碳化硅功率器件，助力OBC提升功率密度降低重量，让新能源汽车充电更快，续航更长
2022-09-23 18:31:40
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，使器件可工作在更高的开关频率;同时，碳化硅材料更高的热导率也有助于提升系统的整体功率密度。碳化硅器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等特性，使电力电子系统的效率和功率密度朝着更高的方向
2022-11-12 10:01:261315 碳化硅（SiC），通常被称为金刚砂，是唯一由硅和碳构成的合成物。虽然在自然界中以碳硅石矿物的形式存在，但其出现相对罕见。然而，自从1893年以来，粉状碳化硅就已大规模生产，用作研磨剂。碳化硅在研磨领域有着超过一百年的历史，主要用于磨轮和多种其他研磨应用。
2023-09-08 15:24:02887 
CISSOID与清华大学电机工程与应用电子技术系（简称电机系）达成技术合作意向，双方将携手研发基于碳化硅（SiC）功率模块的系统，期望共同攻克技术难题以求实现其潜在的高效率和高功率密度等优势，并将大力支持在新能源汽车领域开展广泛应用。
2019-04-08 11:39:362371 高温半导体解决方案供应商CISSOID日前宣布：公司已与中国科学院电工研究所（简称中科院电工所）达成战略合作关系，将共同开展基于碳化硅（SiC）功率模块的系统研发项目，攻克技术难题，实现耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势，推动碳化硅功率器件在新能源汽车领域实现广泛应用。
2019-06-10 14:10:191342 CISSOID 和 Silicon Mobility 宣布推出新能源汽车紧凑及高效碳化硅逆变器，并以此体现其所建立的合作伙伴关系。
2021-12-09 10:01:432296 
高等特点，更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。 SiC MOSFET在开发与应用方面，实现了传统型半导体（Si）实现不了的低损耗，包括提高效率、提升功率密度、降低冷却要求以及降低系统级成本
2020-09-24 16:23:17
极快反向恢复速度的600V-1200V碳化硅肖特基二极管芯片及成品器件 。海飞乐技术600V碳化硅二极管现货选型相比于Si半导体材料，SiC半导体材料具有禁带宽度较大、临界电场较大、热导率较高的特点，SiC
2019-10-24 14:25:15
碳化硅（SiC）具有禁带宽度大、击穿电场强度高、饱和电子漂移速度高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，被认为是制作高温、高频、大功率和抗辐射器件极具潜力的宽带隙半导体材料
2020-09-24 16:22:14
哪位大神知道CISSOID碳化硅驱动芯片有几款,型号是什么
2020-03-05 09:30:32
SIC碳化硅二极管
2016-11-04 15:50:11
家公司已经建立了SiC技术作为其功率器件生产的基础。此外，几家领先的功率模块和功率逆变器制造商已为其未来基于SiC的产品的路线图奠定了基础。碳化硅（SiC）MOSFET即将取代硅功率开关;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
SiC碳化硅MOS驱动的PCB布局方法解析:在为任一高功率或高电压系统设计印刷电路板 (PCB) 布局时，栅极驱动电路特别容易受到寄生阻抗和信号的影响。对于碳化硅 (SiC) 栅极驱动，更需认真关注
2022-03-24 18:03:24
STMicroelectronics的快速碳化硅结构肖特基二极管 STMicroelectronics碳化硅结构肖特基二极管的开关使设计人员可以达到更高的效率和功率密度。ST的650V
2020-06-30 16:26:30
0.5Ω，内部栅极电阻为0.5Ω。 功率模块的整体热性能也很重要。碳化硅芯片的功率密度高于硅器件。与具有相同标称电流的硅IGBT相比，SiC MOSFET通常表现出显着较低的开关损耗，尤其是在部分
2023-02-20 16:29:54
的正向损耗小。 (2)碳化硅功率器件由于具有高的击穿电场而具有高的击穿电压。例如，商用的硅肖特基的电压小于300V，而第一个商用的碳化硅肖特基二极管的击穿电压已达到600V。 (3)碳化硅有高的热导率
2019-01-11 13:42:03
社会的重要元器件。碳化硅被广泛视为下一代功率器件的材料，因为碳化硅相较于硅材料可进一步提高电压并降低损耗。虽然碳化硅功率器件目前主要用于列车逆变器，但其具有极为广泛的应用前景，包括车辆电气化和工业设备
2023-04-11 15:29:18
）新的650V碳化硅器件有助于在几个方面降低成本。与硅基650V MOSFET相比，碳化硅器件的导通损耗降低了50%，开关损耗降低了75%，而功率密度提高了三倍，因此，不仅可以实现更高效率，而且还可以降低磁性
2023-02-27 14:28:47
充电器、电机和太阳能逆变器，不仅可以从这些新器件中受益匪浅，不仅在效率上，而且在尺寸上，可实现高功率、高温操作。但是，不仅器件的特性让人对新设计充满好奇，也是意法半导体的战略。碳化硅（SiC）技术是意
2023-02-24 15:03:59
本帖最后由 ewaysqian 于 2024-2-21 14:26 编辑
碳化硅MOS具有宽带隙、高击穿电场强度、高电流密度、快速开关速度、低导通电阻和抗辐射性能等独特特点，在电子器件领域有着
2022-02-17 14:36:16
、GaP、InP等）之后发展起来的第三代半导体材料。作为一种宽禁带半导体材料，碳化硅具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、载流子饱和漂移速度高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性良好等特点，可以用来制造
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比拟的优良性能，碳化硅是宽禁带半导体材料的一种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，碳化硅器件主要包括功率二极管和功率开关管
2020-06-28 17:30:27
和发电机绕组以及磁线圈中的高关断电压。 棒材和管材EAK碳化硅压敏电阻 这些EAK非线性电阻压敏电阻由碳化硅制成，具有高功率耗散和高能量吸收。该系列采用棒材和管材制造，外径范围为 6 至 30
2024-03-08 08:37:49
进一步了解碳化硅器件是如何组成逆变器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我们来聊聊碳化硅器件的特点
2021-03-16 08:00:04
超过40%，其中以碳化硅材料（SiC）为代表的第三代半导体大功率电力电子器件是目前在电力电子领域发展最快的功率半导体器件之一。根据中国半导体行业协会统计，2019年中国半导体产业市场规模达7562亿元
2021-01-12 11:48:45
在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。 在设计功率转换器时，碳化硅（SiC）等宽带隙（WBG）技术现在是组件选择过程中的现实选择。650V
2023-02-23 17:11:32
。强氧化气体在1000℃以上与SiC反应，并分解SiC.水蒸气能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸气的气氛中，能促进绿色碳化硅氧化从100℃开始，随着温度的提高，氧化程度愈为明显，到1400℃时为最大
2019-07-04 04:20:22
硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作为现在比较好的材料，为什么应用的领域会受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
碳化硅（SiC）是比较新的半导体材料。一开始，我们先来了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强，在热、化学、机械方面都
2018-11-29 14:43:52
碳化硅作为一种宽禁带半导体材料，比传统的硅基器件具有更优越的性能。碳化硅的宽禁带（3.26eV）、高临界场（3×106V/cm）和高导热系数（49W/mK）使功率半导体器件效率更高，运行速度更快
2023-02-28 16:34:16
用于一些高压、高温、高效率及高功率密度的应用场合。碳化硅(SiC)材料因其优越的物理特性，开始受到人们的关注和研究。自从碳化硅1824年被瑞典科学家Jns Jacob Berzelius发现以来，直到
2021-03-25 14:09:37
）------------------------------------------------------------------------------------------------会议主题：罗姆 SiC（碳化硅）功率器件的活用直播时间：2018
2018-07-27 17:20:31
，利用SiC MOSFET来作为永磁同步电机控制系统中的功率器件，可以降低驱动器损耗，提高开关频率，降低电流谐波和转矩脉动。本项目中三相逆变器拟打算使用贵公司的SiC MOSFET，验证碳化硅功率器件
2020-04-21 16:04:04
前言
碳化硅（SiC）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显著提高电能利用率。SiC器件的典型应用领域包括：新能源汽车、5G通讯、光伏发电、轨道交通、智能电网等现代工业领域，在
2023-10-07 10:12:26
，4H-SiC是500，而氮化镓是900，效率非常高。另外，碳化硅具有2.8 MV/cm的绝缘失效电场强度，以及3.3 MV/cm的氮化镓。通常，在低频工作时，其功率损耗是绝缘失效电场的3倍，而在高频时则是2
2023-02-23 15:46:22
什么是功率密度？功率密度的发展史如何实现高功率密度？
2021-03-11 06:51:37
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的结构是如何构成的？
2021-06-18 08:32:43
近年来，因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动，碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度，更好的温度特性使得系统损耗大幅降低，效率提升，体积减小，从而实现变换器的高效高功率密度
2022-03-29 10:58:06
传统的硅组件、碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)伴随着第三代半导体电力电子器件的诞生，以碳化硅(Sic)和氮化镓(GaN)为代表的新型半导体材料走入了我们的视野。SiC和GaN电力电子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2020-07-30 07:14:58
碳化硅 (SiC) 是一种下一代材料，可以显著降低功率损耗并实现更高的功率密度、电压、温度和频率，同时减少散热。高温可操作性降低了冷却系统的复杂性，从而降低了电源系统的整体架构。与过去几十年相比
2022-06-13 11:27:24
在太阳能光伏（PV）和能量存储应用中，存在功率密度增加以及始终存在的提高效率需求的趋势。该问题的解决方案以碳化硅（SiC）功率器件的形式出现。 ADuM4135栅极驱动器是单通道器件，在25 V工作电压（VDD至VSS）下具有典型的7A源/灌电流驱动能力
2020-05-27 17:08:24
大功率适配器为了减小对电网的干扰，都会采用PFC电路、使用氮化镓的充电器，基本也离不开碳化硅二极管，第三代半导体材料几乎都是同时出现，强强联手避免短板。创能动力推出的碳化硅二极管
2023-02-22 15:27:51
和高性能的碳化硅 MOSFET之间，在某些场合性价比更优于超结MOSFET和碳化硅MOSFET，可帮助客户在性能和成本之间取得更好的平衡，具有重要的应用价值，特别适用于对功率密度提升有需求，同时更强
2023-02-28 16:48:24
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。
2019-07-25 07:51:59
对于高压开关电源应用，碳化硅或SiC MOSFET带来比传统硅MOSFET和IGBT明显的优势。在这里我们看看在设计高性能门极驱动电路时使用SiC MOSFET的好处。
2018-08-27 13:47:31
是基本半导体针对新能源商用车等大型车辆客户对主牵引驱动器功率器件的高功率密度、长器件寿命等需求而专门开发的产品。 该产品采用标准ED3封装，采用双面有压型银烧结连接工艺、高密度铜线键合技术、高性能氮化硅AMB
2023-02-27 11:55:35
，导通电阻更低；碳化硅具有高电子饱和速度的特性，使器件可工作在更高的开关频率；同时，碳化硅材料更高的热导率也有助于提升系统的整体功率密度。碳化硅器件的高频、高压、耐高温、开关速度快、损耗低等特性，使电力
2023-02-22 16:06:08
新型材料铝碳化硅解决了封装中的散热问题，解决各行业遇到的各种芯片散热问题，如果你有类似的困惑，欢迎前来探讨，铝碳化硅做封装材料的优势它有高导热，高刚度，高耐磨，低膨胀，低密度，低成本，适合各种产品的IGBT。我西安明科微电子材料有限公司的赵昕。欢迎大家有问题及时交流，谢谢各位！
2016-10-19 10:45:41
SiC-MOSFET 是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。在国内虽有几家在持续投入，但还处于开发阶段, 且技术尚不完全成熟。从国内
2019-09-17 09:05:05
小于5ns； · 选用低传输延时，上升下降时间短的推挽芯片。 总之，相比于硅IGBT，碳化硅MOSFET在提升系统效率、功率密度和工作温度的同时，对于驱动器也提出了更高要求，为了让碳化硅
2023-02-27 16:03:36
。 LeapersSemiconductor的HPD系列SiC功率模块为xEV应用提供性能。因此，设计工程师可以期望： 具有高功率密度，可减小系统尺寸; 提供更高的电源效率; 提高电池利用效率
2023-02-20 16:26:24
面向电动汽车的全新碳化硅功率模块 碳化硅在电动汽车应用中代表着更高的效率、更高的功率密度和更优的性能，特别是在800 V 电池系统和大电池容量中，它可提高逆变器的效率，从而延长续航里程或降低电池成本
2021-03-27 19:40:16
一、什么是碳化硅碳化硅（SiC）又叫金刚砂，它是用石英砂、石油焦、木屑、食盐等原料通过电阻炉高温冶炼而成，其实碳化硅很久以前就被发现了，它的特点是：化学性能稳定、导热系数高、热膨胀系数小、耐磨性能
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蚀技术去刻蚀碳化硅，采用的是ICP系列设备，刻蚀气体使用的是SF6+O2，碳化硅上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
描述此款碳化硅 (SiC) FET 和 IGBT 栅极驱动器参考设计为驱动 UPS、交流逆变器和电动汽车充电桩（电动汽车充电站）应用的功率级提供了蓝图。此设计基于 TI 的 UCC53xx
2018-09-30 09:23:41
IGBT 的三相电机半桥的高侧和低侧功率级，并能够监控和保护各种故障情况。图1：电动汽车牵引逆变器框图碳化硅 MOSFET 米勒平台和高强度栅极驱动器的优势特别是对于SiC MOSFET，栅极驱动器IC
2022-11-02 12:02:05
碳化硅(SiC)基地知识
碳化硅又称金钢砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生产绿色碳化硅时需要加食盐)等原料
2009-11-17 09:41:491240 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅 （SiC），俗称金刚砂。 SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。 不过，自 1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。 碳化硅用作研磨剂已有一百多年的历史，主要用于磨轮和众多其他研磨应用
2017-05-06 11:32:45
54 硅与碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状碳化硅已被大量生产用作研磨剂。碳化硅用作研磨剂已有一百多年
2018-04-11 11:37:004934 
逆变器的功率密度，探讨了采用软开关技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积， 讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系。 随着开关频率从数十 kHz 逐渐提升至数百
2018-10-08 08:00:0029 英飞凌科技股份公司与GT Advanced Technologies（GTAT）已经签署碳化硅（SiC）晶棒供货协议，合同预期五年。
2020-11-13 11:48:48990 SiC-碳化硅-功率半导体的介绍讲解说明。
2021-04-26 10:11:32140 碳化硅 (SiC) 具有提高电动汽车整体系统效率的潜力。在太阳能行业，碳化硅逆变器优化在成本节约方面也发挥着很大的作用。在这个与俄亥俄州立大学电气与计算机工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351383 来源：CISSOID公司 比利时蒙-圣吉贝尔和中国重庆 – 2022年10月17日 –提供基于碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）的耐高温、长寿命、高效率、紧凑型驱动电路和智能功率模块解决方案的领先
2022-10-18 17:35:10617 SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点，被广泛应用在电动汽车、风能发电、光伏发电等新能源领域。 近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移。目前
2023-01-13 11:16:441230 
SA111采用碳化硅（SiC）技术和领先的封装设计，突破了模拟模块的热效率和功率密度的上限。
2023-01-30 16:09:37537 汽车碳化硅技术原理图 相比硅基功率半导体，碳化硅功率半导体在开关频率、损耗、散热、小型化等方面存在优势，随着特斯拉大规模量产碳化硅逆变器之后，更多的企业也开始落地碳化硅产品。 功率半导体碳化硅
2023-02-02 15:10:00467 高技术耐火原料中，碳化硅为应用最广泛、最经济的一种，可以称为金钢砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二极管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性，可以在电力电子技术领域打破硅的极限，成为新能源及电力电子的首选器件。 碳
2023-02-05 16:34:591313 功率半导体碳化硅（SiC）技术 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技术的需求继续增长，这种技术可以最大限度地提高当今电力系统的效率
2023-02-15 16:03:448 SiC碳化硅功率半导体器件具有耐压高、热稳定好、开关损耗低、功率密度高等特点，被广泛应用在电动汽车、风能发
电、光伏发电等新能源领域。
近年来，全球半导体功率器件的制造环节以较快速度向我国转移
2023-02-16 15:28:254 的三相碳化硅（SiC）功率堆栈。该功率堆栈结合了
CISSOID的1200VSiC智能功率模块和Advanced Conversion的6组低ESR/ESL直流支撑（DC-Link）电容器，可进一步与控制器板和液体冷却器集成，
为电机驱动器的高功率密度和高效率SiC逆变器（见下图）的设计提供完整的硬件
2023-02-21 09:12:190 我们拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件：碳化硅二极管和碳化硅MOSFET展开说明。碳和硅进过化合先合成碳化硅，然后碳化硅打磨成为粉末，碳化硅粉末经过碳化硅单晶生长成为碳化硅晶锭；碳化硅
2023-02-21 10:04:111693 
什么是第三代半导体？我们把SiC碳化硅功率器件和氮化镓功率器件统称为第三代半导体，这个是相对以硅基为核心的第二代半导体功率器件的。今天我们着重介绍SiC碳化硅功率器件，也就是SiC碳化硅二极管
2023-02-21 10:16:472090 我们拿慧制敏造碳化硅半导体出品的KNSCHA碳化硅二极管封装接下来我们来看一下碳化硅二极管的贴片封装，常见的有有TO-263和TO-252封装，随着近些年电源对于功率密度要求不断提高，碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795 
在功率器件领域，除了围绕传统硅器件本身做文章外，材料的创新有时也会带来巨大的性能提升。比如，在谈论功率密度时，GaN（氮化镓）凭借零反向复原、低输出电荷和高电压转换率等突出优势，能够帮助厂商大幅提升系统密度，而另一种主流的宽带隙半导体材料SiC（碳化硅）也是提升功率密度的上佳选择。
2023-05-18 10:56:27741 
碳化硅功率模组有哪些 碳化硅功率器件系列研报深受众多专业读者喜爱，本期为番外篇，前五期主要介绍了碳化硅功率器件产业链的上中下游，本篇将深入了解碳化硅功率器件的应用市场，以及未来的发展趋势，感谢各位
2023-05-31 09:43:20390 碳化硅（SiC）功率器件是由硅和碳制成的半导体，用于制造电动汽车、电源、电机控制电路和逆变器等高压应用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169 
点击 “东芝半导体”，马上加入我们哦！ 碳化硅（SiC）是第3代半导体材料的典型代表，具有高禁带宽度、高击穿电场和高功率密度、高电导率、高热导率等优越的物理性能，应用前景广阔。 目前，东芝的碳化硅
2023-10-17 23:10:02269 
在逆变器、电机驱动器和电池充电器等应用中，碳化硅（SiC）器件具有更高的功率密度、更低的冷却要求和更低的整体系统成本等优势。
2023-11-07 09:45:59434 
硅是半导体的传统材料，但其近亲碳化硅（SiC）最近已成为激烈的竞争对手。碳化硅的特性特别适合高温、高压应用。它提供了更高的效率，并扩展了功率密度和工作温度等领域的功能。
2023-11-10 09:36:59481 随着电力电子技术的不断发展，碳化硅（SiC）功率器件作为一种新型的半导体材料，在电力电子领域的应用越来越广泛。与传统的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐压、高耐流等优点
2023-12-14 09:14:46240 碳化硅功率器件的实用性不及硅基功率器件吗 碳化硅功率器件相较于传统的硅基功率器件具有许多优势，主要体现在以下几个方面：材料特性、功率密度、温度特性和开关速度等。尽管碳化硅功率器件还存在一些挑战
2023-12-21 11:27:09286 碳化硅（SiC）是一种优良的宽禁带半导体材料，具有高击穿电场、高热导率、低介电常数等特点，因此在高温、高频、大功率应用领域具有显著优势。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的电力电子器件，主要包括
2024-01-09 09:26:49379 碳化硅逆变器是一种基于碳化硅（SiC）半导体材料的功率电子设备，主要用于将直流电转换为交流电。与传统的硅基功率器件相比，碳化硅逆变器具有许多优越性能，如更高的开关频率、更低的导通损耗、更高的工作温度
2024-01-10 13:55:54272 碳化硅功率器件主要包括碳化硅二极管（SiC Diode）、碳化硅晶体管（SiC Transistor）等。这些器件通过利用碳化硅材料的优良特性，可以在更高的温度和电压下工作，实现更高的功率密度和效率。
2024-02-29 14:23:24125
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