本文将介绍一种门极驱动器利用SiC-MOSFET的检测端子为其提供全面保护的先进方法。所提供的测试结果包括了可调整过流和短路检测以及软关断和有源钳位（可在关断时主动降低过压尖峰）等功能。
2016-11-16 11:19:57
8316 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较，进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2022-07-26 13:57:522072 在高耐压范围中，SiC MOSFET与Si-MOSFET相比，具有“开关损耗与导通损耗小”、“可支持大功率”、“耐温度变化”等优势。基于这些优势，当SiC-MOSFET用于AC/DC转换器和DC
2019-04-24 12:46:442091 反激式转换器必须随着负载、电压和温度的变化提供卓越的稳压性能。LT8304-1 是一款隔离型、非光反激式转换器，其专为高输出电压应用而优化，可提供高达 1000 V 的输出。传统上，稳压反馈环路需要一
2018-10-25 09:58:04
描述PMP10121 参考设计采用 UCC28600 准谐振反激式控制器从交流输入生成 22V @ 3.5A 输出。此反激式转换器并非隔离式，无需光耦合器即可进行调节。主要特色 准谐振反激式拓扑四点
2018-11-14 11:19:08
不需要外部负载补偿电阻器和电容器。因此，LT8315 解决方案的组件少，从而极大地简化了隔离型反激式转换器的设计。 图 1 示出了一款具 20V 至 450V 宽输入范围之反激式转换器的完整原理图。该器件
2018-10-29 17:04:58
Si-MOSFET高。与Si-MOSFET进行替换时，还需要探讨栅极驱动器电路。与Si-MOSFET的区别：内部栅极电阻SiC-MOSFET元件本身（芯片）的内部栅极电阻Rg依赖于栅电极材料的薄层电阻和芯片尺寸
2018-11-30 11:34:24
电流检测电阻 R1输出电容器 C5输出整流二极管 D4 EMI对策 实装PCB板布局与总结使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例 前言设计中使用的电源IC专为SiC-MOSFET优化評価
2018-11-27 16:40:24
”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，这里给出了DMOS结构，不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
面积小（可实现小型封装），而且体二极管的恢复损耗非常小。 主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。 2. 标准化导通电阻 SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚
2023-02-07 16:40:49
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-04-09 04:58:00
离子有时会引发半导体器件的单粒子效应，这已成为需要解决的问题。在对SiC-MOSFET（n=15）进行的白色中子照射试验（能量：1～400MeV，由大阪大学核物理研究中心RCNP实施）中，在Vds
2018-11-30 11:30:41
的隔离型准谐振转换器的设计案例 前言设计中使用的电源IC专为SiC-MOSFET优化評価編绝缘型反激式转换器的性能评估和检查要点 所谓隔离型反激式转换器的性能评估和检查要点 性能评估事例中所使用电源IC
2018-11-27 16:38:39
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
的不是全SiC功率模块特有的评估事项，而是单个SiC-MOSFET的构成中也同样需要探讨的现象。在分立结构的设计中，该信息也非常有用。“栅极误导通”是指在高边SiC-MOSFET＋低边
2018-11-30 11:31:17
描述此 PMP5600 是一种准谐振隔离型反激式，从高压线路开始，并提供 13.65V (1.5A)。转换器通过电容器和小型 SOT-23 Mosfet 来“读取”市电频率。执行电池测试功能时测试点的短路将输出电压降低至 8.34V
2018-07-13 07:10:40
隔离型反激式转换器广泛用于汽车、工业、医疗和电信领域，在此类应用中电源必须具有可靠、易用、高电压和隔离的特性，隔离型反激式转换器必须随着负载、电压和温度的变化提供卓越的稳压性能。LT8304-1 是一款隔离型、非光反激式转换器，其专为高输出电压应用而优化，可提供高达 1000 V 的输出。
2019-08-06 07:15:01
本文将开始AC/DC转换器设计篇的新篇章：“使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例”。在本文中，继此前提到的“反激式”和“正激式”之后，将介绍使用了“准谐振方式”电源IC的隔离型AC
2018-11-27 17:03:34
连续模式和续模式电源IC的选择和设计案例主要元器件的选型输入电容器：输入电容器C1与VCC用电容器C2电感L1电流检测电阻R1输出电容器C5输出整流二极管D4EMI对策实装PCB板布局与总结关键要点:・非隔离型AC/DC转换器的设计解说・被称为二极管整流或非同步整流方式的降压转换器的电路示例
2018-11-27 17:04:42
描述 PMP9750 是一种 CLL 谐振转换器参考设计，输入电压为 400VDC，输出电压为 28V/9A。与 LLC 系列谐振转换器不同，PMP9750 中使用的 CLL 谐振转换器利用其输出
2022-09-22 08:32:08
DN05078 / D，设计说明描述了NCP1361BABAY，15瓦，通用交流输入，隔离准谐振反激式转换器，适用于智能手机，平板电脑充电器和智能插座电源等。特色电源为初级侧恒流和次级恒压采用TSOP6封装的新型NCP1361电流模式控制器进行调节
2019-06-18 10:50:10
在隔离型DC/DC转换器设计，氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）具有低传导损耗、低开关损耗、低驱动功率及低电感等优点，可以实现更高功率密度、在高频时更大电流及高效以及在谐振设计的占空比更高，从而
2019-04-04 06:20:39
失效模式等。项目计划①根据文档，快速认识评估板的电路结构和功能；②准备元器件，相同耐压的Si-MOSFET和业内3家SiC-MOSFET③项目开展，按时间计划实施，④项目调试，优化，比较，分享。预计成果分享项目的开展，实施，结果过程，展示项目结果
2020-04-24 18:09:12
，以及源漏电压进行采集，由于使用的非隔离示波器，就在单管上进行了对两个波形进行了记录：绿色：栅极源极间电压；黄色：源极漏极间电压；由于Mosfet使用的SiC材料，通过分析以上两者电压的导通时间可以判断出
2020-06-07 15:46:23
是48*0.35 = 16.8V，负载我们设为0.9Ω的阻值，通过下图来看实际的输入和输出情况：图4 输入和输出通过电子负载示数，输出电流达到了17A。下面使用示波器测试SIC-MOSFET管子的相关
2020-06-10 11:04:53
项目名称：基于Sic MOSFET的直流微网双向DC-DC变换器试用计划：申请理由本人在电力电子领域（数字电源）有五年多的开发经验，熟悉BUCK、BOOST、移相全桥、LLC和全桥逆变等电路拓扑。我
2020-04-24 18:08:05
项目名称：应用于电动汽车的基于 SiC 器件双向谐振型 DC/DC 变换器试用计划：申请理由：本人一直从事电源领域的学习与研究，并在前一段时间对于宽禁带SiC器件进行了深入的调研，准备开展其在
2020-04-24 18:11:27
`收到了罗姆的sic-mosfet评估板，感谢罗姆，感谢电子发烧友。先上几张开箱图，sic-mos有两种封装形式的，SCT3040KR，主要参数如下：SCT3040KL，主要参数如下：后续准备搭建一个DC-DC BUCK电路，然后给散热器增加散热片。`
2020-05-20 09:04:05
;Reliability (可靠性) " ，始终坚持“品质第一”SiC元器有三个最重要的特性：第一个高压特性，比硅更好一些；而是高频特性；三是高温特性。 罗姆第三代沟槽栅型SiC-MOSFET对应
2020-07-16 14:55:31
是ALTAIR05T-800，它是ALTAIR系列的第一个（全主传感开关稳压器）。该IC在同一封装中集成了高性能，低电压PWM控制器芯片和800V，雪崩耐用功率MOSFET。 PWM芯片是一种准谐振（QR）电流模式控制器IC，专为QR ZVS（零电压开关）反激式转换器而设计
2020-08-12 08:43:59
状态之间转换，并且具有更低的导通电阻。例如，900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片内提供与 Si MOSFET 相同的导通电阻（图 1）。图 1：SiC MOSFET（右侧）与硅
2017-12-18 13:58:36
转换器，采用二极管作为输出整流器 高频率 LLC DC/DC 转换器的模拟 利用 LTspice 对 SiC MOSFET 的性能以及影响转换器效率的因素进行模拟研究。图 1 显示的是一个全桥
2023-02-27 14:02:43
装置机器人商用空调工业用照明（路灯等）内置SiC MOSFET的AC/DC转换器IC产品阵容产品名称封装电源电压范围MOSFET工作频率VCC OVP *^1^FB OLP *^2^工作温度范围
2022-07-27 11:00:52
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
介绍了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的100KHz，10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24
耐压MOSFET的DC/DC转换器IC。80V的耐压是非隔离型DC/DC转换器IC的业界顶级水平，在ROHM的目前产品阵容中，也是耐压最高的DC/DC转换器IC。ROHM在推出该
2019-04-08 08:48:17
评估板EVAL-PS-E1BF12-SIC用于评估FF11MR12W1M1_B11和FF23MR12W1M1_B11 CoolSiC MOSFET模块。评估板允许执行双脉冲测量以及DC / DC转换器的功能测试。因此，该板设计为双向降压 - 升压转换器。它适用于太阳能，UPS，EV充电等应用
2019-04-29 09:00:44
1700V高耐压，还是充分发挥SiC的特性使导通电阻大幅降低的MOSFET。此外，与SiC-MOSFET用的反激式转换器控制IC组合，还可大幅改善效率。ROHM不仅开发最尖端的功率元器件，还促进充分发挥
2018-12-04 10:11:25
CRD-60DD12N，60 kW交错式升压转换器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。该演示板由四个15 kW交错升压级组成，每个级使用CGD15SG00D2隔离式栅极驱动板
2019-04-29 09:18:26
，广泛用于消费产品的电源设计中。新型的绿色电源系列控制器实现低至150 mW 的典型超低待机功耗。本文将阐述准谐振反激式转换器是如何提高电源效率以及如何用UCC28600设计准谐振电源。 1 常规
2018-09-29 16:38:13
导读：新型的绿色电源系列控制器实现低至150 mW 的典型超低待机功耗。本文将阐述准谐振反激式转换器是如何提高电源效率以及如何用UCC28600设计准谐振电源。 1 常规的硬开关反激电路 图1
2018-11-29 11:24:13
隔离型DC-DC转换器历来通过分立元件实施-分立驱动IC和分立功率MOSFET。这些器件被用于各种拓扑结构。最主要的是“半桥”和“全桥”。许多云基础设施的应用采用半桥和全桥拓扑结构，如无线基站（远程
2018-10-24 08:59:37
设计方面，SiC功率模块被认为是关键使能技术。 为了提高功率密度，通常的做法是设计更高开关频率的功率转换器。 DC/DC 转换器和应用简介 在许多应用中，较高的开关频率会导致滤波器更小，电感和电容值
2023-02-20 15:32:06
。反向恢复电流非常高并且在启动期间足以造成直通问题，如图4所示图4： 启动期间LLC 谐振转换器中的波形。图4： 启动期间LLC 谐振转换器中的波形
2019-01-15 17:31:58
本设计实例介绍了一种使用Sparkfun USB-to-UART通用板(BOB)搭建的低成本隔离型USB-to-UART转换器。
2021-05-20 06:32:55
转换器和一个隔离式双向 DC-DC 转换器组成。传统的LLC谐振转换器最初是作为提高DC-DC转换器效率的解决方案而提出的［1］。然而，鉴于其单向设计，转换器在反向工作模式下的电压增益受到限制，因此
2023-02-27 09:44:36
这些准谐振DC-DC转换器一起使用，其预期工作频率为100 kHz。他们参与其中的系统具有微计算机控制，其软件以100 kHz频率为基础，我的任务是对转换器的运行情况进行最坏情况分析。图1这是准谐振
2020-06-03 13:46:47
损耗。最新的模块中采用第3代SiC-MOSFET，损耗更低。全SiC功率模块的结构现在正在量产的全SiC功率模块有几种类型，有可仅以1个模块组成半桥电路的2in1型，也有可仅以1个模块组成升压电路的斩波型。有以
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
本设计事例使用称为反激式的变压器方式。在这里，将说明反激方式的基本电路和特征。反激式转换器除了一般的PWM控制外，还有自励型的RCC（Ringing Choke ConVerter）、RCC利用
2018-11-27 17:01:04
本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗
2019-03-18 23:16:12
本文将从设计角度首先对在设计中使用的电源IC进行介绍。如“前言”中所述，本文中会涉及“准谐振转换器”的设计和功率晶体管使用“SiC-MOSFET”这两个新课题。因此，设计中所使用的电源IC，是可将
2018-11-27 16:54:24
均高于96.5％的原型，其中CCM图腾柱PFC转换器为67 kHz，CLLC谐振转换器为150-300 kHz。通过将功率半导体和功率磁器件集成在同一工具散热器上，由于650V SiC MOSFET的低功率损耗，因此在双向高功率转换应用（例如EV的OBC）中可以实现高功率密度和高效率。
2019-10-25 10:02:58
等隔离输出电压为 MOSFET 栅极驱动器电路供电或者为运算放大器实现偏置。我们将在本文中探讨如何使用 TPS50x01 配置降压转换器，提供负输出电压。此外，我们还将讨论如何通过提供高于输入压的电压
2018-09-20 15:07:57
描述PMP7167 是采用 UCC28610 的隔离型准谐振反激式参考设计。低待机电流和快速启动是其共源共栅架构的优点。PMP7167 基于 PMP5643 Rev_B PWB 而构建。特性满负载
2022-09-27 07:01:27
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
描述此 PMP4736 采用通用准谐振隔离式反向，从通用线路开始，提供 9.6V @ 1.3A 电流。转换器得益于“级联”拓扑，可进一步减少无负载损失（此处为 80mW @ 230Vac），实现超极启动时间。
2018-07-13 03:22:47
非隔离式的DC-DC转换器都是基于降压，升压以及降压-升压型DC-DC转换器而衍生出来的，下面就简单介绍一下这三种DC-DC转换器。 1.降压型DC-DC转换器 图1显示的是降压型DC-DC
2020-12-09 15:28:06
处理器（例如ADSP-CM419F）完成。最后，利用高能效隔离式∑-∆型转换器（例如AD7403）检测电压，从而实现设计的紧凑性。在Si IGBT到SiC MOSFET的过渡阶段，必须考虑混合拓扑结构
2018-10-22 17:01:41
oss和Q rr也很重要。在如图1所示的电感-电感-电容器-串联谐振转换器（LLC-SRC）之类的谐振转换器中，谐振储能电路中的电流对FET 的C oss进行充电/放电（图2中的状态1），以便实现零电压
2022-05-11 10:17:28
和MOSFET器件的同时，没有出现基于SiC的类似器件。
SiC-MOSFET与IGBT有许多不同，但它们到底有什么区别呢？本文将针对与IGBT的区别进行介绍。
2017-12-21 09:07:0436485 
关于输入，如设计案例电路中所述，将AC输入电压整流后会变为DC电压，因此将根据DC输入电压值来设置常数。
2019-04-24 13:01:41663 
由于浪涌电压不仅受变压器的漏电感影响，还受PCB板薄膜布线的寄生分量影响，因此需要在组装于实际PCB板中的状态下确认Vds，并根据实际的电压调整缓冲电路。
2019-08-22 09:13:292156 
当输入电压上升时，如果过流限制是恒定的，则容许功率将直接增加。当输入电压超过设置值时，这种校正功能可通过降低电流限制电平来降低损耗功率，从而使过负载时的保护更可靠。
2019-08-22 10:08:381684 
为了获得所需的耐压，我们采用了串联连接电容的手法，但在这种情况下，需要保持施加到所有电容的电压均衡，因而需要与各电容并联连接平衡电阻。从电路图中可以看出，平衡电阻是串联在输入端和GND之间，因此流经平衡电阻的电流只是一种损耗，故建议选择470kΩ以上的电阻值。
2019-08-22 10:30:251706 
，硅基 IGBT 广泛用于大功率转换器设计。表 1 提供了基于 Si 的模块和基于 SiC-MOSFET 的模块之间基于其开关速度的比较。
2022-07-26 08:02:531061 
LLC 谐振转换器可用于各种应用，如消费电子产品，以及可再生能源应用，如光伏、风能、水力和地热等。本文提供了在 3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的详细比较具有宽输入电压范围的半桥 LLC 转换器。
2022-07-29 09:44:201207 
功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体有如下优势，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较，进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2023-02-06 14:39:132874 
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。
2023-02-06 14:39:51645 
继前篇结束的SiC-SBD之后，本篇进入SiC-MOSFET相关的内容介绍。功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。
2023-02-08 13:43:19210 
近年来超级结（Super Junction）结构的MOSFET（以下简称“SJ-MOSFET”）应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET，ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。
2023-02-08 13:43:19525 
从本文开始，将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。
2023-02-08 13:43:20644 
上一章针对与Si-MOSFET的区别，介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。
2023-02-08 13:43:20790 
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。沟槽结构在Si-MOSFET中已被广为采用，在SiC-MOSFET中由于沟槽结构有利于降低导通电阻也备受关注。
2023-02-08 13:43:211381 
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-08 13:43:21366 
本文就SiC-MOSFET的可靠性进行说明。这里使用的仅仅是ROHM的SiC-MOSFET产品相关的信息和数据。另外，包括MOSFET在内的SiC功率元器件的开发与发展日新月异，如果有不明之处或希望确认现在的产品情况，请点击这里联系我们。
2023-02-08 13:43:21860 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先实现了搭载ROHM生产的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模块量产。与以往的Si-IGBT功率模块相比，“全SiC”功率模块可高速开关并可大幅降低损耗。
2023-02-13 09:30:04331 
上一篇文章对设计中使用的电源IC进行了介绍。本文将介绍设计案例的电路。准谐振方式：上一篇文章提到，电源IC使用的是SiC-MOSFET驱动用AC/DC转换器控制IC“BD7682FJ-LB”。
2023-02-17 09:25:06380 
从本文开始进入具体的设计，比如计算相关电路常数等。首先是变压器T1的设计。计算步骤如下。这与“隔离型反激式转换器电路设计：变压器设计（数值计算）”中的思路基本相同，可以参考这篇文章中的内容。
2023-02-17 09:25:06394 
在前面的“变压器T1的设计 其1”中，对下述计算步骤①～③进行了说明。本文作为“其2”来计算剩下的④～⑥，并结束变压器T1的设计篇。①反激式电压VOR的设定②一次侧绕组电感值Lp、一次侧的最大电流Ippk的计算③变压器尺寸的决定④一次侧绕组匝数Np的计算⑤二次侧绕组匝数Ns的计算⑥VCC绕组匝数Nd的计算
2023-02-17 09:25:06437 截至上一篇文章，结束了部件选型相关的内容，本文将对此前介绍过的PCB电路板布局示例进行总结。使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的PCB布局示例
2023-02-17 09:25:07397 
这之前介绍了示例电路的各部件选型要点、常数的计算、PCB板布局示例，最后将利用示例电路来确认并评估一下效率和波形。本文将给出整个电路和所有部件清单。部件表中的部件是示例电路中使用的部件清单。
2023-02-17 09:25:07236 
此前共用19个篇幅介绍了“使用SiC-MOSFET的隔离型准谐振转换器的设计案例”，本文将作为该系列的最后一篇进行汇总。该设计案例中有两个关键要点。一个是功率开关中使用了SiC-MOSFET。
2023-02-17 09:25:08480 功率转换电路中的晶体管的作用非常重要，为进一步实现低损耗与应用尺寸小型化，一直在进行各种改良。SiC功率元器件半导体的优势前面已经介绍过，如低损耗、高速开关、高温工作等，显而易见这些优势是非常有用的。本章将通过其他功率晶体管的比较，进一步加深对SiC-MOSFET的理解。
2023-02-23 11:25:47203 
本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人，与其详细研究每个参数，不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736 
如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET的结构上讲，体二极管是由源极-漏极间的pn结形成的，也被称为“寄生二极管”或“内部二极管”。对于MOSFET来说，体二极管的性能是重要的参数之一，在应用中使用时，其性能发挥着至关重要的作用。
2023-02-24 11:47:402315 
在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极结构SiC-MOSFET的量产。这就是ROHM的第三代SiC-MOSFET。
2023-02-24 11:48:18426 
本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容，总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。
2023-02-24 11:49:19481 
相对于IGBT，SiC-MOSFET降低了开关关断时的损耗，实现了高频率工作，有助于应用的小型化。相对于同等耐压的SJ-MOSFET，导通电阻较小，可减少相同导通电阻的芯片面积，并显著降低恢复损耗。
2023-09-11 10:12:33566 
如何避免LLC谐振转换器中的MOSFET出现故障？ 在LLC谐振转换器中，MOSFET扮演着至关重要的角色。因为它们在转换器的关键电路中，控制着电流的流动和开关。但是，由于转换器的工作环境可能很严
2023-10-22 12:52:19369
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