(SiC) 场效应晶体管 (FET) 系列，该系列具有出色的导通电阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常适用于主流的 800V 总线架构，这种架构常见于电动汽车
2022-05-17 11:55:24
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Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，推出新款8V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiA436DJ。
2012-06-28 12:50:441092 Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布，其E系列600V功率MOSFET新增采用8种封装的17款新器件
2012-10-22 13:45:241159 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:401439 Vishay具有业内最低导通电阻的新款12V和20V 的N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET。采用业内最小0.8mm x 0.8mm x 0.4mm MICRO FOOT®封装的CSP规格尺寸
2012-11-29 16:37:311694 Vishay推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。
2012-12-07 14:08:381449 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款100V N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ，将Vishay的ThunderFET®应用到更小的封装尺寸上。
2013-01-09 11:42:301462 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，发布新款采用热增强型PowerPAK® SO-8封装的新款N沟道TrenchFET®功率
2013-04-23 11:47:111791 Vishay宣布推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET---SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10 V条件下最大导通电阻降至4 m，采用热增强型3.3 mm x 3.3 mm PowerPAK® 1212-8S封装。
2019-10-05 07:04:005406 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新系列600V和650V n沟道功率MOSFET---E系列器件。新产品在10V下具有64mΩ～190mΩ的超低最大导通电阻，以及22A～47A的额定电流范围
2011-10-13 09:09:311168 日前发布的MOSFET导通电阻比市场上排名第二的产品低43%，降低压降并减小传导损耗，从而实现更高功率密度。
2020-08-17 11:53:14846 Vishay提供丰富的MOSFET技术支持各级功率转换，涵盖高压输入到低压输出的各种最新高科技系统。
2020-12-24 15:08:34802 汽车级MOSFET导通电阻比最接近的DPAK封装竞品器件低28 %，比前代解决方案低31 %，占位面积减小50 %，有助于降低导通功耗，节省能源，同时增加功率密度提高输出。
2021-04-07 10:34:071562 Vishay 宣布，推出最新第四代600 V E系列功率MOSFET器件---SiHK045N60E。Vishay Siliconix n 沟道SiHK045N60E导通电阻比前一代600
2022-02-21 11:18:05934 
成国内首条集晶体生长、晶体加工、薄膜外延于一体的氧化镓完整产业线。行业分析人士表示，氧化镓是第四代半导体材料，在市场对性能好、损耗低、功率密度高的功率器件需求不断释放背景下，氧化镓市场发展潜力巨大
2023-03-15 11:09:59
。问题4：PWM芯片的供电电压为5V，去驱动通用驱动电压的功率MOSFET，有什么问题？问题分析：检查数据表中不同的VGS的导通电阻，发现对应的导通电阻变大，因此功率MOSFET的损耗将增加，温度升高，同时系统的效率降低。极端情况下在低温的时候，一些VTH偏上限的器件可能不能正常开通。
2016-12-21 11:39:07
通过向栅极施加正电压来控制漏极电流。N 沟道场效应管N 沟道 MOSFET 的 N沟道区域位于源极和漏极之间。它是一个四端子器件，具有以下端子：栅极、漏极、源极和主体。这种类型的场效应晶体管的漏极和源极
2023-02-02 16:26:45
的两种结构：N沟道型和P沟道型由于制造工艺的原因，P沟的MOS管通常比N沟的MOS管具有更大的导通电阻，这意味着导通功耗会更大。这是选择时需要注意的地方。一般而言，如果是低边开关应用，使用N沟MOS管
2023-02-17 14:12:55
功率MOSFET有二种类型：N沟通和P沟道，在系统设计的过程中，选择N管还是P管，要针对实际的应用具体来选择。下面先讨论这二种沟道的功率MOSFET的特征，然后再论述选择的原则。
2021-03-02 08:40:51
`Vishay SQ2361MOSFET 符合 AEC-Q101 标准并经 100% Rg 和 UIS 测试。SQ2361 汽车用 P 沟道 60V 功率 MOSFET 的 ESD 保护典型值达
2019-07-09 17:30:39
汽车级电阻，节省电路板空间，工作电压为450 V，公差± 0.1 %，TCR低至± 10 ppm/K Vishay 推出0805外形尺寸小型器件，扩充其TNPV e3系列汽车级高压薄膜扁平片式
2022-03-30 13:58:54
+型区。在功率MOSFET的内部，由许多这样的单元，也称“晶胞”，并联而成。硅片的面积越大，所能加工的单元越多，器件的导通电阻越小，能够通过的电流就越大；同样，在单位的面积的硅片上，能够加工的晶胞越多
2016-10-10 10:58:30
第四代CSR8670开发板开发步骤Rev1.2
2017-09-30 09:06:52
在4月26日召开的第十三届中国卫星导航年会（CSNC2022）上，深圳华大北斗科技股份有限公司研发的第四代北斗芯片正式发布。
这是一款拥有完全自主知识产权的国产基带和射频一体化SoC芯片，作为
2023-09-21 09:52:00
能用还是未知数。那么，4G网络来袭，晶振的再次变革还会远吗?为此，松季电子提到4G网络的到来，电子产品行业的再一次革新将就此展开，晶振行业也将迎来新的发展。 4G是第四代移动通信及其技术的简称。与传统
2013-11-15 15:56:24
第四代移动通信技术是什么？有什么主要特点？第四代移动通信系统有哪些关键技术？
2021-05-26 07:07:28
器件的MOSFET的复杂性。 功率MOSFET的设计过程中采取措施使其中的寄生晶体管尽量不起作用。在不同代功率MOSFET中其 措施各有不同，但总的原则是使漏极下的横向电阻RB尽量小。因为只有在漏极N
2023-02-27 11:52:38
,with ESDFTH23N25R250230.120.14TO-3PSingle N-ch 器件广泛应用于高效开关电源（SMPS）、低电源适配器/充电器、有源功率因数校正以及低功率镇流器等领域。250V MOS管由于具有开关速度快、导通电阻低、短路
2011-04-15 11:51:00
ARK推出新一代250V MOS器件 近日，成都方舟微电子有限公司(ARK Microelectronics, Co., Ltd.，简称ARK)推出新一代250V MOSFET系列产品，包括N型
2011-04-19 15:01:29
）新推出的企业和数据中心固态硬盘外形尺寸（EDSFF） E1.S等行业标准，采用体积更小、且支持第四代PCIe的非易失性存储器高速（NVMe）固态硬盘。 这些固态硬盘要求控制器具备体积小和低功耗的特点
2020-11-23 06:10:45
`IR推出一系列新型HEXFET?功率MOSFET,其中包括能够提供业界最低导通电阻(RDS(on))的IRFH6200TRPbF。<br/>【关键词】：功率损耗,导通电阻
2010-05-06 08:55:20
MIMO-OFDM系统为什么能成为第四代移动通信领域研究的热点和重点？
2021-05-27 06:39:06
。二者的有效结合可以克服多径效应和频率选择性衰落带来的不良影响，实现信号传输的高度可靠性，还可以增加系统容量，提高频谱利用率，是第四代移动通信的热点技术。
2019-06-18 07:12:10
的设计而言，它大幅降低了MOSFET导通电阻，并保持了出色的开关性能。 英飞凌推出的OptiMOS 3系列进一步改进了设计，使更高电压等级的器件能够受益于这种技术。在150 V 至250 V的电压
2018-12-07 10:21:41
Transistor）。由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道MOSFET在产品选择上超过了P沟道。在降压稳压器应用中，基于栅控电压极性、器件尺寸和串联电阻等多种因素，使用P沟道
2018-03-03 13:58:23
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。 因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。 如果
2023-02-07 16:40:49
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。如果
2019-05-07 06:21:55
电压。导通电阻表示功率MOSFET完全开后的电阻，和上述的线性区工作状态并不相同。功率MOSFET的内部二极管导通的反向工作状态，因为其S、D极的电压为二极管的压降，因此并没有线性区的过程，也就
2017-04-06 14:57:20
，它代表金属氧化物半导体场效应晶体管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）。由于具有较低的导通电阻（RDS(on)）和较小尺寸，N沟道
2021-04-09 09:20:10
随着企业计算从第三代串行标准转向第四代串行标准，我们的客户需要一台高精度示波器，支持并可扩展地进行无缝转换。DPO70000SX的最低型号为23或33GHz，其可扩充的结构提供了“升级空间“，在
2016-06-08 15:02:10
接上篇横扫第四代串行测试文章，隔得太久大家可能忘记前排文章的内容了，这里就不重复叙述了，上篇直通车→横扫第四代串行测试一 随着各种重大行业规范不断进化，如PCIe，我们的测试测量工具也必须保持同步
2016-07-07 17:28:56
本文通过对本田第四代混合动力系统IMA的工作特性与主要零部件的分析研究，揭示了其基本的设计思想和工作原理，对于国内轻度混联混合动力汽车的研发具有一定的借鉴作用。
2021-05-12 06:08:11
的电子通过导电沟道进入被耗尽的垂直的N区中和正电荷，从而恢复被耗尽的N型特性，因此导电沟道形成。由于垂直N区具有较低的电阻率，因而导通电阻较常规MOS管将明显降低。 通过以上分析可以看到：阻断电压与导
2018-11-01 15:01:12
并提高可靠性。东芝实验证实，与现有SiC MOSFET相比，这种设计结构在不影响可靠性的情况下[1]，可将导通电阻[2]（RonA）降低约20%。功率器件是管理各种电子设备电能，降低功耗以及实现碳中和
2023-04-11 15:29:18
成了一层较高浓度掺杂的n层，由于这层n层，使得器件在承受相同耐压的情况下，芯片能做得更薄，从而减小了饱和压降和开关能耗。第四代IGBT 芯片技术是基于第三代IGBT芯片的沟槽栅场终止结构进行进一步优化，使
2018-12-03 13:47:57
阶段，可见未来5年工地对第四代强制式干混砂浆罐的需求会越来越大。 那么一款专业的工人专用空气净化施工产品应当是怎样的标准呢？ 第四代强制式干混砂浆罐的产品介绍： 搅拌机开机后，罐内的砂浆通过手动蝶阀或
2017-06-16 11:00:57
ADI最新推出设计用于LTE(长期演进)和第四代(4G)蜂窝基站的高集成度RF IC(射频集成电路)系列。LTE是UMTS(通用移动电信系统)标准的增强版，它被视为迈向蜂窝网络中第四代射频技术的终极阶段。
2019-09-30 07:18:19
本文从基本概念、接入系统、关键技术等几个方面全面介绍了第四代移动通信系统，并简单介绍了OFDM 技术在第四代移动通信中的应用。
2009-11-28 11:46:59
42 Intel 第四代Xeon®可扩展处理器Intel第4代Xeon® 可扩展处理器设计旨在加速以下增长最快工作负载领域的性能：人工智能 (AI)、数据分析、网络、存储器和高性能计算 (HPC) 。这些
2024-02-27 12:19:48
Vishay推出新款高速PIN光敏二极管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出VBPW34x和VBP104x系列高速SMD PIN光敏二极管，新器件采用鸥翼和倒鸥翼型封装
2009-11-13 09:21:28744 Vishay Siliconix推出业界性能最先进的P沟道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位面积的热增强Pow
2009-11-23 17:10:23650 Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出新款20V P沟道功率MOSFET --- SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm x 2mm占位
2009-11-25 09:51:011089 Vishay推出的P沟道功率MOSFET SiA433EDJ
日前，VishayIntertechnology,Inc.宣布，推出新款20VP沟道功率MOSFET——SiA433EDJ。器件采用紧凑的2mm×2mm占位面积的热增强PowerPAKSC-70封装，具
2009-11-25 17:56:52711 第四代iPhone细节曝光
北京时间2月9日早间消息，美国数码产品维修网站iResQ今天刊文，曝光了苹果第四代iPhone的更多细节及图片，第四代iPhone要比当前的iPhone 3
2010-02-09 11:00:00746 第四代iPhone细节曝光
2010-02-22 10:25:18354 Vishay推出500V N沟道功率MOSFET：SiHF8N50L-E3
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款500V N沟道功率MOSFET——SiHF8N50L-E3。与前一代器件相比，该器件的
2010-04-07 10:52:52777 Vishay推出新款薄膜贴片电阻
日前，VishayIntertechnology,Inc.（NYSE股市代号：VSH）宣布，推出为钻井和航空等极端高温环境优化的新系列打线式、裸芯片贴片式
2010-04-17 16:12:54676 IR)推出新系列-30 V器件，采用 IR最新的SO-8封装 P 沟道 MOSFET硅组件，适用于电池充电和放电开关，以及直流应用的系统/负载开关。新款 P 沟道器件的导通电阻 (RDS (on)) 为 4.6 mΩ至59
2010-09-15 18:11:341531 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款600V、47A N沟道功率MOSFET --- SiHG47N60S，该MOSFET在10V栅极驱动下具有0.07Ω的
2010-11-09 08:59:571559 飞兆半导体推出了导通电阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET，这款全新飞兆半导体器件FDMS7650是最大RDS(ON)值为0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N沟道器件，它是业界采用5×6mm POWER56封装且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:391534 日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款8V P沟道TrenchFET 功率MOSFET---SiA427DJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，具有迄今为止P沟道器件所能达到的最低导通电阻。
2011-01-26 09:04:081505 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款双芯片20V P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET---SiA923EDJ。新器件采用2mm x 2mm占位面积的热增强型PowerPAK SC-70封装，
2011-03-02 10:19:301341 士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品——F-CellTM系列高压MOSFET。这是士兰微电子自主研发所推出的第四代平面结构高压MOSFET产品
2011-03-28 09:20:221537 日前，Vishay Intertechnology, Inc.发布占位面积为1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P沟道TrenchFET®功率MOSFET---SiB437EDKT。此外，SiB437EDKT是唯一能在1.2V下导通的此类器件。
2011-08-18 09:42:40850 Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新款表面贴装Power Metal Strip电阻--- WSK0612。该电阻是业内首个4接头、1W的检流电阻，采用小尺寸的0612封装，具有0.5 mΩ～5mΩ的低阻值。
2011-09-06 09:43:07846 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业内采用最小的0.8mm x 0.8mm芯片级封装的N沟道和P沟道功率
2011-10-21 08:53:05873 日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号：VSH)宣布， Vishay Siliconix推出新款n沟道功率MOSFET通过JAN认证的，分别是60V 2N6660JANTX/JANTXV和90V 2N6661JANTX/JANTXV
2011-11-01 09:26:351491 日前，Vishay 宣布，推出新款采用2512外形尺寸的表面贴装Power Metal Strip®电阻--- WSLP2512，这种电阻具有高达3W的功率和0.0005Ω的极低阻值。
2012-02-07 11:43:061082 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，引入两款在尺寸和导通电阻上设立了新的行业基准的p沟道30V器件---Si8497DB和Si8487DB，扩充其MICRO FOOT TrenchFET Gen III功率MOSFET家族。
2012-02-20 08:34:13630 Vishay 推出新款8V和20V N沟道和P沟道TrenchFET®功率MOSFET---Si8424CDB、Si8425DB。
2013-01-15 09:05:541383 瑞萨电子宣布推出新款低导通电阻MOSFET产品，包括经过最佳化的μPA2766T1A，做为网路伺服器与储存系统之电源供应器内的ORing FET使用。
2013-03-06 09:50:10938 4月27日，英特尔宣布将于6月3日（北京时间6月4日）正式推出第四代酷睿处理器Haswell。
2013-04-28 10:18:011992 Vishay发布采用小尺寸WCSP6封装的新款斜率控制的P沟道高边负载开关，器件可在1.5V～5.5V电压范围内工作，具有低至20mΩ的导通电阻、低静态电流， 导通电压上升斜率为3ms
2013-05-03 15:50:581089 目前，英特尔正式宣布推出第四代Haswell酷睿处理器。全新的Haswell处理器将更好地解决目前业界计算性能与低功耗难题。
2013-06-03 10:14:451292 ® 1212-8S封装的-30V---SiSS27DN器件，扩充其TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET。
2013-07-15 11:32:40783 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封装的新器件，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。
2013-12-02 09:49:211075 x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT®封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB，扩展其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay
2013-12-05 10:30:05898 的采用非对称PowerPAK® SO-8L封装的新款40V双芯片N沟道TrenchFET®功率MOSFET---SQJ940EP和SQJ942EP。Vishay Siliconix 的这两款器件可用于车载
2013-12-13 15:07:13843 日前，Vishay宣布，推出具有业内最低导通电阻的新款P沟道MOSFET---Si7157DP，扩充其TrenchFET® P沟道Gen III功率MOSFET。Vishay Siliconix
2014-01-22 10:33:221381 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用超小尺寸、热增强PowerPAK® SC-70封装的新款-30V、12V VGS P沟道
2014-04-29 16:30:44885 宾夕法尼亚、MALVERN — 2017 年 2 月10 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出第四代600V E系列功率
2017-02-10 15:10:111667 TrenchFET® 第四代功率MOSFET---SiA468DJ，为移动设备、消费电子和电源提供了更高的功率密度和效率。
2017-04-25 15:58:551514 ;功率MOSFET所用的MICRO FOOTreg;封装的占板面积比仅次于它的最小芯片级器件最高可减少36%，而导通电阻则与之相当甚至更低。 Si8802DB和Si8805EDB可用于手持设备中的负载切换，包括智能手机、平板电脑、便携式媒体播放器和移动计算设备。在
2019-01-01 16:29:01380 美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:32790 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出最新第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET 器件---SiHH070N60EF。
2020-12-23 14:24:541692 Vishay Siliconix SiSS52DN器件采用 PowerPAK1212‑8S 封装，导通电阻低至 0.95 mΩ，优异的 FOM 仅为 29.8 mΩ*nC Vishay 推出多功能
2021-05-28 17:25:572153 适用于标准栅极驱动电路的MOSFET8月12日，Vishay推出新款60 V TrenchFET®第四代n沟道功率MOSFET——SiSS22DN，业内首款适用于标准栅极驱动电路的器件，10
2021-12-05 10:21:115 德赛西威与高通技术公司宣布，双方将基于第4代骁龙座舱平台，共同打造德赛西威第四代智能座舱系统。
2022-01-05 14:25:233200 Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出两款n沟道TrenchFET® MOSFET---60 V SiJH600E和80 V SiJH800E，以提高通信和工业应用功率密度、能效和板级可靠性。
2022-02-07 15:37:08916 
Vishay 推出最新第四代 600 V E 系列功率 MOSFET 器件。Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60E 导通电阻比前一代 600 V E 系列 MOSFET
2022-02-26 13:25:351341 Vishay Intertechnology， Inc.（纽约证券交易所代码：VSH）推出了其第四代 600 VE 系列功率 MOSFET 中的最新器件。
2022-03-28 11:54:142011 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻，可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品，现已开始出货。
2022-09-01 15:37:53479 （NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出采用薄型PowerPAK® 10 x 12封装的新型第四代600 V EF系列快速体二极管MOSFET---SiHK045N60EF。Vishay
2022-10-12 15:44:14375 
Vishay Siliconix n 沟道 SiHK045N60EF 导通电阻比前代器件降低 29 %，为通信、工业和计算应用提供高效、高功率密度解决方案，同时栅极电荷下降 60 %，从而使器件导通电阻与栅极电荷乘积，即功率转换应用中 600V MOSFET 的重要优值系数（FOM）创业界新低。
2022-10-14 16:16:12817 近日，全球知名的半导体解决方案供应商Vishay宣布推出新型80V对称双通道N沟道功率MOSFET，型号为SiZF4800LDT。这款新产品将高边和低边TrenchFET® Gen IV
2024-03-12 10:32:0294
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