功率损耗是开关器件性能评估的重要环节,也是很多示波器付费选配的高级功能。虽然很多实验室配备了功率损耗测量环境,对设备和探头也投入不菲,但如果工程师忽略了探头之间的时间偏移,测试结果很可能会随之失去意义。
2017-12-01 16:00:175604 在导通数据中,原本2,742µJ的开关损耗变为1,690µJ,损耗减少了约38%。在关断数据中也从2,039µJ降至1,462µJ,损耗减少了约30%。
2020-07-17 17:47:44949 MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上,PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索,那么该如何量化评估呢?
2022-10-19 10:39:231504 MOS 管的开关损耗对MOS 管的选型和热评估有着重要的作用,尤其是在高频电路中,比如开关电源,逆变电路等。
2023-07-23 14:17:001216 的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,开关损耗测试对于器件评估非常关键,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上。电源工程师们都知道开关MOS在整个电源系统里面的损耗占比是不小的,开关
2024-01-20 17:08:06916 要提高开关电源的效率,就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面:开关损耗、导通损耗、附加损耗和电阻损耗。这些损耗通常会在有损元器件中同时出现,下面将分别讨论。 01与功率
2020-08-27 08:07:20
要提高开关电源的效率,就必须分辨和粗略估算各种损耗。开关电源内部的损耗大致可分为四个方面:开关损耗、导通损耗、附加损耗和电阻损耗。这些损耗通常会在有损元器件中同时出现。
2021-03-11 06:04:00
开关电源的最大效率验证和检定
2019-03-11 13:42:40
3、开关动态损耗 由于开关损耗是由开关的非理想状态引起的,很难估算MOSFET 和二极管的开关损耗,器件从完全导通到完全关闭或从完全关闭到完全导通需要一定时间,也称作死区时间,在这个过程中会产生
2021-12-29 07:52:21
事先知道损耗发生场所或部件的话,可有效且迅速地对应。损耗虽然会在电路内功耗的所有部分产生,不过主要损耗因素为I2R损耗、开关损耗及自我消耗电流损耗、迁移损耗、其他损耗。I2R损耗因内置功率晶体管的导通电
2018-11-27 16:46:28
一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗;关断损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。二、开关损耗原理分析:(1)、非理想的开关管在开通时,开关
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD(肖特基势垒二极管)组成的类型,也有仅以SiC-MOSFET组成的类型。与Si-IGBT功率模块相比,开关损耗大大降低处理大电流的功率模块中,Si的IGBT与FRD
2018-12-04 10:14:32
在BUCK型开关电源中,如果没有损耗,那效率就是100%,但这是不可能的,BUCK型开关电源中主要的损耗是导通损耗和交流开关损耗,导通损耗主要是指MOS管导通后的损耗和肖特基二极管导通的损耗(是指完
2021-10-29 08:08:29
一般情况下使用CAD软件测量出来的CAD图纸尺寸只能查看,那如果想将测量的结果导出Excel表格,该如何操作呢?下面就让小编以浩辰CAD看图王电脑版为例来给大家分享一下将CAD图纸中测量结果导出
2021-04-28 17:23:14
您好,我正在使用网络分析仪(PNA-L N5230A 4端口)使用FOM选项80进行一些频率偏移测量。为了验证测量校正,我首先测量混频器的转换损耗,遵循在线帮助(应用 - >频率偏移
2018-09-26 14:53:36
如图片所示,为什么MOS管的开关损耗(开通和关断过程中)的损耗是这样算的,那个72pF应该是MOS的输入电容,2.5A是开关电源限制的平均电流
2018-10-11 10:21:49
-请问各位专家,我是个电源新手,刚开始接触MOS管。现在又些问题,开关损耗主要是导通和关断这两个过程,其它损耗可忽略吗?
2019-06-27 09:10:01
MOS管的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上,PFCMOS管的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索,那么该如何量化评估呢
2018-11-09 11:43:12
本帖最后由 小小的大太阳 于 2017-5-31 10:06 编辑
MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds,而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关,与MOS管的结电容,输入电容,输出电容都有关系吧?具体的关系是什么?有没有具体计算开关损耗的公式?
2017-05-31 10:04:51
的损耗的简单测量方法。 2 IGBT 参数的定义 厂商所提供的IGBT 开关参数通常是在纯感性负载下测量的, 图1 和图2 分别是IR 公司和TOSHIBA公司测量开关时间的电路和定义开关时间
2018-10-12 17:07:13
trr快(可高速开关)・trr特性没有温度依赖性・低VF(第二代SBD)下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比,大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
;utm_campaign=tekTop 2: 示波器测量电源开关损耗应用宝典随着人们需要改善功率效率,延长电池供电的设备的工作时间,其中一个关键因素是开关器件的损耗。本应用指南将概括介绍这些测量
2016-03-10 16:38:38
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑
本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子
2021-01-30 13:20:31
的电源产品中,我们需要了解功率器件的动态特性:1、器件在不同温度的特性2、短路特性和短路关断3、栅极驱动特性4、关断时过电压特性5、二极管回复特性6、开关损耗测试等那么面对这些特性我们如何进行有效测量
2020-02-14 11:16:06
对于同一个电源,使用不同的示波器测量纹波和噪声值总是有些差异。甚至使用不同的探头也会影响测量结果。是什么原因呢? 一、纹波和噪声的区别 纹波 由于开关电源的开关管工作在高频的开关状态,每一个开关
2016-09-13 15:48:38
需要测量电流的主要原因是什么?怎么测量电流的损耗?
2021-05-11 06:52:08
“迷惑”。 不同的测试设备都有典型的应用场合和测量范围,之所以会出现测量结果不一致的情况,往往和测试设备本身的参数特性有关系,其中很关键的一个指标就是仪器的带宽。带宽不同的仪器,哪怕测试相同的信号,测试
2017-11-20 15:35:42
总共可以降低77%。这是前面提到的第一个优势。右图是以PWM逆变器为例的损耗仿真,是开关频率为5kHz和30kHz时开关损耗和传导损耗的总体损耗。在与IGBT模块的比较中,5kHz条件下总体损耗降低
2018-11-27 16:37:30
一个高质量的开关电源效率高达95%,而开关电源的损耗大部分来自开关器件(MOSFET和二极管),所以正确的测量开关器件的损耗,对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢?一、开关损耗
2021-11-18 07:00:00
“软开关”是与“硬开关”相对应的。硬开关是指在功率开关的开通和关断过程中,电压和电流的变化比较大,产生开关损耗和噪声也较大,开关损耗随着开关频率的提高而增加,导致电路效率下降;开关噪声给电路带来严重
2019-08-27 07:00:00
公式计算:同样,关断损耗的米勒平台时间在关断损耗中占主导地位。对于两个不同的MOSFET,如A管和B管,即使A管的Qg和Ciss小于B管的,但如果A管的Crss比B管的大得多时,A管的开关损耗就有可能
2017-03-06 15:19:01
的开通过程中,跨越线性区是产生开关损耗的最根本的原因。这表明:米勒平台时间在开通损耗中占主导地位,这也是为什么在选择功率MOSFET的时候,如果关注开关损耗,那么就应该关注Crss或QGD,而不仅仅是
2017-02-24 15:05:54
和E5071C矢量网络分析仪;各方法差分插入损耗测试结果如表2所示。 4结语 本文主要介绍了目前业界使用的几种PCB传输线信号损耗测量方法。由于采用的测试方法不同,测得插入损耗值也不一样,测试结果不能直接做横向对比,因此应根据各种技术方法的优势和限制,并且结合自身的需求选择合适的信号损耗测试技术。
2018-09-17 17:32:53
周期时间的测量 开关周期时间Tperiod(uS) 11.6762 开关管的开关损耗Pswitch(W) 0.327087666 开关管的导通损耗Pon-resistance(W) 0.477385448 开关管的总功耗Ploss(W) 0.804473114
2011-06-10 10:19:20
算法,可根据负载功率因子在不同扇区内灵活放置零电压矢量,与传统的连续调制SVPWM相比,在增加开关频率的同时减小了开关电流。仿真结果也表明这种方法有着最小的开关损耗。
2019-10-18 08:34:17
如何更加深入理解MOSFET开关损耗?Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响?
2021-04-07 06:01:07
算法,可根据负载功率因子在不同扇区内灵活放置零电压矢量,与传统的连续调制SVPWM相比,在增加开关频率的同时减小了开关电流。仿真结果也表明这种方法有着最小的开关损耗。
2019-10-12 07:36:22
电源工程师知道,整个电源系统中开关MOS的损耗比不小. 讨论最多的是导通损耗和关断损耗,因为这两种损耗与传导损耗或驱动损耗不同,因为它很直观,所以有些人对其计算仍然有些困惑.今天,我们将详细分析
2021-10-29 08:43:49
开关损耗,可以使用高分辨率示波器,一定要校正电压探头和电流探头时延。使用滤波和平均功能,在设定的时间周期内获得准确的结果。 2. 如果想在示波器上测量开关损耗,可以把电压乘以电流,取启动或关闭期间
2016-01-12 11:08:55
探头和电流探头之间的时间偏差6消除探头零偏和噪声7电源测量中记录长度的作用8识别真正的Ton 与Toff 转换8有源器件测量:开关
2008-07-08 17:51:58
电压转换速率上测量电流也可以帮助您最大限度地减少串扰,改善精度。 如需了解开关损耗和传导损耗测试要点,请参阅本系列博文中的第6篇博文。 文章来源:日图科技 微信:Ritu-17微博:日图科技Ritu
2016-08-31 15:36:31
时MOSFETs、IGBTs和磁性器件的损耗。由于大多数磁性器件采用定制设计,如开关器件,因此最好在工作状态下测试磁性器件。这一步可以正确分析其特性。 在测量开关损耗时,我们推荐使用MS05000B
2016-09-02 14:39:38
损耗通过等式2表示:在等式3中加上总开关损耗的结果:注意,在图1中,t2比第三个时段(t3)短得多。因此,在这些等式中,你可以估算在t3时段中的损耗。在一个时段这些有限的过渡时间会出现两次:MOSFET
2018-08-30 15:47:38
偏振相关损耗(PDL)的测量对测量系统中的扰动极其敏感,这些扰动包括光源的不 稳定性,连接器的反射,甚至是测试光纤的布局。如果测试装置布置不合理,即使采用高精度的测量设备也可能会出现较大的测量
2018-02-27 10:17:47
是为密勒电容(CGD)充电。在米勒时刻期间,漏极电流在IOUT端是恒定的,而VDS从VIN开始下降。在这段时间内的功率损耗通过等式2表示:在等式3中加上总开关损耗的结果:注意,在图1中,t2比第三个时段
2018-06-05 09:39:43
今天开始看电源界神作《开关电源设计》(第3版),发现第9页有个名词,叫“交流开关损耗”,不明白是什么意思,有没有哪位大虾知道它的意思啊?谢谢了!!
2013-05-28 16:29:18
详细查考的事项,但如果从栅极驱动电路中消除了LSOURCE的影响,则根据Figure 4中说明的原理,开关速度将变快。关于关断,虽然不像导通那样区别显著,但速度同样也会变快。-这就意味着开关损耗得到
2020-07-01 13:52:06
产生效果相反的两种反馈电压,分别控制 MOSFET 栅源电压的上升和下降时间,因此降低功率回路中的 di/dt。然而,这样通常会增加开关损耗,因此并非理想方法 [8],[9]。功率级寄生电容公式 1
2020-11-03 07:54:52
图1:开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时,驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分,您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段(图
2022-11-16 08:00:15
MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响,在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的,
2009-04-08 15:21:3232 根据开关器件的物理模型,分析了开关器件在Boost 电路中的损耗,并计算了Boost PWM 和PFC 两种不同电路的开关损耗,给出了开关器件的功耗分布。最后对一台3kW的Boost 型PFC 整流电源进
2009-10-17 11:06:0671 目录引言 3电源设计问题指向测量需求 3开关式电源基础知识 3-4有源元件测量:开关单元 4-11开关式设备中的功率损耗原理 4关闭损耗 
2010-06-30 09:31:0551 摘要:LVDS解串器的偏移容限用来表示其抖动容限。本应用笔记描述了限制偏移容限的条件,并给出了测量4通道解串器偏移容限的步骤。
介绍TLVDS解串器的偏移
2009-05-02 10:43:19712 理解功率MOSFET的开关损耗
本文详细分析计算开关损耗,并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程,从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并
2009-10-25 15:30:593320 根据MOSFET的简化模型,分析了导通损耗和开关损耗,通过典型的修正系数,修正了简化模型的极间电容。通过开关磁铁电源的实例计算了工况下MOSFET的功率损耗,计算结果表明该电源中
2011-11-14 16:46:22112 MOSFET才导通,因此同步MOSFET是0电压导通ZVS,而其关断是自然的0电压关断ZVS,因此同步MOSFET在整个开关周期是0电压的开关ZVS,开关损耗非常小,几乎可以忽略不计,所以同步MOSFET只有RDS(ON)所产生的导通损耗,选取时只需要考虑RDS(ON)而不需要考虑Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 探头偏移,实现最大精度。为保证新兴SMPS 设计的可靠性、稳定性、性能和一致性,设计工程师必须执行许多复杂的电源测量。带有DPOxPWR电源分析应用模块明显简化了电源分析工作,自动电源测量,如谐波、电源质量、开关损耗、安全工作区、转换速率、调制和纹波,保证了快
2015-05-26 14:38:17573 随着人们需要改善功率效率,延长电池供电的设备的工作时间,分析功率损耗及优化电源效率的能力比以前变得更加关键。效率中一个关键因素是开关器件的损耗。本应用指南将概括介绍这些测量,以及使用示波器和探头进行
2015-10-27 16:31:331288 为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题,通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖,定位了MOSFET 开关损耗的来源,进而为缓启动电路设计优化,减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。
2016-01-04 14:59:0538 FPGA平台实现最小开关损耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小开关损耗SVPWM算法实现。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器测量电源开关损耗。
2016-05-05 09:49:380 偏移量测量时应该注意许多
2016-12-29 20:58:210 MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响,在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的,比如常见的管脚引线电感。本文在理论分析和实验数据基础上阐述了各寄生电感对IGBT开关损耗测量结果的影响。
2017-09-08 16:06:5221 MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节,但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上,PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索,那么该如何量化评估呢?
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式开关损耗
CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式,DCM 模式很简单了。
2018-01-13 09:28:578162 合和测量范围,之所以会出现测量结果不一致的情况,往往和测试设备本身的参数特性有关系,其中很关键的一个指标就是仪器的带宽。带宽不同的仪器,哪怕测试相同的信号,测试结果往往也都不同。 首先我们来看看仪器测量带宽是
2018-01-17 09:52:002097 和交变损耗建模。其次,对软磁复合材料和无取向电工钢片进行模型参数辨识,并比较两种材料的损耗特性和模型参数。最后,利用三维磁特性测量装置进行多种励磁模式下的损耗测量,并对比实验结果与模型预测值。结果表明,在旋转复
2018-02-06 15:18:330 变压器出厂实验需要测量其空载励磁特性、空载损耗和负载损耗。空载损耗主要是铁损耗,测量空载损耗时往往要施加一个容量较大的工频电源。为了减小实验电源容量,使测量设备便携化,提出一种采用低频电源代替
2018-02-07 13:59:421 高压开关的介绍和作用高压开关分、合闸时间及同期性是用于测量高压断路器的机械性能,是变压器与用电设备的桥接装置,在整个回路中起到开断和关合的重要作用,测量高压开关其性能的好坏也是影响系统安全的重要因素
2018-08-13 15:15:20903 一个高质量的开关电源效率高达95%,而开关电源的损耗大部分来自开关器件(MOSFET和二极管),所以正确的测量开关器件的损耗,对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢?
2019-06-26 15:49:45721 一个高质量的开关电源效率高达95%,而开关电源的损耗大部分来自开关器件(MOSFET和二极管),所以正确的测量开关器件的损耗,对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢?
2019-06-27 10:22:081926 一个高质量的开关电源效率高达95%,而开关电源的损耗大部分来自开关器件(MOSFET和二极管),所以正确的测量开关器件的损耗,对于效率分析是非常关键的。
2019-07-31 16:54:535929 同步整流降压转换器的同步开关(高边+低边)是对VIN和GND电压进行切换(ON/OFF),该过渡时间的功率乘以开关频率后的值即开关损耗。
2020-04-06 10:51:00889 功率MOSFET的开关损耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 根据开关器件的物理模型 ,分析了开关器件在 Boost 电路中的损耗 ,并计算了 Boost PWM 和PFC 两种不同电路的开关损耗 ,给出了开关器件的功耗分布。最后对一台 3kW 的 Boost 型 PFC 整流电源进行了优化设计。
2021-05-11 11:01:2512 一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗;关断损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。二、开关损耗原理分析:(1)、非理想的开关管在开通时,开关
2021-10-22 10:51:0611 电源工程师知道,整个电源系统中开关MOS的损耗比不小. 讨论最多的是导通损耗和关断损耗,因为这两种损耗与传导损耗或驱动损耗不同,因为它很直观,所以有些人对其计算仍然有些困惑.今天,我们将详细分析
2021-10-22 17:35:5953 欢迎回到直流/直流转换器数据表系列。鉴于在上一篇文章中我介绍了系统效率方面的内容,在本文中,我将讨论直流/直流稳压器部件的开关损耗,从第1部分中的图3(此处为图1)开始:VDS和ID曲线随时间变化
2022-01-21 17:01:12831 ,热损耗极低。 开关设备极大程度上决定了SMPS的整体性能。开关器件的损耗可以说是开关电源中最为重要的一个损耗点,课件开关损耗测试是至关重要的。接下来普科科技PRBTEK就开关损耗测试方案中的探头应用进行介绍。 上图使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 功率损耗是开关器件性能评估的重要环节,也是工程师在选配时重点关注的一项高级功能。虽然很多实验室配备了功率损耗测量环境,对设备和探头也投入不菲,但如果工程师忽略了探头之间的时间偏移,测试结果很可能
2021-12-15 15:22:40416 3、开关动态损耗 由于开关损耗是由开关的非理想状态引起的,很难估算MOSFET 和二极管的开关损耗,器件从完全导通到完全关闭或从完全关闭到完全导通需要一定时间,也称作死区时间,在这个过程中会产生
2022-01-07 11:10:270 开关过程中,穿越线性区(放大区)时,电流和电压产生交叠,形成开关损耗。其中,米勒电容导致的米勒平台时间,在开关损耗中占主导作用。
2023-01-17 10:21:00978 全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比,具有1)可大大降低开关损耗、2)开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:22673 MOSFET和IGBT等电源开关器件被广泛应用于各种电源应用和电源线路中。需要尽可能地降低这种开关器件产生的开关损耗和传导损耗,但不同的应用其降低损耗的方法也不尽相同。近年来,发现有一种方法可以改善
2023-02-09 10:19:18634 从某个外企的功率放大器的测试数据上获得一个具体的感受:导通损耗60W开关损耗251。大概是1:4.5 下面是英飞凌的一个例子:可知,六个管子的总功耗是714W这跟我在项目用用的那个150A的模块试验测试得到的总功耗差不多。 导通损耗和开关损耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关--输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗。开关损耗:见文识意,开关损耗就是开关工作相关的损耗。在这里使用PSWH这个符号来表示。
2023-02-23 10:40:49622 全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍,开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。
2023-02-24 11:51:28493 晶体管开关时间的测量可以通过使用一个时间计数器来实现,可以通过设置一个起始时间和一个结束时间,然后计算两者之间的时间差来测量晶体管的开关时间。
2023-02-24 16:20:252909 MOSFET的栅极电荷(米勒电容)以及控制IC的驱动能力。本应用笔记将详细分析导通开关损耗以及选择开关P沟道MOSFET的标准。
2023-03-10 09:26:35556 CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式,DCM 模式很简单了。
2023-07-17 16:51:224668 使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333 使用电压探头和电流探头等不同类型的示波器探头进行测量时,对探头进行偏移校正是十分必要的。 图1 Keysight U1880A 偏移校正夹具 偏移校正十分重要,因为对于开关损耗测量,晶体管开关打开
2024-02-04 11:31:30311
评论
查看更多