快恢复二极管
2011-12-23 16:54:50
快恢复二极管HFD3060H（可完全替换DSEC30-06A），电压600V，电流30A，快恢复时间短（20ns），开关速度快，降低器件的开关损耗和提高电力电子电路的工作频率，在高频电力调节系统
2020-09-24 16:10:01
平面钝化芯片 极低泄漏电流 恢复时间非常短 改善热性能 极低的IRM值 软恢复特性 低EMI/RFI的软反向恢复 低IRM减少： -二极管内的功耗 -降低开关损耗 快恢复二极管
2020-09-24 16:17:13
快恢复二极管FMD4206S，电压600V，电流20A，快恢复时间50ns，TO-3PF封装。开关速度快，低损耗。低漏电流。适用于高频整流的低损耗电源用二极管。常应用于CCM方式PFC；白色家电
2020-09-24 16:11:08
快恢复二极管HFD8060P（可完全替换MUR8060PT/STTH100W06C），电压600V，电流80A，超快恢复时间，低漏电流，高浪涌特性，开关特性好，低功耗及射频干扰。可应用于低电压
2020-09-24 16:04:45
快恢复二极管与普通整流二级管最大的区别就是快恢复二极管的反向恢复时间。那么快恢复二极管的反向恢复时间是如何定义的呢？下面来给大家普及一下基础知识：快恢复二极管反向恢复时间（trr）的定义：电流
2017-02-10 17:51:37
快恢复二极管与普通整流二级管最大的区别就是快恢复二极管的反向恢复时间。那么快恢复二极管的反向恢复时间是如何定义的呢？下面来给大家普及一下基础知识：快恢复二极管反向恢复时间（trr）的定义：电流
2021-08-13 17:15:07
快恢复二极管快恢复二极管的内部结构与普通二极管不同，它是在P型、N型硅材料中间增加了基区I，构成P-I-N硅片。由于基区很薄，反向恢复电荷很小，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能
2023-02-17 14:08:01
MBR20150CT（20A 150V）， 这样可把二次绕组以及整流管损耗降至一定限度三、快恢复二极管与肖特基二极管特点1、快恢复二极管的反向恢复时间为几百纳秒，而肖特基二极管比它快，甚至几纳秒；2、快
2023-02-16 14:56:38
MBR20150CT（20A 150V）， 这样可把二次绕组以及整流管损耗降至一定限度三、快恢复二极管与肖特基二极管特点1、快恢复二极管的反向恢复时间为几百纳秒，而肖特基二极管比它快，甚至几纳秒；2
2023-02-20 15:22:29
在电子行业中使用快恢复二极管和肖特基二极管的客户并不少，但是真正可以说出它们之间的区别就很少，那么我们作为快恢复二极管和肖特基二极管的生产厂家，我们是有义务去为客户解答的，下面就由凌讯来为各大
2015-10-19 11:26:11
二极管时应尽量选取同一批号的二极管，以保证其自身参数的一致性,从而做到二极管的近似均压。快恢复二极管不均压的外部原因是外部电路的影响，如电路中二极管的布局和外引线质量等。另外，电路中分布电容的存在也是
2021-11-23 17:50:52
、6.2V稳压二极管代换。3.开关二极管的代换开关二极管损坏后，应用同型号的开关二极管更换或用与其主要参数相同的其它型号的开关二极管来代换。高速开关二极管可以代换普通开关二极管，反向击穿电压高的开关二极管可以代换反向击穿电压低的开关二极管。快恢复二极管规格书下载：
2021-07-07 14:58:27
由于电路电流信号频率较高，二极管速度跟不上。你测得是电流有效值，应该是直流的吧，可能信号中有高频成分，电流峰值远远超过你测出的2A，这样就导致二极管峰值功率特别高，管子很烫。 快恢复二极管加载过热处理办法，一般情况下会建议您使用超快恢复二极管。快恢复二极管规格书下载：
2022-03-31 16:57:33
，电流峰值远远超过你测出的2A，这样就导致二极管峰值功率特别高，管子很烫。快恢复二极管加载过热处理办法，一般情况下会建议您使用超快恢复二极管。快恢复二极管规格书下载：
2021-06-29 13:49:58
快恢复二极管反向恢复时间（tr）的定义：电流通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔。它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快恢复二极管里，IF为正向电流，IRM为最大反向恢复电流。Irr
2021-05-14 14:12:50
本文介绍了国内外专家学者为提高快恢复二极管(FRD)的反向恢复速度及软度所做的种种不懈努力,介绍了与IGBT、功率MOSFET等现代电力电子器件相配套的FRD的国内外现状及采用的技术方案,以及晶闸管
2010-05-04 08:06:37
，不仅大大减小了trr值，还降低了瞬态正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超
2018-07-16 15:12:36
快恢复二极管，它具有开关特性好，反向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点。可作高频、大电流的整流、续流二极管，在开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间电源(UPS)、高频加热、交流电
2022-03-31 10:04:12
快恢复二极管工作原理及特点作用快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流
2021-11-12 06:34:53
快恢复二极管（简称FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中，作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复
2021-09-09 06:52:46
正向压降，使管子能承受很高的反向工作电压。快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，正向压降约为0.6V，正向电流是几安培至几千安培，反向峰值电压可达几百到几千伏。超快恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小
2015-11-27 17:55:42
在业余条件下，可以利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性，以及内部有无开路、短路故障，并能测出正向导通压降。若配以兆欧表，还能测量反向击穿电压。下面让辰达电子带你认识一下如何检测快恢复
2021-06-25 17:46:42
电子元件都是有正负极的，那么MDD快恢复二极管的正负极是怎样的呢？我们在安装快恢复二极管的时候不免都有这种疑问，要正确了解到MDD快恢复二极管的特征才能正确快速的安。 一般情况下，我们都是使用万能表
2020-09-18 17:02:52
快恢复二极管资料下载内容主要介绍了：快恢复二极管的作用与结构常用的快恢复二极管
2021-04-19 06:56:15
二极管的反向恢复时间trr一般为几百纳秒，正向压降为0．6～0．7V，正向电流几安培至几千安培，反向峰值电压可可几百至几千伏。 超快恢复二极管则是在快恢复二极管的基础上发展而成的，其反向恢复电荷进一步
2021-05-14 08:11:44
什么是超快恢复二极管？’既然那么多的朋友都有关注到这个问题，那么我们今天就来为大家浅谈一下超快恢复二极管。揭开它神秘的面纱。 超快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间超短的半导体二极管，常用
2016-04-20 14:38:22
编辑-Z超快恢复二极管如何选？我们在选用超快恢复二极管时要注意什么呢？下面给大家介绍一下ASEMI超快恢复二极管资料。 当我们选择超快恢复二极管整流器时，总是会关注反向恢复时间trr（它代表从指定
2021-10-25 17:34:10
：ITO-220AC特性：超快恢复二极管电性参数：8A，600V芯片材质：抗冲击硅芯片正向电流(Io)：8A芯片个数：1正向电压(VF)：1.5V芯片尺寸：86 MIL浪涌电流Ifsm：125A漏电流(Ir
2021-09-01 15:56:11
只有0.2V，但它不仅影响功率快恢复二极管的效率，而且影响快恢复二极管的温升，所以如果条件允许时，尽量选择导通压降小、额定工作电流为实际电流两倍的快恢复二极管。 2、快恢复二极管型号大全之快恢复二极管
2021-07-30 14:33:17
物体内部与加热电流相反的方向，便会产生对应的很大电涡流。 说到高频设备，就不得不提超快恢复二极管MUR2060AC，主要原因是MUR2060AC这个配件是高频设备部件的重要组成部分，也是电器设备的高频化
2021-11-17 16:12:54
编辑-ZMURF1640CT参数描述型号：MURF1640CT封装：ITO-220AB特性：超快恢复二极管电性参数：16A 400V芯片材质：抗冲击硅芯片正向电流(Io)：16A芯片个数：2正向电压
2021-09-17 17:08:43
编辑-ZSF58参数描述型号：SF58封装：DO-27特性：小电流、直插超快恢复二极管电性参数：5A600V芯片材质：GPP正向电流(Io)：5A芯片个数：1正向电压(VF)：1.70V浪涌电流
2021-09-25 16:33:05
编辑-Z快恢复二极管的反向恢复时间一般为几百纳秒，超快恢复二极管SFP6006的反向恢复电荷进一步降低，使其trr可低至几十纳秒。从内部结构上看，快恢复可分为单管和对管（也称双管）两种，双管内有两个
2021-09-10 16:13:18
编辑-ZSFF1604超快恢复二极管是一种具有良好开关特性和超短反向恢复时间的半导体二极管。SFF1604常用于高频逆变器件的开关器件做续流、吸收、箝位、隔离、输出和输入整流器，可以充分发挥开关器件
2021-09-02 16:13:11
、环氧树脂：UL 94V-0 级阻燃3、铅：纯镀锡，无铅，可焊4、极性：色带表示阴极5、高温焊接保证6、重量：2.15 克 以上就是ASEMI高效率恢复二极管HER608的详细参数和特征。强元芯电子是一家
2021-09-24 16:41:51
泄漏要求；独特的铂金扩散寿命控制技术，确保极快的恢复时间和低正向压降；先进的钝化保护技术，降低反向漏电流，提高器件可靠性；三次光刻，无需离子注入和扩散，大大缩短了工艺周期，降低了生产成本。 快恢复二极管
2021-11-29 16:16:50
和小信号检测二极管。 肖特基二极管是功率整流应用的最佳半导体器件，因为这些器件具有高电流密度和低正向压降，这与普通的PN结器件不同。这些优势有助于降低热量水平，减少设计中包含的散热器数量，并提高电子系
2021-10-18 16:45:00
DPG80C400HB快恢复二极管，电流80A，电压400V，快恢复时间45ns，标准TO-247封装。软恢复特性，反向恢复时间短，改善热性能，可靠性高。可应用于整流器，开关电源等。 快恢复
2020-09-24 16:14:45
ES1J超快恢复二极管和ES1D超快恢复二极管的区别是什么？
2023-03-09 17:35:00
耐压有要求。只要耐压能满足，肯定可以代用。并且快恢复二极管也有用于整流的，即在开关电源的次级整流部分，由于频率高，只能用快恢复二极管FR107进行整流。否则会因二极管损耗过多而降低电源的整体效率，严重
2021-09-07 16:05:24
编辑-ZMUR1660AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款超快恢复二极管。MUR1660AC的浪涌电流Ifsm为175A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温
2021-11-17 16:11:23
编辑-ZMUR2060AC在TO-220AC封装里采用的1个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款超快恢复时间二极管。MUR2060AC的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作
2021-11-30 16:30:19
的关断特性参数（反向恢复时间t、反向恢复电荷Q、反向峰值电流I）的作用引起的。最优参数的快恢复二极管MUR860D与高频开关器件协同工作，最大限度地减少高频逆变电路中开关器件引起的过压尖峰、高频干扰
2021-12-07 16:12:41
编辑-ZMURF1040CT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，是一款超快恢复二极管。MURF1040CT的浪涌电流Ifsm为150A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55
2021-09-17 17:07:27
编辑-ZMURF1640CT在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是90MIL，是一款超快恢复二极管。MURF1640CT的浪涌电流Ifsm为175A，漏电流(Ir)为10uA，其工作
2021-09-03 16:18:50
RS1j快恢复二极管，有哪些可以替代的元件？ 应急使用。
2017-10-25 06:28:43
。 SF58参数描述型号：SF58封装：DO-27特性：小电流、直插超快恢复二极管电性参数：5A600V芯片材质：GPP正向电流(Io)：5A芯片个数：1正向电压(VF)：1.70V浪涌电流Ifsm
2021-12-08 16:12:59
。SF58具有低成本、快速切换以实现高效率、低反向泄漏、高正向浪涌电流能力、高温焊接等特点。 以上就是关于SF58-ASEMI超快恢复二极管SF58的详细介绍。ASEMI品牌在整流桥和二极管领域已有12年的专业经验，供应全系列高品质，高性能的整流桥和二极管产品。
2021-09-10 16:14:19
编辑-ZSFF1604在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，是一款超快恢复二极管。SFF1604的浪涌电流Ifsm为175A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度
2021-09-16 17:20:59
编辑-ZSFF2004在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是102MIL，是一款超快恢复二极管。SFF2004的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围
2021-09-02 16:15:09
编辑-ZSFF2006在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是110MIL，是一款超快恢复二极管。SFF2006的浪涌电流Ifsm为200A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围
2021-11-15 16:26:42
编辑-ZSFF3006在ITO-220AB封装里采用的2个芯片，其尺寸都是120MIL，是一款高压大电流超快恢复二极管。SFF3006的浪涌电流Ifsm为300A，漏电流(Ir)为10uA，其工作
2021-11-16 16:24:01
编辑-ZSFF806A在ITO-220AC封装里采用的1个芯片，是一款超快恢复二极管。SFF806A的浪涌电流Ifsm为125A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度
2021-09-15 16:42:02
编辑-ZSFP6006在TO-247封装里采用的2个芯片，是一款超快恢复二极管。SFP6006的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度
2021-09-25 16:31:27
STTH80S06/RURG8060快恢复二极管，电流80A，电压600V，TO-247封装。超快开关，低反向电流，低热阻，低开关和导通损耗。产品适用于开关电源和太阳能逆变器。由于它的低正向压降
2020-09-24 15:59:11
STTH8R06FP-ASEMI快恢复二极管可以用来做整流二极管吗？-Z
2021-05-28 14:47:32
US1M-ASEMI高效恢复二极管的作用是什么-Z
2021-06-22 14:12:47
上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管(Schottky
2019-03-11 11:24:39
在开关电源二次侧的输出整流电路中，一般选用反向恢复时闷较短的整流二极管，常用的主要有快恢复二极管、超快恢复二极管、肖特基势垒二极管。 快恢复二极管和超快恢复二极管广泛用于PWM脉宽调制器、开关电源
2020-10-29 08:50:49
三相超快恢复二极管整流桥开关模块的结构及特点是什么？三相超快恢复二极管整流桥开关模块的主要技术参数及应用有哪些？
2021-06-08 08:09:38
在实际的应用电路中，二极管和晶体管因其特性和性能不同而需要区分使用。在电源类应用中区分使用的主要目的是提高效率。本文将介绍PFC（功率因数改善）的一个例子，即利用二极管的特性差异来改善临界模式
2018-11-27 16:46:59
级别。前者的反向恢复时间为数百纳秒或更长，而MURF1040CT在100ns以下，大大提高了电源的效率。 超快恢复二极管MURF1040CT是在快恢复二极管的基础上发展起来的。其反向恢复电荷进一步减少
2021-09-03 16:17:05
`快恢复二极管从名称上很好理解，肖特基二极管是以人名命名，由于制造I艺完全不同，是肖特基博士的一个创新。肖特基二极管是以其发明人肖特基博士(Schottky) 命名的，SBD是肖特基二极管
2018-11-01 15:26:11
（FRD），更高的超快恢复二极管（SRD），开关二极管，最快的是肖特基管（其原理不同于以上几个二极管） 快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管，主要应用于开关电源、PWM
2021-06-30 13:51:20
较小，以提高效率和降低功耗。平均二极管电流等于平均输出电流。所选二极管封装必须能够处理功耗。 同步控制器控制整流开关的另一个MOSFET。如果使用N通道MOSFET，则必须产生高于输出电压的电压，以
2013-08-12 15:05:53
SiC-SBD，蓝色是第二代，可确认VF的降低。SiC-SBD因高速trr而使开关损耗降低，加之VF的改善，在功率二极管中可以说是损耗最小的二极管。促进电源系统应用的效率提高与小型化前面已经介绍了
2018-12-04 10:26:52
耗散，因此降低了热和电传导损耗。它的高结温能力提高了高环境温度下或无法获得充分冷却的应用中的可靠性。肖特基二极管的应用:MBR系列肖特基势垒整流器的典型应用包括不间断电源、高频开关式电源和直流-直流
2020-08-28 17:12:29
滤波电感。有了电容滤波器，LLC转换器还可以使用额定电压较低的整流器，从而降低系统成本。此外，次级侧整流器可实现零电流转换，大大减少了反向恢复损耗。利用LLC拓扑结构的各项优势，可进一步提高效率，降低
2022-11-10 06:45:30
快恢复二极管电路容易击穿是常见的问题，当快恢复二极管电路出现击穿现象的时候应该怎么去做呢？ 快恢复二极管电路中，击穿是因为耐压值不够高所致，烧毁是因为额定电流小所致。建议替换成耐压值较高，额定电流
2021-01-27 14:11:38
` 一、超快恢复肖特基二极管的检测 用万用表检测快恢复、超快恢复肖特基二极管的方法基本与检测塑封硅整流二极管的方法相同。即先用RX1K挡检测一下其单向导电性，一般正向电阻为4.5KΩ左右，反向
2018-12-05 11:54:21
快恢复二极管分别有TO-220AB（铁封）、ITO-220AB（塑封）、TO-247、TO-252、TO-263等封装，有时候参数大小会影响快恢复二极管能做什么样的封装。比如：1、MUR1640
2016-12-14 11:45:54
过热烧毁。四、快恢复二极管规格型号不符。更换新二极管时错将工作参数不符合要求的管子换上或者接线错误，造成二极管管击穿损坏。五、电路板短路，用蒸汽清洁的电路板后，没有晾干，由水造成电路短路故障而造成的。请在用蒸汽清洁后，再用压缩空气吹一遍再检测应该可以避免这种损坏。快恢复二极管规格书下载：
2021-05-13 17:27:00
编辑-ZSFF2004参数描述型号：SFF2004封装：ITO-220AB特性：超快恢复二极管电性参数：20A，400V芯片材质：抗冲击硅芯片正向电流(Io)：20A芯片个数：2正向电压(VF
2021-09-16 17:22:26
参数描述型号：D92-02封装：TO-247/3P特性：超快恢复二极管电性参数：20A，200V芯片材质：抗冲击硅芯片正向电流(Io)：20A芯片个数：2正向电压(VF)：0.85V芯片尺寸：110
2021-09-09 16:34:24
驱动振铃吸收电路的二极管将1号驱动振铃吸收电路的快恢复二极管RS1M换成普通整流二极管1N4007（参数同M7），振铃峰值约140v，比原电路下降近2v，振铃前后的电压差约5v，比原来减少一半，也就
2016-02-28 16:40:50
无线充电怎么提高效率呢，急需
2015-10-19 10:43:15
），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（1-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为
2019-06-12 02:34:10
二极管，人们常将与IGBT、功率M0SFET等器件相匹配的FRD称之为超快恢复二极管，由于IGBT、功率MOSFET器件的开关速度很快，因此要求FRD不仅反向恢复要很快，而且要求“软”特性，以避免产生高
2019-04-16 09:37:22
一下在PFC输出端的基本构成–二极管和MOSFET的组合部分中，二极管的特性是怎样影响效率的。二极管使用FRD（快速恢复二极管），给出了3种特性不同的二极管的效率测量结果。右图表示各FRD的电路效率
2018-11-27 16:45:20
高压硅二极管具有低正向传导压降，但由于其反向恢复行为，会在功率转换器中造成显著的动态损耗。与硅相比，SiC二极管的反向恢复行为可以忽略不计，但确实表现出更高的体电容和更大的正向传导降。由于砷化镓技术
2023-02-22 17:13:39
以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长，后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管，简称肖特基二极管
2019-01-08 13:56:57
），工艺上多采用掺金措施，结构上有采用PN结型结构，有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管（0.5-2V），反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。 前者
2016-04-19 14:29:35
肖特基二极管和快恢复二极管区别：恢复时间比后者小一百倍左右，前者的反向恢复时间大约为几纳秒！ 优点还有低功耗，大电流，超高速！电特性当然都是二极管！ 复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺
2015-11-27 18:02:58
请问肖特基二极管和快恢复二极管在运用上有什么区别？谢谢！
2010-04-21 16:03:33
编辑人：LLASEMI-SBT2060VFCT快恢复二极管走关税是多少？
2018-11-19 17:01:54
我发现现在大家在选型这个二极管的时候，一般都是采用那种快恢复的二极管，有些场合明明不需要高速的快恢复二极管，但是大家也一样的采用了，看来是不是快恢复二极管已经可以通吃整个二极管应用了？
2019-05-16 00:12:23
电源所用的快恢复整流二极管都是肖特基二极管结构。这种快恢复整流二极管充分利用肖特基二极管多数载流子导电，因而正、反向恢复时间都短的优势，实现高频高效整流。 功率二极管的正向恢复时间理解为：一个尚未导
2011-07-14 08:32:21
电路板设计是一项关键而又耗时的任务，出现任何问题都需要工程师逐个网络逐个元件地检查整个设计。可以说电路板设计要求的细心程度不亚于芯片设计。下面我们一起来探讨在PCB设计时如何减少错误并提高效率？
2016-11-04 19:22:08
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使用 DSN2 肖特基二极管提高效率
2022-11-15 20:25:24
0 带有快速体二极管的MOSFET器件通过LLC拓扑和FREDFET来提高效率
2023-12-08 17:35:56359 
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