基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。
2021-04-27 09:35:37
1195 意法半导体最先进的40V功率MOSFET可以完全满足EPS (电动助力转向系统)和EPB (电子驻车制动系统) 等汽车安全系统的机械、环境和电气要求。 这些机电系统必须符合汽车AEC Q101规范，具体而言，低压MOSFET必须耐受高温和高尖峰电流。
2019-08-09 07:28:08
化合物半导体在通讯射频领域主要用于功率放大器、射频开关、滤波器等器件中。砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）半导体分别作为第二代和第三代半导体的代表，相比第一代半导体高频性能、高温性能优异很多，制造成本更为高昂，可谓是半导体中的新贵。
2019-09-11 11:51:19
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET
2018-11-27 16:40:24
问题。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不会发生这类问题）ROHM通过开发不会扩大堆垛层错的独特工艺，成功地确保了体二极管通电的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET产品中，实施了
2018-11-30 11:30:41
。 首先，在SiC-MOSFET的组成中，发挥了开关性能的优势实现了Si IGBT很难实现的100kHz高频工作和功率提升。另外，第二代（2G）SiC-MOSFET中，由2个晶体管并联组成了1个开关
2018-11-27 16:38:39
（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关，需要能够应对不断发展的市场的新型驱动和转换解决方案。由于其优异的热特性，SiC器件在各种应用中代表了优选的解决方案，例如汽车领域的功率驱动电路。SiC
2019-07-30 15:15:17
设计得低，开启电压也可以做得低一些，但是这也将导致反向偏压时的漏电流增大。ROHM的第二代SBD通过改进制造工艺，成功地使漏电流和恢复性能保持与旧产品相等，而开启电压降低了约0.15V。SiC
2019-03-14 06:20:14
设计得低，开启电压也可以做得低一些，但是这也将导致反向偏压时的漏电流增大。ROHM的第二代SBD通过改进制造工艺，成功地使漏电流和恢复性能保持与旧产品相等，而开启电压降低了约0.15V。SiC
2019-04-22 06:20:22
时间trr快（可高速开关）・trr特性没有温度依赖性・低VF（第二代SBD）下面介绍这些特征在使用方面发挥的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比，大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为
2019-03-27 06:20:11
二极管的恢复损耗非常小。主要应用于工业机器电源、高效率功率调节器的逆变器或转换器中。2. 标准化导通电阻SiC的绝缘击穿场强是Si的10倍，所以能够以低阻抗、薄厚度的漂移层实现高耐压。因此，在相同的耐压值
2019-05-07 06:21:55
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管（以下SiC SBD）的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压，并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品
2018-12-03 15:12:02
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
。SiC半导体的功率元器件SiC-SBD（肖特基势垒二极管）和SiC-MOSFET已于2010年＊1量产出货，SiC的MOSFET和SBD的“全SiC”功率模块也于2012年＊1实现量产。此时，第二代
2018-11-29 14:39:47
半导体二极管的伏安特性是什么？
2021-06-15 06:17:58
请问图片是意法的什么元件，上面的丝印具体信息是什么，有能替代的吗，查了资料没找到这个型号，谢谢
2022-05-16 23:20:58
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-6-4 14:34 编辑
任命Jean-Marc Chery为意法半导体管理委员会唯一成员，出任总裁兼首席执行官中国，2018年6月4日
2018-06-04 14:28:11
功率放大器以及商用和工业系统的功率放大器。意法半导体与远创达的合作协议将扩大意法半导体LDMOS产品的应用范围。协议内容保密，不对外披露。 相关新闻MACOM和意法半导体将硅上氮化镓推入主流射频市场
2018-02-28 11:44:56
：STM）公布截至2018年6月30日的第二季度财报（按照美国通用会计准则制定）。2018年第二季度净营收和毛利率均高于公司上个季度财报业务展望的中位数。意法半导体第二季度财报净营收为22.7亿美元，毛利率
2018-07-26 17:11:14
• 意法半导体嵌入式软件包集成Sigfox网络软件，适用于各种产品，按照物联网应用开发人员的需求专门设计 • 使用STM32微控制器、超低功耗射频收发器、安全单元、传感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
解决方案·低压伺服驱动解决方案·基于SiC的光伏逆变器DC-AC解决方案·8通道IO-Link主站解决方案
▌峰会议程
▌参会福利
1、即日起-9月27日，深圳用户报名预约【意法半导体工业峰会2023
2023-09-11 15:43:36
鼓励其他大学的教授改编补充这套课程。 这套由8个自定进度的教程组成的入门课程围绕意法半导体的SensorTile设计。SensorTile是一个独一无二的具有物联网功能的实时嵌入式系统，集成在一个只有
2018-02-09 14:08:48
还有丰富的功能，能够评测最新一代高分辨率工业级MEMS传感器，例如，意法半导体最近推出具16位加速度计输出和 12位温度输出的IIS3DHHC 三轴低噪加速度计。在开启项目前，用户先将目标传感器模块插入
2018-05-22 11:20:41
中国，2018年4月10日 ——意法半导体的STLQ020低压差（LDO）稳压器可以缓解在静态电流、输出功率、动态响应和封装尺寸之间权衡取舍的难题，为设计人员带来更大的自由设计空间。集小尺寸、高性能
2018-04-10 15:13:05
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体（STMicroelectronics，简称ST；纽约证券交易所代码：STM） 推出汽车级六轴惯性传感器ASM330LHH ，为先进的车载导航
2018-07-17 16:46:16
中国，2018年10月10日——意法半导体推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代码烧写及调试探针，进一步改进代码烧写及调试灵活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存储
2018-10-11 13:53:03
二极管(SPAD)光接受器，让意法半导体的FlightSense传感器具有无论比的测距速度和可靠性。此外，940nm非可见光发射器消除了发射闪烁光的问题，可隐藏在保护窗口后面，不影响测距性能
2018-03-20 10:40:56
意法半导体已将其 STM32Cube.AI 机器学习开发环境放入云中，并配有可云访问的意法半导体MCU板进行测试。这两个版本都从TensorFlow，PyTorch或ONNX文件为STM32微控制器
2023-02-14 11:55:49
微机电系统(MEMS)感测器制造技术迈入新里程碑。意法半导体(ST)宣布成功结合面型微加工(Surface-micromachining)和体型微加工(Bulk-micromachining)制程
2020-05-05 06:36:14
`中国，5月28日—— 横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供货商意法半导体（ STMicroelectronics ，简称 ST ；纽约证券交易所代码： STM ）发布 了2018 年可持续发展
2018-05-29 10:32:58
横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics，简称ST;)发布一款创新的显示屏背光LED控制器芯片。新产品可简化手机与其它便携电子产品的电路设计，为
2011-11-24 14:57:16
本帖最后由 Mrblue 于 2015-11-30 14:55 编辑
近日，Intel在超级计算机大会上正式展示出其第二代高性能计算产品Knights Landing Xeon Phi，强大
2015-11-30 14:54:14
`Raspberry Pi基金会今天发布第二代树莓派—— Raspberry Pi ，树莓派2外形看起来跟树莓派B+一样一样的，配置主要就是升级了CPU (900M4核ARM v7)和内存(1G
2015-02-02 21:56:26
μA，故该芯片对低功耗电池供电系统非常有吸引力。其中还嵌入了多项安全特性以保护代码，并有一个硬件加速器用于加密功能。 使用场景的选择 第二代可穿戴设备有很多用途。传感器可以集成到智能手表中，但包括
2018-09-21 11:46:21
AN15261基于CYWUSB6934将无线USB LS设计移植到无线USB LP。第二代无线电具有第一代无线电中不存在的其他强大功能：更高的传输比特率，更低的接收灵敏度，更高的最大发射功率，专用的发送和接收缓冲器以及自动CRC
2019-07-19 09:05:47
FLIR第二代热像仪ADK有哪些特点？FLIR第二代热像仪ADK有哪些功能？
2021-07-11 07:27:39
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
GHz IEEE 802.15.4/RF4CE/ZigBee（具有范围扩展器）的第二代片上系统解决方案4 层设计天线分集工作电压为 2.2V 至 3.6VPCB 天线
2018-12-13 11:42:00
智能电表芯片单片集成开发智能电表所需的全部重要功能，能够满足多个智能电网市场的需求。这些电表连接消费者和供电公司，提供实时电能计量和用电数据分析功能。意法半导体亚太区功率分立器件和Sub Analog
2018-03-08 10:17:35
ST意法半导体意法半导体拥有48,000名半导体技术的创造者和创新者，掌握半导体供应链和先进的制造设备。作为一家半导体垂直整合制造商(IDM)，意法半导体与二十多万家客户、成千上万名合作伙伴一起研发
2022-12-12 10:02:34
``首先感谢罗姆公司提供的开发板试用机会，本人作为高校学生，一直从事电源管理方向的研究，想向大功率的方向发展。SiC作为第三代半导体为功率电子的发展提供了很大的潜力，现在比较成熟的SiC器件制造厂商
2020-05-19 16:03:51
第二代导航卫星系统与第一代导航卫星系统在体制上的差别主要是：第二代用户机可免发上行信号，不再依靠中心站电子高程图处理或由用户提供高程信息，而是直接接收卫星单程测距信号自己定位，系统的用户容量不受限制，并可提高用户位置隐蔽性。
2019-08-14 07:06:41
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
什么是堆叠式共源共栅？低阻抗功率半导体开关有哪些关键特性？低阻抗功率半导体开关有哪些应用优势？
2021-06-26 06:14:32
SiC-MOSFET的量产。SiC功率模块已经采用了这种沟槽结构的MOSFET，使开关损耗在以往SiC功率模块的基础上进一步得以降低。右图是基于技术规格书的规格值，对1200V/180A的IGBT模块、采用第二代
2018-11-27 16:37:30
了厚实的研发设计能力，同时还建立全流程的封装测试产线（涵盖封装测试、成品测试等多项）。为客户提供MOSFET、SiC、功率二极管及整流桥等高品质的半导体分立器件产品。MDD致力满足客户高品质需求，目前产品
2022-11-11 11:50:23
包括车载在内的各种应用中的采用。SiC-SBD具有以下特征。当前的SiC-SBD・反向恢复时间trr快（可高速开关）・trr特性没有温度依赖性・低VF（第二代SBD）下面介绍这些特征在使用方面发挥
2018-12-04 10:26:52
。 最后，与IGBT相比，功率MOSFET的通态损耗低，尤其是在低电流时更为显着;关断能耗低，但导通能耗较高。加快体硅二极管的反向恢复速度与所用技术工艺有关。 3 意法半导体的电机控制功率开关技术 为
2018-11-20 10:52:44
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
据开芯院首席科学家包云岗介绍，第二代“香山”于2022年6月启动工程优化，同年9月研制完毕，计划2023年6月流片，性能超过2018年ARM发布的Cortex-A76，主频2GHz@14nm
2023-05-28 08:41:37
我想用第二代电流传输器或者OTA做滤波器用，它们两个怎么将原理图封装为电路符号，用什么软件？
2018-07-04 09:25:02
`驱动之家[原创] 作者：永辉 编辑：永辉 2011-01-10 11:32:46 31266 人阅读来自苹果皮520官方论坛的消息，在苹果皮520上市之后发现很多不足之后，苹果皮520第二代产品
2011-02-23 10:39:26
，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件。②SiC功率元器件SiC是在热、化学、机械方面都非常稳定的化合物半导体，对于功率元器件来说的重要参数都非常优异。作为元件，具有优于Si
2017-07-22 14:12:43
求分享USB3.1第二代应用的ESD解决方案
2022-01-14 07:35:38
应的SiC-MOSFET一览表。有SCT系列和SCH系列，SCH系列内置SiC肖特基势垒二极管，包括体二极管的反向恢复特性在内，特性得到大幅提升。一览表中的SCT3xxx型号即第三代沟槽结构SiC-MOSFET
2018-12-05 10:04:41
设计得低，开启电压也可以做得低一些，但是这也将导致反向偏压时的漏电流增大。ROHM的第二代SBD通过改进制造工艺，成功地使漏电流和恢复性能保持与旧产品相等，而开启电压降低了约0.15V。SiC
2019-05-07 06:21:51
一、化合物半导体应用前景广阔，市场规模持续扩大 化合物半导体是由两种及以上元素构成的半导体材料，目前最常用的材料有GaAs、GaN以及SiC等，作为第二代和第三代半导体的主要代表，因其在高功率
2019-06-13 04:20:24
大家好，首次发帖。本人为意法半导体工程师，因为下面一个molding工程师要辞职，继续补充新鲜血液。要求：一.熟悉molding制程，需特别熟悉molding compound的性能为佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53
• 上市周期短（距第3代不到2年）意法半导体沟槽技术：长期方法• 意法半导体保持并巩固了领先地位• 相比现有结构的重大工艺改良• 优化和完善的关键步骤
2023-09-08 06:33:00
白皮书
第二代ClearClock™三次泛音晶体振荡器
在这份全新的白皮书中，我们讨论了最新一代超低抖动三次泛音晶体振荡器的特点、优势、性能和特性，这些振荡器旨在为各种高速应用提供稳定准确的时钟信号
2023-09-13 09:51:52
充电器、电机和太阳能逆变器，不仅可以从这些新器件中受益匪浅，不仅在效率上，而且在尺寸上，可实现高功率、高温操作。但是，不仅器件的特性让人对新设计充满好奇，也是意法半导体的战略。碳化硅（SiC）技术是意
2023-02-24 15:03:59
评估，以改善动态特性和可靠性，并开发有助于实现碳中和的更具吸引力的高性能功率半导体器件。新研发的格子花纹嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意图1,2kV级SiC MOSFET特性对比
2023-04-11 15:29:18
应用领域。更多规格参数及封装产品请咨询我司人员！附件是海飞乐技术碳化硅二极管选型表，欢迎大家选购！碳化硅（SiC）半导体材料是自第一代元素半导体材料（Si、Ge）和第二代化合物半导体材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
已经成为全球最大的半导体消费国，半导体消费量占全球消费量的比重超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国
2021-03-25 14:09:37
(SiC)、氮镓(GaN)为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料，由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点，与刚石等半导体材料一起，被誉为是继第一代Ge、Si半导体材料、第二代GaAs
2017-06-16 10:37:22
专利和商标局注册。相关新闻意法半导体的新STM32探索套件简化移动网至云端连接，并提供免费试用的第三方服务意法半导体(ST)新系列STM32L4+微控制器让下一代智能产品“吃得少，干得多”意法半导体
2018-07-09 10:17:50
特别给力但足够用了。节选自：次世代安卓旗舰 谷歌Nexus 7二代评测 作者：付涛整体性能 第2段相关产品：Google Nexus 7（第二代/32GB） 回归常规评测的套路，我们使用安兔兔系统评测
2013-08-12 17:22:08
本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗
2019-03-18 23:16:12
第二代半导体材料的代表，GaAs和传统Si相比，有直接带隙、光电特性优越的特点，是良好的光电器件和射频器件的材料。GaAs器件也曾被认为是计算机CPU芯片的理想材料，上世纪末一些公司曾有深入的研究并取得
2017-02-22 14:59:09
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子集团今日宣布推出15款第二代新型多相数字控制器和6款SPS，可支持10A至1000A以上的负载电流，适用于先进的CPU、FPGA、GPU和面向物联网基础设施系统
2020-11-26 06:17:51
°C。系统可靠性大大增强，稳定的超快速本体二极管，因此无需外部续流二极管。三、碳化硅半导体厂商SiC电力电子器件的产业化主要以德国英飞凌、美国Cree公司、GE、ST意法半导体体和日本罗姆公司、丰田
2023-02-20 15:15:50
意法半导体官方的库怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
罗姆日前发布了耐压为1200V的第二代SiC制MOSFET产品（图1）。特点是与该公司第一代产品相比提高了可靠性、降低了单位面积的导通电阻，以及备有将SiC制肖特基势垒二极管（SBD）和SiC制
2012-06-18 09:58:531592 CREE第二代SiCMOSFET驱动电路原理图及PCB板设计电路原理图光耦隔离电路和功率放大电路原理图隔离电源电路原理图PCB layout第一层layout第二层layout（负电层）第三层
2021-11-08 14:51:01
43 什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 显然特斯拉用的是意法半导体2018年的第二代SiC MOSFET产品，第四代产品目前还没有推出。沟槽型是发展方向，但意法半导体要到2025年才开始推出。
2023-03-14 11:22:391450 了坚实基础，同时也标志着瞻芯电子碳化硅晶圆厂迈进新的阶段。 产品特性 瞻芯电子开发的第二代SiC MOSFET产品驱动电压(Vgs)为15-18V，
2023-08-21 09:42:121285 
材料领域中，第一代、第二代、第三代没有“一代更比一代好”的说法。氮化镓、碳化硅等材料在国外一般称为宽禁带半导体。 将氮化镓、氮化铝、氮化铟及其混晶材料制成氮化物半导体，或将氮化镓、砷化镓、磷化铟制成
2023-09-12 16:19:271932 
近期，科技巨头三星半导体做出了一个引人注目的决策：将其“第二代3纳米”工艺正式更名为“2纳米”。
2024-03-06 13:42:14316 3月8日，瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证，这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与技术突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 第二代碳化硅MOSFET系列器件，比上一代器件在比导通电阻、开关损耗以及可靠性等方面性能更加出色。 碳化硅MOSFET器件具有高的击穿电压强度，更低的损耗和
2023-05-29 10:16:48
车载充电机（On-Board Charger，简称为OBC）的基本功能是：电网电压经由地面交流充电桩、交流充电口，连接至车载充电机，给车载动力电池进行慢速充电。基本半导体第二代SiC碳化硅
2023-08-17 10:07:23
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