日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代号：VSH）宣布，推出业界首款采用3.3mm x 3.3mm封装以实现在4.5V栅极驱动下4.8mΩ最大导通电阻的20V P沟道MOSFET---Si7655DN。
2012-11-28 21:17:40
1439 恩智浦半导体（NXP Semiconductors N.V.）（纳斯达克代码：NXPI）近日推出业内首款双晶体管产品，具有低饱和电压特性，采用2 mm x 2 mm DFN（分立式扁平无引脚）封装
2013-03-25 15:48:171483 电路的功率密度。这六款全新单通道器件的导通电阻 （Rds（on）） 仅为70mΩ，连续输出电流最高可达2.5A，并且采用了占位面积小的U-DFN2020-6微型封装。
2013-05-06 10:43:561347 U.S. DRIVE给电机和电控的发展定了一个目标，那就是到2025年时，电机控制器的效率不能低于98%；功率密度要达到100kW/L；成本要降到2.7美元/kW。电机的效率不能低于97%；功率密度要达到50kW/L或5.7kW/kg；成本要低于3.3美元/kW。那么，要实现这个目标的难点有哪些呢？
2019-10-29 09:28:5717827 基于该封装概念的功率MOSFET，它们是采用PQFN 3.3x3.3 mm封装的OptiMOSTM 25 V 功率MOSFET。该器件在MOSFET性能方面树立了新的行业标杆，不仅通态电阻（RDS（on））降低，还具有业内领先的热性能指标。该产品适合的应用非常广泛，包括马达驱动、SMPS（包括服务器、电信和
2020-02-18 17:50:081494 模块系列新添全新工业标准封装产品。其采用成熟的62 mm 器件半桥拓扑设计并基于新推出的增强型M1H 碳化硅（SiC）MOSFET技术。该封装使SiC能够应用于250 kW以上的中等功率等级应用，而传统
2023-12-05 17:03:49446 
3.9*3.3mm Elliptical Wide Angle LED封装尺寸及参数说明产品说明：ChipMaterial:GaNEmitted Color:Whiteλσ（nm）:Lens
2008-09-28 17:53:44
` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-8-17 11:45 编辑
Diodes Inc MMBT39x车用晶体管专为中等功率放大和开关应用而设计。 MMBT39x晶体管是互补
2019-08-17 09:43:27
通过对同步交流对交流(DC-DC)转换器的功耗机制进行详细分析，可以界定必须要改进的关键金属氧化物半导体场效晶体管(MOSFET)参数，进而确保持续提升系统效率和功率密度。分析显示，在研发功率
2019-07-04 06:22:42
如果平衡电阻与发射极串联，则双极晶体管（BJT）可以并联连接。随着温度的升高，BJT通常会变得更具导电性。以下MMBT2222A数据表中的示例显示了该器件的典型增益如何随温度在允许的工作范围内变化而
2018-10-26 14:45:42
:dodo1999@vip.163.com双极晶体管阵列 (BJT)DMMT5401-7晶体管, PNP, 最大直流集电极电流 200 mA, SOT-26封装, 300 MHz, 6引脚规格 TRANS
2020-02-25 11:39:26
DN354- 两相升压转换器采用3mm x 3mm DFN封装，提供10W功率
2019-09-17 08:48:11
集电极电流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集电极功率 (PC(max)) 不超过1W的晶体管。相对功率晶体管而得名，一般以树脂封装居多，这是其特点之一。功率晶体管一般功率晶体管的功率超过1W。相比
2019-04-10 06:20:24
的电流、电压和应用进行分类。 下面以“功率元器件”为主题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。 先来看一下晶体管的分类与特征
2020-06-09 07:34:33
题，从众多晶体管中选取功率类元器件展开说明。其中，将以近年来控制大功率的应用中广为采用的MOSFET为主来展开。首先是基础性的内容，来看一下晶体管的分类与特征。Si晶体管的分类Si晶体管的分类根据
2018-11-28 14:29:28
描述此设计展示了采用 TPS54478 的高功率密度 3A 同步降压转换器解决方案。输入电压范围为 3V - 6V。总体外形尺寸为 15.5mm x 7.8mm。
2018-07-23 09:21:10
采用微型QFN封装的42V高功率密度降压稳压器
2019-09-17 08:43:00
您好，为了模拟ADS软件中基于双极晶体管的电路，我们将基板与发射器连接，还是允许空气？谢谢 以上来自于谷歌翻译 以下为原文hello,to simulate a circuit based
2018-12-18 16:11:14
相比较，GaN具有更加优异的性能；包含更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移效率和更高的导热系数。与GaAs晶体管相比较，GaN HEMT还推出更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV96050F1使用金属/陶瓷
2024-01-19 09:27:13
匹配（IM）场效应晶体管与其他技术相比，提供了优异的功率附加效率。GaN与硅或砷化镓相比具有更高的性能，包括更高的击穿电压、更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。GaAN HEMT也提供更大的功率密度
2018-08-13 10:58:03
镓相比具有更高的性能，包括更高的击穿电压，更高的饱和电子漂移速度和更高的热电导率。 GaN HEMT还提供更高的功率密度和更宽的带宽与砷化镓晶体管相比。 该IM FET提供金属/陶瓷法兰提供最佳电气
2020-12-03 11:49:15
，GaN具有更好的性能；包括更高的击穿场强；更高的饱和电子漂移速度和更高的热导率。与GaAs晶体管相比，GaN HEMT还具有更高的功率密度和更宽的带宽。CGHV96130F使用金属/陶瓷法兰封装可以实现
2023-12-13 10:10:57
和更高导热系数。 GaN HEMT还提供更高的功率密度和更宽的功率范围相较于Si和GaAs晶体管的带宽。 此MMIC可用于10引线金属/陶瓷法兰封装（CMPA801B025F）或小型药丸包装
2020-12-03 11:46:10
任何定制的传感器解决方案。该设备集成了所有关键部件具有高效功率场效应晶体管、低电磁干扰场效应晶体管等功能驱动器，升压带电路，2.5V LDO和电流测量。专有的电流测量电路提供精确当前的读数为FOD(外部
2018-10-06 11:05:36
员所需要的。飞兆半导体公司(Fairchild Semiconductor简称FAI)推出的FDMC8010 30V Power 33 MOSFET（尺寸3.3mm x 3.3mm 外形PQFN）此款
2012-04-28 10:21:32
晶体管ILD0912M150HV功率晶体管ILD0912M15HV功率晶体管ILD0912M400HV功率晶体管ILD0912M60功率晶体管深圳市立年电子科技有限公司 --射频微波一站式采购产台联系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:07:29
`IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件，设计用于在0.960-1.215 GHz瞬时带宽上运行的系统。 当在规定的脉冲条件下且VCC = 50V时以C类模式工作时，该通用基本设备可提供至少
2021-04-01 09:41:49
`IB0912M600是一种高功率脉冲晶体管器件，设计用于在0.960-1.215 GHz瞬时带宽上运行的系统。 当在规定的脉冲条件下且VCC = 50V时以C类模式工作时，该通用基本设备可提供至少
2021-04-01 10:29:42
`IB1011M800是高功率脉冲航空电子晶体管，专为工作在1.03-1.09 GHz的L波段航空电子系统而设计。 当在VCC = 50V的模式S脉冲突发条件下以C类模式运行时，此通用基本设备可提供
2021-04-01 10:11:46
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-05-06 05:00:17
什么是IGBT(绝缘栅双极晶体管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母缩写，也被称作绝缘栅双极晶体管。IGBT被归类为功率
2019-03-27 06:20:04
，可提供至少250 W的峰值输出功率，通常具有> 24 dB的增益和75％的效率。它通过50 V电源电压工作。 为了获得最佳的热效率，该晶体管封装在带有环氧密封陶瓷盖的金属基封装中。特征
2021-04-01 10:35:32
″（9.78mm）高功率RF固定调谐射频测试夹具的测试产品详情:Integra Technologies公司成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA
2019-05-20 09:16:24
`IGN2856S40是高功率脉冲晶体管，指定用于AB类操作下。 该晶体管提供2.856 GHz的工作频率，最小40W的峰值脉冲功率，50V和3％的占空比。 该单元采用金线技术通过芯片和线材技术组装
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120IGT2731L120现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司,Integra Technologies公司成立于1997年，是一家通过ISO 9001：2008认证的射频功率晶体管，托盘和高功率放大器（HPA
2018-11-12 10:26:20
15989509955 深圳市首质诚科技有限公司MAPRST0912-50一个射频功率晶体管。这些高功率晶体管是理想的航空电子，通信，雷达，以及工业，科学和医疗应用。优势产品:MACOM放大器/QORVO放大器滤波器
2018-08-09 09:57:23
MRF422硅双极晶体管产品介绍MRF422报价MRF422代理MRF422MRF422现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司MRF422主要用于高功率线性放大器的设计，从2到30 MHz优势产品
2018-10-09 12:10:05
众所周知，像硅双极晶体管等一些晶体管能够在其中一些半导体单元因短路或负载失配等原因损坏时继续工作。因此，将一个器件定义为“耐用晶体管”可能没有清晰的界限。对硅LDMOS晶体管的耐用性测试通常是指器件
2019-06-26 07:11:37
TGF2021-01X波段晶体管产品介绍TGF2021-01报价TGF2021-01代理TGF2021-01咨询热线TGF2021-01现货,王先生 深圳市首质诚科技有限公司, Qorvo
2018-07-18 11:41:58
`<p>Diodes公司扩展其IntelliFET产品系列，推出全球体积最小的完全自保护式低压侧MOSFET。该ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm
2009-01-07 16:01:44
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是功率密度？限制功率密度的因素有哪些？
2021-03-11 08:12:17
功率晶体管。》 工作频率按工作频率，晶体管可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管。》 包装结构根据封装结构，晶体管可分为金属封装晶体管、塑料封装晶体管、玻璃外壳封装晶体管、表面封装晶体管和陶瓷封装
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 08:14:59
达林顿晶体管是一对双极晶体管，连接在一起，从低基极电流提供非常高的电流增益。输入晶体管的发射极始终连接到输出晶体管的基极;他们的收藏家被绑在一起。结果，输入晶体管放大的电流被输出晶体管进一步放大
2023-02-16 18:19:11
PNP晶体管在哪里使用？放大电路采用PNP晶体管。达林顿对电路采用PNP晶体管。机器人应用利用了PNP晶体管。PNP 晶体管用于控制大功率应用中的电流。如何控制PNP晶体管？首先，为了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-03-01 09:52:45
晶体管开关对电子产品至关重要。了解晶体管开关，从其工作区域到更高级的特性和配置。 晶体管开关对于低直流开/关开关的电子设备至关重要，其中晶体管在其截止或饱和状态下工作。一些电子设备（如 LED
2023-02-20 16:35:09
绝缘栅双极晶体管（IGBT）有哪些应用呢？如何去实现绝缘栅双极晶体管（IGBT）的电磁兼容设计呢？
2022-01-14 07:02:41
广泛应用，这也就是为什么自2010年之后高功率密度的电源开始逐渐成为市场主导的重要原因。 目前我国所应用的高功率模块电源，普遍采用的是半砖或全砖封装形式，这种类型的电源模块通常有以下几方面的特点：首先
2016-01-25 11:29:20
什么是微波功率晶体管？如何提高微波功率晶体管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
如何用PQFN封装技术提高能效和功率密度？
2021-04-25 07:40:14
）5mm×6mm FET这类更新的方形扁平无引线（QFN）封装在硅片和源极管脚之间能提供更小的封装电阻。单位面积的电阻较小意味着单位面积的传导损耗较少，也意味着更高的电流能力和更高的功率密度。因此
2017-08-21 14:21:03
目前制造的大功率射频晶体管比以往任何时候都更坚实耐用。针对特高耐用性设计的器件可以承受严重的失配，即使在满输出电平时也是如此。现在多家制造商可提供大功率硅横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管
2019-08-22 06:13:27
异质结双极晶体管
2012-08-20 08:57:47
集电极电流 (IC(max)) 在500mA以下，最大集电极功率 (PC(max)) 不超过1W的晶体管。相对功率晶体管而得名，一般以树脂封装居多，这是其特点之一。功率晶体管一般功率晶体管的功率超过1W。相比
2019-05-05 01:31:57
换向故障损坏。总之，与用于LLC拓扑应用的Si和SiC晶体管相比，GaN在效率和功率密度方面提供了更高的价值。
2023-02-27 09:37:29
从“砖头”手机到笨重的电视机，电源模块曾经在电子电器产品中占据相当大的空间，而且市场对更高功率密度的需求仍是有增无减。硅电源技术领域的创新曾一度大幅缩减这些应用的尺寸，但却很难更进一步。在现有尺寸
2019-08-06 07:20:51
求购双极晶体管BD249C，NPN，30个，要求现货。2-4天能到北京
2019-07-23 05:27:32
，而且缩小器尺寸比运用硅双极结晶体管(SiBJT)或横向分散金属氧化物半导体(LDMOS)器件的产品减小50% 封装和供货： 2729GN-500晶体管采用单端封装供货，在密封的焊料密封封装
2012-12-06 17:09:16
的高可靠性，EPC 公司已经宣布了其新的 EPC7019 eGaN 抗辐射功率晶体管器件。EGaN 晶体管采用钝化模具形式，图像由 EPC 提供新产品利用 GaN 白光栅材料实现高电子迁移率和低温系数。该
2022-06-15 11:43:25
电动工具中直流电机的配置已从有刷直流大幅转向更可靠、更高效的无刷直流（BLDC）解决方案转变。斩波器配置等典型有刷直流拓扑通常根据双向开关的使用与否实现一个或两个功率金属氧化物半导体场效应晶体管
2019-08-01 08:16:08
受益于集成器件保护，直接驱动GaN器件可实现更高的开关电源效率和更佳的系统级可靠性。高电压（600V）氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）的开关特性可实现提高开关模式电源效率和密度的新型
2020-10-27 06:43:42
绝缘栅双极晶体管IGBT又叫绝缘栅双极型晶体管。一．绝缘栅双极晶体管IGBT的工作原理： 半导体结构分析略。本讲义附加了相关资料，供感兴趣
2009-05-12 20:44:23
绝缘栅双极晶体管晶体管的发展1947年的圣诞前某一天，贝尔实验室中，布拉顿平稳地用刀片在三角形金箔上划了一道细痕，恰到好处地将顶角一分为二，分别接上导线，随即准确地压进锗晶体表面的选定部位。电流表
2012-08-02 23:55:11
分立式电源解决方案和预先设计好的模块之间最常见的折衷之处就是，占据的空间和提供的相关功率密度的折衷。 功率密度衡量的是单位占用体积所转换功率的瓦数；通常表示为瓦特每立方英寸。如今大多数行业不断对设备
2018-12-03 10:00:34
集成是固态电子产品的基础，将类似且互补的功能汇集到单一器件中的能力驱动着整个行业的发展。随着封装、晶圆处理和光刻技术的发展，功能密度不断提高，在物理尺寸和功率两方面都提供了更高能效的方案。对产品
2020-10-28 09:10:17
采用M5237L外接晶体管构成的输出1A 3.3V的稳压电源电路
2009-10-27 11:11:10909 异质结双极晶体管,异质结双极晶体管是什么意思
异质结双极晶体管（Hetero-junction Bipolar Transistor,简称HBT)基区(base)异质结SiGe外延(图1)：其原理是在基
2010-03-05 10:56:554866 双极晶体管,双极晶体管是什么意思
双极晶体管
双极型晶体管内部电流由两种载流子形成，它是利用电流来控制。场效应管是电压控制器
2010-03-05 11:48:465920 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出首款采用了晶圆级芯心尺寸封装的肖特基（Schottky） 二极管，为智能手机及平板电脑的设计提供除微型DFN0603器件以外的又一选择。新器件能够以同样的电路板占位面积，实现双倍功率密度。
2013-07-03 13:55:001354 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出ZXTR2000系列高压稳压器，把晶体管、Zener二极管及电阻器集成到一个标准SOT89封装，通过减少器件数量和占位面积，提升
2013-07-18 15:59:311319 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 推出行业首款采用了DFN0806-3微型封装的小信号双极型晶体管。这些器件的占位面积为0.48mm2，离板厚度仅0.4mm，面积比采用了DFN1006、SOT883和SOT1123封装的同类型器件少20%。
2013-08-06 12:26:271220 年度Top-10电源产品奖。Si7655DN是业内首款采用3.3mm x 3.3mm封装的20V P沟道MOSFET，在4.5V栅极驱动下的最大导通电阻只有4.8mΩ，也是采用新版本Vishay Siliconix PowerPAK® 1212封装的首款器件。
2013-10-10 15:08:061138 （分立式扁平无引脚）封装的晶体管。全新产品组合由25种器件组成，其中包括低RDson MOSFET以及可将电流能力最高提升至3.2 A的低饱和通用晶体管。该全新产品系列凭借其超小外形和高性能，非常适用于
2013-11-04 10:37:08615 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 为针对网络、电信和以太网供电 （Power over Ethernet，简称PoE） 设备内48V电路，推出有效节省空间的高压线性稳压器晶体管ZXTR2000系列。
2014-08-20 11:50:071344 
Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的100V全H桥DMHC10H170SFJ，把双N通道及P通道 MOSFET集成到微型DFN5045封装 （5mm x 4.5mm）。
2016-02-16 10:56:361384 本文将介绍双极型晶体管的基本结构。双极晶体管是双极型结型晶体管（BJT）的简称，在电力半导体中，也称作大功率晶体管（GTR），在现代电力电子变换器中大多已经被MOSFET或者IGBT所代替。了解双极晶体管有助于深入理解现代功率器件的结构。
2018-03-05 16:12:1422939 
威世的SiSS12DN 40V N-Channel MOSFET是为提高功率转换拓扑中的功率密度和效率而设计。它们采用3.3x3.3mm紧凑型PowerPAK 1212-8S封装，可提供低于2mΩ级别中的最低输出电容(Coss)。儒卓力在电子商务网站上供应这款MOSFET器件。
2020-02-20 10:27:382779 近日，台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情，其晶体管密度达到了破天荒的2.5亿/mm²！
2020-04-20 09:02:363847 近日，台积电正式披露了其最新3nm工艺的细节详情，其晶体管密度达到了破天荒的2.5亿/mm²！
2020-04-20 09:09:152883 LTC3221/LTC3221-3.3/LTC3221-5 - 采用 2mm x 2mm DFN 封装的超低 IQ、60mA 稳压升压型充电泵
2021-03-21 04:56:30
9 DN354-两相Boost转换器采用3 mm x 3 mm DFN封装，可提供10W功率
2021-05-08 21:36:208 LTM4600-10A DC/DC uModule在紧凑的封装中提供更高的功率密度
2021-05-10 12:28:175 一体成型电感 CSAB1235A-1R0M 感量1.0μH，饱和电流30A，尺寸13.8×12.6×3.3mm
2022-03-02 11:51:502 一体成型电感 CSAB1235A-1R5M 感量1.5μH，饱和电流25A，尺寸13.8×12.6×3.3mm
2022-03-02 11:51:224 一体成型电感 CSAB1235A-2R2M 感量2.2μH，饱和电流20A，尺寸13.8×12.6×3.3mm
2022-03-02 11:50:562 一体成型电感 CSAB1235A-3R3M 感量3.3μH，饱和电流18A，尺寸13.8×12.6×3.3mm
2022-03-02 11:48:492 一体成型电感 CSAB1235A-4R7M 感量4.7μH，饱和电流16A，尺寸13.8×12.6×3.3mm
2022-03-02 11:48:224 一体成型电感 CSAB1235A-R47M 感量0.47μH，饱和电流28.5A，尺寸13.8×12.6×3.3mm
2022-03-02 11:46:272 一体成型电感 CSAB1235A-R68M 感量0.68μH，饱和电流40A，尺寸13.8×12.6×3.3mm
2022-03-02 11:39:412 IS6630A/C/D全开关模式转换器，采用3mm*3mm*0.85mm QFN封装，可为SDRAM提供超高功率密度的一体化电源解决方案，内含固定LDO输出，支持宽输入电压（4.5V~22V）并提供高达10A的连续输出电流。
2023-03-07 18:08:12985
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