PWM的死区时间到底是什么如何计算死区时间

　　什么是死区时间？

　　数据手册的参数

　　如何计算合理的死区时间？

　　STM32中配置死区时间

　　什么是死区时间？PWM是脉冲宽度调制，在电力电子中，最常用的就是整流和逆变。这就需要用到整流桥和逆变桥。

　　对三相电来说，就需要三个桥臂。以两电平为例，每个桥臂上有两个电力电子器件，比如IGBT。大致如下图所示；

　　这两个IGBT不能同时导通，否则就会出现短路的情况，从而对系统造成损害。

　　那为什么会出现同时导通的情况呢？

　　因为开关元器件的 和 严格意义并不是相同的。

　　所以在驱动开关元器件门极的时候需要增加一段延时，确保另一个开关管完全关断之后再去打开这个开关元器件，通常存在两种情况；

　　上半桥关断后，延迟一段时间再打开下半桥；

　　下半桥关断后，延迟一段时间再打开上半桥；

　　这样就不会同时导通，从而避免功率元件烧毁；死区时间控制在通常的单片机所配备的PWM中都有这样的功能，下面会进一步介绍。

　　相对于PWM来说，死区时间是在PWM输出的这个时间，上下管都不会有输出，当然会使波形输出中断，死区时间一般只占百分之几的周期。但是当PWM波本身占空比小时，空出的部分要比死区还大，所以死区会影响输出的纹波，但应该不是起到决定性作用的。

　　另外如果死区设置过小，但是仍然出现上下管同时导通，因为导通时间非常非常短，电流没有变得很大，不足以烧毁系统，那此时会导致开关元器件发热严重，所以选择合适的死区时间尤为重要，过大过小都不行。

　　数据手册的参数这里看了一下NXP的IRF540的数据手册，栅极开关时间如下所示；

　　典型参数

　　：门极的开通延迟时间

　　：门极的关断延迟时间

　　：门极上升时间

　　：门极下降时间

　　下面是一个IGBT的数据手册；

　　开关属性

　　如何计算合理的死区时间？这里用 表示死区时间，因为门极上升和下降时间通常比延迟时间小很多，所以这里可以不用考虑它们。则死区时间满足；

　　：最大的关断延迟时间；

　　：最小的开通延迟时间；

　　：最大的驱动信号传递延迟时间；

　　：最小的驱动信号传递延迟时间；

　　其中 和 正如上文所提到的可以元器件的数据手册中找到； 和 一般由驱动器厂家给出；

　　如果是MCU的IO驱动的话，需要考虑IO的上升时间和下降时间，另外一般会加光耦进行隔离，这里还需要考虑到光耦的开关延时。

　　STM32中配置死区时间STM32的TIM高级定时器支持互补PWM波形发生，同时它支持插入死区时间和刹车的配置。

　　直接看参考手册里的寄存器TIMx_BDTR，这是配置刹车和死区时间的寄存器；

　　TIMx_BDTR

　　可以看到死区时间DT由**UTG［7：0］**决定，这里还有一个问题是 是什么？在TIMx_CR1的寄存器可以得知， 由TIMx_CR1寄存器的CKD决定；

　　如果这里配置成00，那么 和内部定时器的频率相同，为8M；

　　CKD

　　结合代码做一下计算；系统频率为72M，下面是时基单元的配置；

　　#define PWM_FREQ （（u16） 16000） // in Hz （N.b.： pattern type is center aligned）#define PWM_PRSC （（u8）0）#define PWM_PERIOD （（u16） （CKTIM / （u32）（2 * PWM_FREQ *（PWM_PRSC+1））））

　　TIM_TimeBaseStructInit（&TIM1_TimeBaseStructure）; /* Time Base configuration */ TIM1_TimeBaseStructure.TIM_Prescaler = 0x0; TIM1_TimeBaseStructure.TIM_CounterMode = TIM_CounterMode_CenterAligned1; TIM1_TimeBaseStructure.TIM_Period = PWM_PERIOD; TIM1_TimeBaseStructure.TIM_ClockDivision = TIM_CKD_DIV2;

　　PWM的频率是16K，注意这里的PWM是中央对齐模式，因此配置的时钟频率为32K;

　　下面时刹车和死区时间，BDTR寄存器的配置，因此这里的CK_INT为32M

　　#define CKTIM （（u32）72000000uL） /* Silicon running at 72MHz Resolution： 1Hz */#define DEADTIME_NS （（u16） 500） //in nsec; range is ［0.。.3500］#define DEADTIME （u16）（（unsigned long long）CKTIM/2 *（unsigned long long）DEADTIME_NS/1000 000 000uL）

　　TIM1_BDTRInitStructure.TIM_OSSRState = TIM_OSSRState_Enable; TIM1_BDTRInitStructure.TIM_OSSIState = TIM_OSSIState_Enable; TIM1_BDTRInitStructure.TIM_LOCKLevel = TIM_LOCKLevel_1; TIM1_BDTRInitStructure.TIM_DeadTime = DEADTIME; TIM1_BDTRInitStructure.TIM_Break = TIM_Break_Disable; TIM1_BDTRInitStructure.TIM_BreakPolarity = TIM_BreakPolarity_High; TIM1_BDTRInitStructure.TIM_AutomaticOutput = TIM_AutomaticOutput_Disable;

　　例：若TDTS = 31ns（32MHZ），可能的死区时间为：0到3970ns，若步长时间为31ns；4000us到8us，若步长时间为62ns；8us到16us，若步长时间为250ns；16us到32us，若步长时间为500ns；

　　如果需要配置死区时间 1000ns，系统频率72，000，000Hz，那么需要配置寄存器的值为；

　　直接写成宏定义的形式；

　　#define DEADTIME （u16）（（unsigned long long）CKTIM/2 *（unsigned long long）DEADTIME_NS/1000 000 000uL）