Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出电流等级高达10A、反向电压达1000V，并采用P600圆向封装的新款光伏太阳能电池板保护整流器---GPP100MS。
2012-10-09 13:47:42
1130 Vishay推出具有高电流密度的新款45V TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器--- VSSAF3L45和VSSAF5L45
2012-12-06 10:29:431353 描述此参考设计可从标准 48V 电信输入生成 12V/10A 输出。UCC2897A 可控制有源钳位正向转换器功率级。CSD18531Q5A 低栅极和低导通电阻用作自驱同步整流器，可提供高效设计。此设计布局在标准 1/8 引脚砖型上，提供使能、遥感和输出过压功能。
2018-11-21 15:02:18
`深圳市三佛科技有限公司 供应 100V 15A 汽车LED灯MOS管 HN15N10DA，原装，库存现货热销HN15N10DA参数：100V 15A TO-252 N沟道 MOS管/场效应管品牌
2021-05-08 15:39:38
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二极管特性 封装外形⚫最大结温为 175°C⚫高浪涌电流容量⚫零反向恢复电流⚫零正向恢复电压⚫高频工作⚫开关特性不受温度
2020-03-13 13:42:49
描述PMP8973 参考设计可从 18V 至 60V 电信输入生成 3.3V/15A 输出。UCC2897A 控制有源钳位正向转换器功率级。CSD16415Q5 和 CSD18502Q5B 的低栅极
2018-08-22 06:07:27
`描述此参考设计可从标准 48V 电信输入生成 12V/10A 输出。UCC2897A 可控制有源钳位正向转换器功率级。CSD18531Q5A 低栅极和低导通电阻用作自驱同步整流器，可提供高效设计。此设计布局在标准 1/8 引脚砖型上，提供使能、遥感和输出过压功能。`
2015-04-08 10:43:11
9. 整机效率：≥85%10. 工作因数：≥0.9511. 环境湿度：〈90%12. 负载稳定度：〈1% 13. 冷却方式：强曱制风冷14. 异常信号报警(若有异常): 红灯会亮。15.自动/手动切换正负极输出功能。16．自动换向器冷却方式为风冷，正向最大电流为500A，反向最大电流为250A。
2013-08-14 10:59:11
：R-6特性：轴向大电流整流二极管电性参数：10A1000V芯片材质：GPP正向电流(Io)：10A芯片个数：1正向电压(VF)：1.0V浪涌电流Ifsm：600A漏电流(Ir)：10uA工作温度：-55
2021-09-08 17:00:59
`肖特基二极管肖特基(Schottky)二极管，又称肖特基势垒二极管(简称 SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右
2020-07-23 14:45:20
器件。其显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。肖特基（Schottky）二极管多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作
2019-04-01 11:59:16
各位大侠谁有关于肖特基整流器的资料共享下
2013-09-06 13:33:36
凌讯MBR系列肖特基势垒整流器（标准肖特基）是基于硅肖特基二极管技术的最新器件。肖特基势垒整流器是非常受设计人员欢迎的器件，因为其具有极快的开关速度、非常低的正向压降、低泄漏和高结温能力。MBR系列
2016-04-11 11:53:55
肖特基二极管、稳压二极管、瞬态二极管之间的区别和理解1、肖特基二极管肖特基二极管是以贵金属为正极，N型半导体为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性制成的金属-半导体器件。肖特基整流管的结构
2021-11-15 06:47:36
`肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V
2018-09-11 10:11:02
肖特基势垒二极管SBD（Schottky Barrier Diode，简称肖特基二极管）是近年来间世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V
2020-10-28 09:13:12
，在电路中起到控制电流通过或关断的作用，成为一个理想的电子开关。开关二极管的正向电阻很小，反向电阻很大，开关速度很快。 2、肖特基二极管则是利用金属和半导体面接触产生的势垒（barrier）整流作用
2019-01-03 13:36:59
小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。 其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等肖特基（Schottky）二极管又称肖特基势垒二极管（简称SBD），它属一种
2019-02-20 12:01:29
，反向恢复时间在10至40ns之间。因此，肖特基二极管是高频和低压电路中的理想器件。2.1 作为双电源目前，在带有主控制器的电子设计中，基本采用实时时钟（RTC），并且RTC需要额外的纽扣电池来支持
2023-02-09 10:22:58
1、肖特基它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管
2021-06-30 16:48:53
的突破。 SBD的正向压降和反向漏电流直接影响SBD整流器的功率损耗，关系到系统效率。低正向压降要求有低的肖特基势垒高度，而较高的反向击穿电压要求有尽可能高的势垒高度，这是相矛盾的。因此，对势垒金属
2017-10-19 11:33:48
肖特基势垒。 三、肖特基二极管的应用 肖特基势垒整流器的典型应用包括不间断电源、高频开关式电源和直流-直流转换器，以及作为续流二极管和极性保护二极管使用。此外，肖特基二极管还广泛用于笔记本电脑的电源适配器、液晶电视和液晶显示器电源、电动车电瓶充电器以及数字卫星接收机和机顶盒的电源等等。`
2018-12-27 13:54:36
是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。 肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样
2021-04-17 14:10:23
、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的多属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有极少量的自由电子，所以电子便从浓度高的B中向浓度低
2015-11-26 15:59:32
正向平均电流15A情况下测试二极管正向导通的管压降。测试连接结构如右图所示，红线和黑线连接好二极管后，按下测试按钮，即可在显示器上显示二极管导通的正向压降。 图2.二极管正向压降测试连接图 测试数据
2015-08-14 09:53:53
较低，一般不超过去时100V。因此适宜在低压、大电流情况下工作。利用其低压降这特点，能提高低压、打电流整流（或续流）电路的效率。肖特基二极管的作用：肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒
2020-10-27 06:31:18
。 肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有
2019-02-18 11:27:52
肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频
2021-05-28 06:57:34
` 肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。 因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有
2018-12-11 11:48:34
(Schottky)二极管，又称肖特基势垒二极管(简称SBD)，它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流
2018-10-25 14:48:50
）和0.81V（IF=1A），均低于普通二极管，可降低导通时的功率损耗。VR=100V 时，二者的最大反向电流均为0.4uA。 RB068MM100和RB168MM100肖特基势垒二极管的主要应用：•整流器
2019-07-23 04:20:37
Ω。 5. 肖特基势垒二极管的其他问题 肖特基势垒二极管的主要用途是构成混频器和检波器使用场合不同对器件的要求也不同。下面简要介绍工程设计中需要考虑的一些问 题。 势垒高度决定正向驱动电压影响动态范围
2021-01-19 17:26:57
的肖特基势垒。Si-SBD的特性因势垒金属的种类而异。而且，其特性的不同，应用方向也不同。下表汇总了势垒金属的特征及其适合的应用。表中凡标有“×”的项目，请理解为：其与其他项目相比，特性较差、不适合。典型
2018-12-03 14:31:01
的肖特基势垒。与一般的PN结二极管相比，具有正向电压 (VF) 低，开关速度快的特点。但漏电流 (IR) 大，有如果热设计错误则引起热失控的缺点。广泛用于电源部二次侧整流。其特性根据使用的金属不同而
2019-04-30 03:25:24
效率提高4%以上，因此越来越受到电源厂商的青睐。 SL1550参数描述型号：SL1550封装：TO-277特性：超低压降、低功耗电性参数：15A，50V芯片材质：金属硅芯片正向电流(Io)：15A芯片
2021-11-27 15:41:39
。MBR20100FCT的选择对于电源的整体效率和可靠性是一个非常关键的因素，它要求整流二极管在高速大电流的工作条件下应具有正向压降VF小、反向和反向漏电IR小、恢复时间Trr短等特点。 对于低压大电流高频整流
2021-10-08 16:35:18
形成的势垒层为基础制成的二极管，也称为肖特基势垒二极管，属于金属半导体结二极管。PS2045L主要特点是正向导通压降小、反向恢复时间短、开关损耗低。它是一种低功耗、超高速的半导体器件，缺点是耐压比较
2021-11-26 16:28:38
：300A漏电流(Ir)：10uA工作温度：-65~+150℃引线数量：3 我们知道，对于肖特基二极管来说，一个非常重要的性能指标是正向压降值（即VF值）。正是因为SBT40100VDC具有很低的正向压
2021-11-10 16:22:35
二极管和小信号检测二极管。 肖特基二极管是功率整流应用的最佳半导体器件，因为这些器件具有高电流密度和低正向压降，这与普通的PN结器件不同。这些优势有助于降低热量水平，减少设计中包含的散热器数量，并提高电子系
2021-10-18 16:45:00
,或可替代同步整流解决方案,它们在同类型封装的肖特基二极管中具有最低的正向压降。凭借高效的开关性能,肖特基势垒整流器是平面肖特基器件的出色替代方案,还可匹配同步整流解决方案的效率及热性能，减少热量
2015-04-23 11:48:26
型号：MBR10100FCT封装：TO-220特性：肖特基二极管电性参数：10A，100V芯片材质：SI正向电流(Io)：10A芯片个数：2正向电压(VF)：0.8V芯片尺寸：86MIL浪涌电流Ifsm：150A漏电流(Ir)：0.05mA工作温度：-65~+175℃恢复时间(Trr)：
2021-09-11 16:42:45
制成的二极管。也称为肖特基势垒二极管，属于金属-半导体结二极管。MBR20200FCT主要特点是正向压降小、反向恢复时间短、开关损耗低。MBR20200FCT是一种低功耗、超高速的半导体器件，缺点
2021-09-13 17:01:40
开关管保持单向导通特性。芯片支持的最大工作频率为200Hz。相对于二极管，MOS 管整流器具有更小的导通压降，因此可大大降低导通损耗减少发热并显著提高系统效率。OC1002 特别适合需要无极性输入
2019-11-26 14:58:25
二极管PS1045L的额定电流，并等待稳定后的电压值读数，稳定后的读数为额定电流的压降。 PS1045L参数描述型号：PS1045L封装：TO-277特性：超低VF值肖特基电性参数：10A，45V芯片
2021-11-11 16:33:34
(Trr)为5nS，其中有3条引线。 PS1545L参数描述型号：PS1545L封装：TO-277特性：超低压降、低功耗电性参数：15A，45V芯片材质：金属硅芯片正向电流(Io)：15A芯片个数：1
2021-11-26 16:21:58
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-17 15:31 编辑
ROHM肖特基势垒二极管具有各种高可靠性，低损耗器件。 它们有各种包装。 肖特基二极管提供低正向电压和反向电流
2019-06-17 15:30:23
二极管，它是一种热载流子二极管。 是近年来问世的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右，而整流电流却可达到几千毫安。这些优良特性是快恢复二极管
2010-08-17 09:31:20
(1)由于肖特基势垒的高度低于PN结势垒，肖特基二极管的正向传导阈值电压和正向压降均低于PN结势垒，约低0.2V。(2)由于肖特基二极管是一种大多数载流子导电器件，不存在少数载流子寿命和反向恢复问题。肖特基二极管规格书下载：
2022-01-18 10:35:14
的另外一个缺点就是较高的反向泄露电流—最高会达到大约1mA。用N沟道MOSFET替换高损耗二极管可以通过消除二极管整流器件正向压降来大幅降低功率损耗。N沟道MOSFET具有小RDSON，并且它们相关的压降
2018-09-03 15:32:01
我在一本开关电源学习书上看到，“选择更大额定电流的整流管，可以获得更低的正向压降，从而降低整流管的功率损耗。”我的疑问是，额定功率和正向压降有什么关系，即使有，那也是正向电流越大，正向压降越大啊。我是初学者，望大佬指点一二，不胜感谢。武汉加油，中国加油！
2020-02-07 22:06:53
造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流。非同步的特点：在输出电流变化的情况下，二极管压降相对较恒定当续流二极管正向导通时，输出电流...
2021-12-30 06:31:52
诸如开关电源研发等场合，它将是必不可少的测量仪器。 二、技术参数 1.脉冲电流幅度：0A、0.5A、1A、2A、5A、10A 。2.脉冲宽度：100us3.开路输出电压：32V4.正向压降测量范围
2015-03-11 13:48:07
具有高的电流密度和低的正向压降。这样可以最大限度地减少整流电路中的能量损耗。肖特基二极管散热较少，因此需要较小的热沉。这就降低了整流电路的整体成本和尺寸。太阳能电池: 肖特基二极管有助于太阳能电池的反向
2022-03-19 22:39:23
阻用作同步整流器，可提供高效设计。此设计布局在八分之一砖型占用空间并可实现高达 94% 的效率。它仅使用表面安装组件，包括陶瓷输出电容器。主要特色 36V 至 75VDC 输入，5V/15A 输出效率高
2018-11-21 14:57:50
金属和半导体接触形成的势垒为基础的肖特基势垒二极管，简称肖特基二极管shoky。肖特基二极管属于低功耗、超高速半导体器件。而低正向/低压降肖特基二极管是正向压降比普通肖特基二极管还要低的一种半导体器件
2017-08-10 09:23:06
`【MOS管原厂】HC36012参数：30V 10A TO-252 N沟道 MOS管 /场效应管品牌：惠海型号：HC36012VDS：30V IDS：10A 封装：TO-252沟道：N沟道 【20V
2020-11-02 16:02:10
外部开关管时，可取代反激转换器中的肖特基二极管。MP6908A 可将外部同步整流器（SR） MOSFET 的导通压降调节至大约 40mV，一旦电压变为负，则开关管关断。.MP6908A 可以在具有潜在低
2021-03-18 14:08:20
`肖特基（Schottky）二极管也称肖特基势垒二极管（简称SBD），它是一种低功耗、超高速半导体器件，广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护
2018-12-10 15:19:35
` 肖特基二极管是利用金-属半导体接面做为肖特基势垒，而发生整流的效果，和普通二极管中由半导体-接面产生的P-N接面不同。肖特基势垒的特性使得肖特基二极管的导通电压降较低，能够提高切换的速度
2018-11-05 14:29:49
` 低压降肖特基二极管是正向压降比普通肖特基二极管还要低的一种半导体器件，可以理解成升级版性能更优，压降更低，效率更高的肖特基二极管。 肖特基二极管SBT20V100也称为金属半导体结二极管
2018-10-17 15:20:19
肖特基势垒二极管RB051LAM-40和RB081LAM-20具有低压降VF，其正向压降最小只有0.35V，低压降可减小功率损耗，减少发热，提高产品的寿命，具有高可靠性优势。表面贴装肖特基势垒
2019-04-17 23:45:03
阻用作同步整流器，可提供高效设计。此设计布局在八分之一砖型占用空间并可实现高达 94% 的效率。它仅使用表面安装组件，包括陶瓷输出电容器。特性36V 至 75VDC 输入，5V/15A 输出效率高
2022-09-20 07:45:51
消除二极管整流器件正向压降来大幅降低功率损耗。N沟道MOSFET具有小RDSON，并且它们相关的压降也是最小的。表1中是一个5A (I_rms = 3.5A) 二极管整流器与一个10
2018-05-30 10:01:53
• 高效率（使用 PoE 电源时为 93%，使用适配器电源时为 92%）• 5V (10A) 输出• 具有同步整流器的隔离式正向• 使用与 UCC2897A 相结合的 TPS2379 实施高效的有源正向转换器• 可实现外部热插拔 FET 以提高效率
2018-08-16 07:47:30
耗散，因此降低了热和电传导损耗。它的高结温能力提高了高环境温度下或无法获得充分冷却的应用中的可靠性。肖特基二极管的应用:MBR系列肖特基势垒整流器的典型应用包括不间断电源、高频开关式电源和直流-直流转换器
2020-08-28 17:12:29
肖特基二极管是贵金属(金、银、铝、铂等)A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属半导体器件。 肖特基二极管，又称肖特基势垒二极管(简称SBD)，它属
2018-10-26 14:36:32
领域。肖特基二极管肖特基二极管是贵金属（金、银、铝、铂等）A为正极，以N型半导体B为负极，利用二者接触面上形成的势垒具有整流特性而制成的金属-半导体器件。因为N型半导体中存在着大量的电子，贵金属中仅有
2018-10-19 11:44:47
垒电压而造成的死区电压。功率MOSFET属于电压控制型器件，它在导通时的伏安特性呈线性关系。用功率MOSFET做整流器时，要求栅极电压必须与被整流电压的相位保持同步才能完成整流功能，故称之为同步整流
2020-12-08 15:32:00
加上反向偏压，肖特基势垒层则变宽，其内阻变大。由于肖特基二极管仅靠一种载流子(电子)导电，其反向恢复时间缩短到10ns以内，正向导通压降仅为0．4V左右，整流电流却可达几百至几千安培，这些优良特性
2021-05-14 08:11:44
`【MOS管原厂】HC36012参数：30V 10A TO-252 N沟道 MOS管 /场效应管品牌：惠海型号：HC36012VDS：30V IDS：10A 封装：TO-252沟道：N沟道 【20V
2020-11-02 15:37:14
电路应用中必然会存在发热的现象。工作温度逐渐升高,那么这会影响到肖特基二极管正向压降的变化吗？答案是会的。如下图ASEMI肖特基MBR60100PT，60A100V规格书所示：通过曲线图我们可以看到
2018-12-25 14:04:16
一、肖特基二极管的定义与特点1.什么是肖特基二极管肖特基二极管(肖特基势垒二极管):它是属于一种低功耗、超高速的半导体器件，其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒)。正向导通压降仅0.4V左右。2.
2016-04-19 14:24:47
`一、肖特基二极管的定义与特点1.什么是肖特基二极管肖特基二极管又称肖特基势垒二极管，它是属于一种低功耗、超高速的半导体器件，其反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。2.
2015-10-08 15:52:46
` 肖特基(Schottky)二极管是一种快恢复二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。其显著的特点为反向恢复时间极短(可以小到几纳秒)，正向导通压降仅0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
的肖特基势垒。与一般的PN结二极管相比，具有正向电压 (VF) 低，开关速度快的特点。但漏电流 (IR) 大，有如果热设计错误则引起热失控的缺点。广泛用于电源部二次侧整流。其特性根据使用的金属不同而
2019-04-11 02:37:28
、10A、15A三等级电流测试中，碳化硅肖特基二极管的反向恢复电流比硅快恢复二极管小，有利提升产品效率。 硅快速恢复二极管（10A） 碳化硅肖特基二极管（10A） 硅快恢复二极管在5A、10A
2023-02-28 16:34:16
,RB098BM-30的最大反向电流分别为5μA、0.3mA、3μA、0.2mA和1.5μA） RB078BM30S,RB085BM-30,RB088BM-30,RB095BM-30,RB098BM-30肖特基势垒二极管的主要应用：•整流器及开关电源
2019-03-21 06:20:10
和RBR3MM60B中功率肖特基势垒二极管的特点：•高可靠性•小尺寸（SOD-123FL）•具有极低的正向压降VF，可降低电路中所需电压的条件，有利于电路设计，同时可降低导通时的功率损耗。RBR1MM60A
2019-07-15 04:20:07
参数的直接考虑 - 正向和反向：选择反向电压电平高于开关节点预期的最高电压电平的肖特基整流器;峰值正向电流能力高于最低工作周期的峰值电流;最低的反向漏电流（尽管除非在非常轻的负载下工作，否则这种损耗
2018-10-16 11:41:07
20mA，对应的导通压降从3.5V增加到3.55V，则可计算得到ESR为50mV/10mA=5。 在图2-6中，稳压二极管被当作理想器件。实际上，稳压二极管也有ESR，其值比LED的还要大。在LED驱动
2014-08-18 14:22:40
和0.37V） RB520CM-30,RB521CM-30,RB530CM-30,RB531CM-30肖特基势垒二极管的主要应用：• 小型整流器
2019-04-18 00:16:53
PTR10100CTB肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管，它属一种低功耗、超高速半导体器件。银联宝科技这款二极管结合常規平面肖特基的低正向损耗、低反向漏电、高涌浪能力、高耐热
2017-05-13 11:01:25
• 高效率（使用 PoE 电源时为 93%，使用适配器电源时为 92%）• 5V (10A) 输出• 具有同步整流器的隔离式正向• 使用与 UCC2897A 相结合的 TPS2379 实施高效的有源正向转换器• 可实现外部热插拔 FET 以提高效率
2022-09-26 06:04:41
SS34: 3.0 A 肖特基势垒整流器肖特基二极管 其主要特点是低反向电流和正向电压，是一种低功耗、超高速半导体器件，该 SS 系列是一款高能效、低功耗的通用肖特基整流器。该芯片焊接支脚
2022-04-21 15:09:07
Vishay推出Super 12高性能产品之一——MSS1P2U和MSS1P3U eSMPTM SMD肖特基势垒整流器：MSS1P2U和MSS1P3U MicroSMP整流器具有高电流密度，在0.4V电压下具有0.35V的超低正向电压降，典型厚度为0.68mm。
2010-07-08 15:04:05
16 小尺寸100V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出电流密度高达2A~4A、采用低尺寸表面贴装SMA和SMB封装的新款100V TMBS Trench
2010-01-21 12:43:02971 80V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出6款单芯片和双芯片80-V TMBS Trench MOS势垒肖特基整流器。这些整流器采用4种功率封
2010-02-09 09:26:151699 Vishay 宣布对其使用Trench MOS势垒肖特基技术的TMBS®整流器产品组合进行大幅扩充。Vishay今天共发布采用4种封装类型、电流等级从10A至60A的20款45V器件
2011-03-21 11:09:171028 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出18款采用TO-252AA (D-PAK)功率塑料SMD封装、正向电流为4A～15A的200V和600V的FRED Pt Hyperfast和Ultrafast整流器
2011-09-09 09:13:333410 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出12款电流等级从6A至20A的新型45V、60V和100V器件，扩大其TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。器件适合商业应用，具有极低的正向压降，采用表面贴装TO-252（DPAK）封装。
2013-08-02 09:14:031302 其TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器产品。器件具有10A至60A的电流等级和极低的正向压降，针对商业应用。这些器件采用低外形SMPD封装，封装的占位与D2PAK（TO-263）一致，且典型高度更薄，只有1.7mm。
2013-09-09 16:51:491050 日前，Vishay Intertechnology， Inc.宣布，推出7个新的45V和50V器件，扩充其TMBS® Trench MOS势垒肖特基整流器。该器件具有0.95mm薄外形、采用
2014-02-19 13:59:551060 Vishay FRED Pt 600V 整流器 15 A 至 75 A 器件 提高车载充电器 AC/DC 和 DC/DC 转换器效率 适用于电动汽车/混合动力汽车 显著降低反向恢复损耗 Vishay
2021-11-05 15:35:361798 
45 V、15 A 低 VF 肖特基势垒整流器-PMEG045V150EPE
2023-02-09 18:54:560 50V、15A 低 VF Trench MEGA 肖特基势垒整流器-PMEG050T150EPD
2023-03-01 18:44:390 45 V、15 A 低 VF Trench MEGA 肖特基势垒整流器-PMEG45T15EPD
2023-03-02 23:07:570 45 V、15 A 低 VF Trench MEGA 肖特基势垒整流器-PMEG045T150EPD
2023-03-02 23:12:430
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