在上一篇文章中，我们通过工作原理和公式了解了有无驱动器源极引脚的差异和效果。有驱动器源极引脚的MOSFET可以消除源极引脚的电感带来的影响，从而可降低开关损耗。在本文中，我们将通过双脉冲测试来确认驱动器源极引脚的效果。
2022-06-15 16:06:20
2920 MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢?
2022-10-19 10:39:231504 MOS 管的开关损耗对ＭOS 管的选型和热评估有着重要的作用，尤其是在高频电路中，比如开关电源，逆变电路等。
2023-07-23 14:17:001217 
点击“东芝半导体”，马上加入我们哦！ 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布， 推出采用有助于降低开关损耗的4引脚TO-247-4L(X)封装的碳化硅（SiC）MOSFET---
2023-09-04 15:13:401134 
开关有关的损耗功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分：导通损耗和开关损耗。导通损耗是当功率器件已被开通，且驱动和开关波形已经稳定以后，功率开关处于导通状态时的损耗
2020-08-27 08:07:20
开关有关的损耗 功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分：导通损耗和开关损耗。导通损耗是当功率器件已被开通，且驱动和开关波形已经稳定以后，功率开关处于导通状态
2023-03-16 16:37:04
3、开关动态损耗 由于开关损耗是由开关的非理想状态引起的，很难估算MOSFET 和二极管的开关损耗，器件从完全导通到完全关闭或从完全关闭到完全导通需要一定时间，也称作死区时间，在这个过程中会产生
2021-12-29 07:52:21
一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗；关断损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。二、开关损耗原理分析：(1)、非理想的开关管在开通时，开关
2021-10-29 07:10:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基势垒二极管）组成的类型，也有仅以SiC-MOSFET组成的类型。与Si-IGBT功率模块相比，开关损耗大大降低处理大电流的功率模块中，Si的IGBT与FRD
2018-12-04 10:14:32
讨论。与功率开关有关的损耗功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分：导通损耗和开关损耗。导通损耗是当功率器件已被开通，且驱动和开关波形已经稳定以后，功率开关处于导
2019-09-23 08:00:00
，并加强对大电流栅极驱动器的需求。图 4：栅极驱动器开关损耗与开关频率的关系散热功率损耗会导致温度升高，由于需要散热器或更厚的印刷电路板 （PCB） 铜层，可能会使热管理复杂化。高驱动强度有助于降低栅极
2022-11-02 12:02:05
的开关工作进行比较，而在 Figure 5 所示的电路条件下使 Low Side（LS）的 MOSFET 开关的双脉冲测试结果。High Side（HS）是将 RG_EXT 连接于源极引脚或驱动器源极
2020-11-10 06:00:00
中，实线是连接到源极引脚的示意图，虚线是连接到驱动器源极引脚的示意图。我们来分别比较导通时和关断时的漏-源电压VDS和漏极电流ID的波形以及开关损耗。测试中使用的是最大额定值（VDSS的波形以及
2022-06-17 16:06:12
这里流过。这个共源电感在汲取电流改变时调制栅源电压。共源电感会高于10nH（其中包括焊线和封装引线），从而限制了压摆率 (di/dt)，并增加开关损耗。借助图1b中所示的集成式封装，驱动器接地直接焊接至
2018-08-30 15:28:30
如图片所示，为什么MOS管的开关损耗（开通和关断过程中）的损耗是这样算的，那个72pF应该是MOS的输入电容，2.5A是开关电源限制的平均电流
2018-10-11 10:21:49
本帖最后由 小小的大太阳 于 2017-5-31 10:06 编辑
MOS管的导通损耗影响最大的就是Rds，而开关损耗好像不仅仅和开关的频率有关，与MOS管的结电容，输入电容，输出电容都有关系吧？具体的关系是什么？有没有具体计算开关损耗的公式？
2017-05-31 10:04:51
时间trr快（可高速开关）・trr特性没有温度依赖性・低VF（第二代SBD）下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
产品尺寸，从而提升系统效率。而在实际应用中，我们发现：带辅助源极管脚的TO-247-4封装更适合于碳化硅MOSFET这种新型的高频器件，它可以进一步降低器件的开关损耗，也更有利于分立器件的驱动
2023-02-27 16:14:19
本帖最后由 张飞电子学院鲁肃 于 2021-1-30 13:21 编辑
本文详细分析计算功率MOSFET开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子
2021-01-30 13:20:31
增大，但是高频化可以使得模块电源的变压器磁芯更小，模块的体积变得更小，所以可以通过开关频率去优化开通损耗、关断损耗和驱动损耗，但是高频化却会引起严重的EMI问题。采用跳频控制方法，在轻负载情况下，通过降低
2019-09-25 07:00:00
与层之间加绝缘胶带，来减少层间分布电容。开关管MOSFET上的损耗mos损耗包括：导通损耗，开关损耗，驱动损耗。其中在待机状态下最大的损耗就是开关损耗。整流管上的吸收损耗输出整流管上的结电容与整流管
2019-10-09 08:00:00
上，引起的开关损耗。另外还有吸收电路上的电阻充放电引起的损耗。改善方法：在其他指标允许的前提下尽量降低吸收电容的容值，降低吸收电阻的阻值。当然还有整流管上的开关损耗、导通损耗和反向恢复损耗，这应该在允许的情况下尽量选择导通压降低和反向恢复时间短的二极管。10、输出反馈电路的损耗
2021-04-09 14:18:40
在功率电子（例如驱动技术）中，IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。然而，快速开关同时隐含着高压瞬
2020-10-29 08:23:33
同步BUCK降压变化器是非常经典的一种电源结构，其上、下管分别于工作在不同的状态，其中，上管工作在主开关状态，漏极的电流由漏极D流向源极S；下管工作在同步整流状态，漏极的电流由源极S流向漏极D
2020-12-08 15:35:56
讨论。与功率开关有关的损耗功率开关是典型的开关电源内部最主要的两个损耗源之一。损耗基本上可分为两部分：导通损耗和开关损耗。导通损耗是当功率器件已被开通，且驱动和开关波形已经稳定以后，功率开关处于导
2019-09-02 08:00:00
SiC-MOSFET和SiC肖特基势垒二极管的相关内容，有许多与Si同等产品比较的文章可以查阅并参考。采用第三代SiC沟槽MOSFET，开关损耗进一步降低ROHM在行业中率先实现了沟槽结构
2018-11-27 16:37:30
内置SiC肖特基势垒二极管的IGBT：RGWxx65C系列内置SiC SBD的Hybrid IGBT在FRD＋IGBT的车载充电器案例中开关损耗降低67%关键词* • SiC肖特基势垒二极管（SiC
2022-07-27 10:27:04
一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢？一、开关损耗
2021-11-18 07:00:00
开关条件得以改善，降低硬开关的开关损耗和开关噪声，从而 提高了电路的效率。 图1 理想状态下软开关和硬开关波形比较图软开关包括软开通和软关断两个过程： 理想的软开通过程是：开关器件两端的电压先下
2019-08-27 07:00:00
特别是高电流栅极驱动器，其能够通过降低开关损耗帮助提升整体系统效率。当FET开关打开或关闭时，就会出现开关损耗。为了打开FET，栅极电容得到的电荷必须超过阈值电压。栅极驱动器的驱动电流能够有助于栅极
2022-11-14 06:52:10
，提高开关的速度，从而降低开关损耗，但是过高的开关速度会引起EMI的问题。（2）提高栅极驱动电压也可以提高开关的速度，降低开关损耗。同时，高的栅极驱动电压会增加驱动损耗，特别是轻载的时候，对效率
2017-03-06 15:19:01
前面的文章讲述过基于功率MOSFET的漏极特性理解其开关过程，也讨论过开关电源的PWM及控制芯片内部的图腾驱动器的特性和栅极电荷的特性，基于上面的这些理论知识，就可以估算功率MOSFET在开关
2017-02-24 15:05:54
的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为SiC-SBD与Si-FRD（快速恢复二极管）的trr比较。恢复的时间trr很短，二极管关断时的反向电流
2018-12-04 10:26:52
新型电流源极驱动器 BM60059FV-C 如何在有限的 dv/dt 下工作时将开关损耗降低多达 26%。 更改参数时，通常需要进行许多其他更改。因此，找到完美的设计通常非常困难。如果功率
2023-02-21 16:36:47
如何更加深入理解MOSFET开关损耗？Coss产生开关损耗与对开关过程有什么影响？
2021-04-07 06:01:07
导读：将GaN FET与它们的驱动器集成在一起可以改进开关性能，并且能够简化基于GaN的功率级设计。氮化镓 (GaN) 晶体管的开关速度比硅MOSFET快很多，从而有可能实现更低的开关损耗。然而，当
2022-11-16 06:23:29
算法，可根据负载功率因子在不同扇区内灵活放置零电压矢量，与传统的连续调制SVPWM相比，在增加开关频率的同时减小了开关电流。仿真结果也表明这种方法有着最小的开关损耗。
2019-10-12 07:36:22
（5）和（6）可知，影响MOSFET电流速率的源极引脚电感被消除了。根据等式（2）和（5），较之TO247封装MOSFET,这缩短了器件的开关速度，降低了开关损耗。最新推出的TO247 4引脚
2018-10-08 15:19:33
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-07-09 07:00:00
能够正常工作，这个损耗是无法避免的，在IC选型的时候尽量选择工作电流小的。 四、开关管损耗 输入端的MOS管Q1在待机的时候，主要体现的是开关损耗，所以需要降低待机时MOS管的损耗，待机的工作频率
2023-03-20 16:59:01
150 kW的电机驱动功率的输出。阻断电压750V、低 VCEsat、低开关损耗、低QG和Cres、低电感设计，Tvjop = 150°C、短时间工作温度Tvjop = 175°C。 P1、P2
2023-03-23 16:01:54
的图像。图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段
2018-08-30 15:47:38
损耗包括：导通损耗，开关损耗，驱动损耗。其中在待机状态下最大的损耗就是开关损耗。改善办法：降低开关频率、使用变频芯片甚至跳频芯片（在空载或很轻负载的情况下芯片进入间歇式振荡）整流管上的吸收损耗输出整流管
2021-05-18 06:00:00
)越高效率越低，这是因为电压越高开关损耗就越高。负载电流在1A以上时，低VIN效率会相对较高，因为开关损耗降低。图1：LM2673效率现在，你应当能够理解DC/DC稳压器设计中不同元件的损耗。根据你
2018-06-07 10:17:46
周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图1中的t1），源极电压（VGS）正接近MOSFET的阈值电压，VTH和漏电流为
2018-06-05 09:39:43
今天开始看电源界神作《开关电源设计》（第3版），发现第9页有个名词，叫“交流开关损耗”，不明白是什么意思，有没有哪位大虾知道它的意思啊？谢谢了！！
2013-05-28 16:29:18
请您介绍一下驱动器源极引脚是如何降低开关损耗的。首先，能否请您对使用了驱动器源极引脚的电路及其工作进行说明？Figure 4是具有驱动器源极引脚的MOSFET的驱动电路示例。它与以往驱动电路
2020-07-01 13:52:06
在第 3 部分中，我将全面介绍降压稳压器电路中影响 EMI 性能和开关损耗的感性和容性寄生元素。通过了解相关电路寄生效应的影响程度，可以采取适当的措施将影响降至最低并减少总体 EMI 信号。一般来说
2022-11-09 07:38:45
较高的高频电流，特别是在 MOSFET 开关期间。图 2：降压功率级和栅极驱动器的“剖析原理图”（包含感性和容性寄生元素）。有效高频电源回路电感 (LLOOP) 是总漏极电感 (LD)、共源电感 (LS)（即
2020-11-03 07:54:52
在功率电子(例如驱动技术)中，IGBT经常用作高电压和高电流开关。这些功率晶体管由电压控制，其主要损耗产生于开关期间。为了最大程度减小开关损耗，要求具备较短的开关时间。
2019-08-09 08:22:15
IGBT/功率 MOSFET 是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对
2018-11-01 11:35:35
图1：开关损耗让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容。在首个时段（图
2022-11-16 08:00:15
开关零损耗驱动
2023-06-25 06:24:20
栅极驱动器，其能够通过降低开关损耗帮助提升整体系统效率。当FET开关打开或关闭时，就会出现开关损耗。为了打开FET，栅极电容得到的电荷必须超过阈值电压。栅极驱动器的驱动电流能够有助于栅极电容的充电。驱动
2019-08-07 04:45:12
高速栅极驱动器可以实现相同的效果。高速栅极驱动器可以通过降低FET的体二极管的功耗来提高效率。体二极管是寄生二极管，对于大多数类型的FET是固有的。它由p-n结点形成并且位于漏极和源极之间。图1所示
2022-11-14 07:53:24
MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响，在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的，
2009-04-08 15:21:32
32 理解功率MOSFET的开关损耗
本文详细分析计算开关损耗，并论述实际状态下功率MOSFET的开通过程和自然零电压关断的过程，从而使电子工程师知道哪个参数起主导作用并
2009-10-25 15:30:593320 MOSFET才导通，因此同步MOSFET是0电压导通ZVS，而其关断是自然的0电压关断ZVS，因此同步MOSFET在整个开关周期是0电压的开关ZVS，开关损耗非常小，几乎可以忽略不计，所以同步MOSFET只有RDS(ON)所产生的导通损耗，选取时只需要考虑RDS（ON）而不需要考虑Crss的值。
2012-04-12 11:04:2359180 
Fairchild将在PCIM Asia上介绍如何通过打破硅“理论上”的限制
来将IGBT 开关损耗降低30%
2015-06-15 11:09:231029 为了有效解决金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）在通信设备直流-48 V缓启动应用电路中出现的开关损耗失效问题，通过对MOSFET 栅极电荷、极间电容的阐述和导通过程的解剖，定位了MOSFET 开关损耗的来源，进而为缓启动电路设计优化，减少MOSFET的开关损耗提供了技术依据。
2016-01-04 14:59:0538 FPGA平台实现最小开关损耗的SVPWM算法
2016-04-13 16:12:1110 基于DSP的最小开关损耗SVPWM算法实现。
2016-04-18 09:47:497 使用示波器测量电源开关损耗。
2016-05-05 09:49:380 当今世界，设计师们似乎永远不停地在追求更高效率。我们希望以更低的功率输入得到更高的功率输出!更高的系统效率需要团队的努力，这包括(但不限于)性能更高的栅极驱动器、控制器和新的宽禁带技术。特别是高电流栅极驱动器，其能够通过降低开关损耗帮助提升整体系统效率。当FET开关打开或关闭时，就会出现开关损耗。
2017-01-12 15:40:391010 
MOS门极功率开关元件的开关损耗受工作电压、电流、温度以及门极驱动电阻等因素影响，在测量时主要以这些物理量为参变量。但测量的非理想因素对测量结果影响是值得注意的，比如常见的管脚引线电感。本文在理论分析和实验数据基础上阐述了各寄生电感对IGBT开关损耗测量结果的影响。
2017-09-08 16:06:5221 MOSFET/IGBT的开关损耗测试是电源调试中非常关键的环节，但很多工程师对开关损耗的测量还停留在人工计算的感性认知上，PFC MOSFET的开关损耗更是只能依据口口相传的经验反复摸索，那么该如何量化评估呢？
2017-11-10 08:56:426345 1、CCM 模式开关损耗
CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式，DCM 模式很简单了。
2018-01-13 09:28:578162 
一个高质量的开关电源效率高达95％，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢？
2019-06-26 15:49:45721 一个高质量的开关电源效率高达95%，而开关电源的损耗大部分来自开关器件（MOSFET和二极管），所以正确的测量开关器件的损耗，对于效率分析是非常关键的。那我们该如何准确测量开关损耗呢？
2019-06-27 10:22:081926 同步整流降压转换器的同步开关（高边＋低边）是对VIN和GND电压进行切换（ON/OFF），该过渡时间的功率乘以开关频率后的值即开关损耗。
2020-04-06 10:51:00889 
功率MOSFET的开关损耗分析。
2021-04-16 14:17:0248 一、开关损耗包括开通损耗和关断损耗两种。开通损耗是指功率管从截止到导通时所产生的功率损耗；关断损耗是指功率管从导通到截止时所产生的功率损耗。二、开关损耗原理分析：(1)、非理想的开关管在开通时，开关
2021-10-22 10:51:0611 电源工程师知道，整个电源系统中开关MOS的损耗比不小. 讨论最多的是导通损耗和关断损耗，因为这两种损耗与传导损耗或驱动损耗不同，因为它很直观，所以有些人对其计算仍然有些困惑.今天，我们将详细分析
2021-10-22 17:35:5953 的图像。
图1：开关损耗
让我们先来看看在集成高侧MOSFET中的开关损耗。在每个开关周期开始时，驱动器开始向集成MOSFET的栅极供应电流。从第1部分，您了解到MOSFET在其终端具有寄生电容
2022-01-21 17:01:12831 
，热损耗极低。 开关设备极大程度上决定了SMPS的整体性能。开关器件的损耗可以说是开关电源中最为重要的一个损耗点，课件开关损耗测试是至关重要的。接下来普科科技PRBTEK就开关损耗测试方案中的探头应用进行介绍。 上图使用MSO5配合THDP0200及TCP003
2021-11-23 15:07:571095 开关过程中，穿越线性区（放大区）时，电流和电压产生交叠，形成开关损耗。其中，米勒电容导致的米勒平台时间，在开关损耗中占主导作用。
2023-01-17 10:21:00978 全SiC功率模块与现有的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。
2023-02-08 13:43:22673 
MOSFET和IGBT等的开关损耗问题，那就是带有驱动器源极引脚（所谓的开尔文源极引脚）的新封装。在本文——“通过驱动器源极引脚改善开关损耗”中，将介绍功率开关产品具有驱动器源极引脚的效果以及使用注意事项。
2023-02-09 10:19:18634 
通过驱动器源极引脚改善开关损耗本文的关键要点・目前ROHM有驱动器源极引脚的封装包括TO-247-4L和TO-263-7L两种。
2023-02-09 10:19:20540 
本文的关键要点・具备驱动器源极引脚，可以消除VLSOURCE对VGS_INT的影响。・具备驱动器源极引脚，可以提高导通速度。
2023-02-09 10:19:20405 
本文的关键要点・由于具有驱动器源极引脚的TO-247-4L封装和不具有驱动器源极引脚的TO-247N封装的引脚分配不同，因此在图案布局时需要注意。
2023-02-09 10:19:21356 
－接下来，请您介绍一下驱动器源极引脚是如何降低开关损耗的。首先，能否请您对使用了驱动器源极引脚的电路及其工作进行说明？Figure 4是具有驱动器源极引脚的MOSFET的驱动电路示例。
2023-02-16 09:47:49457 
从某个外企的功率放大器的测试数据上获得一个具体的感受：导通损耗60W开关损耗251。大概是1:4.5 下面是英飞凌的一个例子：可知，六个管子的总功耗是714W这跟我在项目用用的那个150A的模块试验测试得到的总功耗差不多。 导通损耗和开关损耗大概1:2
2023-02-23 09:26:4915 上一篇文章中探讨了同步整流降压转换器的功率开关--输出端MOSFET的传导损耗。本文将探讨开关节点产生的开关损耗。开关损耗：见文识意，开关损耗就是开关工作相关的损耗。在这里使用PSWH这个符号来表示。
2023-02-23 10:40:49622 
全SiC功率模块与现有的功率模块相比具有SiC与生俱来的优异性能。本文将对开关损耗进行介绍，开关损耗也可以说是传统功率模块所要解决的重大课题。
2023-02-24 11:51:28493 
MOSFET的栅极电荷（米勒电容）以及控制IC的驱动能力。本应用笔记将详细分析导通开关损耗以及选择开关P沟道MOSFET的标准。
2023-03-10 09:26:35556 
特别是高电流栅极驱动器，其能够通过降低开关损耗帮助提升整体系统效率。当FET开关打开或关闭时，就会出现开关损耗。为了打开FET，栅极电容得到的电荷必须超过阈值电压。
2023-04-08 09:19:29486 
CCM 模式与 DCM 模式的开关损耗有所不同。先讲解复杂 CCM 模式，DCM 模式很简单了。
2023-07-17 16:51:224671 
同步buck电路的mos自举驱动可以降低mos的开关损耗吗？ 同步buck电路的MOS自举驱动可以降低MOS的开关损耗 同步Buck电路是一种常见的DC/DC降压转换器，它具有高效、稳定、可靠的特点
2023-10-25 11:45:14522 使用SiC MOSFET时如何尽量降低电磁干扰和开关损耗
2023-11-23 09:08:34333 
正在加载...
电子发烧友App
工商网监
评论