中国上海，2022年6月7日——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，在其TCK42xG系列MOSFET栅极驱动IC产品中新增五款适用于可穿戴设备等移动电子设备的产品。该系列的新产品
2022-06-07 13:49:20
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日前，德州仪器 (TI) 宣布推出一款面向绝缘栅双极型晶体管(IGBT)与MOSFET的隔离式栅极驱动器，其速度比同等光学栅极驱动器快40%。
2012-10-11 14:04:331610 东芝公司（Toshiba Corporation）（TOKYO:6502）今天宣布将推出采用DIP8封装的IC耦合器，可直接驱动中等容量的IGBT或功率MOSFET。
2013-01-11 09:39:451311 本文会着重介绍TI集成MOSFET的有刷电机驱动芯片的电流输出级特性，以及如何增强驱动峰值电流。
2023-07-04 10:21:231844 
出货。 新产品是 东芝碳化硅MOSFET产品线中首批采用4引脚TO-247-4L(X)封装的产品 ，其封装支持栅极驱动信号
2023-09-04 15:13:401134 
MIC4414YFT EV，MIC4414评估板是一款低侧MOSFET驱动器，设计用于在低侧开关应用中切换N沟道增强型MOSFET。 MIC4414是一款非反相驱动器。该驱动器具有短延迟和高峰值电流
2020-04-16 10:14:10
描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘闸极双极型晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的加强版隔离式正负电压轨。此参考设计采用反激式隔离型控制拓扑，提供符合 IEC61800-5 标准
2018-09-25 10:21:35
是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N
2012-07-25 09:49:08
隔离措施，以提高系统抗干扰措施，可采用带光电隔离的MOSFET驱动芯片TLP250。光耦TLP250是一种可直接驱动小功率MOSFET和IGBT的功率型光耦，由日本东芝公司生产，其最大驱动能力达1.5A
2012-06-14 20:30:08
电源的功耗，门极正反向偏置电压之差为△Vge，工作频率为f，栅极电容为Cge，则电源的最少峰值电流为: 驱动电源的平均功率为: 2 IGBT的过流保护 IGBT的过流保护就是当上、下桥臂直通
2012-07-18 14:54:31
MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器电路的基本原理
2019-08-29 13:30:22
VCE的 dv/dt造成的电流注到栅极驱动回路中的风险，避免使器件重新偏置为传导状态，从而导致多个产生Eoff的开关动作。ZVS和ZCS拓扑在降低MOSFET 和 IGBT的关断损耗方面很有优势。不过
2018-08-27 20:50:45
性能。正确的栅极驱动顺序可使IGBT栅极信号在第二个集电极电流过零点以前不被清除，从而显著降低IGBT ZCS Eoff 。MOSFET的Eoff能耗是其米勒电容Crss、栅极驱动速度、栅极驱动关断源
2021-06-16 09:21:55
IGBT组合封装在一起。 除了选择正确的二极管外，设计人员还能够通过调节栅极驱动导通源阻抗来控制Eon损耗。降低驱动源阻抗将提高IGBT或MOSFET的导通di/dt及减小Eon损耗。Eon损耗和EMI
2020-06-28 15:16:35
中国上海，2023年2月28日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布推出车载直流无刷电机栅极驱动IC ^[1]^ ---“TB9083FTG”，该IC适用于电动转向助力系统（EPS
2023-02-28 14:11:51
。 特别是，封装源极寄生电感是是器件控制的关键因素。在本文中，英飞凌提出了一种用于快速开关超结MOSFET的最新推出的TO247 4引脚器件封装解决方案。这个解决方案将源极连接分为两个电流路径；一个用于
2018-10-08 15:19:33
IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为集电极
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一种电压控制型器件，可用作电源电路、电机驱动器和其它系统中的开关元件。栅极是每个器件的电气隔离控制端。MOSFET的另外两端是源极和漏极，而对于IGBT，它们被称为
2021-07-09 07:00:00
`描述PMP10531.1 参考设计是一个 8 输出隔离式 Fly-Buck 电源，用于电机驱动或高电压逆变器应用中的 IGBT 栅极驱动器。接受 24V 额定输入，提供 4 组隔离式（+15V
2015-04-28 15:53:29
MOSFET中的开关损耗为0.6 mJ。这大约是IGBT测量的2.5 mJ的四分之一。在每种情况下，均在 800 V、漏极/拉电流 10 A、环境温度 150 °C 和最佳栅极-发射极阈值电压下进行测试（图
2023-02-22 16:34:53
描述此参考设计在单个 24 伏直流输入电源中提供绝缘栅极双极型晶体管 (IGBT) 栅极驱动器所需的隔离式正负电压轨。此参考设计采用 Fly-Buck&trade(...)主要特色• 隔离型
2018-09-06 09:07:35
的电压轨。特性• 隔离型电源，输入范围为 24V±20%，支持用于三相逆变器（每个臂为半桥配置）的 6 个 IGBT 栅极驱动器• 低波纹 (<200mV) 偏置输出（+15V 和 -8V
2015-03-23 14:53:06
描述 PMP9455 参考设计为 800VA 至 3kVA iPure 正弦波低频逆变器提供了高度集成的栅极驱动器解决方案。该设计具有独特的高峰值电流驱动能力，同时集成了具有外部可编程增益和滤波
2018-11-30 15:52:43
：带有 3A 峰值电流驱动功能的全桥 MOSFET 驱动器集成的超快 100V 自举二极管支持额定值最高 5KVA 的逆变器两个高侧电流感应放大器带有外部可编程增益和缓冲输出，可用于测量电池充电和放电
2022-09-22 06:37:42
描述PMP10531 参考设计是一个 8 输出隔离式 Fly-Buck 电源，用于电机驱动或高电压逆变器应用中的 IGBT 栅极驱动器。接受 24V 额定输入，提供 4 组隔离式（+15V、-8V
2018-09-12 08:50:56
与MOSFET有9大异同点，我们一起来看看。 01 IGBT与MOSFET的分类与异同点 IGBT全称是绝缘栅极型功率管，是由双极型三极管 (BJT) 和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式半导体
2022-06-28 10:26:31
FOD3150是一个1.0A的输出电流栅极驱动光电耦合器，可驱动大部分800V/20A IGBT/MOSFET。 它非常适用于快速开关驱动在电机控制逆变器应用以及高性能电源系统中使用的功率IGBT
2022-03-05 09:58:18
独立高侧和低侧参考输出通道。该输出驱动器有一个高脉冲电流缓冲级，适用于最小的驱动器跨导，同时浮动通道可以用来驱动工作在高达600V高侧配置的N沟道功率MOSFET或 IGBT。这些器件可为两种通道提供
2008-11-13 20:40:15
MOS栅极驱动能力及最高600V工作电压下，可提供200mA/300mA的驱动电流。它有三个互相独立的高边和低边输出通路以及全保护功能。此外还有一个用于PFC 或 Brake IGBT驱动的低边驱动
2021-05-18 07:25:34
二极管要缓慢。因此，对于硬开关MOSFET应用而言，体二极管常常是决定SMPS工作频率的限制因素。一般来说，IGBT组合封装二极管的选择要与其应用匹配，具有较低正向传导损耗的较慢型超快二极管与较慢的低
2018-09-28 14:14:34
的功率MOSFET，从而形成垂直的PNP双极结型晶体管。该附加的p+区域产生PNP双极结型晶体管与表面n沟道MOSFET的级联连接。 IGBT将MOSFET的简单栅极驱动特性与双极晶体管的高电流和低饱和
2020-07-07 08:40:25
用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD，采用意法半导体新型6kV电流隔离技术，以及SO-36W宽体封装。瞬态抗扰度为±100V/ns，可防止电噪音工作条件
2023-09-05 06:59:59
详细说明:TLP352是可直接驱动中等容量IGBT或者功率MOSFET的DIP8封装的IC耦合器。该产品的延迟时间为200 ns，光电耦合器之间的传输延迟时间差(PDD*) 为90 ns(上述
2019-09-20 09:03:36
额定功率更高的IGBT，VO3120可用于驱动离散功率级，以驱动IGBT栅极。推荐产品：VO3120-X007T；VO3120Vishay其它相关产品请 点击此处 了解特征：最小峰值输出电流
2019-10-30 15:23:17
• -40oC 到 125oC 的工作温度范围 SL27517 是单通道 4A 的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动 MOSFET、IGBT 以及新兴的宽带隙功率器件。低传播延迟以及紧凑
2022-07-26 10:21:31
Eoff。ZCS拓扑可以提升最大的IGBT Eoff性能。正确的栅极驱动顺序可使IGBT栅极信号在第二个集电极电流过零点以前不被清除，从而显著降低IGBT ZCS Eoff 。MOSFET的 Eoff
2017-04-15 15:48:51
如图2所示。IGBT通过两个脉冲进行开关转换来测量Eon。第一个脉冲将增大电感电流以达致所需的测试电流，然后第二个脉冲会测量测试电流在二极管上恢复的Eon损耗。在硬开关导通的情况下，栅极驱动电压和阻抗
2019-03-06 06:30:00
的电压轨。 特性• 隔离型电源，输入范围为 24V±20%，支持用于三相逆变器（每个臂为半桥配置）的 6 个 IGBT 栅极驱动器• 低波纹 (<200mV) 偏置输出（+15V 和 -8V
2015-04-27 16:55:43
描述TIDA-00195 参考设计包括一个 22kW 功率级以及 TI 全新的增强型隔离式 IGBT 栅极驱动器 ISO5852S（适用于各种应用中的电机控制）。此设计可对三相逆变器（其中整合了额定
2018-12-27 11:41:40
FEBFOD8332是FOD8332智能栅极驱动器光电耦合器的评估板，是一款先进的2.5A输出电流IGBT驱动光电耦合器，可提供必要的关键保护，以防止导致IGBT发生破坏性热失控的故障
2019-04-30 09:06:13
FEBFOD8333是FOD8333智能栅极驱动器光电耦合器的评估板，是一款先进的2.5A输出电流IGBT驱动光电耦合器，可提供必要的关键保护，以防止导致IGBT发生破坏性热失控的故障
2019-04-28 10:36:39
光耦端的控制电流与功率管输出驱动电流之比是用什么指标表示，其最大值是多少？(潮光光耦网整理编辑)2012-07-10 潮光光耦网解答：全部栅极驱动光耦合器都没有CTR的放大特性。虽然所有栅极驱动光
2012-07-11 11:40:09
`描述TIDA-00174 参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源，适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组（+16V、-9V）电压输出，输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压
2015-03-23 12:07:05
`描述TIDA-00174 参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源，适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组（+16V、-9V）电压输出，输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压
2015-04-27 16:13:02
功率：每个 IGBT 为 2W，并可扩展为支持更高功率 IGBT输出电容器的额定值支持高达 6A 的峰值栅极驱动电流可以选择关闭电源以促进安全扭矩切断 (STO) 功能设计符合 IEC61800-5 标准`
2015-04-27 18:16:34
器提供正负偏置电压。主要特色双路隔离式输出，+15V/-9V @ 200mA，4.8W 功率，单 IGBT 栅极驱动器的理想偏置电源小型电源模块设计，标准 DIP 封装+/-5% 交叉调节，87% 峰值
2018-12-21 15:06:17
描述对于具有较高输出额定功率的电源转换设备而言，并联 IGBT 变得很有必要，因为在这类应用中，单个 IGBT 无法提供所需的负载电流。此 TI 设计采用一个增强型隔离式 IGBT 栅极控制模块来
2018-12-07 14:05:13
描述TIDA-00174 参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源，适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组（+16V、-9V）电压输出，输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压
2018-09-05 08:54:59
这是我设计的一个单片机驱动光耦控制电机转停的电路，大家看下电路设计对吗？单片机在光耦驱动位拉高引脚，输出24V，fds9958是P型MOSFET，fds9945是n型MOSFET，fds9958 S
2018-04-24 13:09:52
使用驱动器 BM60059FV-C 驱动 1200V IGBT 时的设置。在每种情况下，都可以清楚地观察到恒定的栅极输出电流。 比较电流源驱动器和电压源驱动器时感兴趣的区域是周期T2-T3，其中dv
2023-02-21 16:36:47
SOIC 封装。IX6611特点IX6611具有以下特点：信号输入/输出与脉冲变压器兼容，可与电气隔离MCU通信10 A 峰值拉电流和灌电流栅极驱动，具有独立的拉电流和灌电流输出负栅极驱动能力，用于驱动
2023-02-27 09:52:17
绝缘栅双极型晶体管IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件,其输入极为 MOSFET,输出极为 PNP 晶体管,因此,可以把其看作是 MOS 输入的达林顿管。它融和了这两种器件的优点
2021-03-19 15:22:33
描述 TIDA-00448 参考设计是带有双极性闸极电压的隔离式 IGBT 闸极驱动程序，旨在用于驱动所需高峰值闸极电流高达 40 A 的大功率 IGBT。TI 的 NexFET 电源块就在此范围内
2018-09-04 09:20:51
(x2) 和 -8V (x2)使用预调制的 24V 输入进行操作输出功率：每个 IGBT 2W可以选择关闭电源以促进安全扭矩切断 (STO) 功能输出波纹：< 200mV输出电容器的额定值支持高达 6A 的峰值栅极驱动电流旨在满足 IEC61800-1-5
2018-09-20 08:49:06
和 –4V 输出电压以及 1W(...)主要特色用于在半桥配置中驱动 SiC MOSFET 的紧凑型双通道栅极驱动器解决方案4A 峰值拉电流和 6A 峰值灌电流驱动能力，适用于驱动 SiC
2018-10-16 17:15:55
绝缘栅双极晶体管IGBT是第三代电力电子器件，安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40 kHz)的特点
2016-11-28 23:45:03
绝缘栅双极晶体管IGBT是第三代电力电子器件，安全工作，它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身，具有易于驱动、峰值电流容量大、自关断、开关频率高(10-40 kHz)的特点
2016-10-15 22:47:06
栅极驱动器，能够驱动 N 型功率 MOSFET 和 IGBT。 FD2606S 内置 VCC 和 VB 欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作。 FD2606S 逻辑输入兼容 TTL 和 CMOS（低至 3.3V），方便与控制设备接口。该驱动器输出具有最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲设计。
2021-09-14 07:29:33
FOD8316是仙童推出的一款智能式IGBT栅极驱动光电耦合器。FOD8316基本特性在传统的IGBT驱动器上增加了保护电路。可编程故障传感去饱和检测IGBT软断开欠压锁定输出电压轨到轨摆动:低功耗
2013-06-07 16:34:06
全球半导体解决方案供应商瑞萨电子今日宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率
2023-02-15 11:19:05
的效率。要做到这一点，电机控制电路必须很快地开关流向电机线圈的电流，在开关上面需要达到最小的切换时间或导电期间的损失。 要满足这些需求需要使用MOSFET和IGBT。这两种半导体器件都可以用于电机驱动
2016-01-27 17:22:21
3kVRMS 基础型隔离式栅极驱动器，可以驱动高侧和低侧(...)主要特色适合单相和三相逆变器、中高电压电源转换器（100VAC 至 230VAC）0.5A/2A/6A/10A 拉电流和灌电流适合驱动
2018-09-30 09:23:41
描述TIDA-00174参考设计是一款四路输出隔离式 Fly-Buck 电源，适合于 IGBT 栅极驱动器偏置。它产生两组（+16V、-9V）电压输出，输出电流容量为 100mA。正/负偏置电压用于
2022-09-26 07:54:11
(x2) 和 -8V (x2)使用预调制的 24V 输入进行操作输出功率：每个 IGBT 2W可以选择关闭电源以促进安全扭矩切断 (STO) 功能输出波纹：< 200mV输出电容器的额定值支持高达 6A 的峰值栅极驱动电流旨在满足 IEC61800-1-5`
2015-03-23 14:35:34
(x2) 和 -8V (x2)使用预调制的 24V 输入进行操作输出功率：每个 IGBT 2W可以选择关闭电源以促进安全扭矩切断 (STO) 功能输出波纹：< 200mV输出电容器的额定值支持高达 6A 的峰值栅极驱动电流旨在满足 IEC61800-1-5`
2015-04-27 17:31:57
IGBT（绝缘栅双极晶体管）生产和封装技术的革命性发展，拓宽了这种主力电源开关技术的应用范围。IGBT的基本概念是双极性（高电流密度）的开关器件，以及如MOSFET器件上的高阻抗栅极。尽管人们早在
2018-12-03 13:47:00
IGBT 的栅极驱动是IGBT 应用中的关键问题。本文阐明构成IGBT 栅极驱动电路的注意事项，基本电路参数的选择原则，还介绍丁几种驱动电路实例。
2010-08-31 16:33:41
213 单通道MOSFET或IGBT栅极驱动器集成电路IR2117
IR2117是美国IR公司专为驱动单个MOSFET或IGBT而设计的栅极驱动器集成电路。文中介绍了它的引脚排列、功能
2009-12-08 10:21:006016 
Toshiba推出低功率栅极驱动光耦合器
Toshiba推出了一系列的超低功耗光耦合隔离器，设计用来驱动需要输出电流高达±6.0A的IGBT和功率MOSFET。新的驱动器IC光耦合器TLP358系
2010-01-20 08:37:03696 东芝新推出一系列采用小型SO8封装的IC光电耦合器TLP2451是一款使用图腾柱输出的IGBT / MOSFET栅极驱动光电耦合器
2012-03-13 11:08:413462 
东芝光耦 IGBT/MOSFET，List of Photocouplers (IC Output) by Peak Output Current (IGBT / MOSFET)
2012-03-16 13:43:011090 
东京—东芝公司（TOKYO：6502）今天宣布推出采用低高度SO6L封装的轨对轨输出栅极驱动光电耦合器，用于直接驱动中低等功率绝缘栅双极晶体管（IGBT）及功率金属氧化物半导体场效应晶体管（power MOSFET）。
2014-10-08 18:19:061449 东京—东芝公司（TOKYO：6502）旗下半导体&存储产品公司今天宣布，推出单通道高边N沟道功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）栅极驱动器“TPD7104F”。
2014-11-05 18:54:361787 Diodes公司 （Diodes Incorporated） 新推出的DGD21xx系列包括六款半桥栅极驱动器及六款高/低侧600V栅极驱动器，可在半桥或全桥配置下轻易开关功率MOSFET与IGBT。
2016-03-14 18:13:231402 的栅极驱动要求等。与在这种设计中正式使用的双极晶体管相比，IGBT在驱动电路的尺寸和复杂度上都有相当大的降低。最近在IGBT开关速度的改进取得了设备适用于电源的应用，因此IGBT将与某些高电压MOSFET以及应用。许多设计者因此转向MOSFET驱动器以满足其
2017-07-04 10:51:0522 东芝推出采用DIP4封装的大电流光继电器，具有低导通电阻和大额定导通电流，更易使用。
2018-09-29 15:35:354448 不熟悉MOSFET或IGBT输入特性的设计人员首先根据数据表中列出的栅源或输入电容来确定元件值，从而开始驱动电路设计。基于栅极对源电容的RC值通常会导致栅极驱动严重不足。虽然栅极对源电容是一个重要
2020-03-09 08:00:0024 新型预驱动光耦使用外部P沟道和N沟道互补的MOSFET作为缓冲器，来控制中大电流IGBT和MOSFET。
2020-03-11 08:19:001180 本应用笔记涵盖了计算栅极驱动光耦合器 IC 的栅极驱动器功率和热耗散的主题。栅极驱动光耦合器用于驱动、导通和关断、功率半导体开关、MOSFET/IGBT。栅极驱动功率计算可分为三部分；驱动器内部电路
2021-06-14 03:51:003144 
MOSFET和IGBT栅极驱动器电路的基本原理
2021-11-29 16:29:1763 器件于今日开始支持批量出货。 TLP5705H是东芝首款采用厚度仅有2.3毫米（最大值）的薄性封装（SO6L）可提供±5.0A峰值输出电流额定值的产品。传统采用缓冲电路进行电流放大的中小型逆变器与伺服放大器等设备，现在可直接通过该光耦驱动其IGBT／MOSFET而无需任何缓冲器。这将有助于减少
2021-12-10 18:19:354266 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）已经推出面向20V电源线路的“TCK421G”，这是其“TCK42xG系列”MOSFET栅极驱动集成电路(IC)的首款产品。该系列的器件基于输入电压专用于控制外部N沟道MOSFET的栅极电压，并具备过压自锁功能。批量出货即日起开始。
2022-02-12 09:18:511289 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）为其TCK42xG系列MOSFET 栅极驱动器IC 的产品阵容增加面向可穿戴设备等移动设备的五款新品。该系列的新产品配备了过压锁定功能，并根据输入电压控制外部MOSFET的栅极电压。
2022-06-09 10:00:301635 
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布扩大其智能栅极驱动光耦产品线，推出一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦---“TLP5222”。这是一种可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该产品于今日开始出货。
2022-08-31 17:58:551219 栅极驱动光电耦合器FOD31xx系列的功能是用作电源缓冲器 ,来控制功率MOSFET或IGBT的栅极 。它为 MOSFET或 IGBT的栅极输入供应所需的峰值充电电 流 ,来打开器件。该目标通过
2022-10-24 09:00:07920 
设备驱动程序 紧凑型单通道隔离栅极驱动器，在用于IGBT、MOSFET和SiC MOSFET的DSO-8窄体封装中具有14A的典型吸收和源峰值输出电流。
2022-11-02 16:47:09974 本文介绍了三个驱动MOSFET工作时的功率计算 以及通过实例进行计算 辅助MOSFET电路的驱动设计中电流的计算 不是mosfet导通电流 是mosfet栅极驱动电流计算和驱动功耗计算
2022-11-11 17:33:0335 CA-IS3211是一款光耦兼容的单通道隔离式栅极驱动器，可用于驱动MOSFET、IGBT和SiC器件。隔离等级达到5.7kVRMS，芯片可提供5A拉、6A灌输出峰值电流能力。
2022-12-05 10:00:45697 新品速递 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC
2023-02-02 11:10:02906 全球半导体解决方案供应商瑞萨电子（TSE：6723）宣布，推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。
2023-02-02 11:09:39991 瑞萨电子推出一款全新栅极驱动IC——RAJ2930004AGM，用于驱动电动汽车（EV）逆变器的IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和SiC（碳化硅）MOSFET等高压功率器件。
2023-02-03 14:59:11314 栅极驱动参考 1.PWM直接驱动2.双极Totem-Pole驱动器3.MOSFET Totem-Pole驱动器4.速度增强电路5.dv/dt保护 1.PWM直接驱动 在电源应用中，驱动主开关
2023-02-23 15:59:0017 SLM27517 单通道，高速，低侧栅极驱动器器件可以有效地驱动MOSFET和IGBT功率开关。使用设计其固有地最小化击穿电流，可以源汇高峰值电流脉冲转换为电容性负载轨对轨驱动能力非常小传播延迟通常
2023-02-23 15:42:222 宽供电电压、双通道、高速、低测栅极驱动器，包括功率MOSFET，IGBT。单个通道能够提供高达4A拉电流和4A灌电流的轨到轨驱
2023-07-18 09:01:27330 
驱动光耦产品线，近期新增一款输出电流为2.5A的智能栅极驱动光耦 TLP5222 。它是一款可为MOSFET或IGBT等功率器件提供过流保护的隔离栅极驱动IC，内置保护操作自动恢复的功能。该器件主要用来实现逆变器、交流伺服器，光伏逆变器等的智
2023-09-28 17:40:02526 
igbt的栅极驱动条件 igbt的栅极驱动条件对其特性有什么影响？ IGBT是晶体管的一种，它是一种高压、高电流的开关器件，常用于高功率电子应用中。IGBT是一种三极管，由一个PN结组成的集成电路
2023-10-19 17:08:14622 MOSFET栅极电路电压对电流的影响？MOSFET栅极电路电阻的作用？ MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管）是一种广泛应用于电子设备中的半导体器件。在MOSFET中，栅极电路的电压和电阻
2023-10-22 15:18:121369 意法半导体（下文为ST）的功率MOSFET和IGBT栅极驱动器旨在提供稳健性、可靠性、系统集成性和灵活性的完美结合。
2024-02-27 09:05:36578 
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