年相比）SiC成长10倍，GaN翻至60倍，Si增长45.1％。 该机构指出，SiC功率半导体市场主要在中国和欧洲扩张，从2017年~2018年，SiC增长41.8％至3.7亿美元。目前，SiC-SBD（肖特基势垒二极管）占70％，并且主要在信息和通信设备领域需求增加。6英寸晶圆的推出使得成本降低，预计将进一
2019-06-25 11:22:42
7827 GaN中游我们可以将其分为器件设 计、晶圆制造、封装测试三个部分。 作为化合物半导体的一类，与SiC类似，全球产能普遍集中在IDM厂商上，不过相比于SiC，GaN在设计和制造环节正在往垂直分工的模式
2022-07-18 01:59:454002 在未来十年，受电源、光伏（PV）逆变器以及工业电动机的需求驱动，新兴的碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率半导体市场将以18%的惊人速度稳步增长。据有关报告称，至2022年SiC和GaN功率半导体
2013-04-26 10:10:041532 SiC、GaN等下一代功率器件的企业有所增加，为数众多的展示吸引了各方关注。SiC和GaN也变得不再是“下一代”。
2013-07-09 09:46:493475 市场研究机构IHS最新统计报告指出，随着愈来愈多供应商推出产品，2015年碳化矽（SiC）功率半导体平均销售价格已明显下滑，有望刺激市场加速采 用；与此同时，氮化镓（GaN）功率半导体也已开始
2016-03-24 08:26:111305 （SiC）和氮化镓（GaN）占有约90％至98％的市场份额。供应商。WBG半导体虽然还不是成熟的技术，但由于其优于硅的性能优势（包括更高的效率，更高的功率密度，更小的尺寸和更少的冷却），正在跨行业进军。 使用基于SiC或GaN的功率半导体来获
2021-04-06 17:50:533168 
电力电子将在未来几年发展，尤其是对于组件，因为 WBG 半导体技术正变得越来越流行。高工作温度、电压和开关频率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。从硅到 SiC 和 GaN 组件的过渡标志着功率器件发展和更好地利用电力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41761 
碳化硅 (SiC) MOSFET 和氮化镓 (GaN) HEMT 等宽带隙 (WBG) 功率器件的采用目前正在广泛的细分市场中全面推进。在许多情况下，WBG 功率器件正在取代它们的硅对应物，并在
2022-07-29 14:09:53807 
在很宽的范围内实现对器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被认为是有望超越硅极限的功率器件材料。SiC具有多种多型（晶体多晶型），并且每种多型显示不同的物理特性。对于功率器件，4H-SiC被认为是理想的，其单晶4英寸到6英寸之间的晶圆目前已量产。
2022-11-22 09:59:261373 超结（SJ）硅MOSFET自1990年代后期首次商业化用于功率器件应用领域以来，在400–900V功率转换电压范围内取得了巨大成功。参考宽带隙（WBG）、碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）功率器件，我们将在本文中重点介绍其一些性能特性和应用空间。
2023-06-08 09:33:241389 
全球范围内5G技术的迅猛发展，为氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）功率半导体制造商提供新的增长前景。2020年，GaN和SiC功率半导体市场规模为7亿美元，预计2021年至2027年的复合年增长率
2021-05-21 14:57:182257 GaN 和 SiC 器件在某些方面相似，但有显着差异。
2021-11-17 09:06:184236 
近日，国内第三代半导体新锐企业芯塔电子正式宣布推出新一代1200V 40-80mΩ SiC MOSFET，器件各项性能达到国际领先水平。此举标志着芯塔电子在第三代半导体领域取得了重大进展，进一步
2022-08-29 15:08:57879 
电子发烧友网报道（文/梁浩斌）在我们谈论第三代半导体的时候，常说的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET（金属-氧化物半导体场效应晶体管），而氮化镓功率器件最普遍的则是GaN HEMT（高电子
2023-12-27 09:11:361219 的设计人员面临几个相冲突的业界挑战，从新的USB Type C连接和USB PD (电力输送) 的输出是否符合法定的能效标准，一直到成本等相关问题。纳微的单芯片GaN功率IC可同时达到高速运作及高效率
2017-09-25 10:44:14
继第一代和第二代半导体技术之后发展起来的第三代宽禁带半导体材料和器件，是发展大功率、高频高温、抗强辐射和蓝光激光器等技术的关键核心。因为第三代半导体的优良特性，该半导体技术逐渐成为了近年来半导体研究
2023-06-25 15:59:21
半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
基于碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等宽带隙(WBG)半导体的新型高效率、超快速功率转换器已经开始在各种创新市场和应用领域攻城略地——这类应用包括太阳能光伏逆变器、能源存储、车辆电气化（如充电器
2019-07-31 06:16:52
一样，商用SiC功率器件的发展走过了一条喧嚣的道路。本文旨在将SiC MOSFET的发展置于背景中，并且 - 以及器件技术进步的简要历史 - 展示其技术优势及其未来的商业前景。 碳化硅或碳化硅的历史
2023-02-27 13:48:12
新型和未来的 SiC/GaN 功率开关将会给方方面面带来巨大进步，从新一代再生电力的大幅增加到电动汽车市场的迅速增长。其巨大的优势——更高功率密度、更高工作频率、更高电压和更高效率，将有助于实现更紧
2018-10-30 11:48:08
具备所有必要的技术特性，采用16引脚宽体SOIC封装。它们可以对基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器的高速复杂多层控制环路进行管理。[color=rgb(51, 51, 51) !important
2019-07-16 23:57:01
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。如果
2019-05-07 06:21:55
）工作频率的高频化，使周边器件小型化（例：电抗器或电容等的小型化）主要应用于工业机器的电源或光伏发电的功率调节器等。2. 电路构成现在量产中的SiC功率模块是一种以一个模块构成半桥电路的2in1类型
2019-05-06 09:15:52
，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为合适
2019-07-23 04:20:21
不具备足够的坚固性。当前对大功率、高温器件封装技术的大量需求引起了对这一领域的研发热潮。 SiC器件的封装衬底必须便于处理固态铜厚膜导电层，且具有高热导率和低热膨胀系数，从而可以把大尺寸SiC芯片直接焊接到衬底上
2018-09-11 16:12:04
进行介绍。SiC功率元器件的开发背景之前谈到，通过将SiC应用到功率元器件上，实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率元器件上的一大理由。其背景是为了促进解决全球
2018-11-29 14:35:23
，从而支持每次充电能续航更远的里程。车载充电器(OBC)和牵引逆变器现在正使用宽禁带(WBG)产品来实现这一目标。碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)是宽禁带材料，提供下一代功率器件的基础。与硅相比
2020-10-27 09:33:16
半导体相比，损耗更低，高温环境条件下工作特性优异，有望成为新一代低损耗元件的“碳化硅（SiC）功率元器件”。SiC半导体已经开始实际应用，并且还应用在对品质可靠性要求很严苛的车载设备上。提起SiC，可能在
2018-11-29 14:39:47
国际销售总监-深圳职位描述岗位基本职责：带领团队开展国际市场开拓及目标销售任务的完成。要求：1、本科及以上学历，国际贸易或理工科等相关专业。2、在大型设备、机器人、智能玩具等行业国际业务相同岗位二年
2015-06-12 15:40:53
求助大家，我是一名新手，如果组建一个车辆牵引逆变器软件开发团队，一般需要几个人，怎么分工谢谢，底层架构为dsp+fpga+arm。
2017-11-16 22:06:29
我要组建一支智能家电开发团队，有兴趣的工程师们可以联系我本人QQ1548116357，联系电话***
2014-10-30 20:33:43
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶体管，旨在满足P波段雷达系统的独特需求。它在整个420-450 MHz频率范围内运行。 在100毫秒以下，10％占空比脉冲条件
2021-04-01 10:35:32
，如何提高它们的效率已成为全球性的社会问题。而功率元器件是提高它们效率的关键，SiC和GaN等新材料在进一步提升各种电源效率方面被寄予厚望。ROHM和ApexMicrotechnology在功率电子和模拟
2023-03-29 15:06:13
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 编辑
亲爱的电子发烧友小伙伴们！罗姆作为 SiC 功率元器件的领先企业，自上世纪 90 年代起便着手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
金属有机物化学气相淀积(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技术而制成。GaN-on-SiC 方法结合了GaN 的高功率密度功能与SiC 出色的导热性和低射频损耗。这就是GaN-on-SiC 成为高
2019-08-01 07:24:28
--- QPA2212和QPA1022，它们适合国际Ka频段的卫星通信应用与X频段的相控阵雷达应用。这些解决方案提供的功率、线性度和效率可达到行业最高水平，且体积更小，因此这两款器件既能提高系统性能，又能降低成本。
2019-09-11 11:51:15
元件来适应略微增加的开关频率，但由于无功能量循环而增加传导损耗［2］。因此，开关模式电源一直是向更高效率和高功率密度设计演进的关键驱动力。 基于 SiC 和 GaN 的功率半导体器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
的材料特性，各自都有各自的优点和不成熟处，因此在应用方面有区别 。一般的业界共识是：SiC适合高于1200V的高电压大功率应用；GaN器件更适合于40-1200V的高频应用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD（肖特基势垒二极管 ）、SiC-MOSFET之后，来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇，想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
在过去的十多年里，行业专家和分析人士一直在预测，基于氮化镓(GaN)功率开关器件的黄金时期即将到来。与应用广泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更强的功耗处理能力
2019-06-21 08:27:30
成熟销售团队，多个成功经验，研发团队组建设***中，1、***嵌入式软件工程师（医疗美容可穿戴产品） 2、***硬件/电子电路设计工程师（医疗美容可穿戴产品） 坐标：上海成熟项目规划，研发团队***中，招全职工程师或（技术入股合伙人），联系：QQ：593042248
2019-04-27 16:34:53
本人主要从事电子产品硬件的设计开发，业余有一定时间不想荒废，目前有意向组建一个技术团队。初衷如下： 1. 多结识一些志同道合的朋友，大家在技术、市场和创业等方面可以多交流； 2. 开拓市场并合
2012-02-19 18:21:12
本人主要从事电子产品硬件的设计开发，业余有一定时间不想荒废，目前有意向组建一个技术团队。初衷如下： 1. 多结识一些志同道合的朋友，大家在技术、市场和创业等方面可以多交流； 2. 开拓市场并合
2012-02-19 18:25:55
本人主要从事电子产品硬件的设计开发，业余有一定时间不想荒废，目前有意向组建一个技术团队。初衷如下： 1. 多结识一些志同道合的朋友，大家在技术、市场和创业等方面可以多交流； 2. 开拓市场并合
2012-02-19 18:27:17
本人主要从事电子产品硬件的设计开发，业余有一定时间不想荒废，目前有意向组建一个技术团队。初衷如下： 1. 多结识一些志同道合的朋友，大家在技术、市场和创业等方面可以多交流； 2. 开拓市场并合
2012-02-19 18:28:06
`由电气观察主办的“宽禁带半导体(SiC、GaN)电力电子技术应用交流会”将于7月16日在浙江大学玉泉校区举办。宽禁带半导体电力电子技术的应用、宽禁带半导体电力电子器件的封装、宽禁带电力电子技术
2017-07-11 14:06:55
，一举接近国际一流水平。龙芯现有的两个桌面型号分别是四核心的3A-1000和八核心的3B-1500，其内核是2006年定型的GS464微架构。如今老旧的 GS464核心已经不堪重任，各项性能指标与当前
2015-05-08 10:52:52
您好，有人能告诉我如何在原理图窗口中添加GaN器件，因为当我在ADS的原理图窗口中搜索它时，它只显示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一个功率放大器模拟，我需要一个GaN器件。请提出你的建议
2019-01-17 15:55:31
”是条必经之路。高效率、高性能的功率元器件的更新换代已经迫在眉睫。“功率元器件”广泛分以下两大类：一是以传统的硅半导体为基础的“硅（Si）功率元器件”。二是“碳化硅（SiC）功率元器件”，与Si半导体相比
2017-07-22 14:12:43
应用看，未来非常广泛且前景被看好。与圈内某知名公司了解到，一旦国内品牌谁先成功掌握这种技术，那它就会呈暴发式的增加。在Si材料已经接近理论性能极限的今天，SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
、InP化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大功率器件和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC功率器件在C波段以上受频率的限制，也使其使用受到一定的限制;GaN功率管因其
2017-06-16 10:37:22
——说智能硬件创客CEO的团队建设之路 几年前，在我第一次创业的时候，一个朋友问我准备花多少钱来打造团队。我得意洋洋的告诉他，我的项目创意全国都领先，没几个人做的到，内容也没那么复杂，组建一个差不多
2015-09-21 13:25:10
请问一下SiC和GaN具有的优势主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
Stefano GallinaroADI公司各种应用的功率转换器正从纯硅IGBT转向SiC/GaN MOSFET。一些市场（比如电机驱动逆变器市场）采用新技术的速度较慢，而另一些市场（比如太阳能
2018-10-22 17:01:41
一位中国移动方面的人员在其演讲中公开表示根据其测试的结果显示，TD终端的部分指标已经超过了WCDMA终端，TD终端的质量已达到了业界一流的水平
2011-12-10 14:44:491059 据权威媒体分析，SiC和GaN器件将大举进入电力电子市场，预计到2020年，SiC和GaN功率器件将分别获得14%和8%市场份额。未来电力电子元器件市场发展将更多地集中到SiC和GaN的技术创新上。
2013-09-18 10:13:112463 安华高科技公司（Avago Technologies）推出了四款光电耦合器新产品，主要用于使用 SiC（碳化硅）和 GaN（氮化镓）制造的功率半导体器件等的门极驱动。新产品的最大特点是最大传播延迟
2017-09-12 16:07:00
1 1.GaN 功率管的发展微波功率器件近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅（SiC）、氮镓（GaN） 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN材料
2017-11-09 11:54:529 茅台集团提出了“智慧茅台”的重要规划，要实现“智慧茅台”达到国内一流水平。
2018-03-05 16:02:003285 使用SiC的新功率元器件技术
2018-06-26 17:56:005775 基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。
2018-10-04 09:03:004753 
基于碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等材料的新型功率开关技术的出现促使性能大幅提升，超越了基于MOSFET和IGBT技术的传统系统。
2019-01-05 09:01:093767 
预计在 2021 年突破 10 亿美元。 报告表示，全球 SiC 和 GaN 功率半导体的销售收入，预计从 2018 年的 5.71 亿美元增至 2020 年底的 8.54 亿美元。预计未来十年，每年
2020-11-16 10:19:322223 1月25日电（记者 吴涛）近日，中国移动公布，当前正积极推进落实第五个五年发展战略创世界一流“力量大厦”，目前在多个领域已经处于通信行业世界一流水平。
2021-01-26 10:31:292220 ，特别适用于5G射频和高压功率器件。 据集邦咨询（TrendForce）指出，因疫情趋缓所带动5G基站射频前端、手机充电器及车用能源等需求逐步提升，预期2021年GaN通讯及功率器件营收分别为6.8亿和6100万美元，年增30.8%及90.6%，SiC器件功率领域营收
2021-05-03 16:18:0010174 
在开关频率、散热、耐压、功率密度方面优势更为凸显。 下文主要对国产SiC MOSFET进行介绍并与国外相近参数的主流产品相对比。 国产1700V SiC MOSFET 派恩杰2018年开始专注于第三代半导体SiC、GaN的功率器件的研究。公司成立半年后就研制出了首款650V GaN功率器件，在基于
2021-09-16 11:05:374228 半导体的关键特性是能带隙，能带动电子进入导通状态所需的能量。宽带隙（WBG）可以实现更高功率，更高开关速度的晶体管，WBG器件包括氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC），以及其他半导体。
2022-04-16 17:13:015712 /dt也就越大。影响dv/dt和di/dt的主要因素是器件材料，其次是器件的电压、电流、温度以及驱动特性。为了加深大家对高速功率半导体器件的理解，今天我们以SiC和GaN为例来聊一下这个话题，看看高速功率器件的dv/dt和di/dt到底有多大?
2022-04-22 11:29:482477 在基本半导体特性（带隙、临界电场和电子迁移率）的材料比较中，GaN 被证明是一种优异的材料。“Si 的带隙略高于一个电子伏特，临界电子场为 0.23 MV/cm，而 GaN 的电子迁移率和带隙更宽
2022-08-03 08:04:292748 
镓 (GaN) 等技术所需的最高开关速度和系统尺寸限制而设计。架构的演进满足了新的效率水平和时序性能的稳定性，从而减少了电压失真。本文以罗姆半导体的基于 SiC 技术的功率器件为参考点。
2022-08-10 15:22:11813 
DL-ISO 高压光隔离探头具有 1 GHz 带宽、2500 V 差分输入范围和 60 kV 共模电压范围，提供非常高的测量精度和丰富的连接方式，是GaN 和 SiC 器件测试的理想探头。
2022-11-03 17:47:061121 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、动态性能和可靠性的显著优势电子和电气系统。回顾了SiC功率器件发展的挑战和前景
2022-11-11 11:06:141503 近年来，SiC功率器件结构设计和制造工艺日趋完善，已经接近其材料特性决定的理论极限，依靠Si器件继续完善来提高装置与系统性能的潜力十分有限。本文首先介绍了SiC功率半导体器件技术发展现状及市场前景，其次阐述了SiC功率器件发展中存在的问题，最后介绍了SiC功率半导体器件的突破。
2022-11-24 10:05:102020 相比于横向功率电子器件，GaN纵向功率器件能提供更高的功率密度/晶圆利用率、更好的动态特性、更佳的热管理，而大尺寸、低成本的硅衬底GaN纵向功率电子器件吸引了国内外众多科研团队的目光，近些年已取得了重要进展。
2022-12-15 16:25:35754 电动汽车中的 GaN 还处于早期阶段。许多功率 GaN 厂商已经开发并通过汽车认证 650 V GaN 器件，用于 EV/HEV 中的车载充电器和 DC/DC 转换，并且已经与汽车企业建立了无数合作伙伴关系。
2023-01-06 11:11:34459 随着硅接近其物理极限，电子制造商正在转向非常规半导体材料，特别是宽带隙（WBG）半导体，如碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）。由于宽带隙材料具有相对较宽的带隙（与常用的硅相比），宽带隙器件可以在高压、高温和高频下工作。宽带隙器件可以提高能效并延长电池寿命，这有助于推动宽带隙半导体的市场。
2023-02-05 14:25:15676 SiC晶体管是天然的E型MOSFET。这些器件可在高达1 MHz的频率下进行开关，其电压和电流水平远高于硅MOSFET。
2023-02-06 14:32:23564 SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。通过将SiC应用到功率元器件上，实现以往Si功率元器件无法实现的低损耗功率转换。不难发现这是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19448 
本文介绍了使用多个电流探头研究SiC和GaN功率半导体器件的电极间电容。它分为四部分：双电流探头法原理、测量结果、三电流探头法原理和测量结果。
2023-02-19 17:06:18350 
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点进行介绍。
2023-02-22 09:15:30345 
GaN功率器件是雷达T/R组件或发射功放组件中的核心元器件,随着器件的输出功率和功率密度越来越高,器件的长期可靠性成为瓶颈。文章对雷达脉冲工作条件下GaN功率器件的失效机理进行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
由于应用领域特殊，项目对功率器件的性能和可靠性均提出了极高的要求。而作为第一家获得导入的中国SiC功率器件企业，利普思以其国际化的专业团队、高性能高可靠的产品，赢得了客户的信任和认可。
2023-08-04 15:21:06431 SiC和GaN被称为“宽带隙半导体”(WBG)，因为将这些材料的电子从价带炸毁到导带所需的能量：而在硅的情况下，该能量为1.1eV，SiC（碳化硅）为3.3eV，GaN（氮化镓）为3.4eV。这导致了更高的适用击穿电压，在某些应用中可以达到1200-1700V。
2023-08-09 10:23:39431 
范围内控制必要的p型、n型，所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在各种多型体（结晶多系），它们的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最为
2023-08-21 17:14:581144 
GaN因其特性，作为高性能功率半导体材料而备受关注，近年来其开发和市场导入不断加速。GaN功率器件有两种类型：水平型（在硅晶圆上生长GaN晶体）和垂直型（原样使用GaN衬底）。
2023-09-13 15:05:25659 
长电科技在功率器件封装领域积累了数十年的技术经验，具备全面的功率产品封装外形，覆盖IGBT、SiC、GaN等热门产品的封装和测试。
2023-10-07 17:41:32398 1月8日，Luminus Devices宣布，湖南三安半导体与其签署了一项合作协议，Luminus将成为湖南三安SiC和GaN产品在美洲的独家销售渠道，面向功率半导体应用市场。
2024-01-13 17:17:561042 长沙超算中心算力重归国际一流水平 同时湖南公布2024年十大产业项目 长沙积极打造成全球研发中心城市；长沙产业发展迅速，已经形成新一代自主安全计算系统国家级先进制造业集群。 据湖南省政府工作报告数据
2024-01-25 16:04:02936 和硅器件相比,SiC器件有着耐高温、击穿电压 大、开关频率高等诸多优点,因而适用于更高工作频 率的功率器件。但这些优点同时也给SiC功率器件的互连封装带来了挑战。
2024-03-07 14:28:43106 
电子发烧友App
工商网监
评论