日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:33
1610 近日，德州仪器 （TI） 推出了业内速度最快的半桥栅极驱动器。这款用于分立式功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管 （IGBT） 的栅极驱动器的工作电压可达到600V。
2015-10-16 16:32:111114 德州仪器（TI）（NASDAQ： TXN） 近日宣布推出两款新型高速氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）驱动器，进一步扩展了其业内领先的GaN电源产品组合，可在激光雷达（LIDAR）以及5G射频
2018-03-12 10:44:0010404 对 MOSFET 的栅极进行充电和放电需要同样的能量， 无论充放电过程快或慢 (栅极电压的上升和下降)。因 此，MOSFET 驱动器的电流驱动能力并不影响由 MOS- FET 栅极的容性负载产生的驱动器功耗。
2018-04-28 09:11:0612541 
贸泽电子备货的TI LMG341xR050 GaN功率级与硅MOSFET相比拥有多种优势，包括超低输入和输出容值、可降低EMI的低开关节点振铃，以及可将开关损耗降低多达80%的零反向恢复。
2020-04-13 14:58:561374 意法半导体的 STDRIVEG600半桥栅极驱动器输出电流大，高低边输出信号传播延迟相同，都是45ns，能够驱动 GaN 增强型 FET 高频开关。
2021-09-09 14:47:572607 
(PFC)级。该 PFC 级 具有 配备集成式驱动器的 TI LMG341xGaN FET，可在宽负载范围内实现高效率，并且符合80 Plus Titanium 要求。该设计还支持半桥 LLC 隔离式
2020-06-22 18:22:03
开关频率（高达 100kHz）支持以最低的电流纹波驱动低电感电机带有集成型栅极驱动器的 600V 和 12A LMG3410 GaN FET 可减小 PCB 外形尺寸并降低布局复杂度极速开关转换（小于
2018-10-31 17:33:14
5200混合多芯片模块有助于防止过压和欠压。解决问题的一个设备是德州仪器的LMG5200。该混合多芯片模块（MCM）包含两个具有集成驱动器的半桥配置的80V，10-A GaN FET。功能框图如图3所示。请注意
2017-05-03 10:41:53
的MOSFET和IGBT会产生不可接受的损耗、WBG半导体晶体管比如GaN能够克服这些问题集成GaN HEMT和驱动器方案现在已经可以应用于电机系统中能够承受高压条件的高性能电容也可以应用到需要高压高频电机驱动电路的直流部分
2019-07-16 00:27:49
的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN FET与驱动器集成在一个封装内可以减少寄生电感，并且优化
2018-08-30 15:28:30
LMG1210 200-V, 1.5-A, 3-A Half-Bridge GaN Driver With Adjustable Dead Time datasheet
2022-11-04 17:22:44
当我向 lmg1210 的 Hi 和 Li 发送 50% 的值周期、500KHz 互补脉冲信号，并将 epc8010 芯片添加到后端时，连续脉冲波形将输出并闪烁。如何解决这个问题这个是视频链接
2021-08-03 15:10:40
LMG3410 半 H 桥驱动器（内部 FET） 电源管理 评估板
2024-03-14 20:33:28
简介目前 MOSFET 驱动器的主要用途之一是进行不同类型电机的驱动控制。此应用笔记对一些基本概念进行讨论以帮助用户选择适合应用的 MOSFET 驱动器。电机和 MOSFET 驱动器之间的电桥通常由
2021-09-17 07:19:25
MOSFET驱动器的主要用途有哪些？MOSFET或IGBT哪一种驱动器最适合您的应用呢？
2021-11-08 06:11:40
应用的理想选择。 贸泽电子备货的TI PGA460和PGA460-Q1为具有先进DSP内核的高度集成片上系统 (SoC) 超声波传感器驱动器和信号调理器。这两款器件具有2种基于驱动器的拓扑结构：基于变压器
2017-09-12 10:24:01
领域的客户进行接洽，探讨宽温度范围和辐射方面的应用。 TI也将努力开发出全新类型的转换器、电机驱动和系统。 LMG5200与众不同之处 LMG5200原型机由一个高频驱动器和两个半桥配置的GaN FET
2018-09-11 14:04:25
正在与太空领域的客户进行接洽，探讨宽温度范围和辐射方面的应用。 TI也将努力开发出全新类型的转换器、电机驱动和系统。 LMG5200与众不同之处LMG5200原型机由一个高频驱动器和两个半桥配置
2018-09-10 15:02:53
功能，并且有两个模块：一个监听滚轮的旋转功能驱动器模块，以及一个与LMG5200进行通信的GaN模块。两个模块都依靠低电平Hercules外设驱动器运转（图5）。 图5：固件模块操作我们先来看看输出端
2018-06-01 11:31:35
概述：HIP4080A高频全桥FET驱动器。它为双列直插20脚封装。80V 2.5A N沟全桥FET驱动电路。带宽1MHz，延迟时间70ns。
2021-04-21 07:09:32
的 LMG1210（对于 GaN 电源），以提供 0.8V 的电压和 10A 的电流。该设计将硅功率级与 GaN 功率级进行比较，以说明在使用 GaN 进行设计时的设计折衷和必要的优化。主要特色PMBus 可编程
2019-01-02 16:17:21
单芯片半桥式STDRIVEG600栅极驱动器专为特定的GaN FET驱动要求而设计，具有较短的45ns传播延迟和低至5V的工作电压。STDRIVEG600通过较高的共模瞬态抗扰度、一套集成式保护功能
2023-09-05 06:58:54
什么是MOSFET驱动器？MOSFET驱动器功耗包括哪些部分？如何计算MOSFET的功耗？
2021-04-12 06:53:00
我需要从英飞凌推出MOSFET IPW90R120C3这里的MOSFET规格VDS @ TJ=25°C 900 VRdson @ TJ=25°C: 0.12ohmQg = 270nC驱动器
2018-09-01 09:53:17
7. Fly-Buck隔离电源和Fly-Back的电路比较高功率密度GaN伺服驱动器的设计 采用TI氮化镓和电容隔离方案设计的伺服驱动器如图8所示。LMG3410是集成了驱动的GaN FET功率级芯片
2019-03-14 06:45:08
减小尺寸和功耗的隔离式FET脉冲驱动器，不看肯定后悔
2021-04-22 06:39:21
LMG1020。在此处查看演示：如下图和上图中所示，该GaN驱动器具有1ns 100W光输出的能力。这是演示中的脉冲激光开发板：这是带有最少外部组件的简单应用图：LMG1210半桥GaN FET驱动器TI
2019-11-11 15:48:09
`最近我在做D类放大。要放大1Mhz正弦波信号，比较用的三角波为10Mhz。需要开关频率能大于20Mhz的mosfet驱动器。请问mosfet驱动器的最高工作频率是由什么参数决定的？有能达到20Mhz以上的mosfet驱动器吗？`
2018-04-11 23:31:46
GaN单级解决方案——采用TPS53632G 无驱动器脉宽调制(PWM)控制器和LMG5200 80V GaN半桥功率级（驱动器和GaN FET在同一集成电路上）——功率密度高，负载瞬态响应速度
2019-07-29 04:45:02
LMG3410 单通道 GaN 功率级包含一个 70-mΩ、600-V GaN 功率晶体管和采用 8-mm × 8-mm QFN 封装的专用驱动器。直接驱动架构用于创建常关器件，同时提供 GaN 功率晶体管
2022-04-12 14:11:49
今天观看了电子研习社的直播课程，由TI工程师王蕊讲解了TI的基于GaN的CrM模式的图腾柱无桥PFC参考方案的设计（TIDA00961）。下面是对该方案的介绍：高频临界导电模式 (CrM) 图腾柱
2022-01-20 07:36:11
，功率密度大于 250W/inch3在 230V 交流输入和满载情况下效率可达 98.7%TI LMG3410 GaN 功率级具有集成式驱动器和保护功能，可确保电路可靠性并简化设计使用 TI
2018-10-25 11:49:58
如何选择伺服驱动器？威科达通用型伺服驱动器的特点是什么？
2021-11-15 06:57:50
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
能够通过它们的SOA，以1MHz以上的频率，在电压高达1000V和电流高达15A时，硬开关FET。捕捉和分析实时波形可以帮助我们更好地理解高频效应，比如说dv/dt、栅极驱动器电感和电路板布局布线，这些
2019-07-12 12:56:17
的应用。TI还将开发新型转换器、电机驱动器和系统。LMG5200的与众不同之处LMG5200原型机由一个高频驱动器和两个半桥配置的GaN场效应晶体管组成，这一切都采用了易于使用的四方扁平无引线(QFN
2018-08-30 15:05:40
，从而保持低回路电感。TI的先进封装和电路板设计将功率环电感降至几纳亨。这种低电感设计与优化的驱动器集成，使得LMG3410能够在转换速率> 100V / ns及过冲小于10％的条件下进行切换
2019-08-26 04:45:13
有谁知道贸泽电子卖的运放里面有假货吗？
2020-06-06 15:40:23
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
最近在逛PIC官网的时候，查找相关应用手册的时候挖到的一篇文章。根据电机控制应用需求选择合适的MOSFET 驱动器.pdf (589.89 KB )
2019-05-30 22:17:43
可以用很多种方法来控制GaN功率级。针对LMG5200 GaN半桥功率级的TI用户指南使用了一个无源组件和分立式逻辑门的组合。在这篇博文中，我将会讨论到如何用一个Hercules微控制器来驱动它。图1
2022-11-17 06:56:35
的典型传播延迟失配。这使得能够实现非常短的死区时间，减少了损耗和输出电流失真。用于高速驱动的TI设计48V / 10A高频PWM 3相GaN逆变器参考设计实现了具有三个LMG5200 半桥GaN功率模块
2017-08-21 14:36:14
描述此激光雷达（光距离和范围探测）参考设计展示了一款低侧纳秒 (ns) 级 GaN 栅极驱动器 LMG1020，该驱动器能够驱动 FET 产生功率超过 100W 的 1ns 激光光脉冲。主要特色电路
2018-10-17 15:38:45
个监听滚轮的旋转功能驱动器模块，以及一个与LMG5200进行通信的GaN模块。两个模块都依靠低电平Hercules外设驱动器运转（图5）。
图5：固件模块
操作
我们先来看看输出端。第一步是在
2018-08-31 07:15:04
问题是，即使RMS电流约为200mA，MOSFET芯片也会明显升温。要驱动的电机是24V 90W BLDC电机，相电阻为0.15欧姆，相间电感为200uH。我选择的MOSFET及其栅极驱动器
2018-08-23 10:09:59
Coss、Qrr和较低的栅极环路阻抗而具有较大的振铃和硬开关损耗。集成栅极驱动的75mΩGaN器件TI的LMG341x系列600V GaN器件是集成GaN FET外加驱动器和保护功能的器件。它是一个
2023-02-14 15:06:51
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
的转换器。在氮化镓（GaN）功率FET的早期阶段，故障很常见。更严格的栅极环路设计要求，更高的dv/dt和共源电感的影响使得电路对寄生和噪声更敏感。当TI推出第一个600V GaN功率级样品时，我惊叹于该
2019-07-29 04:45:12
www.ti.com/gatedrivers开始设计您的高效系统。 其他信息TI Designs参考设计库中展示了高效率系统中的高速栅极驱动器：“隔离GaN驱动器参考设计”。“用于电信的1 kW三路隔离DC
2019-03-08 06:45:10
描述此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节，此参考设计不仅可以显著
2018-10-17 15:39:59
适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 300
2022-12-14 14:43:00
适用于 GaNFET 和 MOSFET、具有 5V UVLO 和可编程死区时间的 1.5A、3A 200V 半桥栅极驱动器 Bus voltage (Max) (V) 300
2022-12-20 15:04:36
Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器 - TI | 贸泽Analog Devices Inc. LT8418半桥GaN驱动器是一款100V器件，集成了顶部和底部驱动器
2024-02-22 13:39:55
针对应用选择正确的MOSFET驱动器
目前，现有的MOSFET技术和硅工艺种类繁多，这使得选择合适的MOSFET驱动器成了一个富有挑战性的过程。
从功能上讲，MOSFET
2010-01-22 11:37:371757 
Linear推出高速同步MOSFET驱动器
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N
2010-02-01 10:22:16865 
凌力尔特推出高速同步MOSFET驱动器LTC4449
凌力尔特(Linear)推出高速同步 MOSFET 驱动器 LTC4449，该器件为在同步整流转换器拓扑中驱动高端和低端 N 沟道功率 MOSFET 而设计。
2010-02-04 08:40:551260 
TI推出具备板载功率MOSFET的全集成型双路功率驱动器
日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款具备集成型功率 MOSFET、保护模块以及监控特性的数字双路同步降压功率驱动器，
2010-02-23 09:26:57667 TI宣布推出一款完整LED照明驱动器参考板
德州仪器 （TI） 联合 Lemnis Lighting 宣布推出一款完整 LED照明驱动器参考板，帮助解决成
2010-04-15 09:35:45549 德州仪器(TI)宣布推出用于配合高密度电源转换器中 MOSFET 与氮化镓 (GaN) 功率场效应晶体管 (FET) 使用的低侧栅极驱动器。
2012-02-11 09:59:081435 
10 月 1 日 – 凌力尔特公司 （Linear Technology Corporation） 推出高端、高频率 N 沟道 MOSFET 栅极驱动器 LTC4440A-5，该器件能以高达 80V
2013-10-09 15:41:271040 
/10A 半桥 GaN 电源模块 LMG5200 的三相逆变器来实现这一点，并使用基于分流器的相电流感应。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅 FET 快得多，而将 GaN FET 和驱动器集成在同一封
2015-06-09 15:54:49
0 近日，德州仪器（TI）推出了首款面向高功率锂离子电池应用的单芯片100V高压侧 FET 驱动器。该驱动器可提供先进的电源保护和控制。
2016-02-22 11:22:431165 
基于数十年的电源管理创新经验，德州仪器（TI）近日宣布推出一款600V氮化镓（GaN）70 mÙ场效应晶体管（FET）功率级工程样片，从而使TI成为首家，也是唯一一家能够向公众提供集成有高压驱动器的GaN解决方案的半导体厂商。
2016-05-05 14:41:39874 氮化镓 （GaN） 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN FET与驱动器集成在一个封装内可以减少寄生电感，并且优化开关性能。集成驱动器还可以实现保护功能。
2016-05-09 17:06:562887 本报告对德州仪器LMG5200器件进行详细的逆向分析，包括器件设计、封装技术、制造工艺、成本和价格预估等。这是我们第一发现带有驱动器的半桥氮化镓场效应晶体管（GaN FET）设计，并采用先进的多芯片封装技术（PCB带有嵌入式通孔和倒装芯片）
2018-03-05 13:56:1810013 目前 MOSFET 驱动器的主要用途之一是进行不同类型电机的驱动控制。此应用笔记对一些基本概念进行讨论以帮助用户选择适合应用的 MOSFET 驱动器。
2018-06-20 10:26:0068 电子发烧友网为你提供TI(ti)LMG3410相关产品参数、数据手册，更有LMG3410的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，LMG3410真值表，LMG3410管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2018-11-02 18:33:05
电子发烧友网为你提供TI(ti)LMG1210相关产品参数、数据手册，更有LMG1210的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，LMG1210真值表，LMG1210管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2018-11-02 18:00:05
电子发烧友网为你提供TI(ti)LMG1205相关产品参数、数据手册，更有LMG1205的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，LMG1205真值表，LMG1205管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2018-11-02 18:00:05
低侧驱动器可为要求速度的应用提供高效率、高性能的设计，适用于LiDAR、飞行时间激光贸泽电子供应的Texas Instruments LMG1020低侧GAN驱动器，专为高速驱动GaN FET和逻辑电平
2018-11-03 10:47:001513 本文介绍了LMG1020主要特性，框图和典型应用电路图以及高压评估板LMG1020-HB-EVM主要特性，框图，电路图，材料清单和PCB设计图。
2019-04-05 11:02:006111 
电子发烧友网为你提供TI(ti)LMG3410R070相关产品参数、数据手册，更有LMG3410R070的引脚图、接线图、封装手册、中文资料、英文资料，LMG3410R070真值表，LMG3410R070管脚等资料，希望可以帮助到广大的电子工程师们。
2019-01-08 17:46:11
）功率级工程样品，使TI成为第一家也是唯一一家公开提供高压驱动器集成GaN解决方案的半导体制造商。与基于硅FET的解决方案相比，新型12-A LMG3410功率级与TI的模拟和数字电源转换控制器相结合
2019-08-07 10:17:061928 此参考设计基于 LMG1210 半桥 GaN 驱动器和 GaN 功率的高电子迁移率晶体管 (HEMT)，实现了一款数兆赫兹功率级设计。凭借高效的开关和灵活的死区时间调节，此参考设计不仅可以显著改善
2020-06-30 08:00:000 TI LMG341xR050 GaN功率级与硅MOSFET相比拥有多种优势，包括超低输入和输出容值、可降低EMI的低开关节点振铃，以及可将开关损耗降低多达80%的零反向恢复。
2020-05-29 16:39:072547 此激光雷达（光距离和范围探测）参考设计展示了一款低侧纳秒级 GaN 栅极驱动器 LMG1020，该驱动器能够驱动 FET 产生功率超过 100W 的 1ns 激光光脉冲。
2020-07-23 08:00:0020 目前 MOSFET 驱动器的主要用途之一是进行不同类型电机的驱动控制。此应用笔记对一些基本概念进行讨论以帮助用户选择适合应用的 MOSFET 驱动器。
2021-05-10 11:28:4541 ) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当压摆率很高时，特定的封装类型会限制GaN FET的开关性能。将GaN FET与驱动器集成在一个封装内可以减少寄生电感
2022-01-26 15:11:021649 
。EPC21601 是一款单芯片加 eGaN® FET 驱动器，采用 EPC 专有的 GaN IC 技术，采用芯片级 BGA 外形尺寸，尺寸为 1.5 mm x 1.0 mm。
2022-08-04 09:17:572015 
具有集成式驱动器和自我保护功能的GaN FET如何实现下一代工业电源设计
2022-10-28 12:00:200 在过去几年里，GaN技术，特别是硅基GaN HEMT技术，已成为电源工程师的关注重点。该技术承诺提供许多应用所需的大功率高性能和高频开关能力。然而，随着商用GaN FET变得更容易获得，一个关键问题仍然存在。为何选择共源共栅？
2023-02-09 09:34:12419 
MOSFET 和 GaN FET 应用手册-Nexperia_document_bo...
2023-02-17 19:13:1625 您可以通过多种方式控制GaN功率级。LMG5200 GaN 半桥功率级的 TI 用户指南使用无源元件和分立逻辑门的组合。在这篇文章中，我将描述如何使用Hercules微控制器驱动它。图 1 显示了用于驱动 LMG5200 的 Hercules 模块。
2023-04-14 10:07:41963 
该芯片是一款单通道低侧GaN FET和逻辑电平MOSFET驱动器，可应用于LiDAR、飞行时间、面部识别和低侧驱动的功率转换器等领域。
2023-06-30 09:58:50263 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出首批支持低电压（100/150 V）和高电压（650 V）应用的 E-mode（增强型）功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 电子发烧友网站提供《ISL73041SEH 12V半桥GaN FET驱动器的高剂量率总电离剂量测试.pdf》资料免费下载
2023-12-21 10:42:460 电子发烧友网站提供《耐辐射12V半桥GaN FET驱动器 71441MM数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-14 11:06:450 电子发烧友网站提供《辐射硬化12V半桥GaN FET驱动器 73041SEH数据手册.pdf》资料免费下载
2024-01-14 11:02:050 GaN FETs以其体积小、切换速度快、效率高及成本低等优势，为电力电子产业带来了革命性的变化。然而，GaN技术的快速发展有时超出了专门为GaN设计的栅极驱动器和控制器的发展。因此，电路设计师经常转向为硅MOSFETs设计的通用栅极驱动器，这就需要仔细考虑多个因素以实现最佳性能。
2024-02-29 17:54:08189 
电子发烧友网站提供《具有集成驱动器的 650V 120mΩ GaN FET LMG3612数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:20:580 电子发烧友网站提供《600V 30mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG342xR030数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 14:17:130 电子发烧友网站提供《600V 50mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG342xR050数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 15:27:070
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