宽禁带半导体材料越来越受行业欢迎。在碳化硅（SiC）正处于大力扩张之时，供应商都在努力满足SiC功率器件和硅片市场的潜在需求。 譬如，Cree计划投资高达10亿美元来扩张其SiC晶圆产能。根据该公司
2019-07-19 16:59:35
13632 中国北京 - 2022 年 5 月 17 日 – 移动应用、基础设施与航空航天、国防应用中 RF 解决方案的领先供应商 Qorvo®（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布推出新一代 1200V 碳化硅
2022-05-17 11:55:242172 
德国英飞凌科技（Infineon Technologies AG）开发出了适用于光伏发电用逆变器等的耐压为1200V的SiC型FET（JFET）“CoolSiC产品群”，并在2012年5月8日～10日于德国举行的电源技术展会“PCIM Europ
2012-05-17 08:54:481711 初创公司 mqSemi 推出了适用于基于功率 MOS 的器件的单点源 MOS (S-MOS) 单元设计。使用 Silvaco Victory 工艺和设备软件，在 1200V SiC MOSFET
2022-07-26 09:10:48572 
恢复二极管两种：采用先进的扩铂工艺生产的具有极低反向漏电、极短反向恢复时间和--的抗反向浪涌冲击能力的高可靠性的全系列（200V-1200V）FRD芯片及成品器件；采用SiC材料设计和生产的具有
2019-10-24 14:25:15
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
。尤其在高压工作环境下，依然体现优异的电气特性，其高温工作特性，大大提高了高温稳定性，也大幅度提高电气设备的整体效率。 产品可广泛应用于太阳能逆变器、车载电源、新能源汽车电机控制器、UPS、充电桩、功率电源等领域。 1200V碳化硅MOSFET系列选型
2020-09-24 16:23:17
ROHM面向工业设备用电源、太阳能发电功率调节器及UPS等的逆变器、转换器，开发出1200V耐压的400A/600A的全SiC功率模块“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
有使用过SIC MOSFET 的大佬吗 想请教一下驱动电路是如何搭建的。
2021-04-02 15:43:15
在SIC JFET 驱动电路中要求输入一个-25V电压，有什么方法可以产生负的电压？
2016-12-12 11:10:34
1200V,5A,SIC SBD,TO-220AC PACKAG
2023-03-27 14:47:38
1200V,10A,SIC SBD,TO-247AD PACKA
2023-03-27 13:53:46
1200V,20A,SIC SBD,TO-247 PACKAGE
2023-03-27 13:39:39
=#2655a5 !important]SCT3030KL，不仅具备低漏源导通电阻30.0mΩ（典型值），而且能够在高达1200V的漏源电压下正常工作，内部电路如图4所示。此外，SCT3030KL采用
2019-07-09 04:20:19
MOSFET状态表明了主要商业障碍的解决方案，包括价格，可靠性，坚固性和供应商的多样化。尽管价格优于Si IGBT，但由于成本抵消了系统级优势，SiC MOSFET已经取得了成功。随着材料成本的下降，这项技术
2023-02-27 13:48:12
可以通过在SiC功率器件上运行HTGB（高温栅极偏压）和HTRB（高温反向偏压）应力测试来评估性能。Littelfuse在温度为175°C的1200V，80mΩSiCMOSFET上进行了压力测试，具有
2019-07-30 15:15:17
SiC SBD 晶圆级测试 求助：需要测试的参数和测试方法谢谢
2020-08-24 13:03:34
。如果是相同设计，则与芯片尺寸成反比，芯片越小栅极电阻越高。同等能力下，SiC-MOSFET的芯片尺寸比Si元器件的小，因此栅极电容小，但内部栅极电阻增大。例如，1200V 80mΩ产品（S2301为裸芯片
2018-11-30 11:34:24
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。 因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。 如果
2023-02-07 16:40:49
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。如果
2019-04-09 04:58:00
问题。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不会发生这类问题）ROHM通过开发不会扩大堆垛层错的独特工艺，成功地确保了体二极管通电的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET产品中，实施了
2018-11-30 11:30:41
在内的各种应用中的采用。当前的SiC-SBD产品结构分为耐压为650V与1200V、额定电流为5A～40A的产品，具体因封装而异。其概要如下表所示。另外，ROHM正在开发650V产品可支持达100A
2018-12-04 10:09:17
，成功地进一步改善了第2代实现的低VF特性。Tj＝25℃时的代表值相同，Tj＝150℃的条件下VF比第2代降低了0.11V。也就是说，高温条件下的工作更有利了。下面是第2代和第3代SiC-SBD的反向电压
2018-11-30 11:51:17
10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产，1700V产品正在开发中。SiC-SBD和Si-PN结二极管通过Si二极管来应对
2018-11-29 14:35:50
基于SiC/GaN的新一代高密度功率转换器SiC/GaN具有的优势
2021-03-10 08:26:03
SiC46x是什么？SiC46x有哪些优异的设计？SiC46x的主要应用领域有哪些？
2021-07-09 07:11:50
另一方面，按照现在的技术水平，SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低，所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的门极电压，可以得到越低的导通电阻（VCS=20V以上则逐渐饱和）。如果
2019-05-07 06:21:55
相比，能够以具有更高的杂质浓度和更薄的厚度的漂移层作出600V～数千V的高耐压功率器件。高耐压功率器件的阻抗主要由该漂移层的阻抗组成，因此采用SiC可以得到单位面积导通电阻非常低的高耐压器件。理论上
2019-07-23 04:20:21
多年增长。碳化硅器件一方面为中高端客户提供了更为优质的驾乘体验，另一方面有效缓解了电动汽车的续航焦虑问题，因此广受新能源车企的青睐。 从功率半导体供应商的角度来看，成本只是限制SiC大规模上车的一个
2022-12-27 15:05:47
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高温时功率损耗低.高温工作性能（200C）.无恢复损耗的体二极管.驱动方便.低栅极充电（SCT*N65G2V）了解更多信息，请关注英特洲电子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
楼猪就是想了解一下，在这个鱼目混珠的行业，国内靠谱性价比电子元件、IC狗供应商有哪些呢？
2016-06-16 11:45:15
车规级GPS模块有哪些特征？
2021-05-18 06:54:02
级MCU的市场规模预计达到110亿美元。中国作为全球最大的汽车产销市场，对车规级MCU的需求更为旺盛，不过由于车规级MCU门槛较高，国产化率并不高，公开资料显示，全球车用MCU的主要供应商为瑞萨电子
2023-02-03 12:00:10
，新企业抢占市场的背景下，该专案将提升欧盟工业、一级和二级供应商以及产业链下游企业的竞争力。专案组将针对目标应用开发新的拓扑结构和架构，在实验室层面模拟操作环境，推进目前急需的还是空白的技术、元件和展示产品
2019-06-27 04:20:26
开来，并应用于电缆以将电线与电缆所穿过的环境隔离开来。 SiC MOSFET可作为1200V，20A器件提供，在+ 15V栅极-源极电压下具有100mΩ。此外，固有的导通电阻降低也使SiC MOSFET
2022-08-12 09:42:07
SiC JBS二极管提供卓越的功能，包括但不限于高温操作，高阻断电压和快速开关能力。本文档介绍高级交换与SiC肖特基二极管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二极管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation，纽约纳斯达克交易所代号：MSCC ) 发布专门用于高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
标准的产品，并与具有高技术标准和高品质要求的供应商合作。在这过程中，ROHM作为ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供应商脱颖而出。ROHM的服务和技术支持都非常出色，使得我们能够
2023-03-29 15:06:13
管的要高很多。现在的测试中输入电压只是48V，最大尖峰也才120多V，对于1200V耐压的SIC来说是绝对的安全，但是当输入电压是400V或者800V时，可能就比较危险了。所以在设计时需要注意尖峰的抑制
2020-06-10 11:04:53
、根据评估版原理图，分析SIC MOS的驱动和保护方案。2、搭建一个非隔离的半桥结构的双向DC-DC变换器样机。预期参数：高压端400V，低压端200V，开关频率250KHZ，电流10A。3、对DSP
2020-04-24 18:08:05
电动汽车充电领域的研究，想借助发烧友论坛完成项目的设计。项目计划：1）研究与分析双向谐振式DCDC变换器的工作原理；2）下载器件模型在ADS上搭建仿真电路，同时设计SiC管的驱动策略；3）采用耐压1200V
2020-04-24 18:11:27
封装的SIC MOSFET各两片，分别是TO-247-4L的SCT3040KR，TO-247-3L的SCT3040KL，这两款都是罗姆推出的SIC MOSFET。两款SIC 的VDS都是1200V
2020-05-09 11:59:07
的电感和电容之外的杂散电感和电容。需要认识到，SiC MOSFET 的输出开关电流变化率 (di/dt) 远高于 Si MOSFET。这可能增加直流总线的瞬时振荡、电磁干扰以及输出级损耗。高开关速度还可能导致电压过冲。满足高电压应用的可靠性和故障处理性能要求。
2017-12-18 13:58:36
Tesla的SiC MOSFET只用在主驱逆变器电力模块上，共24颗，拆开封装每颗有2个SiC裸晶(Die)所以共48颗SiC MOSFET。除此之外，其他包括OBC、一辆车附2个一般充电器、快充电桩等，都可以放上SiC，只是SiC久缺而未快速导入。不过，市场估算，循续渐进采用SiC后，平均2辆Te.
2021-09-15 07:42:00
` 谁来阐述一下什么是车规级芯片？`
2019-10-18 10:55:55
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
的材料特性，各自都有各自的优点和不成熟处，因此在应用方面有区别 。一般的业界共识是：SiC适合高于1200V的高电压大功率应用；GaN器件更适合于40-1200V的高频应用。在600V和1200V器件
2021-09-23 15:02:11
-SBD和Si-SBD均具有高速性的特征，SiC-SBD不仅拥有优异的高速性且实现了高耐压。Si-SBD的耐压极限为200V，而SiC具有硅10倍的击穿场强，故ROHM已经开始量产1200V的产品，同时在推进
2018-11-29 14:33:47
中国北京（2023年4月12日）—业界领先的半导体器件供应商兆易创新GigaDevice今日宣布，旗下车规级GD25/55 SPINOR Flash和GD5F SPI NAND Flash系列产品
2023-04-13 15:18:46
。目前，ROHM正在量产的全SiC功率模块是二合一型模块，包括半桥型和升压斩波型两种。另外产品阵容中还有搭载NTC热敏电阻的产品类型。以下整理了现有机型产品阵容和主要规格。1200 V耐压80A～600A
2018-11-27 16:38:04
的IGBT模块相比，具有1）可大大降低开关损耗、2）开关频率越高总体损耗降低程度越显著 这两大优势。下图是1200V/300A的全SiC功率模块BSM300D12P2E001与同等IGBT的比较。左图
2018-11-27 16:37:30
介绍了采用商用1200V碳化硅（SiC）MOSFET和肖特基二极管的100KHz，10KW交错式硬开关升压型DC / DC转换器的参考设计和性能。 SiC功率半导体的超低开关损耗使得开关频率在硅实现方面显着增加
2019-05-30 09:07:24
本产品说明展示了接近理论的理想因素和势垒高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管，设计用于工作温度> 225°C主要应用于井下石油钻井、航空航天和电动汽车。温度理想因子
2023-06-16 06:15:24
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”，是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备
2018-12-04 10:11:25
CRD-60DD12N，60 kW交错式升压转换器演示板基于1200 V，75mΩ（C3M）SiC MOSFET。该演示板由四个15 kW交错升压级组成，每个级使用CGD15SG00D2隔离式栅极驱动板
2019-04-29 09:18:26
测试板。 实验结果： 电流源驱动器和传统电压源驱动器板均使用双脉冲测试进行评估。评估了 1200V、100A 分立式 IGBT 和 1200V、55A、40mΩ 碳化硅-MOSFET。两款器件
2023-02-21 16:36:47
设计中”，它说“在本例中添加对供应商命令和事件的支持”，我不明白它的意思。如何在设计中添加供应商命令的支持？？？PNG70.1 K
2019-09-29 12:09:21
半导体阵容的包括用于主逆变器的650 V至1200V IGBT、1200 V SiC二极管、用于充电器的650 V超级结MOSFET、用于48V系统的80 V至200 V极低RDSon（< 1m
2018-10-25 08:53:48
你好，实现大容量存储和供应商级之间的区别是什么？有什么相关的文件吗？请提供给我。谢谢您。 以上来自于百度翻译 以下为原文Hi,what is the difference between
2018-10-10 14:57:15
。右图为SiC-MOSFET＋SiC-SBD组成的全SiC模块BSM300D12P2E001（1200V/300A）与IGBT＋FRD的模块在同一环境下实测的开关损耗结果比较。Eon是开关导通时的损耗
2018-12-04 10:14:32
的行列中，推出相关产品。
国内规模比较大的有华润微、派恩杰、杨杰科技等都有SiCMOSFET产品，而更多的初创企业也在进入车规SiCMOSFET赛道。比如芯塔电子自主研发的1200V/80m
2024-01-19 14:55:55
的行列中，推出相关产品。
国内规模比较大的有华润微、派恩杰、杨杰科技等都有SiCMOSFET产品，而更多的初创企业也在进入车规SiCMOSFET赛道。比如芯塔电子自主研发的1200V/80m
2024-01-19 14:53:16
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
求可靠的生产厂家，车规级器件。求推荐
2017-05-12 10:21:28
本章将介绍最新的第三代SiC-MOSFET，以及可供应的SiC-MOSFET的相关信息。独有的双沟槽结构SiC-MOSFET在SiC-MOSFET不断发展的进程中，ROHM于世界首家实现了沟槽栅极
2018-12-05 10:04:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD（肖特基势垒二极管）结构得到600V以上的高耐压二极管（Si的SBD最高耐压为200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
深爱全系列支持SIC9531DSIC9532DSIC9533DSIC9534DSIC9535DSIC9536DSIC9537DSIC9538DSIC9539DSIC9942B/DSIC9943B
2021-11-13 14:58:25
低功率因素方案SIC953XD系列：TYPESPFMOSFETPackage **范围SIC9531D 0.514Ω500VSOP7
2021-09-07 17:39:06
深爱原厂一级代理SIC995x系列 全系列代理详细内容低功率因素非隔离按键调光方案SIC995X 系列SIC9953 500VSOP7/DIP7
2021-07-22 11:10:22
具有明显的优势。UnitedSiC的1200V和650V器件除了导通电阻低，还利用了低内感和热阻的SiC性能。 1200V和650V第三代器件的导通电阻值比较 Anup Bhalla说，碳化硅的优点
2023-02-27 14:28:47
纬湃科技选择罗姆为其SiC技术的首选供应商
2021-03-11 08:01:56
。Si-SBD的耐压极限为200V，而SiC具有硅10倍的击穿场强，故ROHM已经开始量产1200V的产品，同时在推进1700V耐压的产品。Si-PND通过在n-层积蓄少数载流子空穴而使电阻值下降，因此可同时实现
2019-07-10 04:20:13
本半导体制造商罗姆面向工业设备和太阳能发电功率调节器等的逆变器、转换器，开发出耐压高达1200V的第2代SiC（Silicon carbide：碳化硅）MOSFET“SCH2080KE”。此产品损耗
2019-03-18 23:16:12
谁能推荐一些国内车规级的电子元器件厂商？主要是电源IC、ADC、逻辑IC、复位IC、高低边IC等等，其它的分立元器件也可以推荐，要国产的，谢谢！本人在国内一线整车厂上班。
2019-12-04 11:38:53
。与此同时，SiC模块也已开发出采用第3代SiC-MOSFET的版本。“BSM180D12P3C007”就是通过采用第3代SiC-MOSFET而促进实现更低导通电阻和更大电流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
全球领先的高性能功率半导体解决方案供应商Fairchild （NASDAQ： FCS） 发布首个1200V碳化硅（SiC）二极管 —— FFSH40120ADN，纳入即将推出的SiC解决方案系列。
2016-03-22 11:12:161329 比利时，蒙-圣吉贝尔—— 2016 年 4 月 15 日。高温及长寿命半导体解决方案的领先供应商CISSOID公司宣布，向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首个三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模块（IPM）原型。
2016-04-15 17:23:471873 英飞凌全新1200V SiC MOSFET经过优化，兼具可靠性与性能优势。它们在动态损耗方面树立了新标杆，相比1200V硅（Si）IGBT低了一个数量级。这在最初可以支持光伏逆变器、不间断电源（UPS）或充电/储能系统等应用的系统改进，此后可将其范围扩大到工业变频器。
2016-05-10 17:17:498006 桑德斯微电子器件(南京)有限公司与世强硬创平台达成协议，授权世强代理旗下碳化硅(SiC)、二级管等产品代理。
2022-02-24 16:14:141348 作为国内首批自主研发并量产应用SiC器件的公司，在SiC功率器件领域，比亚迪半导体于2020年取得重大技术突破，重磅推出首款1200V 840A/700A三相全桥SiC功率模块，并已实现在新能源汽车高端车型电机驱动控制器中的规模化应用。
2022-06-21 14:40:571216 当前从目前的供应情况来看，车规级SiC MOSFET主要由英飞凌、ST、罗姆三家供应，供不应求现象较为严重。另一方面来说，国内也有不少SiC器件厂商推出了车规级SiC MOSFET产品
2023-01-30 16:18:27545 2022年11月，上海瞻芯电子开发的1200V 17mΩ 的碳化硅(SiC) MOSFET通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101)，该产品为TO247-4封装，最大电流(Ids)可达111A。
2023-03-22 16:47:332073 
前几天，三一集团的SiC重卡打破了吉尼斯纪录（.点这里.），很多人好奇这款车的1700V SiC MOSFET供应商是谁，今天答案正式揭晓！
2023-06-14 18:19:55855 等特性，从而降低了能耗并缩小了系统尺寸。特别是在光伏、储能、充电和电动汽车等高压大功率应用中，碳化硅材料的优势得以充分发挥。 纳芯微全新推出1200V系列SiC二极管产品，该系列产品专为光伏、储能、充电等工业场景而设计。 其
2023-07-10 15:45:02324 
2023年10月，凌锐半导体正式推出新一代1200V 18毫欧和35毫欧的SiC MOS。产品性能优异，开关损耗更低、栅氧质量更好、而且兼容15V和18V驱动，能够满足高可靠性、高性能的应用需求。
2023-10-20 09:43:26488 
继1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二极管）器件获AEC-Q101车规级认证后
2023-10-25 18:28:10422 
近日，芯塔电子自主研发的1200V/80mΩTO-263-7封装 SiC MOSFET器件成功获得第三方权威检测机构（广电计量）全套AEC-Q101车规级可靠性认证。包括之前通过测试认证的650V
2023-12-06 14:04:49323 
据悉，国联万众公司已研发出具备指标性能堪比国外知名厂商的1200V SiC MOSFET产品，部分型号产品已开始供应市场。另一方面，针对比亚迪在内的多方潜在客户，该公司的电动汽车主驱用大功率MOSFET产品正在进行进一步洽谈。
2023-12-12 10:41:48229 深圳市至信微电子有限公司（简称：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功举办了2024新品发布暨代理商大会。此次大会上，至信微发布了一系列行业领先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ两款产品。
2024-01-16 15:45:17286 近日，英飞凌与SiC晶圆供应商韩国SK Siltron公司的子公司SK Siltron CSS正式签署了一项协议。
2024-01-19 10:00:07218 全球知名的连接和电源解决方案供应商Qorvo近日发布了四款采用紧凑型E1B封装的1200V碳化硅（SiC）模块。这些模块包括两款半桥配置和两款全桥配置，其导通电阻RDS(on)最低可达9.4mΩ。
2024-03-03 16:02:35332 蓉矽半导体近日宣布，其自主研发的1200V 40mΩ SiC MOSFET产品NC1M120C40HT已顺利通过AEC-Q101车规级测试和HV-H3TRB加严可靠性考核。这一里程碑式的成就不仅彰显了蓉矽半导体在功率半导体领域的技术实力，也进一步证明了其产品在新能源汽车、光伏逆变等高端应用领域的强大竞争力。
2024-03-12 11:06:30228
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