德州仪器 （TI） 宣佈针对绝缘闸双极性电晶体 （insulated-gate bipolar transistors；IGBT） 与MOSFET推出一款隔离式闸极驱动器，速度比同等光学闸极驱动器快40%。 ISO5500 的输入 TTL 逻辑与输出
2012-10-09 08:46:04
824 日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 40V/2.5A同步降压或升压降压控制器ISL85403，集成高边MOSFET和低边驱动器一款具有高边MOSFET和低边驱动器的40V，2.5A同步降压或升压降压控制器--ISL85403。该芯片
2019-03-13 04:24:07
转换器产品概述:SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至40V）可提供最大2.5A电流高效率输出。SL3061
2023-11-13 15:24:19
描述AT2100是一种便于使用的内部集成了译码器的智能步进电机驱动器。其输出驱动能力达到32V ±2.5A，最高支持16细分，同时支持插补细分工作功能。AT2100支持电压衰减，使其完全静音工作
2018-05-30 09:40:11
2.5A充放电，95%效率二合一IC,样片及技术支持：947003649
2016-09-07 09:39:06
2.5A功率增强型电机驱动模块的特性是什么？2.5A功率增强型电机驱动模块有哪些功能？
2021-10-15 09:13:09
2.5A功率增强型电机驱动模块的优点有哪些？2.5A功率增强型电机驱动模块的产品参数有哪些？2.5A功率增强型电机驱动模块的注意事项有哪些？
2021-06-29 09:05:41
产品简介：2.5A功率增强型电机驱动模块，有高配版（含硅胶线、排针、端子）及标配版可供选择，供电电压2V~10V，可同时驱动两个直流电机或者1个4线2相式步进电机，可实现正反转和调速的功能，有热保护
2021-06-29 07:25:56
IGBT、MOS驱动器
2019-08-09 16:28:23
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
Supply；SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET
2018-08-27 20:50:45
功率晶体管组成，如双极型晶体管、 MOSFET 或绝缘栅双极型晶体管 （ Insulated Gate Bipolar Transistor， IGBT） 。在一些小型无刷直流电机或步进电机应用中， MOSFET驱动器可用来直接驱动电机。 不过，在本应用笔记中，我们需要的电压和功率较 MOSFET
2021-09-17 07:19:25
，逆变器，变频器，电镀电解电源，超音频感应加热等领域。开关电源(SMPS) 的性能在很大程度上依赖于功率半导体器件的选择，即开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但
2021-06-16 09:21:55
具备控制功率小、开关速度快的特点，广泛应用于低中高压的电路中，是功率半导体的基础器件。在如今兴起的新能源电动车中，硅基MOSFET是不可或缺的存在。MOSFET是汽车电子中的核心元件，汽车引擎、驱动系统
2023-02-21 15:53:05
MOSFET驱动器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢？
2021-11-08 06:11:40
IGBT 栅极驱动器，这种器件具有多种集成特性，如去饱和检测和软关断（以便在故障情况下保护 IGBT）。外部 BJT 电流增压级可提高栅极驱动电流 (15A)，而不必牺牲软关断特性。此外，该设计展示了在
2018-12-07 14:05:13
发生故障，仅仅是因为某些数字性溢出故障。
图1：超级结MOSFET (a)和IGBT (b)横截面，模型中包含嵌入式样品制程参数
图2：可从一个物理模型扩展(a) SuperFET CRSS(b
2019-07-19 07:40:05
的效率密切相关。 对于门驱动器或者逆变器应用，通常需要选择低输入电容 (利于快速切换) 以及较高驱动能力的MOSFET。 03 IGBT适合高压大电流应用 与MOSFET相比，IGBT开关速度较慢
2022-06-28 10:26:31
FAN7391MX是一款单片高侧和低侧栅极驱动 IC，可驱动工作在高达 +600 V 电压的高速 MOSFET 和 IGBT。它具有缓冲输出级，所有 NMOS 晶体管设计用于实现高脉冲电流驱动
2022-01-18 10:43:31
概述：IRS26302DJBPF美国国家半导体公司生产的一款高速功率MOSFET和IGBT驱动器，它把功率MOSFET/IGBT栅极驱动器与三个高侧及三个低侧参考输出通道集成在一起，在最高20V
2021-05-18 07:25:34
MIC37252的典型应用：2.5A，低压电容LDO稳压器。 Micrel MIC37252是一款2.5A低压差线性稳压器，可提供低电压，高电流输出和最少的外部元件。它具有高精度，低压差和低接地电流
2019-04-23 08:44:22
描述：NCP302045MNTWG在一个封装中集成了 MOSFET 驱动器、高压侧 MOSFET 和低压侧 MOSFET。该驱动器和 MOSFET 适用于高电流 DC−DC 降压功率转换器
2022-02-10 13:07:46
NCP5106BA36WGEVB，NCP5106,36 W镇流器评估板。 NCP5106是一款高压栅极驱动器IC，提供两路输出，用于直接驱动2个N沟道功率MOSFET或IGBT，采用半桥配置版本B或任何其他高端+低端配置版本A.它使用自举技术，以确保正确驱动高端电源开关。该驱动程序使用2个独立输入
2019-10-12 10:31:24
SCALE-2技术可优化外形尺寸，提高耐压在3300V以内的功率逆变器和变换器的效率、性能和深耕于中高压逆变器应用门极驱动器技术领域的知名公司Power Integrations（纳斯达克股票代号
2021-09-09 11:00:41
相结合，可实现电机设备标准化。推荐产品：BM6202FS-E2；ROHM其它相关产品请 点击此处 了解特性参数：输出MOSFET电压：600V驱动器输出电流(DC）：±1.5A(最大)驱动器输出电流
2019-12-28 09:47:29
SLM346光兼容单通道隔离栅驱动器代替TLP5772 具有低延时，模瞬态抗扰能力强，寿命长 一般描述：SLM346是一款光兼容单通道，隔离栅驱动器，用于IGBT、MOSFET和2.5A源和2.5A
2023-02-14 10:35:49
本帖最后由 Sillumin驱动 于 2021-5-16 09:52 编辑
一般描述：SLM346是一款光兼容单通道，隔离栅驱动器，用于IGBT、MOSFET和2.5A源和2.5A汇峰值输出
2021-05-16 09:23:35
驱动器，用于IGBT、MOSFET和2.5A，源和2.5A汇峰值输出电流和5kVRMS加强隔离等级。SLMi350罐驱动低压侧和高压侧功率场效应晶体管。钥匙，特点和特点带来显著的，性能和可靠性升级超过
2021-03-30 18:09:09
详细说明:TLP352是可直接驱动中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封装的IC耦合器。该产品的延迟时间为200 ns，光电耦合器之间的传输延迟时间差(PDD*) 为90 ns(上述
2019-09-20 09:03:36
应用中使用的功率IGBT和MOSFET。 输出级的高工作电压范围提供了栅极控制设备所需的驱动电压。 该光电耦合器提供的电压和电流使其非常适合直接驱动额定功率高达800 V / 50 A的IGBT。对于
2019-10-30 15:23:17
开关管和整流器。虽然没有万全的方案来解决选择IGBT还是MOSFET的问题，但针对特定SMPS应用中的IGBT 和 MOSFET进行性能比较，确定关键参数的范围还是能起到一定的参考作用。本文将对一些
2017-04-15 15:48:51
电机驱动设计中MOSFET驱动器与MOSFET的匹配设计相关文章资料，大家可以看看，对大家很有帮助！
2021-03-29 16:18:09
Si-MOSFET/IGBT不断改进，以及对GaN和SiC工艺技术的引进，现代功率转换器/逆变器的功率密度不断提高。因此，需要高度集成、耐用的新型隔离式栅极驱动器。这些驱动器的电隔离装置体积小巧，可集成到驱动器芯片
2021-01-22 06:45:02
栅极驱动器的 +16V/-8V 电压，能够通过具有外部 BJT/MOSFET 缓冲器的单极或双极电源为栅极驱动器供电可针对反相/非反相工作情况配置栅极驱动器输入可选择通过如下方式评估系统：栅极驱动器和 IGBT 之间的双绞线电缆栅极和发射极之间的外部电容
2018-12-27 11:41:40
(PTC) 加热器来加热冷却剂。PTC加热器依靠高压电池来运行，需要几千瓦的功率。图1显示了由低侧MOSFET/IGBT电源开关驱动的典型PTC加热器方框图。图1：汽车内部加热器模块的方框图过去
2022-11-04 06:40:48
IGBT没有体二极管或者IGBT内部的续流二极管坏掉了。IGBT非常适合应用于如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT的理想等效电路如下图所示，IGBT实际就是MOSFET和晶体管
2021-03-02 13:47:10
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要从英飞凌推出MOSFET IPW90R120C3这里的MOSFET规格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驱动器
2018-09-01 09:53:17
概述SL3061是一款内部集成功率MOSFET的降压型开关稳压器，工作在宽输入电压范围具有优良的负载和线性调整。宽范围输入电压（6V至40V）可提供最大2.5A电流高效率输出。SL3061安全保护
2022-06-10 15:16:08
FEBFOD8332是FOD8332智能栅极驱动器光电耦合器的评估板，是一款先进的2.5A输出电流IGBT驱动光电耦合器，可提供必要的关键保护，以防止导致IGBT发生破坏性热失控的故障
2019-04-30 09:06:13
FEBFOD8333是FOD8333智能栅极驱动器光电耦合器的评估板，是一款先进的2.5A输出电流IGBT驱动光电耦合器，可提供必要的关键保护，以防止导致IGBT发生破坏性热失控的故障
2019-04-28 10:36:39
`最近我在做D类放大。要放大1Mhz正弦波信号，比较用的三角波为10Mhz。需要开关频率能大于20Mhz的mosfet驱动器。请问mosfet驱动器的最高工作频率是由什么参数决定的？有能达到20Mhz以上的mosfet驱动器吗？`
2018-04-11 23:31:46
FEBFOD8316是FOD8316智能栅极驱动器光电耦合器的评估板，是一款先进的2.5A输出电流IGBT驱动光电耦合器，可提供必要的关键保护，以防止导致IGBT发生破坏性热失控的故障。引脚兼容引脚
2019-04-29 06:29:43
测试板。 实验结果： 电流源驱动器和传统电压源驱动器板均使用双脉冲测试进行评估。评估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。两款器件
2023-02-21 16:36:47
，能够在 MOSFET 关断状态下为栅极提供负电压、高充电/放电脉冲电流，并且足够快以在纳秒范围内操作栅极。IC IX6611是一款智能高速栅极驱动器，可轻松用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET以及标准
2023-02-27 09:52:17
求教大佬们如何用DSP产生PWM波驱动IGBT的驱动器？代码应该怎么写啊？
2019-01-08 09:15:35
是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装，采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
本文通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2021-06-17 07:24:06
最近在逛PIC官网的时候，查找相关应用手册的时候挖到的一篇文章。根据电机控制应用需求选择合适的MOSFET 驱动器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
和 –4V 输出电压以及 1W(...)主要特色用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动能力，适用于驱动 SiC
2018-10-16 17:15:55
管子开关影响。 2）低传输延迟 通常情况下，硅IGBT的应用开关频率小于40kHZ，碳化硅MOSFET推荐应用开关频率大于100kHz，应用频率的提高使得碳化硅MOSFET要求驱动器提供更低的信号
2023-02-27 16:03:36
，因此，选用IGBT模块时额定电流应大于负载电流，同时选用时应该降额使用。额定工作电压、电压波动的范围、最大工作电压决定了IGBT模块的额定电压；驱动器的外壳结构以及排布方式也是IGBT选型的重要考虑因素。原作者：漂流的青春 车载控制器开发及测试
2023-03-23 16:01:54
ModuleSI8261BCC-C-ISRSilicon Labs18+9800 门驱动器 3.75kV Optoinput sgl channel 2.5A driverTPS2813PWRTexas
2018-08-02 09:39:35
这两个驱动器能驱动42,57步进电机吗？电压、电流大概是24V、2.5A
2016-12-21 09:29:08
MOSFET/IGBT/SiC-FET，电流高达 100A，运行频率高达 500Khz在通电和断电序列期间，防止 IGBT/FET 出现寄生导通和关断4000 VPK 和 2500-VRMS 隔离层驱动器
2018-09-30 09:23:41
你好， 我想操作12V 2.5A额定电磁阀。 我想知道什么样的电机驱动器IC适合它（通过pwm控制）。我对IC的RMS电流和峰值电流额定值感到困惑。 如果我选择安培额定值高于螺线管的IC，那该怎么办
2018-11-28 10:23:59
，1.0A，1.5A，2.5A，3.0A，4.0A 以及 5.0A。你可以参考隔离产品选型指南 9、请问：最大输出电流可以达到多少安培?谢谢! 根据您选择的器件型号，Avago的光耦门极驱动器最大输出电流可以达到0.4A，0.6A，1.0A，1.5A，2.5A，3.0A，4.0A 以及 5.0A。
2018-11-05 15:38:56
，可提供完全经济高效的栅极驱动解决方案（图1）。该器件具有2.5A轨到轨输出，非常适合驱动工业电源逆变器和电机驱动器中的IGBT和功率MOSFET。最终结果是易于使用，紧凑且经济实惠的IGBT栅极驱动光电
2018-08-18 12:05:14
IGBT和MOSFET器件的隔离驱动技术:介绍了绝缘栅大功率器件各种不同的驱动技术以及当前市场上的各类成品驱动器的性能特点。关键词院MOSFET IGBT 隔离驱动 光电耦合器 脉冲变压器
2009-06-20 08:37:46
56 lVO3120 IGBT/MOSFET驱动器：这些2.5A和0.5A的驱动器的供电电压范围为15V～32V，工作温度范围为+40℃～+110℃。
2010-07-02 17:18:43115 Vishay推出具有最高32V电源电压的新款IGBT和MOSFET驱动器
日前，Vishay Intertechnology, Inc. 宣布，推出两款新型IGBT和MOSFET驱动器，丰富了其已
2009-07-01 09:30:55556 单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
MAX15054 高边MOSFET驱动器，用于HB LED驱动器和DC-DC应用
概述
MAX15054是高边、n沟道MOSFET驱动器，高压应用中可工作在较高的开关频率
2010-01-28 08:43:041653 
Maxim推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054
Maxim不久前推出用于高压系统的高边MOSFET驱动器MAX15054。该器件能够为需要采用降压或升降压拓扑结构、但不带必需的高
2010-02-01 10:03:00637 Avago Technologies今日宣布推出2.5A最大输出驱动ACPL-H342和ACPL-K342光隔离IGBT栅驱动，该产品带有嵌入式米勒箝位、轨至轨输出电压、欠压锁存(UVLO)电路和
2010-07-23 08:58:49931 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。
2011-12-17 00:02:004947 
日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出用于电机驱动、太阳能逆变器、新能源和焊接设备，以及其他高工作电压应用的新款IGBT和MOSFET驱动器VOW3120-X017T，扩充其光电子产品组合。
2014-03-25 10:19:44691 器件的高度为2.5 mm，具有高隔离电压，可用于电机驱动、可替代能源和其他高压应用
2015-05-28 16:23:57798 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 集成的LLC控制器、高压功率MOSFET及驱动器设计，感兴趣的可以看看。
2016-05-11 18:00:0830 中等电压和高压逆变器应用领域IGBT和MOSFET驱动器技术的领导者Power Integrations今日推出一系列输出电流介于2.5A和8 A之间的电气绝缘的单通道门极驱动器IC，SCALE-iDriver IC不仅采用加强绝缘技术，而且还提供最大8 A的驱动电流。
2016-05-10 17:39:341346 的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比，IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用，因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:0522 高压MOSFET驱动器电路的LTC1154被用作电荷泵，从而来驱动一个高压侧功率MOSFET的栅极。高压MOSFET驱动器电路：
2017-10-19 16:02:3723 Power Integrations这家为中高压变频器应用提供闸极驱动器技术的领导厂商，宣布出厂保形涂层用于其SCALE IGBT和MOSFET驱动器。保形涂层透过保护电子元件免于接触污染物(例如
2018-05-07 08:28:011132 通过故意损坏IGBT/MOSFET功率开关来研究栅极驱动器隔离栅的耐受性能。
2019-04-16 17:07:394941 
等厂商的新款4500V压接式IGBT (PPI)模块而开发。新的门极驱动器基于Power Integrations广泛使用的SCALE-2芯片组设计而成，非常适合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性应用。
2020-03-05 14:27:583783 IR2104（S）是高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高、低压侧参考输出通道。专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术使加固单片结构成为可能。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出
2020-04-28 08:00:0049 中的功率消耗或损耗、发送到功率半导体开关 (IGBT/MOSFET) 的功率以及驱动器 IC 和功率半导体开关之间的外部组件（例如外部栅极电阻器两端）的功率损耗。在以下示例中，我们将讨论使用 Avago ACPL-332J（2.5nApeak 智能栅极驱动器）的 IGBT 栅极驱动器设计。本
2021-06-14 03:51:003144 
本应用笔记介绍了MOSFET / IGBT驱动器理论及其应用。该文档介绍了MOSFET和IGBT技术，驱动器的类型，隔离技术以及MOSFET / IGBT驱动器的IXYS系列以及一些实际考虑因素
2021-05-26 17:04:022922 
ACPL - 332J 是一种先进的 2.5 A 的输出电流，方便易用的智能化的门极驱动器使得 IGBT 的 Vce 的故障保护更加紧凑，价格合理，且易于实现功能，如集成的Vce 检测，欠压锁定（UVLO），IGBT 的“软”关断，隔离的集电极开路故障反馈和有源米勒钳位提供最大的设计灵活性和保护电路。
2021-04-07 16:14:4946 MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 意法半导体新推出的两款双通道电隔离IGBT和碳化硅（SiC） MOSFET栅极驱动器在高压电力变换和工业应用中节省空间，简化电路设计。
2022-02-15 14:23:261103 
的MOSFET和IGBT栅极驱动器，广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。 ir2110替代芯片ID7S625特征 ■ 芯片工作电压范围10V~20V ■ 输入
2022-07-30 16:48:441471 MOSFET及
IGBT栅极驱动电路的引脚排列内部结构、工作原理、主要技术参数和应用
技术。书中不但给出多种以这些驱动器集成电路为核心单元的典型电力电
子变流系统专用驱动控制板的应用实例而且对这些具
2022-08-13 09:21:390 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线，推出一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该产品于今日开始出货。
2022-08-31 17:58:551219 ID7S625高压高低侧栅极驱动芯片是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率的MOSFET和IGBT栅极驱动器，广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域
2023-03-01 11:02:141 为满足汽车市场对产品可靠性和安全性的需求，数明半导体近期推出车规级高压、高速MOSFET/IGBT驱动芯片SiLM21814-AQ，该产品通过AEC-Q100认证。600V,2.5A/3.5A的高低
2023-06-27 14:56:17510 的MOSFET和IGBT栅极驱动器，广泛应用于DCDC转换器、功率MOSFET和IGBT驱动、DC/AC转换器等领域。ir2110替代芯片ID7S625特征■芯片工作电压范围10V~20V■输入逻辑兼容3.3
2022-07-30 16:06:031436 
电子发烧友网站提供《600V三相MOSFET/IGBT驱动器.pdf》资料免费下载
2023-09-25 11:27:500 基于国内外新能源行业发展态势，半导体应用市场持续扩大；对于新能源充电桩、光伏SVG行业，IGBT/SiC MOSFET的应用广泛，而驱动电源作为专为IGBT/SiC MOSFET驱动器提供驱动能力的来源，市场潜力巨大。
2023-12-01 09:47:42219 
意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
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