的天然继承者服务于下一代基站,尤其是1.8GHz以上的蜂窝频段
2017-08-30 10:51:37
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品,这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多:半导体器件可靠性更高,氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
系列光隔离探头现场条件因该氮化镓快充PCBA设计密度很高,阻容采用0402器件,只能采用不是最优方案的同轴延长线连接(通常推荐采用MCX母座连接,可最大限度减少引线误差)。现场连接图如下:▲图1:接线
2023-01-12 09:54:23
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:14:59
)1.1脉冲条件脉冲宽度:120µsec,占空比10%笔记Tc(op)= + 25°CSG36F30S-D基站用晶体管SGN350H-R氮化镓晶体管SGN1214-220H-R氮化镓晶体管
2021-03-30 11:24:16
功率模块(APM)、加热和冷却单元等。表1:突破性半导体材料的最佳应用氮化镓的魅力在于其固有的超越硅的几个属性。氮化镓提供更低的开关损耗;更快的速度,类似RF的开关速度;增加的功率密度;更好的热预算
2018-07-19 16:30:38
的设计和集成度,已经被证明可以成为充当下一代功率半导体,其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计,如果全球采用硅芯片器件的数据中心,都升级为使用氮化镓功率芯片器件,那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
,在半桥拓扑结构中结合了频率、密度和效率优势。如有源钳位反激式、图腾柱PFC和LLC。随着从硬开关拓扑结构到软开关拓扑结构的改变,初级FET的一般损耗方程可以最小化,从而提升至10倍的高频率。
氮化镓功率芯片前所未有的性能表现,将成为第二次电力电子学革命的催化剂。
2023-06-15 15:53:16
V,并且氮化镓耐电压小于1000 V。正是由于这些区别,使得功率半导体厂商与研究开发厂商之间产生了一种“无声的默契”。但是,以上所说的改变是非常有可能的。因为氮化镓可以极大地减少晶片的缺陷(错位)密度
2023-02-23 15:46:22
什么是功率密度?功率密度的发展史如何实现高功率密度?
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度?限制功率密度的因素有哪些?
2021-03-11 08:12:17
氮化镓(GaN)功率芯片,将多种电力电子器件整合到一个氮化镓芯片上,能有效提高产品充电速度、效率、可靠性和成本效益。在很多案例中,氮化镓功率芯片,能令先进的电源转换拓扑结构,从学术概念和理论达到
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓,由镓(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
、高功率、高效率的微电子、电力电子、光电子等器件方面的领先地位。『三点半说』经多方专家指点查证,特推出“氮化镓系列”,告诉大家什么是氮化镓(GaN)?
2019-07-31 06:53:03
=rgb(51, 51, 51) !important]与砷化镓和磷化铟等高频工艺相比,氮化镓器件输出的功率更大;与LDCMOS和碳化硅(SiC)等功率工艺相比,氮化镓的频率特性更好。氮化镓器件的瞬时
2019-07-08 04:20:32
/tool/cn/PMP10531这个系统的主要规格如下表所示。相比于IGBT系统,它的体积小、效率好、频率高非常适合多轴机器人的伺服电机驱动。表2. GaN伺服驱动器的规格参考文献[1] 用氮化镓重新考虑
2019-03-14 06:45:08
组件连手改变电力电子产业原本由硅组件主导的格局。氮化镓材料具有低Qg、Qoss与零Qrr的特性,能为高频电源设计带来效率提升、体积缩小与提升功率密度的优势,因此在服务器、通讯电源及便携设备充电器等领域
2021-09-23 15:02:11
DN1041- 低功耗运算放大器:重新考虑低功率滤波器,耳机驱动器
2019-05-05 12:06:18
高频150W PFC-LLC与GaN功率ic(氮化镓)
2023-06-19 08:36:25
分享了这些GaN资格协议,并将负责其GaN资格认证委员会。GaN的未来发展在一些功率密度为优先特性的关键行业,GaN已经开始替代硅材料。“目前德州仪器已经完成了GaN的封装和测试,对于功率密度为优先考虑
2019-03-01 09:52:45
如何在高功率密度模块电源中实现低损耗设计?这个问题是很多生产商和研发人员所面临的头号问题。毕竟,高功率密度的模块电源目前在我国的工业、通讯和制造业领域占据着主导地位。所以,下文将会就这一问题展开
2016-01-25 11:29:20
实现功率密度非常高的紧凑型电源设计的方法
2020-11-24 07:13:23
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度?
2021-04-25 07:40:14
导读:将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能,并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多,从而有可能实现更低的开关损耗。然而,当
2022-11-16 06:23:29
如何设计GaN氮化镓 PD充电器产品?
2021-06-15 06:30:55
的性能已接近理论极限[1-2],而且市场对更高功率密度的需求日益增加。氮化镓(GaN)晶体管和IC具有优越特性,可以满足这些需求。
氮化镓器件具备卓越的开关性能,有助消除死区时间且增加PWM频率,从而
2023-06-25 13:58:54
已经在电池上采用多极耳,多条连接线来降低大电流的发热。氮化镓的低阻抗优势,可以有效的降低快充发热。应用在手机电池保护板上,可以支持更高的快充功率,延长快充持续时间,获得更好的快充体验。同时氮化镓属于宽禁
2023-02-21 16:13:41
怎么测量天线辐射下空间中某点的电磁功率(功率密度)?
2013-10-16 16:32:02
和功率因数校正 (PFC) 配置。 简单的电路提供了将硅控制器用于GaN器件的过渡能力。对于单个氮化镓器件,隔离式负 V一般事务(关闭)EZDrive®电路是一种低成本、简单的方法,可以使用12V驱动器
2023-02-21 16:30:09
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
功率密度计算解决方案实现高功率密度和高效率。
误解2:氮化镓技术不可靠
氮化镓器件自2010年初开始量产,而且在实验室测试和大批量客户应用中,氮化镓器件展现出具备极高的稳健性。EPC器件已经通过数千亿个
2023-06-25 14:17:47
到整个寿命周期成本时,逐步减少能量转换过程中的小部分损失并不一定会带来总体成本或环境效益的大幅提升。另一方面,将更多能量转换设备集成到更小的封装中,即提高“功率密度”,可以更有效地利用工厂或数据中心
2020-10-27 10:46:12
日前,在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告,与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
、设计和评估高性能氮化镓功率芯片方面,起到了极大的贡献。
应用与技术营销副总裁张炬(Jason Zhang)在氮化镓领域工作了 20 多年,专门从事高频、高密度的电源设计。他创造了世界上最小的参考设计,被多家头部厂商采用并投入批量生产。
2023-06-15 15:28:08
解决方案,累计近100家客户选用了茂睿芯的氮化镓解决方案。致力于为客户提供最优解,进一步提高PD快充的功率密度,提高GaN系统可靠性,茂睿芯重磅推出33W集成氮化镓PD方案MK2787/MK2788,集成
2021-11-12 11:53:21
MOSFET。这些器件一开始的数据就令人印象深刻,虽然这些数据与氮化镓的数据不是一个级别。它们的统一电流增益频率为3千兆赫,最大振荡频率为13千兆赫;800兆赫时,输出功率密度为每毫米230毫瓦
2023-02-27 15:46:36
传统变压器介绍高功率密度变压器的常见绕组结构
2021-03-07 08:47:04
功率密度在现代电力输送解决方案中的重要性和价值不容忽视。为了更好地理解高功率密度设计的基本技术,在本文中,我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面:降低损耗最优拓扑和控制选择有效的散热通过机电元件
2022-11-07 06:45:10
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2022-11-16 07:42:26
就可以实现。正是由于我们推出了LMG3410—一个用开创性的氮化镓 (GaN) 技术搭建的高压、集成驱动器解决方案,相对于传统的、基于硅材料的技术,创新人员将能够创造出更加小巧、效率更高、性能更佳
2018-08-30 15:05:50
DisplayPort发展的重新考虑
高清多媒体接口(HDMI)和DisplayPort之争很快就偃旗息鼓了,HDMI迅速且无可争议地变成下一代音频/视频连接接口的首选协议,
2009-05-14 12:34:43778 电力电子世界在1959年取得突破,当时Dawon Kahng和Martin Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。首款商业MOSFET在五年后发布生产,从那时起,几代MOSFET晶体管使电源设计人员实现了双极性早期产品不可能实现的性能和密度级别。
2017-06-08 15:57:001494 TI高功率密度电源设计中的散热解决方案-上篇
2018-08-24 00:10:002790 获阿里巴巴投资的中国第二大面部识别公司旷视科技原本计划在年内上市,但因中美紧张加剧等原因而重新考虑。
2019-06-10 14:36:023952 功率密度在现代电力输送解决方案中的重要性和价值不容忽视。 为了更好地理解高功率密度设计的基本技术,在本文中,我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面: 降低损耗 最优拓扑和控制选择 有效的散热 通过
2020-10-20 15:01:15579 高功率密度双8Aµ模块稳压器
2021-04-14 10:39:519 功率密度在现代电力输送解决方案中的重要性和价值不容忽视。
为了更好地理解高功率密度设计的基本技术,在本文中,我将研究高功率密度解决方案的四个重要方面:
降低损耗
最优拓扑和控制选择
有效
2022-01-14 17:10:261733 创造了空间和需求。这就是氮化镓(GaN)引人注目的地方。
作为一种宽带隙晶体管技术,GaN正在创造一个令人兴奋的机会,以实现电力电子系统达到新的性能和效率。GaN的固有优势为工程师开启了重新考虑
2021-12-09 11:08:161428 提高功率密度的路线图从降低传导动态损耗开始。与碳化硅相比,氮化镓可以显着降低动态损耗,因此可以降低整体损耗。因此,这是未来实现高功率密度的一种方法。
2022-07-26 10:18:46487 功率密度基础技术简介
2022-10-31 08:23:243 一般电驱动系统以质量功率密度指标评价,电机本体以有效比功率指标评价,逆变器以体积功率密度指标评价;一般乘用车动力系统以功率密度指标评价,而商用车动力系统以扭矩密度指标评价。
2022-10-31 10:11:213713 用氮化镓重新考虑功率密度
2022-11-01 08:27:301 功率半导体注定要承受大的损耗功率、高温和温度变化。提高器件和系统的功率密度是功率半导体重要的设计目标。
2023-02-06 14:24:201160 作为一种宽带隙晶体管技术,GaN正在创造一个令人兴奋的机会,以实现电力电子系统达到新的性能和效率。GaN的固有优势为工程师开启了重新考虑功率密度的方法,这些方法在以前并不可能实现,如今能满足世界日益增长的电力需求。在这篇文章中,我将探讨如何实现。
2023-04-07 09:16:45575 在功率器件领域,除了围绕传统硅器件本身做文章外,材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如,在谈论功率密度时,GaN(氮化镓)凭借零反向复原、低输出电荷和高电压转换率等突出优势,能够帮助厂商大幅提升系统密度,而另一种主流的宽带隙半导体材料SiC(碳化硅)也是提升功率密度的上佳选择。
2023-05-18 10:56:27741 不,氮化镓功率器(GaN Power Device)与电容是不同的组件。氮化镓功率器是一种用于电力转换和功率放大的半导体器件,它利用氮化镓材料的特性来实现高效率和高功率密度的电力应用。
2023-10-16 14:52:44544 功率半导体冷知识:功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 在电力电子系统的设计和优化中,功率密度是一个不容忽视的指标。它直接关系到设备的体积、效率以及成本。以下提供四种提高电力电子设备功率密度的有效途径。
2023-12-21 16:38:07277
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