图片 图片 三月底,纳微半导体正式发布全球首个氮化镓功率芯片行业20年质保承诺新闻稿,近日,纳微再次发布相关白皮书,帮助业内读者进一步解读相关内容。了解详情,欢迎您请查看以下内容或点击阅读
2022-05-05 11:06:311086 氮化镓功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克股票代码: NVTS)正式宣布其发货数量已超过四千万颗,终端市场故障率为零。
2022-03-28 09:27:48628 今年度营收预估将达563.13亿美元,年增8%,续居全球半导体龙头;三星今年营收预估约为435.35亿美元,年增4%,位居第二;台积电营收估达293亿美元,年增11%,居第三名。采芯网预估,全球前20
2016-11-22 18:11:46
半壁江山。在射频器件领域,目前LDMOS(横向扩散金属氧化物半导体)、GaAs(砷化镓)、GaN(氮化镓)三者占比相差不大,但据Yole development预测,至2025年,砷化镓市场份额基本维持不变
2019-05-06 10:04:10
水平。2022年12月,铭镓半导体完成了4英寸氧化镓晶圆衬底技术突破,成为国内首个掌握第四代半导体氧化镓材料4英寸(001)相单晶衬底生长技术的产业化公司。2022年5月,浙大杭州科创中心首次采用新技术
2023-03-15 11:09:59
程度不断增加,功率半导体需求提升,器件应用范围不断拓展。2021 年-2025 年全球功率半导体市场将从 258.2 亿元增至 342.5 亿美元,对应复 合增速 10.6%;其中,模块增速快,2025
2022-11-11 11:50:23
程度不断增加,功率半导体需求提升,器件应用范围不断拓展。2021 年-2025 年全球功率半导体市场将从 258.2 亿元增至 342.5 亿美元,对应复 合增速 10.6%;其中,模块增速快,2025
2022-11-11 11:46:29
1月30日消息,据国外媒体报道,近日有分析人士指出,受全球硬件产品市场需求减弱因素的影响,半导体厂商内部的库存量已经升至“令人担忧”的水平。 市场调研机构IHS日前宣布调查结果显示,全球半导体厂商
2013-01-30 09:56:19
近年来,全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前,我国已经成为全球最重要的半导体功率器件封测基地。如IDM类(吉林华微电子、华润微电子、杭州士兰微电子、比亚迪股份、株洲中车时代半导体
2021-07-12 07:49:57
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2013-12-23 16:52:07
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-07-05 08:13:58
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向长期
2019-08-20 08:01:20
氮化镓(GaN)功率集成电路集成与应用
2023-06-19 12:05:19
(86) ,因此在正常体温下,它会在人的手中融化。
又过了65年,氮化镓首次被人工合成。直到20世纪60年代,制造氮化镓单晶薄膜的技术才得以出现。作为一种化合物,氮化镓的熔点超过1600℃,比硅高
2023-06-15 15:50:54
氮化镓功率半导体技术解析基于GaN的高级模块
2021-03-09 06:33:26
氮化镓为单开关电路准谐振反激式带来了低电荷(低电容)、低损耗的优势。和传统慢速的硅器件,以及分立氮化镓的典型开关频率(65kHz)相比,集成式氮化镓器件提升到的 200kHz。
氮化镓电源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
更小:GaNFast™ 功率芯片,可实现比传统硅器件芯片 3 倍的充电速度,其尺寸和重量只有前者的一半,并且在能量节约方面,它最高能节约 40% 的能量。
更快:氮化镓电源 IC 的集成设计使其非常
2023-06-15 15:32:41
氮化镓 (GaN) 可为便携式产品提供更小、更轻、更高效的桌面 AC-DC 电源。Keep Tops 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料。 当用于电源时,GaN 比传统硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
;这也说明市场对于充电器功率的市场需求及用户使用的范围;随着小米65W的充电器的发布,快速的走进氮化镓快充充电器时代。目前市面上已经量产商用的氮化镓方案主要来自PI和纳微半导体两家供应商。其中PI
2020-03-18 22:34:23
的选择。 生活更环保 为了打破成本和大规模采用周期,一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会,使其在高电压应用中的贡献远远超越硅材料。用于
2018-11-20 10:56:25
度大、击穿电场高、热导率大、电子饱和漂移速度高、介电常数小等独特的性能,被誉为第三代半导体材料。氮化镓在光电器件、功率器件、射频微波器件、激光器和探测器件等方面展现出巨大的潜力,甚至为该行业带来跨越式
2022-06-14 11:11:16
是什么氮化镓(GaN)是氮和镓化合物,具体半导体特性,早期应用于发光二极管中,它与常用的硅属于同一元素周期族,硬度高熔点高稳定性强。氮化镓材料是研制微电子器件的重要半导体材料,具有宽带隙、高热导率等特点,应用在充电器方面,主要是集成氮化镓MOS管,可适配小型变压器和高功率器件,充电效率高。二、氮化
2021-09-14 08:35:58
扮演着关键的角色。与此同时,美国国防部还通过了高级研究计划局 (DARPA) 的宽带隙半导体技术 (WBST) 计划,该计划在氮化镓的早期开发中发挥了积极的推动作用。该项计划于 2001 年正式启动,力求
2017-08-15 17:47:34
从将PC适配器的尺寸减半,到为并网应用创建高效、紧凑的10 kW转换,德州仪器为您的设计提供了氮化镓解决方案。LMG3410和LMG3411系列产品的额定电压为600 V,提供从低功率适配器到超过2 kW设计的各类解决方案。
2019-08-01 07:38:40
封装技术的效率。三维散热是GaN封装的一个很有前景的选择。
生活更环保
为了打破成本和大规模采用周期,一种新型功率半导体技术需要解决最引人注目应用中现有设备的一些缺点。氮化镓为功率调节的发展创造了机会
2019-03-14 06:45:11
激光器是20世纪四大发明之一,半导体激光器是采用半导体芯片加工工艺制备的激光器,具有体积小、成本低、寿命长等优势,是应用最多的激光器类别。氮化镓激光器(LD)是重要的光电子器件,基于GaN材料
2020-11-27 16:32:53
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。 数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si
2018-08-17 09:49:42
纳微集成氮化镓电源解决方案及应用
2023-06-19 11:10:07
集成在一颗芯片中。合封的设计消除了寄生参数导致的干扰,并充分简化了氮化镓器件的应用门槛,像传统集成MOS的控制器一样应用,得到了很高的市场占有率。钰泰半导体瞄准小功率氮化镓合封应用的市场空白,推出
2021-11-28 11:16:55
GaN功率半导体(氮化镓)的系统集成优势
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半导体与高频生态系统(氮化镓)
2023-06-25 09:38:13
GaN功率半导体在快速充电市场的应用(氮化镓)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半导体带来AC-DC适配器的革命(氮化镓)
2023-06-19 11:41:21
近日纳微半导体宣布推出至今世界上最小的65W USB-PD (Type-C) 电源适配器参考设计。这种高频及高效的AllGaN?功率IC相比传统硅IC可缩小变压器、滤波器和散热器的尺寸、减轻
2017-09-25 10:44:14
纳维半导体•氮化镓功率集成电路的性能影响•氮化镓电源集成电路的可靠性影响•应用示例:高密度手机充电器•应用实例:高性能电机驱动器•应用示例;高功率开关电源•结论
2023-06-16 10:09:51
GaNFast功率半导体建模(氮化镓)
2023-06-19 07:07:27
宽禁带半导体材料氮化镓(GaN)以其良好的物理化学和电学性能成为继第一代元素半导体硅(Si)和第二代化合物半导体砷化镓(GaAs)、磷化镓(GaP)、磷化铟(InP)等之后迅速发展起来的第三代半导体
2019-06-25 07:41:00
功率氮化镓电力电子器件具有更高的工作电压、更高的开关频率、更低的导通电阻等优势,并可与成本极低、技术成熟度极高的硅基半导体集成电路工艺相兼容,在新一代高效率、小尺寸的电力转换与管理系统、电动机
2018-11-05 09:51:35
电子、汽车和无线基站项目意法半导体获准使用MACOM的技术制造并提供硅上氮化镓射频率产品预计硅上氮化镓具有突破性的成本结构和功率密度将会实现4G/LTE和大规模MIMO 5G天线中国,2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
应用。MACOM的氮化镓可用于替代磁控管的产品,这颗功率为300瓦的硅基氮化镓器件被用来作为微波炉里磁控管的替代。用氮化镓器件来替代磁控管带来好处很多:半导体器件可靠性更高,氮化镓器件比磁控管驱动电压
2017-09-04 15:02:41
的射频器件越来越多,即便集成化仍然很难控制智能手机的成本。这跟功能机时代不同,我们可以将成本做到很低,在全球市场都能够保证低价。但如果到了5G时代,需要的器件越来越多,价格越来越高。半导体材料硅基氮化镓
2017-07-18 16:38:20
SGFCF2002S-D氮化镓晶体管SGNH130M1H氮化镓晶体管SGNE010MK氮化镓晶体管SGCA100M1H氮化镓晶体管SGCA030M1H氮化镓晶体管深圳市立年电子科技有限公司QQ330538935***`
2021-03-30 11:14:59
书籍:《炬丰科技-半导体工艺》文章:氮化镓发展技术编号:JFSJ-21-041作者:炬丰科技网址:http://www.wetsemi.com/index.html 摘要:在单个芯片上集成多个
2021-07-06 09:38:20
,2022年由于存货、库存保持高位,项目重复建设,产能出现负增长。2023年下半年随着库存消耗,产能将出现提升,预计增长6%达到3,400亿块。本土功率半导体厂商迎来发展新契机以深圳市萨科微半导体
2023-03-17 11:08:33
Canaccord Genuity预计,到2025年,电动汽车解决方案中每台汽车的半导体构成部分将增加50%或更多。本文将探讨氮化镓(GaN)电子器件,也涉及到一点碳化硅(SiC),在不增加汽车成本的条件下
2018-07-19 16:30:38
中国已经是全球最大的电子信息制造基地,集中了全球60%以上的半导体芯片销售,全球80%以上的智能手机产业链,超过全球50%的物联网、新能源汽车产业链,这个优势在10年内不会被取代。过去的两年
2018-08-30 16:02:33
的设计和集成度,已经被证明可以成为充当下一代功率半导体,其碳足迹比传统的硅基器件要低10倍。据估计,如果全球采用硅芯片器件的数据中心,都升级为使用氮化镓功率芯片器件,那全球的数据中心将减少30-40
2023-06-15 15:47:44
超低的电阻和电容,开关速度可提高一百倍。
为了充分利用氮化镓功率芯片的能力,电路的其他部分也必须在更高的频率下有效运行。近年加入控制芯片之后,氮化镓充电器的开关频率,已经从 65-100kHz,提高到
2023-06-15 15:53:16
)、氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、双极硅、绝缘硅(SoI)和蓝宝石硅(SoS)等工艺技术给业界提供了丰富的选择。虽然半导体器件的集成度越来越高,但分立器件同样在用这些工艺制造。随着全球电信网络向
2019-08-02 08:23:59
2寸的芯片,现在已经能制造4寸了。业内普遍认为,要大规模生产功率半导体,至少需要6英寸以上的芯片,因此目前还不能大规模生产。此外,上述用于小型 AC转换器的氮化镓功率半导体使用以下的晶片,其最大尺寸为
2023-02-23 15:46:22
1、GaAs半导体材料可以分为元素半导体和化合物半导体两大类,元素半导体指硅、锗单一元素形成的半导体,化合物指砷化镓、磷化铟等化合物形成的半导体。砷化镓的电子迁移速率比硅高5.7 倍,非常适合
2019-07-29 07:16:49
行业标准,成为落地量产设计的催化剂
氮化镓芯片是提高整个系统性能的关键,是创造出接近“理想开关”的电路构件,即一个能将最小能量的数字信号,转化为无损功率传输的电路构件。
纳微半导体利用横向650V
2023-06-15 14:17:56
通过SMT封装,GaNFast™ 氮化镓功率芯片实现氮化镓器件、驱动、控制和保护集成。这些GaNFast™功率芯片是一种易于使用的“数字输入、电源输出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2020-10-27 09:28:22
氮化镓南征北战纵横半导体市场多年,无论是吊打碳化硅,还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质,确立了其在制备宽波谱
2019-07-31 06:53:03
氮化镓,由镓(原子序数 31)和氮(原子序数 7)结合而来的化合物。它是拥有稳定六边形晶体结构的宽禁带半导体材料。禁带,是指电子从原子核轨道上脱离所需要的能量,氮化镓的禁带宽度为 3.4eV,是硅
2023-06-15 15:41:16
(SiC)和氮化镓(GaN)是功率半导体生产中采用的主要半导体材料。与硅相比,两种材料中较低的本征载流子浓度有助于降低漏电流,从而可以提高半导体工作温度。此外,SiC 的导热性和 GaN 器件中稳定的导通电
2023-02-21 16:01:16
%。[color=rgb(51, 51, 51) !important]目前,氮化镓已经拥有了足够广阔的应用空间。作为第三代半导体新技术,也是全球各国争相角逐的市场,并且市面上已经形成了多股氮化镓代表势力
2019-07-08 04:20:32
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生,以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
概述:NV6127是一款升级产品,导通电阻更小,只有 125 毫欧,是氮化镓功率芯片IC。型号2:AON6268丝印:6268属性:分立半导体产品 - 晶体管封装:DFN-8参数FET 类型:N 通道
2021-01-13 17:46:43
客户希望通过原厂FAE尽快找到解决方案,或者将遇到技术挫折归咎为芯片本身设计问题,尽管不排除芯片可能存在不适用的领域,但是大部分时候是应用层面的问题,和芯片没有关系。这种情况对新兴的第三代半导体氮化镓
2023-02-01 14:52:03
技术及工艺的先进性,还较大程度上依赖进口,未来进口替代空间较大。从中长期看,国内功率半导体需求将持续快速增长。根据前瞻产业研究院预测,到2026年分立器件的市场需求将超过3,700亿元。近年来物联网
2023-04-14 13:46:39
技术及工艺的先进性,还较大程度上依赖进口,未来进口替代空间较大。从中长期看,国内功率半导体需求将持续快速增长。根据前瞻产业研究院预测,到2026年分立器件的市场需求将超过3,700亿元。近年来物联网
2023-04-14 16:00:28
记者近日从扬州经济技术开发区获悉,全球最大半导体设备制造商——美国应用材料公司的装备制造项目近日成功签约落户当地,这是该公司在内地建设的首个设备制造基地。美国应用材料公司是全球最大的半导体设备制造商
2011-07-31 08:52:04
半导体的优势,使用氮化镓开关管的保护板,具有更高的耐压,可为保护板提供更高的过电压保护能力。期待配套的保护芯片早日成熟,助推氮化镓锂电池保护应用,推出更轻、更高效的电池产品。原作者:充电头网编辑部充电头网
2023-02-21 16:13:41
常用的功率半导体器件有哪些?
2021-11-02 07:13:30
中国,2018年2月26日 – 横跨多重电子应用领域的全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)今天宣布与远创达科技公司签署一份
2018-02-28 11:44:56
,其中第一梯队有英诺赛科、纳微、EPC等代表企业。其中英诺赛科是目前全球首家采用8英寸增强型硅氮化镓外延与芯片大规模量产的企业,也是跻身氮化镓产业第一梯队的国产半导体企业代表。
2019-07-05 04:20:06
两年多前,德州仪器宣布推出首款600V氮化镓(GaN)功率器件。该器件不仅为工程师提供了功率密度和效率,且易于设计,带集成栅极驱动和稳健的器件保护。从那时起,我们就致力于利用这项尖端技术将功率级
2022-11-10 06:36:09
,以及分享GaN FET和集成电路目前在功率转换领域替代硅器件的步伐。
误解1:氮化镓技术很新且还没有经过验证
氮化镓器件是一种非常坚硬、具高机械稳定性的宽带隙半导体,于1990年代初首次用于生产高
2023-06-25 14:17:47
`根据Yole Developpement指出,氮化镓(GaN)组件即将在功率半导体市场快速发展,从而使专业的半导体企业受惠;另一方面,他们也将会发现逐渐面临来自英飞凌(Infineon)/国际
2015-09-15 17:11:46
,库存对半导体行业的负面影响将至少持续到年底,不过需求增长将在2012年出现。 美国单片机和模拟半导体供应商Microchip于本月初宣布第三财季业绩时表示,2011年第四季度将是该行业循环周期的谷底
2012-01-15 10:07:58
,氮化镓主要用作功率放大器。尽管如此,两个 WBG 晶体管一般被制造商采用,有时可以用来代替硅:横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)Super junction MOSFETs 超级结
2022-06-15 11:43:25
射频半导体技术的市场格局近年发生了显著变化。数十年来,横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)技术在商业应用中的射频半导体市场领域起主导作用。如今,这种平衡发生了转变,硅基氮化镓(GaN-on-Si)技术成为接替传统LDMOS技术的首选技术。
2019-09-02 07:16:34
日前,在广州举行的2013年LED外延芯片技术及设备材料最新趋势专场中,晶能光电硅衬底LED研发副总裁孙钱博士向与会者做了题为“硅衬底氮化镓大功率LED的研发及产业化”的报告,与同行一道分享了硅衬底
2014-01-24 16:08:55
5G将于2020年将迈入商用,加上汽车走向智慧化、联网化与电动化的趋势,将带动第三代半导体材料碳化硅(SiC)与氮化镓(GaN)的发展。根据拓墣产业研究院估计,2018年全球SiC基板产值将达1.8
2019-05-09 06:21:14
突破GaN功率半导体的速度限制
2023-06-25 07:17:49
GaN将在高功率、高频率射频市场及5G 基站PA的有力候选技术。未来预估5-10年内GaN 新型材料将快速崛起并占有多半得半导体市场需求。。。以下内容均摘自网络媒体,如果不妥,请联系站内信进行删除
2019-04-13 22:28:48
氮化镓GaN是什么?
2021-06-16 08:03:56
虽然低电压氮化镓功率芯片的学术研究,始于 2009 年左右的香港科技大学,但强大的高压氮化镓功率芯片平台的量产,则是由成立于 2014 年的纳微半导体最早进行研发的。纳微半导体的三位联合创始人
2023-06-15 15:28:08
”的器件。它有多好呢?击穿电压是功率晶体管的关键指标之一,达到这个临界点,半导体阻止电流流动的能力就会崩溃。东胁研究的开创性晶体管的击穿电压大于250伏。相比之下,氮化镓花了近20年的时间才达到这一
2023-02-27 15:46:36
位于加拿大渥太华的第三代半导体无晶圆设计公司,主营业务是开发基于 氮化镓的功率芯片和功率转换解决方案。公司现拥有200多名员工,这就意味着按照员工数量的收购价格约为4百万美元每位员工。恭喜GaN
2023-03-03 16:48:40
会产生热量。这些发热限制了系统的性能。比如说,当你笔记本电脑的电源变热时,其原因在于流经电路开关内的电子会产生热量,并且降低了它的效率。由于氮化镓是一款更好、效率更高的半导体材料,它的发热量更低,所以
2018-08-30 15:05:50
纳微半导体今日正式宣布,其出货量创下最新纪录,已向市场成功交付超过1300万颗氮化镓(GaN)功率IC实现产品零故障。
2021-01-27 16:43:141757 氮化镓 (GaN) 功率芯片行业领导者纳微半导体(纳斯达克股票代码:NVTS)近日宣布,其采用GaNSense 技术的智能GaNFast功率芯片已升级以提高效率和功率密度,将加速进入更多类型的快充市场。
2022-05-05 10:32:561496 领导者纳微半导体(Navitas Semiconductor)(纳斯达克股票代码:NVTS)宣
布推出新一代采用GaNSense技术的智能GaNFast氮化镓功率芯片。GaNSense技术集成了关键、实时、智能的传感和保护电路,
进一步提高了纳微半导体在功率半导体行业领先的可靠性和稳健性,同时增加了
2023-02-22 13:48:053 下一代氮化镓功率芯片将加速充电更快,驾驶距离更远的电动汽车普及提前三年来到,并减少20%道路二氧化碳排放 2022年1月14日,北京—— 氮化镓 (GaN) 功率芯片的行业领导者 Navitas
2023-02-22 13:49:511 氮化镓半导体芯片(GaN芯片)和传统的硅半导体芯片在组成材料、性能特点、应用领域等方面存在着明显的区别。本文将从这几个方面进行详细介绍。 首先,氮化镓半导体芯片和传统的硅半导体芯片的组成
2023-12-27 14:58:24424
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