` 本帖最后由 OneyacSimon 于 2019-6-17 15:31 编辑
ROHM肖特基势垒二极管具有各种高可靠性,低损耗器件。 它们有各种包装。 肖特基二极管提供低正向电压和反向电流
2019-06-17 15:30:23
ROHM自有的元器件开发技术,在业界同等输出功率激光二极管中实现了225?m 的超窄线宽。与线宽 290?m 的普通产品相比,线宽缩窄22%,实现了高光束性能。同时,通过使发光强度更均匀,并利用激光波长较低
2021-07-30 17:06:44
在结电容,该结电容在频率高到某一程度时容抗减小,使PN结短路,致使二极管失去单向导电性,无法工作。PN结面积越大,结电容也越大,高频性能越差。(4) 击穿特性二极管的击穿特性包括电击穿和热击穿两种。 1
2017-05-16 09:00:40
。 平面型二极管是一种特制的硅二极管,它不仅能通过较大的电流,而且性能稳定可靠,多用于开关、脉冲及高频电路中。二极管的导电特性 二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入
2019-11-06 11:38:02
二极管的特性是什么?点接触型二极管可分为哪几类?
2021-06-08 06:12:13
进行分类。Si二极管大致上可分为整流二极管、齐纳二极管、高频二极管。其中,以整流为主要目的的二极管又可细分为:一般通用整流用,以开关为前提的高速整流用,用于超高速整流的快速恢复型,还有同样具有高速性和低
2018-12-03 14:30:32
。二极管类型:1、通用整流二极管通用整流二极管用于商用电源整流(50Hz/60Hz)和反接保护电路。 这些二极管具有高击穿特性。2、快恢复二极管快速恢复二极管(FRD)用于开关电源等高频(几十到几百kHz
2022-04-12 15:53:31
整流二极管用于商用电源整流(50Hz/60Hz)和反接保护电路。 这些二极管具有高击穿特性。2、快恢复二极管快速恢复二极管(FRD)用于开关电源等高频(几十到几百kHz)的整流。 与通用整流二极管相比
2021-09-20 07:00:00
快速二极管也叫快恢复二极管,一般用在开关电源等高频电路作整流二极管用,普通整流管的响应速度慢,而且一般都是低频管,用在高频电路容易烧毁。快速二极管做成三只脚,是利用三极管的封装框架,有的是其中一个脚
2022-01-24 13:55:09
最后一篇谈及Si二极管。本篇将说明快速恢复二极管(以下简称为FRD)的特征、改善特性及其相关应用。Si-FRD的特征Si-FRD是PN结二极管,具有高速性特征,Trr极快。与此相反,就一般特征而言
2018-11-28 14:30:58
快速恢复二极管的特点就是它的恢复时间很短,这一特点使其适合高频(如电视机中的行频、开关电源输出)整流。快速恢复二极管有一个决定其性能的重要参数——反向恢复时间。反向恢复时间的定义是,二极管从正向
2021-05-24 06:24:34
速度、正向压降等参数的相互制约限制了这种器件用于许多电力电子应用领域。故制作出一种反向恢复时间短、恢复时反向峰值电流小、且为软恢复特性的高速二极管就显得尤为重要。为此开发了不同结构的这种二极管,例如
2019-10-10 13:38:53
/100mA/200mA/250mA/500mA低噪声电流的二极管激光器,当它5V供电时它的输出电压为1.4V~4V.该系列具有超低噪声、体积小、限流保护等功能。最大输出电流可以选择:100mA 200mA
2011-11-15 13:25:33
内部温度监测;完整屏蔽电磁干扰;封装尺寸小巧;100%无铅符合 RoHS 标准;DIP 和SMT两种封装;软启动; 有好多种超低噪声二极管激光驱动器。即低噪声103、104、106系列区分
2018-10-19 16:16:08
编辑-ZUS1G快恢复二极管的工作原理与普通二极管相同,但普通二极管在开关状态下的反向恢复时间较长,约为4~5ms,不能满足高频开关电路的要求。快恢复二极管US1G有一个重要参数决定其性能
2021-09-06 16:39:18
,保证良好的热稳定性;独有的延长铂寿命控制技术,实现超快恢复特性。全新台面结构、超低正向、极快恢复二极管制造技术:采用多层复合外延材料,实现超低正向压降和软恢复特性;新型光滑台面制造工艺,满足高背压、低
2021-11-29 16:16:50
就是关于ASEMI快恢复二极管型号大全,快恢复特性关系与选型大全的全部内容了,好的电路设计选择快恢复二极管的参数时,不仅要考虑常温下的参数,还要考虑高低温环境下的一些突变。ASEMI快恢复二极管型号大全的快恢复型号非常多,了解快恢复二极管的这些特性,往往会为工程师的选管和电路故障分析带来事半功倍的结果。
2021-07-30 14:33:17
凌力尔特公司 (Linear Technology Corporation) 推出可为肖特基二极管提供了一种简单的低损耗替代方案的高压理想二极管控制器LTC4359,拥有适合汽车、航空电子及太阳能
2012-06-05 11:51:18
和HIPAX系列中使用的半导体技术借鉴了MACOM在PIN二极管设计和晶圆制造方面的丰富经验。产品名称: MA4P4006B-402高功率PIN二极管MA4P4006B-402产品特性高功率处理非磁性包可用
2018-07-19 09:04:17
转换设备的性能。一个设计良好的二极管SF58对降低转换器的损耗有很大的作用。SF58的开关特性越好,器件的开通损耗越小。 随着IGBT、功率VDMOS等电力电子器件的频率和性能不断提高,为了匹配其关断
2021-12-08 16:12:59
上一章介绍了与IGBT的区别。本章将对SiC-MOSFET的体二极管的正向特性与反向恢复特性进行说明。如图所示,MOSFET(不局限于SiC-MOSFET)在漏极-源极间存在体二极管。从MOSFET
2018-11-27 16:40:24
,从而同时实现高耐压和低阻值,但关断的速度会变慢。尽管FRD(快速恢复二极管)利用PN结二极管提高了速度,但尽管如此,trr(反向恢复时间)特性等劣于SBD。因此,trr损耗是高耐压Si PN结二极管
2018-11-29 14:35:50
ROHM推出了SiC肖特基势垒二极管(以下SiC SBD)的第三代产品“SCS3系列”。SCS3系列是进一步改善了第二代SiC SBD实现的当时业界最小正向电压,并大幅提高了抗浪涌电流性能的产品
2018-12-03 15:12:02
和严格控制的基宽PIN限幅器二极管。使用这些器件的限制器电路具有很强的限幅作用和低损耗。CLA系列由11个不同本征区基宽和电容的独立芯片设计组成,用于适应多级限制器的应用。台面结构、薄底座宽度、低电容
2020-09-21 18:04:55
二极管的特性与应用创易电子整理出品,创易更懂电子, http://52edk.taobao.com/ 全系列阻容感一本全掌控。几乎在所有的电子电路中,都要用到半导体二极管,它在
2010-04-09 21:56:24
的温度性能。pin二极管温度效应的研究包括对迁移率和载流子寿命的温度特性的理论分析和实验研究。 文中针对几种不同结构和钝化材料的pin二极管,对其温度性能进行了研究,包括I区域载流子寿命与温度的关系
2019-06-25 06:06:38
与快恢复二极管性能比较 肖特基二极管:反向耐压值较低40V-50V,通态压降0.3-0.6V,小于10nS的反向恢复时间。它是具有肖特基特性的“金属半导体结”的二极管。其正向起始电压较低。其金属层除
2019-03-11 11:24:39
时间),Ls值很快增大,抑制了反向恢复电流的增大,这样就使电流变成di/dt较小的软恢复,使二极管的损耗减小,同时抑制了一个重要的噪声源;第Ⅳ阶段二极管反向恢复结束;第Ⅴ阶段二极管再次导通,由于电流增大
2017-08-17 18:13:40
、不间断电源(UPS)等领域作为高频、大电流的整流二极管、续流二极管或阻塞二极管,是极有发展前途的电力电子半导体器件,具有开关特性好、反向恢复时间短、耐压高、正向电流大、体积小、安装简便等优点。这两种
2020-10-29 08:50:49
、反向恢复时间较短的整流二极管(例如RU系列、EU系列、V系列、1SR系列等) 或选择快恢复二极管。三、稳压二极管的选用稳压二极管一般用在稳压电源中作为基准电压源或用在过电压保护。电路中作为保护二极管
2022-06-07 15:51:38
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性,并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
转换器内所使用的MOSFET体二极管的反向恢复。氮化镓—GaN器件不会表现出反向恢复特性,并因此避免了损耗和其它相关问题。借助于我的LMG5200和一个差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
本文介绍了一个新的1700V 25A至300A快速恢复二极管(FRD)系列。实验结果与数值模拟结果一致,表明采用SIPOS、SIN和聚酰亚胺钝化法的横向掺杂变化(VLD)可以实现稳定的1700V
2023-02-27 09:32:57
时间决定了肖特基二极管能在多高频率的连续脉冲下做开关使用,如果反向脉冲的持续时间比反向恢复时间短,则肖特基二极管在正向、反向均可导通就起不到开关的作用。PN结中储存的电荷量与反向电压共同决定了反向恢复
2018-10-18 18:19:30
小,反向恢复时间短。肖特基二极管的开启电压低,电荷储存效应小,适于高频工作。同样的电流工作情况下,它的正向压降会比普通二极管小。还具有损耗小、噪声低、检波灵敏度高、稳定可靠等特点。 所以肖特基二极管
2018-11-05 14:29:49
二极管,即阴阳极分别为N和P型半导体。物理结构决定了两者的电特性。1.肖特基二极管耐压较低,通常在200V以下,同等耐压,相同电流下,肖特基二极管的正向压降低于快恢复二极管。2.肖特基二极管载流子只有电子
2018-11-01 15:26:11
静态反向电压阶段。参数性能仿真研究人员利用SPICE模型,通过商业PSpice软件对功率二极管反向恢复特性进行了仿真。功率二极管型号1n4005(Ie=1A,Um<600V)。(a)二极管
2023-02-14 15:46:54
的反向恢复时间较长,约4~5ms,不能适应高频开关电路的要求。快速二极管主要应用于高频整流电路、高频开关电源、高频阻容吸收电路、逆变电路等,其反向恢复时间可达10ns。快速二极管主要包括快恢复二极管和肖特基
2018-10-18 15:45:32
(FRD),更高的超快恢复二极管(SRD),开关二极管,最快的是肖特基管(其原理不同于以上几个二极管) 快恢复二极管是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM
2021-06-30 13:51:20
的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比,大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为SiC-SBD与Si-FRD(快速恢复二极管)的trr比较。恢复的时间trr很短,二极管关断时的反向电流
2018-12-04 10:26:52
导 读 追求更低损耗、更高可靠性、更高性价比是碳化硅功率器件行业的共同目标。为不断提升产品核心竞争力,基本半导体成功研发第三代碳化硅肖特基二极管,这是基本半导体系列标准封装碳化硅肖特基二极管
2023-02-28 17:13:35
、应用范围广阔。大电流肖特基二极管大部分都属于插件系列,高效低损耗,易插件上锡快,VF低,性能可靠稳定,应用范围广阔。肖特基二极管规格书下载:
2020-08-28 17:12:29
二极管两种。端子是正极,外壳是负极,而负二极管的前端是负极,外壳是正极。为了便于识别,正二极管通常涂上红点,负二极管涂黑点。(5)续流二极管 续流二极管常见于汽车。此外,快速恢复二极管(一种开关特性好
2023-02-07 15:59:32
快恢复二极管电路容易击穿是常见的问题,当快恢复二极管电路出现击穿现象的时候应该怎么去做呢? 快恢复二极管电路中,击穿是因为耐压值不够高所致,烧毁是因为额定电流小所致。建议替换成耐压值较高,额定电流
2021-01-27 14:11:38
在15.6KHZ或31.5KHZ的高频电路中工作,电路不仅要求肖特基二极管有足够的耐压,而且还要求肖特基二极管具有良好的开关特性,即具有很短的反向恢复时间,因此必须使用快恢复肖特基二极管。如果采用普通
2018-12-05 11:54:21
(OFF) 的性能。反向恢复时间 (trr) 短,与其他二极管相比,开关特性优异。开关 ON开关 OFF反向恢复时间 (trr)?反向恢复时间 (trr) 是指开关二极管从导通状态到完全关闭状态所经过的时间
2019-04-12 06:20:39
MIL浪涌电流Ifsm:200A漏电流(Ir):10uA工作温度:-55~+150℃恢复时间(Trr):35nS引线数量:3 开关电源中的整流二极管必须具有正向压降低和快速恢复的特性,还应有足够
2021-09-09 16:34:24
中减小损耗和电磁干扰,可靠性高。可应用于低电压整流,高频转换开关,开关电源、高频直流转换器、续流和极性保护等。 二极管反向恢复过程以及注意点 反向恢复时间限制了二极管的开关速度,这一点尤其需要
2020-09-24 16:10:01
平面钝化芯片 极低泄漏电流 恢复时间非常短 改善热性能 极低的IRM值 软恢复特性 低EMI/RFI的软反向恢复 低IRM减少: -二极管内的功耗 -降低开关损耗 快恢复二极管
2020-09-24 16:17:13
快恢复二极管FMD4206S,电压600V,电流20A,快恢复时间50ns,TO-3PF封装。开关速度快,低损耗。低漏电流。适用于高频整流的低损耗电源用二极管。常应用于CCM方式PFC;白色家电
2020-09-24 16:11:08
通过零点由正向转换到规定低值的时间间隔,它是衡量高频续流及整流器件性能的重要技术指标。在快恢复二极管里,IF为正向电流,IRM为最大反向恢复电流。Irr为反向恢复电流,通常规定Irr=0.1IRM。当t
2021-08-13 17:15:07
能的半导体器件。通常包含一个PN结,有正极和负极两个端子。整流二极管一般为平面型硅二极管,用于各种电源整流电路中。快恢复二极管与整流二极管有什么区别呢,从以下三个方面进行分析。一、特性不同1.快恢复二极管
2023-02-17 14:08:01
恢复二极管的反向击穿电压高,一般都高于200V,甚至几千伏,而肖特基二极管的反向击穿电压很低,普遍在100以下,有些会高一点;3、快恢复二极管的功耗较大,而肖特基二极管反向恢复时间短、损耗小、噪声低。原作者:大年君爱好电子
2023-02-16 14:56:38
、快恢复二极管的反向击穿电压高,一般都高于200V,甚至几千伏,而肖特基二极管的反向击穿电压很低,普遍在100以下,有些会高一点;3、快恢复二极管的功耗较大,而肖特基二极管反向恢复时间短、损耗小、噪声低。原作者:大年君爱好电子
2023-02-20 15:22:29
是近年来问世的新型半导体器件,它具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点。可作高频、大电流的整流、续流二极管,在开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间电源(UPS)、高频加热
2015-10-19 11:26:11
、6.2V稳压二极管代换。3.开关二极管的代换开关二极管损坏后,应用同型号的开关二极管更换或用与其主要参数相同的其它型号的开关二极管来代换。高速开关二极管可以代换普通开关二极管,反向击穿电压高的开关二极管可以代换反向击穿电压低的开关二极管。快恢复二极管规格书下载:
2021-07-07 14:58:27
快恢复二极管,它具有开关特性好,反向恢复时间短、正向电流大、体积较小、安装简便等优点。可作高频、大电流的整流、续流二极管,在开关电源、脉宽调制器(PWM)、不间电源(UPS)、高频加热、交流电
2022-03-31 10:04:12
快恢复二极管(简称FRD)是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管,主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等电子电路中,作为高频整流二极管、续流二极管或阻尼二极管使用。 快恢复
2021-09-09 06:52:46
在业余条件下,可以利用万用表能检测快恢复、超快恢复二极管的单向导电性,以及内部有无开路、短路故障,并能测出正向导通压降。若配以兆欧表,还能测量反向击穿电压。下面让辰达电子带你认识一下如何检测快恢复
2021-06-25 17:46:42
较高,且反向恢复时司短快恢复型整流二极管。而不能使用一般整流二极管。可选择使用fr一系列,pfr一系列,mur一系列快恢复二极管。对低电压整流电路应选择使用正问压降小整流二极管。对于5A对下整流
2021-04-25 14:03:51
普通二极管和肖特基二极管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
两种二极管都是单向导电,可用于整流场合。区别是普通硅二极管的耐压可以做得较高,但是它的恢复速度低,只能用在低频的整流上,如果是高频的就会因为无法快速恢复而发生反向漏电,最后导致管子严重发热烧毁
2019-06-12 02:34:10
(OFF) 的性能。反向恢复时间 (trr) 短,与其他二极管相比,开关特性优异。开关 ON开关 OFF反向恢复时间 (trr)?反向恢复时间 (trr) 是指开关二极管从导通状态到完全关闭状态所经过的时间
2019-05-06 08:51:18
整流二极管在反向恢复时间内会因反向电流而造成EMI噪声。肖特基=极管可以立即切换,没有反向恢复时间及反相电流的问题。`
2018-10-22 15:32:15
肖特基势垒二极管结构符号用途・特征对电源部的二次侧起到整流作用。低VF(低损耗)、IR大。开关速度快。一般的二极管是利用PN接合来发挥二极管特性,而肖特基势垒二极管是利用了金属和半导体接合产生
2019-04-11 02:37:28
,反向恢复峰值电压4500V,反向恢复时间5µs。现在这些二极管一般采用电子辐照控制少子寿命,其软度因子在0.35左右,特性很硬。国际上快速二极管的最好参数为:正向平均电流2500A,反向重复峰值电压
2019-04-26 09:52:00
的峰值减少保护电路低噪声开关低损耗工作在较低的温度或节省空间通过降低冷却液快恢复二极管DSEP8-12A技术参数RoHS:ROHS无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求封装:管件说明
2019-04-26 10:02:54
电路低噪声开关低损耗工作在较低的温度或节省空间通过降低冷却液快恢复二极管STTH3012技术参数RoHS:ROHS无铅/符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求封装:管件说明:DIODE ULT
2019-04-26 09:53:42
STTH8S12产品优势:高可靠性的电路操作低电压的峰值减少保护电路低噪声开关低损耗工作在较低的温度或节省空间通过降低冷却液快恢复二极管STTH8S12技术参数RoHS:ROHS无铅/符合限制有害物质指令
2019-04-26 10:05:26
二极管的伏安特性是什么?温度对二极管的伏安特性有何影响?
2021-10-08 08:55:17
点接触型二极管的特性点接触型二极管的分类
2021-01-07 07:10:51
比如一个电源,全桥架构,副边用的是桥式整流输出,输出电流为10A,假设二极管的管子压降为1.5V,那么副边的二极管通态损耗怎么样计算?可以这样了解吗:正半周期一组对角的二极管导通,此时功耗为1.5V*10*2=30W,同理负半周期也如此,则副边二极管损耗为60W。
2018-12-18 14:52:44
基础。软切换还是硬切换?与主流硅相比,SiC的性能在二极管和晶体管开关特性方面有了显著的改善,但近年来的趋势是使用软开关拓扑结构在整个转换器上实现最高水平的性能。这些软开关拓扑非常适合砷化镓二极管,使
2023-02-22 17:13:39
特性比较 1、碳化硅肖特基二极管器件结构和特征 用碳化硅肖特基二极管替换快速PN 结的快速恢复二极管(FRD),能够明显减少恢复损耗,有利于开关电源的高频化,减小电感、变压器等被动元件的体积,使
2023-02-28 16:34:16
堆领域为您服务。公司专业生产普通整流二极管(STD系列)开关二极管(DO-34、DO-35封装)、快速恢复二极管(FR)高效率二极管(HER、UF)超快速二极管(SF)肖特基二极管(SKY)双向触发管
2013-08-02 16:20:16
肖克利二极管有什么特性?肖克利二极管结构原理是什么?肖克利二极管的用途有哪些?
2021-06-08 06:29:37
肖特基势垒整流器的典型应用包括不间断电源、高频开关式电源和直流-直流转换器,以及作为续流二极管和极性保护二极管使用。 MBR系列所具有的关键优势如下: •MBR系列极快的开关速度以及非常低的反向恢复
2016-04-11 11:53:55
以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。前者反向恢复时间为数百纳秒或更长,后者则在100纳秒以下。 肖特基二极管是以金属和半导体接触形成的势垒为基础的二极管,简称肖特基二极管
2019-01-08 13:56:57
),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(0.5-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为快恢复和超快恢复两个等级。 前者
2016-04-19 14:29:35
肖特基二极管和快恢复二极管区别:恢复时间比后者小一百倍左右,前者的反向恢复时间大约为几纳秒! 优点还有低功耗,大电流,超高速!电特性当然都是二极管! 复二极管在制造工艺上采用掺金,单纯的扩散等工艺
2015-11-27 18:02:58
肖特基二极管一种应用电路,这是肖特基二极管在步进电动机驱动电路中的应用。利用肖特基二极管的管压降小、恢复时间短的特点,这样大部分电流就流过外部的肖特基二极管,从而集成电路内部的功耗就小了很多,提高了热稳定性能,也就提高了可靠性。肖特基二极管规格书下载:
2021-04-12 17:25:17
都是根据这两个工作点计算的。然而,肖特基二极管的快速开关也会引起功耗,其表现形式为在开关期间出现的电压和电流。 反向恢复也会引起功耗,这与SiC等新型半导体材料的技术发展有关。有许多不同类型的半导体
2019-02-21 13:39:32
的续流二极管、变压器次级用100V以上的高频整流二极管、RCD缓冲器电路中用600V~1.2kV的高速二极管以及PFC升压用600V二极管等,只有使用快速恢复外延二极管(FRED)和超快速恢复二极管
2021-11-16 17:02:37
快速恢复二极管(UFRD)。UFRD的反向恢复时间Trr也在20ns以上,根本不能满足像空间站等领域用1MHz~3MHz的SMPS需要。即使是硬开关为100kHz的SMPS,由于UFRD的导通损耗
2021-09-09 15:19:01
肖特基势垒二极管结构符号用途・特征对电源部的二次侧起到整流作用。低VF(低损耗)、IR大。开关速度快。一般的二极管是利用PN接合来发挥二极管特性,而肖特基势垒二极管是利用了金属和半导体接合产生
2019-04-30 03:25:24
MOS管在制作生产时,这个反并联的快速恢复二极管就自动复合而成,不需要人为特意去另装这个PN结。但是IGBT在制作生产时,这个反并联二极管不是自动复合而成,是没有的,需要单独再并联一个快速恢复二极管。请问我的理解对吗?请大家指导,谢谢!
2019-09-09 04:36:22
我发现现在大家在选型这个二极管的时候,一般都是采用那种快恢复的二极管,有些场合明明不需要高速的快恢复二极管,但是大家也一样的采用了,看来是不是快恢复二极管已经可以通吃整个二极管应用了?
2019-05-16 00:12:23
系列产品可实现最快几十nS的反向恢复时间,最高反向电压可达一千多伏,额定电流也可以达到上百安,最高工作结温为175℃。 以上就是关于超快恢复二极管如何选?ASEMI超快恢复二极管资料的详细介绍
2021-10-25 17:34:10
的损耗估算如下: Pd = VF×Iout = 1V×0.2A = 0.2W 二极管使用RFN1L6S(电路图中有指定)。下面是快速恢复二极管 RFN1L6S的规格值表和VF-IF特性。此次有电路
2018-11-27 16:51:14
具有超低压降特性,损耗极小。在悬浮充电技术中,研发工程师们先要解决的就是传输损耗问题,因此使用超低压降肖特基二极管要比普通的肖特基二极管、低压降肖特基管更加节能、环保。其二,超低压降肖特基二极管
2018-08-29 16:38:07
雪崩二极管如何帮助防止过电压?雪崩二极管的噪声是如何产生的?
2021-06-18 09:24:06
制成的快恢复整流二极管实现高频整流及电镀应用。在保证正向、反向恢复时间都达到基本要求的前提下,使快恢复整流二极管既在反向恢复时间内不产生大的反向电流和大的功率损耗,又在正向恢复时间内不产生过大的电路电压
2011-07-14 08:32:21
ROHM新开发出四款可同时降低辐射噪声和功率损耗、并在这两方面均实现了业内超高特性的IGBT IPM系列产品。
2021-04-20 15:14:47556 电子发烧友网站提供《超低噪声、高PSRR、快速、RF、1-A低损耗线性稳压器TPS796系列数据表.pdf》资料免费下载
2024-02-29 16:40:550
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