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电子发烧友网>电源/新能源>Power Box Board帮助学生更好地了解Si和SiC技术

Power Box Board帮助学生更好地了解Si和SiC技术

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SiC-SBD与Si-PND的正向电压比较

二极管的正向电压VF无限接近零、对温度稳定是比较理想的,但事实是不是零、并会受温度影响而变动。为了使大家了解SiC-SBD的VF特性,下面与Si-PND的FRD(快速恢复二极管)进行比较。
2023-02-22 09:18:59140

SiC-MOSFET与Si-MOSFET的区别

本文将介绍与Si-MOSFET的区别。尚未使用过SiC-MOSFET的人,与其详细研究每个参数,不如先弄清楚驱动方法等与Si-MOSFET有怎样的区别。在这里介绍SiC-MOSFET的驱动与Si-MOSFET的比较中应该注意的两个关键要点。
2023-02-23 11:27:57736

Si/SiC和GaN HEMT器件的结构比较!

碳化硅(SiC技术改进了各种应用中的多个系统和子系统组件。与硅相比,碳化硅通过更快的开关、在整个温度范围内的平坦RDS(on)和更好的体二极管性能表现出更好的功率密度和效率。
2023-02-24 09:22:00723

SiCSi的应用 各种SiC功率器件的特性

碳化硅(SiC)器件是一种新兴的技术,具有传统硅所缺乏的多种特性。SiC具有比Si更宽的带隙,允许更高的电压阻断,并使其适用于高功率和高电压应用。此外,SiC还具有比Si更低的热阻,这意味着它可以更有效地散热,具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469

为什么在新一代双向OBC设计中选择SiC而非Si

硅 (Si) 基功率器件由于其技术的成熟性和相对容易的可获性,长期占据着电力电子行业的主导地位。然而,碳化硅 (SiC) 器件因其先天的巨大优势能够很好地契合当前的工业趋势,正在获得越来越多的采用
2023-05-20 16:45:131890

SiC产品和Si产品的两点比较 SiC肖特基势垒二极管的特征

我们从SiC肖特基势垒二极管(以下简称“SBD”)的结构开始介绍。如下图所示,为了形成肖特基势垒,将半导体SiC与金属相接合(肖特基结)。结构与Si肖特基势垒二极管基本相同,其重要特征也是具备高速特性。
2023-07-18 09:47:30233

AR地铁拆解教学将虚拟模型与实际场景相结合,提高学生实践操作技能

AR地铁拆解教学是一种基于增强现实技术的教育工具,通过将虚拟模型与实际场景相结合,帮助学生更好地理解和掌握地铁车辆的结构和工作原理。该教学工具解决了传统教学难以深入了解地铁车辆结构、难以模拟真实场景
2023-07-20 14:35:40326

一文看懂SiC功率器件

一、什么是SiC半导体?1.SiC材料的物性和特征SiC(碳化硅)是一种由Si(硅)和C(碳)构成的化合物半导体材料。不仅绝缘击穿场强是Si的10倍,带隙是Si的3倍,而且在器件制作时可以在较宽
2023-08-21 17:14:581144

SiCSi它们两者本身有什么不同呢?

始于19世纪初期半导体材料的研究至今已经由第一代半导体材料发展到了第四代半导体材料,其中较为瞩目的莫过于第一代半导体材料si和第三代半导体材料sic了。
2023-08-23 14:43:38372

SiC相较于Si的优势是什么?碳化硅的实际应用优势

如今,大多数半导体都是以硅(Si)为基材料,但近年来,一个相对新的半导体基材料正成为头条新闻。这种材料就是碳化硅,也称为SiC。目前,SiC主要应用于MOSFET和肖特基二极管等半导体技术
2023-09-05 10:56:05277

了解SiC器件的命名规则

了解SiC器件的命名规则
2023-11-27 17:14:49357

Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法

Si对比SiC MOSFET 改变技术—是正确的做法
2023-11-29 16:16:06149

SiC MOSFET 和Si MOSFET寄生电容在高频电源中的损耗对比

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2023-12-05 14:31:21258

SICSI有什么优势?碳化硅优势的实际应用

SiC的导热性大约是Si的三倍,并且将其他特性的所有优点结合在一起。导热率是指热量从半导体结传递到外部环境的速度。这意味着SiC器件可以在高达200°C的温度下工作,而Si的典型工作温度限制为150°C。
2023-11-23 15:08:11490

为什么SiC在功率应用中战胜了Si

碳化硅(SiC)是一种由硅(Si)和碳(C)组成的半导体化合物,属于宽带隙(WBG)材料系列。它的物理结合力非常强,使半导体具有很高的机械、化学和热稳定性。
2023-12-11 11:29:35196

SiC三极管与SiC二极管的区别

的特点。SiC是一种宽禁带半导体材料,具有优异的热导性、较高的电击穿电场强度和较高的电子饱和漂移速度。相比于传统的硅(Si)材料,SiC具有更好的高温特性、更低的导通损耗和更高的开关频率。因此,使用SiC材料制造的三极管和二极管在高温、高电压和高频率
2023-12-21 11:31:24274

一文了解碳化硅(SiC)半导体结构及生长技术

SiC 是一种二元化合物,其中 Si-Si 键原子间距为3.89 Å,这个间距如何理解呢?目前市面上最牛逼的光刻机光刻精度3nm,就是30Å的距离,光刻精度是原子距离的8倍。
2024-01-14 14:09:522108

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