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电子发烧友网>电源/新能源>仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性

仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性

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英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET,标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267

华润微电子正式发布1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管功率器件

2020年7月4日 华润微电子(CR MICRO)正式向市场投入1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管功率器件产品系列,与此同时宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。 华润微电子
2020-07-04 22:28:507770

简述仿真世界650V混合SiC单管的开关特性

前言背景: 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:202346

650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比

650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告,电动汽车充电市场的增长将非常强劲,高达59%。
2022-08-02 15:06:55614

650V混合SiC单管的开关特性

英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538

Wolfspeed扩展AEC-Q101车规级SiC MOSFET推出650V E3M系列产品

Wolfspeed 新款车规级 E-系列(E3M)650V、60 mΩ MOSFET 系列帮助设计人员满足 EV 车载充电机应用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技术
2022-11-07 09:59:21917

650V耐压IGBT RGTV/RGW系列介绍

ROHM最近新推出650V耐压IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速开关型)”共21种机型,该系列产品同时实现了业界顶级的低传导损耗和高速开关特性,并大大减少了开关时的过冲。
2023-02-09 10:19:25723

Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管

Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:57300

开关电源设计优质选择 Vishay威世科技第三代650V SiC二极管

Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay  推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358

未来智能城市的动力引擎:润新微电子的650V GaN功率晶体管(FET)

功率晶体管与标准门极驱动器兼容,方便集成到现有系统中。 优秀的性能:具备出色的功率损耗特性,显著降低能量损失,提高系统效率。 无需自由轮二极管:由于650V GaN功率晶体管的特性,无需额外添加自由轮二极管,简化了系统设计。 低开关损耗:采用先进的GaN技术,650V GaN功率晶体管具有较低
2023-06-12 16:38:34688

AMEYA360:罗姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN™ 650V E模式GaN FET

保护和出色的散热性能,方便安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。文章来源:http://www.ameya360.com/hangye/109156.html 特性650V E模式GaN FET
2023-06-19 15:09:18273

新品 | 采用650V逆导型R6系列IGBT3千瓦半桥感应加热评估板

新品EVAL-IHW65R62EDS06J这块感应加热半桥评估板采用新一代650V逆导型R6系列IGBT和SOI技术的EiceDRIVERIGBT驱动器,产品针对100kHz的谐振开关应用感应
2022-03-01 09:32:40558

探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性

二极管的双极电荷影响较小。本文探讨了SiC MOSFET的独有特性以及影响体二极管关断特性的多个影响因素,并且阐明了快速开关应用中SiC MOSFET的反向恢复损耗概
2023-01-04 10:02:071113

探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性

探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性
2023-01-12 14:33:03991

为快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二极管

圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27521

浅析24W开关电源芯片U6773D内置5A 650V MOS

开关电源芯片U6773D内置5A 650V 的MOS,支持准谐振降压型LED恒流、恒压输出应用,仅需将SEL管脚短接到GND管脚即可。
2023-07-18 15:48:01612

SIC977X系列高功率因素非隔离智能降电流去COMP/VDD

Ω    650V       SOP7                SIC9773      0.9         4.5Ω    650V       SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:37264

SLP12N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:06:570

SLP10N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:12:250

SLP8N65C美浦森高压MOSFET 650V 7.5A

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2022-04-29 14:30:151

SLP5N65C美浦森高压MOSFET 650V 4.5A

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2022-04-29 14:33:490

SVSP11N65DD2 11A,650V士兰微超结MOS-士兰微mos管规格书

供应SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:17:061

瞻芯电子推出第二代650V车规级TO263-7封装助力高效高密应用

近日,瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证,该产品采用TO263-7贴片封装,具有体积较小,安装简便,损耗更低的特点。
2024-01-16 10:16:24770

瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证

3月8日,瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:38287

瞻芯电子第二代650V SiC MOSFET产品通过车规级可靠性认证

近日,瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证,这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与技术突破。
2024-03-12 11:04:24260

瞻芯电子推出三款第二代650V SiC MOSFET产品

瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品,这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified),还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出,标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

介绍一款用于光伏储能充电桩的50A 650V TO-247封装IGBT单管

本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管;
2024-03-15 14:26:07187

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