于SiC相关设计的系列文章。希望以此给到大家一定的设计参考,并期待与您进一步的交流。 前两篇文章我们分别探讨了 SiC MOSFET的驱动电压 ,以及 SiC器件驱动设计中的寄生导通问题 。本文作为系列文章的第三篇,会从SiC MOS寄生电容损耗与传统Si MOS作比较,给
2022-07-07 09:55:002357 在高功率应用中,碳化硅(SiC)MOSFET与硅(Si)IGBT相比具有多项优势。其中包括更低的传导和开关损耗以及更好的高温性能。
2023-09-11 14:55:31347 制器射频发射部分采用SI24R1的技术方案,无线接收器和计算机通过USB连接,教学过程中,该系统可与教室中的电子白板、投影幕布等设备配合。教师可用教师卡随时发起提问、随堂测验或其他互动式教学,学生使用学生卡作答。互动软件以图表直观显示学生答题情况。4推荐运营平台有兴趣可以联系了解`
2017-07-26 11:39:44
上一章针对与Si-MOSFET的区别,介绍了关于SiC-MOSFET驱动方法的两个关键要点。本章将针对与IGBT的区别进行介绍。与IGBT的区别:Vd-Id特性Vd-Id特性是晶体管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
半导体相比,损耗更低,高温环境条件下工作特性优异,有望成为新一代低损耗元件的“碳化硅(SiC)功率元器件”。提及功率元器件,人们当然关注SiC之类的新材料,但是,目前占有极大市场份额和应用领域的Si功率
2018-11-28 14:34:33
Si整流器与SiC二极管:谁会更胜一筹
2021-06-08 06:14:04
的稳健性、可靠性、高频应用中的瞬时振荡以及故障处理等问题。这就需要工程师深入了解SiC MOSFET的工作特征及其对系统设计的影响。如图1所示,与同类型的Si MOSFET相比,900V的SiC
2019-07-09 04:20:19
MOSFET状态表明了主要商业障碍的解决方案,包括价格,可靠性,坚固性和供应商的多样化。尽管价格优于Si IGBT,但由于成本抵消了系统级优势,SiC MOSFET已经取得了成功。随着材料成本的下降,这项技术
2023-02-27 13:48:12
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-03-14 06:20:14
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-04-22 06:20:22
从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等
2018-11-30 11:34:24
”)应用越来越广泛。关于SiC-MOSFET,这里给出了DMOS结构,不过目前ROHM已经开始量产特性更优异的沟槽式结构的SiC-MOSFET。具体情况计划后续进行介绍。在特征方面,Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
另一方面,按照现在的技术水平,SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低,所以沟道部的阻抗比Si器件要高。 因此,越高的门极电压,可以得到越低的导通电阻(VCS=20V以上则逐渐饱和)。 如果
2023-02-07 16:40:49
另一方面,按照现在的技术水平,SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低,所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此,越高的门极电压,可以得到越低的导通电阻(VCS=20V以上则逐渐饱和)。如果
2019-04-09 04:58:00
确认现在的产品情况,请点击这里联系我们。ROHM SiC-MOSFET的可靠性栅极氧化膜ROHM针对SiC上形成的栅极氧化膜,通过工艺开发和元器件结构优化,实现了与Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET,还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。SiC-MOSFET应用实例1:移相DC/DC转换器下面是演示机,是与功率Power Assist Technology Ltd.联合制
2018-11-27 16:38:39
反向电流的流动时间。此时,前文提到SiC-SBD的trr比包含Si-FRD在内的Si-PND高速。下面我们来了解其原因和实际特性。简单地说,trr的速度和反向恢复特性的不同是因为二极管构造不同。这就
2018-11-29 14:34:32
、对温度稳定是比较理想的,但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面与Si-PND的FRD(快速恢复二极管)进行比较。下图是相对于SiC-SBD和Si-FRD的正向
2018-11-30 11:52:08
为了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二极管为比较对象,对特性进行了说明。其中,也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代,性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的,所以在此汇总一下SiC
2018-11-30 11:51:17
继SiC功率元器件的概述之后,将针对具体的元器件进行介绍。首先从SiC肖特基势垒二极管开始。SiC肖特基势垒二极管和Si肖特基势垒二极管下面从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始
2018-11-29 14:35:50
WInSiC4AP的主要目标是什么?SiC技术在WInSiC4AP中有什么应用?
2021-07-15 07:18:06
在未来几年投入使用SiC技术来应对汽车电子技术挑战是ECSEL JU 的WInSiC4AP项目所要达到的目标之一。ECSEL JU和ESI协同为该项目提供资金支持,实现具有重大经济和社会影响的优势互补的研发活动。
2019-07-30 06:18:11
前面对SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征进行了介绍。SiC功率元器件具有优于Si功率元器件的更高耐压、更低导通电阻、可更高速工作,且可在更高温条件下工作。接下来将针对SiC的开发背景和具体优点
2018-11-29 14:35:23
另一方面,按照现在的技术水平,SiC-MOSFET的MOS沟道部分的迁移率比较低,所以沟道部的阻抗比Si器件要高。因此,越高的门极电压,可以得到越低的导通电阻(VCS=20V以上则逐渐饱和)。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽范围内控制必要的p型、n型
2019-07-23 04:20:21
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
具有成本效益的大功率高温半导体器件是应用于微电子技术的基本元件。SiC是宽带隙半导体材料,与Si相比,它在应用中具有诸多优势。由于具有较宽的带隙,SiC器件的工作温度可高达600℃,而Si器件
2018-09-11 16:12:04
和相比上一代的优点,不过由于机会难得,能否请您首先介绍一下SiC-SBD的基础内容?说实话,我认为非常了解使用了SiC(碳化硅)这种半导体的二极管和晶体管的特点的人并不多。是啊!2010年ROHM确立
2018-12-03 15:12:02
si4438,大家了解多少 ,与cc1100,1020系列的比较
2014-01-22 21:14:38
引言:前段时间,Tesla Model3的拆解分析在行业内确实很火,现在我们结合最新的市场进展,针对其中使用的碳化硅SiC器件,来了解一下SiC器件的未来需求。我们从前一段时间的报道了解到:目前
2021-09-15 07:42:00
的导通电阻大大降低。在25°C至150°C的温度范围内,SiC的变化范围为20%,而Si的变化范围为200%至300%.SiC MOSFET管芯能够在200°C以上的结温下工作。该技术还得益于固有的低
2022-08-12 09:42:07
差异化的领先半导体技术方案供应商美高森美公司(Microsemi Corporation,纽约纳斯达克交易所代号:MSCC ) 发布专门用于高电流、低导通阻抗(RDSon) 碳化硅 (SiC
2018-10-23 16:22:24
Power Solutions携手,通过面向工业以及数据基础设施领域尽可能地深挖SiC技术潜力,从而进一步提升电源系统的能效。”<关于Murata Power Solutions>Murata Power
2023-03-02 14:24:46
申请理由:大学生毕业设计及企业开发平台让大学生可以更多了解多平台CPU的差异,让企业选择性价比的平台和方案。帮助大学生建立良好的开发平台,让毕业毕业设计就源于企业设计,结合实际。项目描述:让大学生
2016-05-17 09:59:21
的量产化,并于 2010 年全球首家成功实现了 SiC-MOSFET 的量产。罗姆希望通过本次研讨会,让更多同行了解 SiC 的优点和特性,更好地应用 SiC 功率器件。研讨会的演讲概要如下: 1
2018-07-27 17:20:31
SBD耐压均在200V以内,更高电压应用往往选择Si FRD,尽管FRD技术不断发展,但仍然无法完全消除反向恢复的问题。SiC的SBD可以将耐压提高到3.3kV,极大地扩展了SBD的应用范围。
2
2023-10-07 10:12:26
状态之间转换,并且具有更低的导通电阻。例如,900 伏 SiC MOSFET 可以在 1/35 大小的芯片内提供与 Si MOSFET 相同的导通电阻(图 1)。图 1:SiC MOSFET(右侧)与硅
2017-12-18 13:58:36
带宽或-3dB 的点对于滤波器电路的设计非常有帮助。 Multisim内含20种不同的分析,可帮助学生透彻地理解电路行为。 Multisim还包含用于模拟、数字、机电一体化和电力电子技术方面的模型组件
2012-07-12 01:00:24
关于SiC-SBD,前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容,并探讨SiC-SBD的优势。SiC-SBD、SiーSBD、Si-PND的特征SiC-SBD为形成
2018-11-29 14:33:47
从本文开始进入新的一章。继SiC概要、SiC-SBD(肖特基势垒二极管 )、SiC-MOSFET之后,来介绍一下完全由SiC功率元器件组成的“全SiC功率模块”。本文作为第一篇,想让大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
是基于技术规格书中的规格值的比较,Eon为开关导通损耗,Eoff为开关关断损耗、Err为恢复损耗。全SiC功率模块的Eon和Eoff都显著低于IGBT,至于Err,由于几乎没有Irr而极其微小。结论是开关损耗
2018-11-27 16:37:30
的优势。大幅降低开关损耗SiC-SBD与Si二极管相比,大幅改善了反向恢复时间trr。右侧的图表为SiC-SBD与Si-FRD(快速恢复二极管)的trr比较。恢复的时间trr很短,二极管关断时的反向电流
2018-12-04 10:26:52
)③ SiC、GaN宽禁带电力电子技术的机遇和挑战 ④ 针对宽禁带电力电子技术特性的封装技术 ⑤ SiC、GaN器件与Si器件的对比(优势、驱动上的区别、结构和成本的影响)五、活动报名电话:***微信:CampusXiaomeng`
2017-07-11 14:06:55
1. SiC模块的特征大电流功率模块中广泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD组成的IGBT模块。ROHM在世界上首次开始出售搭载了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模块。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
收发一体功能,可以更好的配合接收与发射。4应用意义2.4g无线答题器的出现是为了辅助实现智慧课堂的媒介,让学生更好的参与课堂的教育学习,提升课堂参与度以及协助老师更好的了解各个学生的知识掌握情况,通过
2017-10-07 10:31:17
”是条必经之路。高效率、高性能的功率元器件的更新换代已经迫在眉睫。“功率元器件”广泛分以下两大类:一是以传统的硅半导体为基础的“硅(Si)功率元器件”。二是“碳化硅(SiC)功率元器件”,与Si半导体相比
2017-07-22 14:12:43
本文讨论了商用氮化镓功率晶体管与Si SJMOS和SiC MOS晶体管相比在软开关LLC谐振转换器方面的优势。介绍随着更高功率、更小尺寸和更高效率的明显趋势,高频 LLC 谐振转换器是业内隔离式
2023-02-27 09:37:29
应用看,未来非常广泛且前景被看好。与圈内某知名公司了解到,一旦国内品牌谁先成功掌握这种技术,那它就会呈暴发式的增加。在Si材料已经接近理论性能极限的今天,SiC功率器件因其高耐压、低损耗、高效率等特性
2019-09-17 09:05:05
1. 器件结构和特征SiC能够以高频器件结构的SBD(肖特基势垒二极管)结构得到600V以上的高耐压二极管(Si的SBD最高耐压为200V左右)。因此,如果用SiC-SBD替换现在主流产品快速PN结
2019-05-07 06:21:51
更新换代,SiC并不例外 新一代半导体开关技术出现得越来越快。下一代宽带隙技术仍处于初级阶段,有望进一步改善许多应用领域的效率、尺寸和成本。虽然,随着碳化硅技术的进步,未来还将面临挑战,例如,晶圆
2023-02-27 14:28:47
纬湃科技选择罗姆为其SiC技术的首选供应商
2021-03-11 08:01:56
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品,并探讨SiC-SBD的优势。ROHM的SiC-SBD已经发展到第3代。第3代产品的抗浪涌电流特性与漏电流特性得到
2019-07-10 04:20:13
的逆变器和转变器中一般使用Si-IGBT,但尾电流和外置FRD的恢复导致的功率转换损耗较大,因此,更低损耗、可高频动作的SiC-MOSFET的开发备受期待。但是,传统的SiC-MOSFET,体二极管通电
2019-03-18 23:16:12
刚学完51,想做个东西,比较综合,然后帮助学习吧
2019-08-07 04:35:20
2 : Si、SiC和GaN的特性优值比较(source:YoleDeveloppement)WINSIC4AP 的主要目标主要目标WinSiC4AP致力于为高效能、高成本效益的目标应用开发可靠的技术
2019-06-27 04:20:26
Using Allegro PCB SI to Analyze a Board’s Power Delivery System from Power Source to Die Pad:Slide
2010-04-05 06:23:270 蓝宝石(Al2O3),硅 (Si),碳化硅(SiC)LED衬底材料的选用比较
对于制作LED芯片来说,衬底材料的选用是首要考虑的问题。应该采用
2009-11-17 09:39:204931 The Si3480 is a power manager intended for use with the Si3452 Power over Ethernet (PoE
2010-07-29 16:25:281043 SIC是什么呢?相比于Si器件,SiC功率器件的优势体现在哪些方面?电子发烧友网根据SIC器件和SI器件的比较向大家讲述了两者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411978 纽约Chenango Bridge小学的学生们应用AR技术的帮助让他们的涂色画面中的人物进入现实世界。
日前该校的学生们参加了一个AR的课程,使用ipad上的一个叫Quiver的应用。
2017-12-29 13:39:393316 SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。SiC临界击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,热导率是Si的3倍,所以被认为是一种超越Si极限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:419257 Osso VR是一家专门为外科医生、医院工作人员和销售团队提供虚拟现实(VR)技术培训的专业公司。该公司宣布与医疗销售学院(the Medical Sales College)建立新的合作伙伴关系,帮助其学生通过无限的动手实践来增加他们的外科知识。
2018-11-05 15:06:451260 据外媒的报道,微软最近在印度宣布了一项新计划,该计划将使研究和高等教育机构能够更好地向学生传授人工智能和云技术。
2018-12-25 10:29:091205 电离情况的机会。学生们利用六维度触控笔将离子与分子”拽出屏幕“,仔细观察每一个微观粒子的构造,了解每一种粒子的大小比例,用实际观察为自己的疑惑寻找到了答案。兰老师也提到:学生们借此形成正确的微粒观和变化观,提升了他们的科学核心素养。
2019-06-02 09:42:364737 在大多数艺术教室里,学生可以使用不同的媒介,如颜料或粘土,来创作他们的作品。但在Powhatan学校,虚拟现实(VR)现在已经成为一种新的创新工具。
2019-09-10 11:48:041099 直到最近,功率模块市场仍被硅(Si)绝缘栅双极型晶体管(IGBT)把持。需求的转移和对更高性能的关注,使得这些传统模块不太适合大功率应用,这就带来了 SiC 基功率器件的应运而生。
2019-11-08 11:41:5317036 在K12中,辅助学习可能是一个棘手难以应对的问题。学校有责任照顾到每一个学生的需求,但是要创建一个可以满足所有学生需求的课程却很难,特别是在越来越多优秀的、名片靠前的学校面临着学生过度拥挤的情况下。
2019-12-23 08:39:351039 作为半导体材料“霸主“的Si,其性能似乎已经发展到了一个极限,而此时以SiC和GaN为主的宽禁带半导体经过一段时间的积累也正在变得很普及。所以,出现了以Si基器件为主导,SiC和GaN为"游击"形式存在的局面。
2020-08-27 16:26:0010156 i.MX7 96Board Power Tree
2021-03-11 08:55:091 硅 (Si) 基功率器件由于其技术的成熟性和相对容易的可获性,长期占据着电力电子行业的主导地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大优势能够很好地契合当前的工业趋势,正在获得越来越多的采用
2021-06-17 18:20:045732 桩、不间断电源系统以及能源储存等应用场景中的需求不断提升。 SiC MOSFET的特性 更好的耐高温与耐高压特性 基于SiC材料的器件拥有比传统Si材料制品更好的耐高温耐高压特性,其能获得更高的功率密度和能源效率。由于碳化硅(SiC)的介电击穿强度大约是硅(Si)的
2021-08-13 18:16:276630 我们知道,技术教育不仅需要理论知识,还需要实践知识和动手经验,让学生在电路层面理解更深层次的概念。2 Labs 实际上帮助学生理解诸如电路设计概念之类的主题。用于电子教学的工具,如 Power
2022-08-04 09:55:26360 来源:半导体芯科技编译 SEMI最近与PowerAmerica联盟的执行董事兼首席技术官Victor Veliadis合作,举办了一次题为SiC-碳化硅材料特性、制造基础知识和关键应用的在线研讨会
2022-08-19 16:53:301022 电子发烧友网站提供《W406812AS2D2 Gerber PCB Flag Box Board开源.zip》资料免费下载
2022-08-22 16:32:209 SiC 器件取代服务器、电机、EV 中的 Si MOSFET 和二极管
2023-01-05 09:43:43529 本章将介绍部分SiC-MOSFET的应用实例。其中也包括一些以前的信息和原型级别的内容,总之希望通过这些介绍能帮助大家认识采用SiC-MOSFET的好处以及可实现的新功能。另外,除了SiC-MOSFET,还可以从这里了解SiC-SBD、全SiC模块的应用实例。
2023-02-06 14:39:51645 碳化硅(SiC)是比较新的半导体材料。一开始,我们先来了解一下它的物理特性和特征。SiC的物理特性和特征:SiC是由硅(Si)和碳(C)组成的化合物半导体材料。其结合力非常强,在热、化学、机械方面都非常稳定。
2023-02-08 13:42:083923 二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的,但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面与Si-PND的FRD(快速恢复二极管)进行比较。
2023-02-08 13:43:18378 为了使大家了解SiC-SBD,前面以Si二极管为比较对象,对特性进行了说明。其中,也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代,性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 关于SiC-SBD,前面介绍了其特性、与Si二极管的比较、及当前可供应的产品。本篇将汇总之前的内容,并探讨SiC-SBD的优势。
2023-02-08 13:43:18704 从本文开始,将逐一进行SiC-MOSFET与其他功率晶体管的比较。本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。
2023-02-08 13:43:20644 二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的,但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面与Si-PND的FRD(快速恢复二极管)进行比较。
2023-02-22 09:18:59140 本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736 碳化硅(SiC)技术改进了各种应用中的多个系统和子系统组件。与硅相比,碳化硅通过更快的开关、在整个温度范围内的平坦RDS(on)和更好的体二极管性能表现出更好的功率密度和效率。
2023-02-24 09:22:00723 碳化硅(SiC)器件是一种新兴的技术,具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙,允许更高的电压阻断,并使其适用于高功率和高电压应用。此外,SiC还具有比Si更低的热阻,这意味着它可以更有效地散热,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 硅 (Si) 基功率器件由于其技术的成熟性和相对容易的可获性,长期占据着电力电子行业的主导地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大优势能够很好地契合当前的工业趋势,正在获得越来越多的采用
2023-05-20 16:45:131890 我们从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始介绍。如下图所示,为了形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,其重要特征也是具备高速特性。
2023-07-18 09:47:30233 AR地铁拆解教学是一种基于增强现实技术的教育工具,通过将虚拟模型与实际场景相结合,帮助学生更好地理解和掌握地铁车辆的结构和工作原理。该教学工具解决了传统教学难以深入了解地铁车辆结构、难以模拟真实场景
2023-07-20 14:35:40326 一、什么是SiC半导体?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽
2023-08-21 17:14:581144 始于19世纪初期半导体材料的研究至今已经由第一代半导体材料发展到了第四代半导体材料,其中较为瞩目的莫过于第一代半导体材料si和第三代半导体材料sic了。
2023-08-23 14:43:38372 如今,大多数半导体都是以硅(Si)为基材料,但近年来,一个相对新的半导体基材料正成为头条新闻。这种材料就是碳化硅,也称为SiC。目前,SiC主要应用于MOSFET和肖特基二极管等半导体技术。
2023-09-05 10:56:05277 了解SiC器件的命名规则
2023-11-27 17:14:49357 Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149 SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比
2023-12-05 14:31:21258 SiC的导热性大约是Si的三倍,并且将其他特性的所有优点结合在一起。导热率是指热量从半导体结传递到外部环境的速度。这意味着SiC器件可以在高达200°C的温度下工作,而Si的典型工作温度限制为150°C。
2023-11-23 15:08:11490 碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物,属于宽带隙(WBG)材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。
2023-12-11 11:29:35196 的特点。SiC是一种宽禁带半导体材料,具有优异的热导性、较高的电击穿电场强度和较高的电子饱和漂移速度。相比于传统的硅(Si)材料,SiC具有更好的高温特性、更低的导通损耗和更高的开关频率。因此,使用SiC材料制造的三极管和二极管在高温、高电压和高频率
2023-12-21 11:31:24274 SiC 是一种二元化合物,其中 Si-Si 键原子间距为3.89 Å,这个间距如何理解呢?目前市面上最牛逼的光刻机光刻精度3nm,就是30Å的距离,光刻精度是原子距离的8倍。
2024-01-14 14:09:522108
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