德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC产品群”，并在2012年5月8日～10日于德国举行的电源技术展会“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:48
1711 大联大控股宣布，其旗下品佳代理的英飞凌（Infineon）推出革命性的1200V SiC MOSFET，使产品设计可以在功率密度和性能上达到前所未有的水平。它们将有助于电源转换方案的开发人员节省空间、减轻重量、降低散热要求，并提高可靠性和降低系统成本。
2018-04-10 14:04:347768 
科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）推出了650 V CoolSiCTM MOSFET系列新产品。该产品具有高可靠性、易用性和经济实用等特点，能够提供卓越的性能。这些SiC器件采用了英飞凌先进的SiC沟槽工艺、紧凑的D2PAK 表面贴装7引脚封装和.XT互连技术
2022-03-31 18:10:574794 
等大功率领域，能显著提高效率，降低装置体积。在这些应用领域中，对功率器件的可靠性要求很高，为此，针对自主研制的3300V SiC MOSFET 开展栅氧可靠性研究。首先，按照常规的评估技术对其进行了高温
2024-01-04 09:41:54599 
基本半导体1200V 碳化硅MOSFET采用平面栅碳化硅工艺，结合元胞镇流电阻设计，开发出了短路耐受时间长，导通电阻小，阈值电压稳定的1200V系列性能卓越的碳化硅MOSFET。
2019-01-17 15:40:039313 
CIPOS Maxi IPM集成了改进的6通道1200 V绝缘体上硅（SOI）栅极驱动器和六个CoolSiC™ MOSFET，以提高系统可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。
2020-12-11 17:01:08971 3G核心网网元是什么？为什么要提高3G核心网高的可靠性设计？3G核心网高可靠性设计方法有哪些？
2021-05-25 07:04:23
高等特点，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。 SiC MOSFET在开发与应用方面，实现了传统型半导体（Si）实现不了的低损耗，包括提高效率、提升功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本
2020-09-24 16:23:17
。如果是相同设计，则与芯片尺寸成反比，芯片越小栅极电阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此栅极电容小，但内部栅极电阻增大。例如，1200V 80mΩ产品（S2301为裸芯片
2018-11-30 11:34:24
问题。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不会发生这类问题）ROHM通过开发不会扩大堆垛层错的独特工艺，成功地确保了体二极管通电的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET产品中，实施了
2018-11-30 11:30:41
，即非本征缺陷时才有效。与Si MOSFET相比，现阶段SiC MOSFET栅极氧化物中的非本征缺陷密度要高得多。电筛选降低了可靠性风险与没有缺陷的器件相比，有非本征缺陷的器件更早出现故障。无缺陷的器件
2022-07-12 16:18:49
的稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡以及故障处理等问题。这就需要工程师深入了解SiC MOSFET的工作特征及其对系统设计的影响。如图1所示，与同类型的Si MOSFET相比，900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
MOSFET状态表明了主要商业障碍的解决方案，包括价格，可靠性，坚固性和供应商的多样化。尽管价格优于Si IGBT，但由于成本抵消了系统级优势，SiC MOSFET已经取得了成功。随着材料成本的下降，这项技术
2023-02-27 13:48:12
产品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封装。其他器件很快将在同一封装中投入生产，加上类似器件将采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
。本篇到此结束。关于SiC-MOSFET，将会借其他机会再提供数据。（截至2016年10月）关键要点:・ROHM针对SiC-SBD的可靠性，面向标准的半导体元器件，根据标准进行试验与评估。＜ 相关产品信息 ＞SiC-SBDSiC-MOSFET
2018-11-30 11:50:49
Sic MOSFET 主要优势.更小的尺寸及更轻的系统.降低无源器件的尺寸/成本.更高的系统效率.降低的制冷需求和散热器尺寸Sic MOSFET ，高压开关的突破.SCT30N120
2017-07-27 17:50:07
率为一个平稳值，意味着产品进入了一个稳定的使用期。耗损失效期的失效率为递增形式，即产品进入老年期，失效率呈递增状态，产品需要更新。提高可靠性的措施可以是：对元器件进行筛选;对元器件降额使用，使用容错法
2015-08-04 11:04:27
，给社会生产生活带来巨大的损失。 电厂提高DCS控制系统可靠性的措施 在dcs系统中，采用了许多提高可靠性的技术措施。这些技术措施是建立在以下四种基本思想上的： ①使系统本身不易发生故障，即所谓
2018-12-03 11:05:31
量简化设计，简化电路和结构设计，使每个部件都成为最简设计。当今世界流行的模块化设计方法是提高设备可靠性的有效措施。块功能相对单一，系统由模块组成，可以减少设计的复杂性，将设计标准化、规范化。国内外大量
2018-09-21 14:49:10
、性能指标的前提下，应尽量简化设计，简化电路和结构设计，使每个部件都成为最简设计。当今世界流行的模块化设计方法是提高设备可靠性的有效措施。块功能相对单一，系统由模块组成，可以减少设计的复杂性，将设
2014-10-20 15:09:29
的前提下，应尽量简化设计，简化电路和结构设计，使每个部件都成为最简设计。当今世界流行的模块化设计方法是提高设备可靠性的有效措施。块功能相对单一，系统由模块组成，可以减少设计的复杂性，将设计标准化、规范化
2018-11-23 16:50:48
，应尽量简化设计，简化电路和结构设计，使每个部件都成为最简设计。当今世界流行的模块化设计方法是提高设备可靠性的有效措施。块功能相对单一，系统由模块组成，可以减少设计的复杂性，将设计标准化、规范化
2023-11-22 06:29:05
为提高单片机本身的可靠性。近年来单片机的制造商在单片机设计上采取了一系列措施以期提高可靠性。这些技术主要体现在以下几方面： 1.降低外时钟频率 外时钟是高频的噪声源，除能引起对本应用系统
2020-07-16 11:07:49
描述此参考设计介绍高可靠性应用（基于 66AK2Gx 多内核 DSP + ARM 处理器片上系统 (SoC)）中具有纠错码 (ECC) 支持的双倍数据速率 (DDR) 存储器接口的系统注意事项。其中
2018-10-22 10:20:57
一般采用采用分布式供电系统，以满足高可靠性设备的要求。 因为元器件直接决定了电源的可靠性，所以元器件的选用是尤为重要。元器件的失效主要集中在以下四点：制造质量问题、器件可靠性的问题、设计问题、损耗问题。在
2018-10-09 14:11:30
和恢复特性，还成功将VF降低至约0.15V，达到当时业界最小的VF 1.35。VF降低有助于降低设备的传导损耗。第三代SiC-SBD为提高抗浪涌电流性能并改善漏电流IR，采用了JBS（Junction
2018-12-03 15:11:25
散热器的D2PAK和SuperSO8 （5毫米x 6毫米）等贴片封装，从而大幅简化热管理。 因此，可以提高开关电源的功率密度，同时降低系统成本。 继去年发布展示有巨大优势的全新30V硅技术产品之后
2018-12-06 09:46:29
所需的组件，降低系统成本，提高可靠性。 英飞凌新型功率晶体管PTVA127002EV非常适用于空中交通管制应用和气象观察应用的L波段雷达系统。雷达系统在特定频率范围内发射高能电子脉冲，然后检测脉冲
2018-11-29 11:38:26
规范的清洁度要求好处提高PCB清洁度就能提高可靠性。不这样做的风险线路板上的残渣、焊料积聚会给防焊层带来风险，离子残渣会导致焊接表面腐蚀及污染风险，从而可能导致可靠性问题（不良焊点/电气故障），并最终
2016-02-20 14:25:46
高可靠性的线路板具有什么特点？
2021-04-25 08:16:53
。所有这些应用都需要具备更高功率密度的先进半导体系统。此类功率模块的决定性要素是出色的可靠性、坚固性和长使用寿命。 图1 英飞凌1200V功率模块振动条件下的坚固性和可靠性不仅是牵引应用关注的焦点，同时也
2018-12-03 13:49:12
开来，并应用于电缆以将电线与电缆所穿过的环境隔离开来。 SiC MOSFET可作为1200V，20A器件提供，在+ 15V栅极-源极电压下具有100mΩ。此外，固有的导通电阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
采用IR51H420构成的高可靠性节能灯电子镇流器电路图
2019-10-31 09:10:48
秋”将全力以赴地持续提高可靠性，一如既往地积极捍卫国家市场形象，不遗余力地为“中国制造”代言，竭尽全力助推中国从“制造大国”迈向“制造强国”！`
2020-07-09 11:54:01
作业的设备，即使可靠性提高1%，成本提高10%也是合算的。PCBA可靠性高，则维修费、停机损失可大幅减少，资产及生命安全更有保障！当今，放眼全球，国家与国家的竞争已经演变成企业与企业的竞争，可靠性
2020-07-03 11:09:11
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
，发现提高可靠性水平可大大幅减少电子设备的维修费用；表面看来，高可靠性的前期生产、管控成本会较高，但是，后期的故障率更少，而且维护费、停机损失会更低。为了帮助客户实现经济效益最大化，“华秋”更执念于把
2020-07-08 17:10:00
的电感和电容之外的杂散电感和电容。需要认识到，SiC MOSFET 的输出开关电流变化率 (di/dt) 远高于 Si MOSFET。这可能增加直流总线的瞬时振荡、电磁干扰以及输出级损耗。高开关速度还可能导致电压过冲。满足高电压应用的可靠性和故障处理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
标记。GE公司分析，对能源、交通、矿山、通讯、工控、医疗等连续作业的设备，即使可靠性提高1%，成本提高10%也是合算的。PCBA可靠性高，则维修费、停机损失可大幅减少，资产及生命安全更有保障！当今
2020-07-03 11:18:02
一定的短路能力。下表是派恩杰半导体部分产品短路能力：表1 1200V/650V MOSFET器件短路耐量派恩杰半导体针对栅极的可靠性是严格按照AEC-Q101标准进行，在栅极分别加负压和正压（-4V
2022-03-29 10:58:06
电路板断路。即便修复‘得当’，在负荷条件下（振动等）也会有发生故障的风险，从而可能在实际使用中发生故障。3、超越 IPC 规范的清洁度要求好处提高 PCB 清洁度就能提高可靠性。不这样做的风险线路板上
2019-10-21 08:00:00
分享一款不错的高可靠性CAN-bus以太网冗余组网方案
2021-05-26 06:37:56
的可靠性防范措施。3．本质可靠性与可靠性控制本质可靠性是只考虑系统功能要求的软、硬件可靠性设计，是可靠性设计的基础。如采用 CMOS 电路代替 7rrL 电路提高噪声容限，增加系统抗干扰能力：采用
2021-01-11 09:34:49
可靠性设计是单片机应甩系统设计必不可少的设计内容。本文从现代电子系统的可靠性出发，详细论述了单片机应用系统的可靠性特点。提出了芯片选择、电源设计、PCB制作、噪声失敏控制、程序失控回复等集合硬件系统
2021-02-05 07:57:48
，半导体技术的改进和新的安全功能怎样简化了设计，并提高了组件的可靠性。 高可靠性电源系统的要求 在理想的世界里，高可靠性系统应该设计为能够避免单点失效，有办法在保持运行 (但也许是在降低的性能水平
2018-10-17 16:55:21
isoSPI 数据链路助力实现高可靠性车载电池系统
2019-09-02 14:23:53
汽车行业发展迅速，汽车的设计、制造和操控方式在发生着重大转变。最值得注意的是，与半导体技术相关的安全性和可靠性在很大程度上影响着汽车的安全性。系统集成商面对的挑战是构建强大的平台，并确保该平台能够在
2019-07-25 07:43:04
高可靠性系统设计包括使用容错设计方法和选择适合的组件，以满足预期环境条件并符合标准要求。本文专门探讨实现高可靠性电源的半导体解决方案，这类电源提供冗余、电路保护和远程系统管理。本文将突出显示，半导体技术的改进和新的安全功能怎样简化了设计，并提高了组件的可靠性。
2019-07-25 07:28:32
`请问如何提高PCB设计焊接的可靠性？`
2020-04-08 16:34:11
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
PMU的原理是什么？如何提高数据采集系统的实时性与可靠性？
2021-05-12 06:45:42
碳化硅-MOSFET的电流源驱动 对于1200V、带VSD的100A分立IGBT，需要22Ω的栅极电阻，以将最大dv/dt限制为5V/ns。对于CSD，需要290mA的栅极电流设置（ROUTREF值
2023-02-21 16:36:47
目前，汽车中使用的复杂电子系统越来越多，而汽车系统的任何故障都会置乘客于险境，这就要求设计出具有“高度可靠性”的系统。同时，由于FPGA能够集成和实现复杂的功能，因而系统设计人员往往倾向于在这些系统中采用FPGA。
2019-09-27 07:45:33
高可靠性系统设计包括使用容错设计方法和选择适合的组件，以满足预期环境条件并符合标准要求。本文专门探讨实现高可靠性电源的半导体解决方案，这类电源提供冗余、电路保护和远程系统管理。本文将突出显示，半导体技术的改进和新的安全功能怎样简化了设计，并提高了组件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
本文拟从印制板下游用户安装后质量、直接用户调试质量和产品使用质量三方面研究印制板的可靠性，从而表征出印制板加工质量的优劣并提供生产高可靠性印制板的基本途径。
2021-04-21 06:38:19
`请问如何通过PCB设计提高焊接的可靠性？`
2020-03-30 16:02:37
如何采用功率集成模块设计出高能效、高可靠性的太阳能逆变器？
2021-06-17 06:22:27
、新技术、新材料对老产品、老结构进行改进，采取措施提高产品的固有可靠性。要提高射频连接器的固有可靠性，必须遵循射频连接器的基本设计原则和特点，在不降低它的电气特性或者说在保证其电气特性不受影响的条件下
2019-07-10 08:04:30
关注有助于确保整个终端设备可靠性要求的装置。集成电路在嵌入式系统的性能、尺寸和整体成本方面已经实现重大突破，对各种存储元件的依赖及使用小尺寸硅工艺技术可能产生的永久和瞬时误差对可靠性产生了影响。 将众多
2018-08-30 14:43:15
尽管许多嵌入式工程师充满了希望和梦想，但高可靠性的代码不是一蹴而就的。它是一个艰苦的过程，需要开发人员维护和管理系统的每个比特和字节。当一个应用程序被确认为“成功”的那一刻，通常会有一种如释重负
2019-09-29 08:10:15
。因此，硬件可靠性设计在保证元器件可靠性的基础上，既要考虑单一控制单元的可靠性设计，更要考虑整个控制系统的可靠性设计。
2021-01-25 07:13:16
无线电池管理系统突出了业界提高可靠性的动力
2019-09-09 08:23:41
本文提出一种优化的高性能高可靠性的嵌入式大屏幕LED显示系统，只需要用1片FPGA和2片SRAM就可以实现大屏幕LED显示的驱动和内容更换，可以说其性能已经大有改善。本设计可以应对多种大屏幕显示的场合。
2021-06-04 06:02:01
甲烷传感器的特点甲烷传感器的工作原理新型高可靠性甲烷传感器的原理与设计
2021-04-09 06:41:47
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
用于高可靠性医疗应用的混合信号解决方案
2019-09-16 06:34:54
迅速、真正提高的目的。因此，在同等期限内，应用这项技术所获得的可靠性要比传统方法高得多，更为重要的是在短时间内就可以获得早期的高可靠性，而且不像传统方法那样，需要进行长时间的可靠性增长，因此也就大大
2019-11-08 07:38:43
阻并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
频率做得更高。作为传统设计中IGBT和Si-MOSFET的替代品，TO-247三线和四线封装仍将占有一席之地。随着技术的成熟，可靠性将得到越来越多的证明，随着成品率的提高和片芯尺寸的缩小，成本有望降低
2023-02-27 14:28:47
低，可靠性高，在各种应用中非常有助于设备实现更低功耗和小型化。本产品于世界首次※成功实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装。内部二极管的正向电压（VF）降低70％以上，实现更低损耗的同时
2019-03-18 23:16:12
、板薄、高频、高速”的发展趋势，对可靠性的要求会越来越高。高可靠性 PCB 可以发挥稳健的载体作用，从而实现 PCBA 的长期、稳定运作，保证终端产品的安全性、稳定性和使用寿命，提高经济效益。高可靠性
2022-05-09 14:30:15
PCB的外壳中。可以将组件安装到灵活的解决方案上，而不是将组件安装到刚性PCB上，它们将与外形合适的外壳相符。此外，可以用加固基板加固柔性PCB的部分，以提高可靠性。最后，柔性印制电路板可提供最轻
2023-04-21 15:52:50
。与此同时，SiC模块也已开发出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代SiC-MOSFET而促进实现更低导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
集成电路为高可靠性电源提供增强的保护和改进的安全功能
2019-06-11 16:25:31
罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品（图1）。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻，以及备有将SiC制肖特基势垒二极管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531592 英飞凌全新1200V SiC MOSFET经过优化，兼具可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200V硅（Si）IGBT低了一个数量级。这在最初可以支持光伏逆变器、不间断电源（UPS）或充电/储能系统等应用的系统改进，此后可将其范围扩大到工业变频器。
2016-05-10 17:17:498006 ）电机已成为许多匀速或变速的高可靠性中高档系统的选择。借助几个霍尔效应传感器和一个控制器，BLDC 电机变得相对容易控制。如今，BLDC 电机系统已十分常见，但是，大多数系统仍使用传感器来控制电机。为了降低 BLDC 系统的成本并提高可靠性，许
2017-09-15 08:53:08
15 英飞凌推出采用全新D2PAK-7L封装的1200V CoolSiC MOSFET，导通电阻从30mΩ到350mΩ，可助力不同功率的工业电源、充电器及伺服驱动器（不同的电流额定值）实现最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 英飞凌科技股份公司（FSE:IFX/OTCQX:IFNNY）推出了1200V碳化硅（SiC）集成功率模块（IPM），并在今年大规模推出了SiC解决方案。CIPOS Maxi IPM IM828系列
2021-01-08 11:34:513427 ，瑞能半导体于2021年推出SiC MOSFET产品，不仅一如既往的追求高可靠性，同时也拥有业内领先的高性能和竞争力。
2022-02-18 16:44:103785 
值得一提的是，这款TO247-4封装的产品通过AEC-Q101认证，同时表明1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET裸芯片，也满足车规级可靠性标准。该晶圆正面还可以采用镍钯金，如下图，支持双面散热封装，可进一步突破传统单面封装的功率密度极限。
2022-11-08 14:45:16874 ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜，通过工艺开发和元器件结构优化，实现了与Si-MOSFET同等的可靠性。
2023-02-24 11:50:12784 
2022年11月，上海瞻芯电子开发的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101)，该产品为TO247-4封装，最大电流(Ids)可达111A。
2023-03-22 16:47:332073 
英飞凌如何控制和保证基于 SiC 的功率半导体器件的可靠性
2023-10-11 09:35:49687 
2023年10月，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
2023-10-20 09:43:26488 
SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
2023-11-30 15:56:02345 
1000h SiC MOSFET体二极管可靠性报告
2023-12-05 14:34:46211 
另外，CoolSiC MOSFET产品组合还成功实现了SiC MOSFET市场中的最低导通电阻值（Rdson），这大大提高了能效、功率密度，以及在电力系统中的可靠性，降低了零件使用数量。
2024-03-10 12:32:41502 蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228 英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36131
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