氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克代码:NVTS)宣布,戴尔已采用纳微 GaNFast 氮化镓功率芯片为其 Latitude 9000 系列高端笔记本电脑实现快充。
2021-12-30 15:06:091364 芯片行业领导者 — 纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)发布全新GaNSense™ Control合封氮化镓功率芯片,带来前所未有的高集成度和性能表现。 氮化镓是相比传统高压 (HV) 硅 (Si) 功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术,同时还减少了提供相同
2023-03-28 13:54:32723 半壁江山。在射频器件领域,目前LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)、GaAs(砷化镓)、GaN(氮化镓)三者占比相差不大,但据Yole development预测,至2025年,砷化镓市场份额基本维持不变
2019-05-06 10:04:10
成国内首条集晶体生长、晶体加工、薄膜外延于一体的氧化镓完整产业线。行业分析人士表示,氧化镓是第四代半导体材料,在市场对性能好、损耗低、功率密度高的功率器件需求不断释放背景下,氧化镓市场发展潜力巨大
2023-03-15 11:09:59
功率半导体器件以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET,常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC,常简写为PIC)为主。
2020-04-07 09:00:54
半导体芯片行业的运作模式
2020-12-29 07:46:38
以及芯片本身。”结果也证明多年的铺垫、耕耘以及巨额的研发投入已经让Altera变得更强。目前Altera分布在20个国家,有3000名员工,凭借17.3亿美元的收入成为全球可编程半导体业的领导者
2019-06-25 06:31:51
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-07-05 08:13:58
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
(86) ,因此在正常体温下,它会在人的手中融化。
又过了65年,氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代,制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物,氮化镓的熔点超过1600℃,比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
容易使用。通过简单的“数字输入、电源输出”操作,布局和控制都很简单。dV/dt 回转率控制和欠压锁定等功能,确保了氮化镓功率芯片能最大限度地提高“一次性成功”的设计的机会,从而极为有效地缩短了产品上市
2023-06-15 15:32:41
DARPA提出WBST计划以来,氮化镓已经走过了较长的发展历程,现在已成为微波和射频行业的前沿。它的成本结构已经与传统半导体技术持平,当两种竞争性技术成本相同的时候,性能高者将主宰市场。MACOM等企业
2017-08-15 17:47:34
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时,GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
;这也说明市场对于充电器功率的市场需求及用户使用的范围;随着小米65W的充电器的发布,快速的走进氮化镓快充充电器时代。目前市面上已经量产商用的氮化镓方案主要来自PI和纳微半导体两家供应商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能,被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力,甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
激光器是20世纪四大发明之一,半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器,具有体积小、成本低、寿命长等优势,是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器(LD)是重要的光电子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
数据已证实,硅基氮化镓符合严格的可靠性要求,其射频性能和可靠性可媲美甚至超越昂贵的碳化硅基氮化镓(GaN-on-SiC)替代技术。 硅基氮化镓成为射频半导体行业前沿技术之时正值商用无线基础设施发展
2018-08-17 09:49:42
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
集成在一颗芯片中。合封的设计消除了寄生参数导致的干扰,并充分简化了氮化镓器件的应用门槛,像传统集成MOS的控制器一样应用,得到了很高的市场占有率。钰泰半导体瞄准小功率氮化镓合封应用的市场空白,推出
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
近日纳微半导体宣布推出至今世界上最小的65W USB-PD (Type-C) 电源适配器参考设计。这种高频及高效的AllGaN?功率IC相比传统硅IC可缩小变压器、滤波器和散热器的尺寸、减轻
2017-09-25 10:44:14
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例:高密度手机充电器•应用实例:高性能电机驱动器•应用示例;高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
本帖最后由 kuailesuixing 于 2018-2-28 11:36 编辑
整合意法半导体的制造规模、供货安全保障和电涌耐受能力与MACOM的硅上氮化镓射频功率技术,瞄准主流消费
2018-02-12 15:11:38
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品,这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多:半导体器件可靠性更高,氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
的优势,近年来在功率器件市场大受欢迎。然而,其居高不下的成本使得氮化镓技术的应用受到很多限制。 但是随着硅基氮化镓技术的深入研究,我们逐渐发现了一条完全不同的道路,甚至可以说是颠覆性的半导体技术。这就
2017-07-18 16:38:20
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:氮化镓发展技术编号:JFSJ-21-041作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
功率模块(APM)、加热和冷却单元等。表1:突破性半导体材料的最佳应用氮化镓的魅力在于其固有的超越硅的几个属性。氮化镓提供更低的开关损耗;更快的速度,类似RF的开关速度;增加的功率密度;更好的热预算
2018-07-19 16:30:38
的设计和集成度,已经被证明可以成为充当下一代功率半导体,其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计,如果全球采用硅芯片器件的数据中心,都升级为使用氮化镓功率芯片器件,那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的电阻和电容,开关速度可提高一百倍。
为了充分利用氮化镓功率芯片的能力,电路的其他部分也必须在更高的频率下有效运行。近年加入控制芯片之后,氮化镓充电器的开关频率,已经从 65-100kHz,提高到
2023-06-15 15:53:16
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-08-02 08:23:59
2寸的芯片,现在已经能制造4寸了。业内普遍认为,要大规模生产功率半导体,至少需要6英寸以上的芯片,因此目前还不能大规模生产。此外,上述用于小型 AC转换器的氮化镓功率半导体使用以下的晶片,其最大尺寸为
2023-02-23 15:46:22
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类,元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体,化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍,非常适合
2019-07-29 07:16:49
行业标准,成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键,是创造出接近“理想开关”的电路构件,即一个能将最小能量的数字信号,转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓,由镓(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
氮化镓也处于这一阶段,成本将会随着市场需求量加速、大规模生产、工艺制程革新等,而走向平民化,而最终的市场也将会取代传统的硅基功率器件。8英寸硅基氮化镓的商用化量产,可以大幅降低成本。第三代半导体的普及
2019-07-08 04:20:32
秘密:从程序员到领导者的微妙之处
2020-07-18 12:33:01
概述:NV6127是一款升级产品,导通电阻更小,只有 125 毫欧,是氮化镓功率芯片IC。型号2:AON6268丝印:6268属性:分立半导体产品 - 晶体管封装:DFN-8参数FET 类型:N 通道
2021-01-13 17:46:43
作为功率半导体厂商,为下游客户提供典型应用方案似乎成行业内约定俗成的事。也就是说,作为半导体原厂不仅要设计好芯片,还要亲自设计和验证很多应用方案供下游客户参考或者直接采用,以便让自己的芯片能快速通过
2023-02-01 14:52:03
芯片,但随着国内芯片制造水平的提高,一些国产MCU产品开始逐渐崭露头角,并有望在未来成为行业领导者。
首先,国产MCU产品已有一定的市场占有率。一些企业,如华大基因、瑞芯微等,已经推出了自己的MCU产品
2023-05-08 17:32:44
占有率达到8.87%,位居行业第二。作为一家专业从事半导体分立器件研发、生产和销售的高新技术企业,晶导微拥有国际领先的GPP芯片生产工艺和先进的SMD封装技术,形成了从分立器件芯片和框架的研发设计、制造
2023-04-14 13:46:39
最佳的实践辅导,以及正式和非正式的导师/教练创造内外部交流机会,以开阔业务和市场视野鼓励女性领导者帮助发展并促进下一代女性领导力公开探讨面临的独特挑战,并提供解决问题的工具安森美半导体重视多样性,这贯穿
2018-10-30 09:05:17
安森美半导体入选汤森路透评选的2018年“全球技术领导者100强”。这一首次发布的榜单旨在评选出技术业内运营最为良好、财务最为成功的企业。我们很高兴能被认可为技术行业的一家领先企业,并将在未来持续
2018-10-11 14:31:24
带半导体,相比常规的硅材料,开关速度更快,具有更高的耐压。在降低电阻的同时,还能提供更高的过电压保护能力,防止过压造成的损坏。OPPO使用一颗氮化镓开关管取代两颗串联的硅MOS,氮化镓低阻抗优势可以
2023-02-21 16:13:41
这样的领导者正在将氮化镓和固态半导体技术与这些过程相结合,以更低的成本进行广泛使用,从而改变行业的基础状况。采油与传统的干燥和加热方法相比,射频能量使用更少的能量,而且高精度可使每瓦都得到有效利用。从
2018-01-18 10:56:28
业发展有其特殊性 莫大康对DIGITIMES分析道,中国半导体业发展有其特殊性存在,行业当前发展与全球不同步,在国际上受到瓦圣纳条约控制,涉及国家安全议题;贸易逆差大,市场庞大但是芯片自给率却低
2017-05-27 16:03:53
,其中第一梯队有英诺赛科、纳微、EPC等代表企业。其中英诺赛科是目前全球首家采用8英寸增强型硅氮化镓外延与芯片大规模量产的企业,也是跻身氮化镓产业第一梯队的国产半导体企业代表。
2019-07-05 04:20:06
,以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1:氮化镓技术很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体,于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
`根据Yole Developpement指出,氮化镓(GaN)组件即将在功率半导体市场快速发展,从而使专业的半导体企业受惠;另一方面,他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际
2015-09-15 17:11:46
成为“国产半导体领导者”!萨科微公司“slkor”品牌的SL系列可控硅产品可以国产替代对标替换TI德州仪器、ON安森美、ST意法半导体、IR、MPS、Atmel、AMS等产品的型号BTA06-800B
2024-03-15 11:22:07
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
日前,在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告,与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
5G将于2020年将迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体,如果不妥,请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
精益求精、以市场趋势为导向、以客户满意为结果,锐意进取持续发展。乘“国产替代”的东风,以强芯强国为使命,萨科微立志成为“国产半导体领导者”,为中国芯的强大和中华民族的伟大复兴贡献力量!
2022-03-11 15:54:07
“萨科微,立志成为国产半导体领导者“近年来萨科微半导体SLKOR(www.slkormicro.com)在驱动IC的研发上取得了喜人的进展,不断巩固在功率器件方面的市场地位,在实现半导体的”国产替代
2022-05-17 09:45:42
成为“国产半导体领导者”!萨科微公司“slkor”品牌的SL系列可控硅产品可以国产替代对标替换TI德州仪器、ON安森美、ST意法半导体、IR、MPS、Atmel、AMS等产品的型号BTA06-800B
2022-05-31 14:00:20
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
了当时功率半导体界的一项大胆技术:氮化镓(GaN)。对于强大耐用的射频放大器在当时新兴的宽带无线网络、雷达以及电网功率切换应用中的使用前景,他们表达了乐观的看法。他们称氮化镓器件为“迄今为止最坚固耐用
2023-02-27 15:46:36
笔者就此事询问了一位GaN System前高管,得到的回答就一个单词“insane”(疯狂)!对此,笔者判断8.3亿美元交易价格中可能包含了较多的商誉(goodwill)。因为氮化镓细分领域的领导者纳微
2023-03-03 16:48:40
全球半导体、平面显示器及太阳能设备厂应用材料公司宣佈,截至今年7月29日为止的2012会计年度第三季财务报告。应用材料公司订单为十八亿美元,营收为二十三亿四千万美元
2012-08-17 13:38:29873 电子发烧友网讯 :英飞凌科技公司连续九年成为功率半导体市场的全球领导者。根据市调机构 IMS Research(属IHS公司)最新报告指出,2011 年全球功率半导体市场总值达 176 亿美元,而英
2012-10-17 08:27:44599 台积电昨日宣布,与意法半导体合作加速市场采用氮化镓产品。意法半导体预计今年晚些时候将首批样品交给其主要客户。
2020-02-21 15:41:182538 纳微半导体今日正式宣布,其出货量创下最新纪录,已向市场成功交付超过1300万颗氮化镓(GaN)功率IC实现产品零故障。
2021-01-27 16:43:141757 纳微半导体正式宣布,其出货量创下最新纪录,已向市场成功交付超过1300万颗氮化镓(GaN)功率IC实现产品零故障,反应了全球移动消费电子市场正加速采用氮化镓芯片,实现移动设备和相关设备的快速充电。
2021-02-01 11:12:141786 氮化镓功率芯片的行业领导者纳微半导体(“纳微”)的股票,正式开始在纳斯达克全球市场交易,股票代码为“NVTS”。
2021-10-21 14:30:312006 全球氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体,在北京小米科技园举办的 2021 被投企业 Demo Day 上,展示了下一代功率电源和手机快充产品。
2021-11-02 09:51:31796 氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以提高效率和功率密度,将加速进入更多类型的快充市场。
2022-05-05 10:32:561496 美国加利福尼亚州埃尔塞贡多,2022 年 5 月10日:氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克代码:NVTS)正式发布 NV6169,这是一款采用 GaNSense™技术的650/800 V 大功率GaNFast™芯片,可满足高功率应用。
2022-05-11 11:24:311706 氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体宣布,正式成为全球首家获得顶尖碳中和及气候融资顾问机构Natural Capital Partners颁发的CarbonNeutral®公司认证的半导体公司。
2022-06-06 14:48:111397 氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体宣布收购碳化硅行业先驱GeneSiC,成为唯一专注下一代功率半导体公司 加利福尼亚州埃尔塞贡多,2022 年 8 月 15日讯 — 氮化镓 (GaN) 功率芯片
2022-08-16 14:03:061759 芯片行业领导者— 纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)已正式宣布与威睿电动汽车技术(宁波)有限公司联合打造的新型研发实验室正式揭牌, 凭借旗下领先的GaNFast™氮化镓功率芯片和GeneSiC™碳化硅功率MOSFETs及二极管,进一步加速电动汽车电源系统的发展。 威睿是极氪
2022-11-04 15:58:38409 领导者纳微半导体(Navitas Semiconductor)(纳斯达克股票代码:NVTS)宣
布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路,
进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性,同时增加了
2023-02-22 13:48:053 下一代氮化镓功率芯片将加速充电更快,驾驶距离更远的电动汽车普及提前三年来到,并减少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日,北京—— 氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者 Navitas
2023-02-22 13:49:511 集成的GaNFast氮化镓功率芯片让充电更快、更高效、更便捷。 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者 — 纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)宣布旗下
2023-02-28 17:57:13823 全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者 — 纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)宣布 已出货超7500万颗高压氮化镓功率器件。 氮化镓是是较高压传统硅功率半导体有着重大升级的下一代半导体技术,它减少了提供高压性
2023-03-28 14:19:53644 纳微半导体,作为全球唯一全面专注于下一代功率半导体公司,氮化镓和碳化硅功率芯片的行业领导者,近日宣布与深圳欣锐科技股份有限公司联合打造的新型研发实验室正式揭牌。这一合作旨在加速全球新能源汽车的第三代半导体应用发展。
2024-01-30 11:08:20312 在功率半导体行业,纳微半导体以其对氮化镓和碳化硅功率芯片的深入研究和创新,赢得了行业领导者的地位。值此成立十周年之际,纳微半导体回顾了其一路走来的辉煌历程,并对未来展望了无限期待。
2024-02-21 10:50:32249 加利福尼亚州托伦斯2024年2月21日讯 — 唯一全面专注的下一代功率半导体公司及氮化镓和碳化硅功率芯片行业领导者——纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)宣布其GaNFast™氮化镓功率芯片为三星全新发布的“AI机皇”—— Galaxy S24智能手机打造25W超快“加速充电”。
2024-02-22 11:42:04307
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