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电子发烧友网>电源/新能源>稳压电源>Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块

Maxim为什么选择设计单片NV SRAM模块

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2024-01-09 10:54:281369

DS1249AB 2048k非易失SRAM技术手册

DS1249 2048k非易失(NV) SRAM为2,097,152位、全静态非易失SRAM,按照8位、262,144字排列。每个NV SRAM均自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视V~CC~是否
2025-02-27 09:09:09951

DS1244系列256k NV SRAM,带有隐含时钟技术手册

具有隐含时钟的DS1244 256k、NV SRAM为全静态非易失RAM (NV SRAM) (按照8位、32k字排列),内置实时时钟。DS1244自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视V~CC
2025-02-27 10:10:50932

DS1248 1024k NV SRAM,带有隐含时钟技术手册

具有隐含时钟的DS1248 1024k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、128k字排列),内置实时时钟。DS1248自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围,一旦超出容差,锂电池便自动切换至供电状态,写保护将无条件使能、以防存储器和实时时钟数据被破坏。
2025-02-27 15:38:41748

DS1251 4096k NV SRAM,带有隐含时钟技术手册

具有隐含时钟的DS1251 4096k NV SRAM为全静态非易失RAM (按照8位、512k字排列),内置实时时钟。DS1251Y自带锂电池及控制电路,控制电路连续监视V~CC~是否超出容差范围,一旦超出容差,锂电池便自动切换至供电状态,写保护将无条件使能、以防存储器和实时时钟数据被破坏。
2025-02-27 15:44:58891

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